JPH036527A - 液晶表示素子 - Google Patents

液晶表示素子

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JPH036527A
JPH036527A JP14167789A JP14167789A JPH036527A JP H036527 A JPH036527 A JP H036527A JP 14167789 A JP14167789 A JP 14167789A JP 14167789 A JP14167789 A JP 14167789A JP H036527 A JPH036527 A JP H036527A
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Hirobumi Wakemoto
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Narihiro Sato
成広 佐藤
Shoichi Ishihara
將市 石原
Fumiko Yokoya
横谷 文子
Yoshihiro Matsuo
嘉浩 松尾
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はパネルの上下基板間での液晶のねじれ配向を利
用した液晶表示素子の画質改善に関する。
従来の技術 現在 液晶表示素子の主流はTN方&  STN方式等
のネマチック液晶のねじれ配向を利用したものである。
これらの方式の表示原理は電極を設けた上下基板間で液
晶をねじれ配向させ、電界を加えることによってねじれ
を解消させる。それにともなって光の旋光性または複屈
折性が変化し偏光板と組み合わせて光の透過状態または
反射状態を制御することによって表示を行なうことがで
きる。表示に必要な液晶のねじれ配向を実現するために
 上下基板表面に通常ラビング処理によって一軸配向処
理を施した配向膜を設けるとともくねじれの方向を一定
方向に揃えるために液晶中にカイラル物質が添加されて
いる。
発明が解決しようとする課題 しかし表示が高密度化し画素のサイズが小さくなると、
逆ねじれ領域が発生しやすくなる。逆ねじれ領域が発生
すると順ねじれ領域との境界にディスクリネーションラ
インが現れ 配向欠陥となる。そのため表示のコントラ
ストが低下し 液晶表示素子の画質が低下してしまい問
題であも このような欠陥は液晶の等吉相転移温度以上
の熱処理や電圧印加を行なうことによっである程度改善
できる力丈 −度発生した逆ねじれ欠陥を完全に無くす
ことは非常に困難である。
この逆ねじれ欠陥の発生は ラビング処理を基板表面全
体にわたって均一かつ十分に行うことができないのが一
つの原因である。画素サイズの小型化にともなって基板
表面の凸凹のピッチが細かくなり、どうしてもラビング
布の繊維と配向膜表面との接触が充分でなくなり、ラビ
ング不足となる。また 液晶のプレチルト角の局所的な
ばらつきも要因の一つと考えられる。ラビング処理を強
く行なうことで多少の改善は認められる力丈 太きな効
果はない。そしてラビングを強くすると配向膜が傷つい
たり、膜の剥離が発生する。さらにTPTを用いたアク
ティブマトリクスパネルで(よTPTに静電気によるダ
メージを与え 場合によっては静電気破壊が起こる。
液晶中のカイラル化合物の量を増やすことによる対策も
行なわれる力交 カイラル物質の添加量の増加は一般に
液晶の特性低下を伴t、k  好ましくない。また 逆
ねじれ欠陥の低減に対して、液晶特性変化の許容範囲内
でカイラル化合物添加量を増やす効果は小さい。・ 課題を解決するための手段 本発明は上記課題を解決するた八 液晶パネルの上下基
板間での液晶のねじれ配向を利用した液晶表示素子にお
いて、上下基板表面に設けた配向膜の少なくとも一方が
カイラル基を含有する高分子配向剤から成ることを特徴
とする。
作   用 通常ラビング処理等により液晶の一軸配向処理を施した
配向膜に挟まれた領域で液晶が配向する場合、配向膜表
面と液晶の相互作用によって配向膜との界面付近の液晶
がまず一軸配向し この配向が液晶バルク中に伝播する
ものと考えられる。
上下基板間で一軸配向処理の方向を変えて液晶をねじれ
配向させる場合、カイラル物質が存在しなければねじれ
方向を規定することはできなりXo  もし配向膜表面
付近にカイラル物質が存在しなけれζ瓜 そこから逆ね
じれ領域が発生し 成長する可能性がある。逆ねじれ領
域がある程度の大きさに成長すると安定に存在するよう
になり、逆ねじれ領域が固定されてしまうと考えられる
。−度固定された逆ねじれ領域を順ねじれに戻すために
は大きなエネルギーが必要である。
本発明の液晶表示素子C上  配向膜がカイラル基を含
有する高分子配向材から成ることを特徴とする。配向膜
表面に必ずカイラル基が存在するた敢液晶は配向膜界面
において一軸配向するとともにねじれ方向も規定され 
配向領域が界面からバルクヘ一定方向のねじれをもって
成長する。このため本発明の液晶表示素子においてC!
  逆ねじれ欠陥が発生せず高画質が得られる。
実施例 本発明の液晶表示素子はその配向膜がカイラル基を含有
する高分子配向剤から成り、逆ねじれドメインの発生を
防止し 高画質を得ることができる。配向膜として用い
る高分子中にカイラル基を導入する方法として(よ 次
のような方法がある。
例えばカイラル基を有するモノマーを付加重合や縮合重
合などの重合反応によって高分子化する方法 高分子マ
トリクス中にカイラル基を有する化合物を分散する方法
等である。また ランダム共重合、ブロック共重合、グ
ラフト共重合等の共重合の手法によってカイラル基を導
入する方法も有効である。
本発明において配向膜中に導入されるカイラル基は一種
類でなく複数種であってもよし−その場合、カイラル基
によって誘起される液晶の螺旋構造のねじれ方向が同一
方向であるカイラル基を用いることが好ましく\ 逆方
向のカイラル基を逆ドメイン防止効果が弱まり、ねじり
力がつりあった場合にはラセミ体を用いた場合と同様に
まったく効果がなくなってしまう。
本発明において液晶のねじれ方向は配向膜中に存在する
カイラル基によって規定される力丈 液晶中にもカイラ
ル物質を添加した方力交 逆ねじれ防止により効果的で
ある。その場合、配向膜表面に存在するカイラル基によ
って誘起される液晶の螺旋構造のねじれ方向と、液晶中
に含まれるカイラル物質により誘起される液晶の螺旋構
造のねじれ方向が同一方向である必要がある。
また片側の配向膜中にカイラル基を導入するだけでも効
果がある力(両側の配向膜に導入した方がより効果が大
きい。
以下に具体的な実施例をもって本発明の説明を行なう。
(実施例1) まずカイラル基を含有するポリアミック酸を次のように
して合成し九4,4° −ジアミノジフェニルエーテル
と4−(S−1−メチルへブチロキシ)ベンゾイルクロ
ライドを反応させてカイラル基をもつアミドを得九 こ
の光学活性アミドをテトラヒドロフラン中でリチウムア
ルミニウムハイドライドを作用させてカルボニル基を還
元して光学活性ジアルキルジアミンを得九 この光学活
性ジアルキルジアミンと無水ピロメリット酸をNメチル
ピロリドン中で反応させ、カイラル基を有するポリアミ
ック酸フェスを合成し九本発明における配向膜中へのカ
イラル基導入による効果を確かめるために次のような実
験を行なっ九 液晶表示素子を形成するための基板とし
て、IT○電極上に200OAの厚みの窒化珪素膜を設
(す、さらにその上に幅10μ叫 高さ1μmのアルミ
ニウムのラインを60μmの間隔でストライプ状に形成
したガラス基板を用い九 この基板上に上記のポリアミ
ック酸溶液をスピン塗布L170℃で熱処理して100
OA厚の膜を得九 ナイロンの不織布を用いてアルミニ
ウムのラインと垂直方向ににラビング処理を行なっ九 
この基板を、まったく同様に処理した表面が平坦なIT
O付きガラス基板とラビング方向が906ずらして組み
合わせ、ギャップ6゜3μmのセルを作製し九 比較例として実施例1と同一形状の基板を用いて無水ピ
ロメリット酸と4,4° −ジアミノジフェニルエーテ
ルから合成したポリアミック酸をスピン塗布し 以下は
実施例1とまったく同様にしてセルを作製し丸 これらのセルにカイラル物質として4−(S−2−メチ
ルブチル)−4′ −シアノビフェニルを0.1%添加
したメルク社製の液晶ZLI−2244−000を注入
し 配向状態を調べへ 実施例1のセルにおいては逆ね
じれドメインの発生は認められなかった力丈 比較例の
セルでは逆ねじれドメインが多発し九 偏光板を電圧無
印加時に光を遮断するノーマリブラック(NB)モード
に貼り、電圧印加時と無印加時の光透過率の比(コント
ラスト比)を測定し九 実施例1のセルではコントラス
ト比117が得られた力(比較例のセルでは僅か21で
あっ九これは逆ねじれ領域と順ねじれ領域の境界での電
圧無印加時の光抜けの影響によるものである。
(実施例2) 実施例1で得た光学活性アルキルジアミンと4゜4゛ 
−ジアミノジフェニルエーテルの等モル混合物をジメチ
ルアセトアミド中でジアミンと等モル量の無水ピロメリ
ット酸と重合させて共重合体のポリアミック酸溶液を得
九 液晶表示素子を形成するための基板として、実施例
1と同a  IT○電極上に2000Aの厚みの窒化珪
素膜を設置す、さらにその上に幅10μ取 高さ1μm
のアルミニウムのラインを60μmの間隔でストライブ
状に凸凹を形成したガラス基板を用い九 この基板上に
上記の共重合体ポリアミック酸溶液をスピン塗布シ17
0℃で熱処理して100OA厚の膜を得へ ナイロンの
不織布を用いてアルミニウムのラインと垂直方向ラビン
グ処理を行なっ九 この基板を、まったく同様に処理し
た表面が平坦なITO付きガラス基板とラビング方向が
90°ずらして組み合わせ、ギャップ3.7μmのセル
を作製し九 このセルに4− (S−2−メチルブチル)−4シアノ
ビフエニルを0.1%添加したメルク社製の液晶ZLI
−195715を注入し 偏光顕微鏡下で配向状態を調
べたとこへ 逆ねじれドメインの発生は認められなかっ
九 偏光板を電圧無印加時に光を遮断するノーマリブラ
ック(NB)モードに貼り、電圧印加時と無印加時の光
透過率の比(コントラスト比)を測定した結果 コント
ラスト比は105であっtも (実施例3) 実施例1と同様 ストライプ状に凸凹を形成した基板を
用いて実験を行なっ九 配向膜として実施例1で得た光
学活性ジアルキルジアミンと無水ピロメリット酸からな
るカイラル基を有するポリアミック酸とジアミノジフェ
ニルメタンと無水ピロメリット酸からなるポリアミック
酸の混合溶液をスピン塗布L  170℃で熱処理して
100OA厚の膜を形成し九 この膜をアルミニウムのラインと垂直方向にラビング処
理を行なっ九 この基板を、まったく同様に処理した表
面が平坦なITO付きガラス基板とラビング方向が90
°ずらして組み合わせ、ギャップ6.3μmのセルを作
製し丸 このセルにメルク社製の液晶ZLI−2244−000
を注入し 偏光顕微鏡下で配向状態を調べたとこへ逆ね
じれドメインの発生は認められなかっ九発明の効果 本発明の液晶表示素子において(よ 逆ねじれ欠陥が発
生せず、高コントラスト、高画質を得ることができる。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)液晶パネルの上下基板間での液晶のねじれ配向を
    利用した液晶表示素子において、上下基板表面に設けた
    配向膜の少なくとも一方がカイラル基を含有する高分子
    配向剤から成ることを特徴とする液晶表示素子。
  2. (2)カイラル基を含有する配向膜がカイラル基を含有
    するポリイミドまたはポリアミック酸を主成分として形
    成されていることを特徴とする請求項1記載の液晶表示
    素子。
  3. (3)配向膜中に存在するカイラル基によって誘起され
    る液晶の螺旋構造のねじれ方向と、液晶中に含まれるカ
    イラル物質により誘起される液晶の螺旋構造のねじれ方
    向が同一方向であることを特徴とする請求項1記載の液
    晶表示素子。
  4. (4)液晶のねじれ角が上下基板間で約90゜であるね
    じれネマチック効果を利用した液晶表示素子であること
    を特徴とする請求項1記載の液晶表示素子。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007505086A (ja) * 2003-09-11 2007-03-08 テイボテク・フアーマシユーチカルズ・リミテツド Hivウイルス侵入阻害剤

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007505086A (ja) * 2003-09-11 2007-03-08 テイボテク・フアーマシユーチカルズ・リミテツド Hivウイルス侵入阻害剤
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