JPH0364445A - 溶射方法 - Google Patents
溶射方法Info
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- JPH0364445A JPH0364445A JP1200747A JP20074789A JPH0364445A JP H0364445 A JPH0364445 A JP H0364445A JP 1200747 A JP1200747 A JP 1200747A JP 20074789 A JP20074789 A JP 20074789A JP H0364445 A JPH0364445 A JP H0364445A
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Landscapes
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は基材に対して優れた密着力を示すと共に、気孔
率の低い被覆層を形成することのできる溶射方法に関す
るものである。
率の低い被覆層を形成することのできる溶射方法に関す
るものである。
[従来の技術]
溶射技術とは、プラズマ、アーク、炎等を熱源として発
生する溶射ガンに、セラミックス粉末や金属粉末等に代
表される溶射粉末材料を送給し、該熱源によって上記溶
射粉末材料を溶融し、微、細液滴として基材表面へ衝突
させ、耐食性、耐摩耗性或は耐熱性等に優れた溶射皮膜
を形成する方法である。
生する溶射ガンに、セラミックス粉末や金属粉末等に代
表される溶射粉末材料を送給し、該熱源によって上記溶
射粉末材料を溶融し、微、細液滴として基材表面へ衝突
させ、耐食性、耐摩耗性或は耐熱性等に優れた溶射皮膜
を形成する方法である。
第2図はプラズマ溶射ガ・ンの一例を示す断面説明図で
あり、陰極1aと陽極1bの間に直流高電圧を印加しつ
つアークガス供給管7より作動ガスを供給して該作動ガ
スを加熱する。一方溶射粉末供給管10より溶射粉末材
料をキ・ヤリアガスと共にパウダーインジェクタ1cを
介して、プラズマ炎F内へ送給し、該プラズマ炎F内て
前記溶射粉末材料を溶融し、これを基材15の表、面へ
衝突させて被着せしめ、被覆層16を形成する。
あり、陰極1aと陽極1bの間に直流高電圧を印加しつ
つアークガス供給管7より作動ガスを供給して該作動ガ
スを加熱する。一方溶射粉末供給管10より溶射粉末材
料をキ・ヤリアガスと共にパウダーインジェクタ1cを
介して、プラズマ炎F内へ送給し、該プラズマ炎F内て
前記溶射粉末材料を溶融し、これを基材15の表、面へ
衝突させて被着せしめ、被覆層16を形成する。
[発明が解決しようとする課題]
上記溶射技術の利点としては、(a)表面処理が速やか
に行なえる点、(b)溶射粉末材料として金属、セラミ
ックス等広範囲の材料が使用できる点、(c)溶射液滴
は衝突時に瞬間的に冷却されるので基材15の加熱が少
なくて済み、基材の変形及び変質か少ない点等か挙げら
れる。
に行なえる点、(b)溶射粉末材料として金属、セラミ
ックス等広範囲の材料が使用できる点、(c)溶射液滴
は衝突時に瞬間的に冷却されるので基材15の加熱が少
なくて済み、基材の変形及び変質か少ない点等か挙げら
れる。
方溶射技術の欠点としては、■形成された被1jζ1贋
内4− ’4/LJ)気孔かイI了fすること、及び■
被覆へS1とノ、(イイσ)佇、看+」か1代い、′と
等か知られ−Cいる。
内4− ’4/LJ)気孔かイI了fすること、及び■
被覆へS1とノ、(イイσ)佇、看+」か1代い、′と
等か知られ−Cいる。
(、、’、 −r’ rr itら(N)、■の欠J、
’、j %解消する目的T、次(+、+ij)・・−0
に7J、ず様な夕・1第1段か名えら、I’m−Cいる
。
’、j %解消する目的T、次(+、+ij)・・−0
に7J、ず様な夕・1第1段か名えら、I’m−Cいる
。
(イ)基444溶射前し゛予熱しておく。
(ロ)被覆14肥成したのち加熱処理を(−1f、t
i(ハ)?l1iff層を17−サー照射して溶融処裡
する。
i(ハ)?l1iff層を17−サー照射して溶融処裡
する。
()ン皮覆層2形成L f’、: (7) チHI P
処J甲ヲ’<jtt2’ : ’J か 13己
(イ) の 了・2ノ(う il fj ’:
l 之 τ容01 )」71に才〕C゛」る利
へ101つとし、(前記(0に示しに玲]11表面処理
の効果か失tthれにljい、また実利−溶側粉末イイ
口か例六は金属とセラミノクスの様番、巽1.四ノーも
σ)′7ま)る2きCJ、熱11に一弓長痺′ズか大き
Lノ・め冷却時に祉覆層かff114動してしまうとい
う9141ノノ問題が生じる、。
処J甲ヲ’<jtt2’ : ’J か 13己
(イ) の 了・2ノ(う il fj ’:
l 之 τ容01 )」71に才〕C゛」る利
へ101つとし、(前記(0に示しに玲]11表面処理
の効果か失tthれにljい、また実利−溶側粉末イイ
口か例六は金属とセラミノクスの様番、巽1.四ノーも
σ)′7ま)る2きCJ、熱11に一弓長痺′ズか大き
Lノ・め冷却時に祉覆層かff114動してしまうとい
う9141ノノ問題が生じる、。
まl;上記1(IJ の加p)1りS岬る1Jノ、ツノ
、・場<、にl ン)ξ覆層か酸イ[ン\41たり、
八番1匁4づか温I旦1シ、1によって素形してン&覆
層か!IjII出11するといったヤS Jl /+・
、hる。ざらし゛」記(ハ)の1. →ノ 照Q1法i
J、照銅面積が小さくなるため、面積の広い部利を処岬
′4るには生産性に46いて間耽かある。他力−1記(
−)σ)HI PIA理を行ttうことのTきる部材は
HIPQ置内に′収納できる大きさσつも0)(′限ら
J−I T l ;1うため、適用対象か11席に′狭
いと・いう問題かルする。
、・場<、にl ン)ξ覆層か酸イ[ン\41たり、
八番1匁4づか温I旦1シ、1によって素形してン&覆
層か!IjII出11するといったヤS Jl /+・
、hる。ざらし゛」記(ハ)の1. →ノ 照Q1法i
J、照銅面積が小さくなるため、面積の広い部利を処岬
′4るには生産性に46いて間耽かある。他力−1記(
−)σ)HI PIA理を行ttうことのTきる部材は
HIPQ置内に′収納できる大きさσつも0)(′限ら
J−I T l ;1うため、適用対象か11席に′狭
いと・いう問題かルする。
そ′て本発明者ら(J、1−記の様〕J特殊/J・処)
Tを行なわt、t<2も密着力か品<11つ気孔率のf
lLい扱覆層を安価番゛1「つ効率a : +1、J曳
1乙Jとσ〕(きる溶射力fj、 ’?r #iF’イ
!! # ルtl的T hJl ’)’r: 4重イ、
)、4・発明も完成した。。
Tを行なわt、t<2も密着力か品<11つ気孔率のf
lLい扱覆層を安価番゛1「つ効率a : +1、J曳
1乙Jとσ〕(きる溶射力fj、 ’?r #iF’イ
!! # ルtl的T hJl ’)’r: 4重イ、
)、4・発明も完成した。。
1課題を解決司るI−めの1段」
]記[1的仝達成しに本発明は Aヤリ)カッz1 記
m QJ 15)未イ)J $1の融j:、、j i品
度末fk k: 丁・2ノ11−’(イ史用する点
に敦’u %4+するもQ)である。
m QJ 15)未イ)J $1の融j:、、j i品
度末fk k: 丁・2ノ11−’(イ史用する点
に敦’u %4+するもQ)である。
[(’l用及7)実施例コ
i7i ]しHj本イこ明力峡に使用するゾ゛ラズ:′
γ’811を久’52の一例を示1i略説明IMj−E
゛ある 1iiQlカンI t、i’水璋ケーノ゛ルフ
0,21を介i 、′l+’+l Il’ll if
□(:、 −、/)2に接続、され、該高周波スタータ
2は直流電源3番゛直結き第1、前記高周波スタータ2
及び直情N n、;+34j 制?alllr + 2
によっ1制御される様は構成さオ]る5尚符喝5は水冷
ケーブル用の冷却来月゛こ7フてあり、該ポンプ5に接
続さむた給水管4及7)刊水管6は夫々水冷クープル2
0.21の冷却用夕(筒部分に接続さ才する。
γ’811を久’52の一例を示1i略説明IMj−E
゛ある 1iiQlカンI t、i’水璋ケーノ゛ルフ
0,21を介i 、′l+’+l Il’ll if
□(:、 −、/)2に接続、され、該高周波スタータ
2は直流電源3番゛直結き第1、前記高周波スタータ2
及び直情N n、;+34j 制?alllr + 2
によっ1制御される様は構成さオ]る5尚符喝5は水冷
ケーブル用の冷却来月゛こ7フてあり、該ポンプ5に接
続さむた給水管4及7)刊水管6は夫々水冷クープル2
0.21の冷却用夕(筒部分に接続さ才する。
他力」記制御装置]2には不活性ガスポンへ13が接続
されると共に、溶射ガン1との間に(J−1′−クガス
供給竹7及び溶射粉末供給管1oか計(Jら才1、該溶
射粉末供給管10にはガス加熱、84慟8及びホッパー
11が配設さ41る。11才j−1記不7.]′l竹ガ
スとし7ではアルゴンガスや窒素ガスが汎用さjlてい
る。
されると共に、溶射ガン1との間に(J−1′−クガス
供給竹7及び溶射粉末供給管1oか計(Jら才1、該溶
射粉末供給管10にはガス加熱、84慟8及びホッパー
11が配設さ41る。11才j−1記不7.]′l竹ガ
スとし7ではアルゴンガスや窒素ガスが汎用さjlてい
る。
」記装置(よって溶射粉末材料を溶割カニ71へQJ給
するに当たっては、制御装置12の利用に51)丁適f
1tz調節さ第1た不活性ガスをガス加熱装置8・・1
′!′切込み、後述する温度に加熱してからA ヘ、す
i′カスと1てポ・ソバ−11に送給する。そ1、、
’T 、−、L’−r通’n−1ノm 11粉末祠料を
1ノ1出1′r適汀量力ス中iコ分Bシ11溶OIわ)
未供給’rff I (1ろ涌!RQJ :’J :’
I ” (!! 紹”Iル、 i 1((IJ Qd
力111Jノk’ Jl3)で(J第2図し、14様
1.′前÷11溶0J粉」、41利かバラぺ!−、+−
ン・−チク11mう涌l (Xヤリアカノンj(番、=
ブ′ンノ1、茨・1の中・・神経、的(′(Q紹さJ]
?、Xl、−〇)ときAへ・リアカッ(Jカフ加熱装置
8に′、J )Tr・熱ざhrい乙のT、ブ〜ンノ゛マ
挨中に′放出さ、l−t、−rも訂ブシ2ノ、マ炎の7
品瓜を講1・ど(K Tさゼる・−2・+Xlな、濱+
′1.i杓」月刺伺J記ブラズ゛7炎内て確実に溶iJ
’、 r:□ JlだマL、JJ(シイ15の表面側・
\南突さ11る。′1か゛(′ぎ/、、任にね・−7六
・。4.′Iに高融点の金属ヌはセラ゛・・・ンフ、な
漕!11粉沫材刺とするどぎは、この効果か5;11亭
; r′l(!われ、4溶融のまjで要材15へ吹き(
:(・パ・+1 ’S ?ii OJわ)末オA利番j
格「すに少t4 <なり、子、・” J’l’l甲;′
(′、 110中(〕)気了1.寸ンかイ氏1する之4
i g、J 、1.111−1 ;j、す5信て−jか
、0.めらオ]る。
するに当たっては、制御装置12の利用に51)丁適f
1tz調節さ第1た不活性ガスをガス加熱装置8・・1
′!′切込み、後述する温度に加熱してからA ヘ、す
i′カスと1てポ・ソバ−11に送給する。そ1、、
’T 、−、L’−r通’n−1ノm 11粉末祠料を
1ノ1出1′r適汀量力ス中iコ分Bシ11溶OIわ)
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I ” (!! 紹”Iル、 i 1((IJ Qd
力111Jノk’ Jl3)で(J第2図し、14様
1.′前÷11溶0J粉」、41利かバラぺ!−、+−
ン・−チク11mう涌l (Xヤリアカノンj(番、=
ブ′ンノ1、茨・1の中・・神経、的(′(Q紹さJ]
?、Xl、−〇)ときAへ・リアカッ(Jカフ加熱装置
8に′、J )Tr・熱ざhrい乙のT、ブ〜ンノ゛マ
挨中に′放出さ、l−t、−rも訂ブシ2ノ、マ炎の7
品瓜を講1・ど(K Tさゼる・−2・+Xlな、濱+
′1.i杓」月刺伺J記ブラズ゛7炎内て確実に溶iJ
’、 r:□ JlだマL、JJ(シイ15の表面側・
\南突さ11る。′1か゛(′ぎ/、、任にね・−7六
・。4.′Iに高融点の金属ヌはセラ゛・・・ンフ、な
漕!11粉沫材刺とするどぎは、この効果か5;11亭
; r′l(!われ、4溶融のまjで要材15へ吹き(
:(・パ・+1 ’S ?ii OJわ)末オA利番j
格「すに少t4 <なり、子、・” J’l’l甲;′
(′、 110中(〕)気了1.寸ンかイ氏1する之4
i g、J 、1.111−1 ;j、す5信て−jか
、0.めらオ]る。
1.11\ヤ1l−jl力2!の加熱温If!’ lj
、溶射粉末材料σ)Z・p ′Ir*に1つ′?変史
き4] 加熱温良の−J限イ泊は溶Il+旬、Jイイ制
のji’F 1.’+’i・・!】」満之1.搬送管路
中1.″該粉末利オjが(QJ、T(’−j着L r
l ’A 才)7/イ限(jJ i(’ 第3い°(て
きるたけ高めに加熱することが推められる。またF限値
は溶射ガノl内の熱源7品度を極端に低ドさせない温度
とすることか推奨され、例えは高融点の金属又はセラミ
ックλを溶射材料とするときは、キヘ・リアガスは20
0℃以りに加熱することが好ましく、さらに被覆層を緻
密化するためには500℃以上に加熱することが望まし
い。
、溶射粉末材料σ)Z・p ′Ir*に1つ′?変史
き4] 加熱温良の−J限イ泊は溶Il+旬、Jイイ制
のji’F 1.’+’i・・!】」満之1.搬送管路
中1.″該粉末利オjが(QJ、T(’−j着L r
l ’A 才)7/イ限(jJ i(’ 第3い°(て
きるたけ高めに加熱することが推められる。またF限値
は溶射ガノl内の熱源7品度を極端に低ドさせない温度
とすることか推奨され、例えは高融点の金属又はセラミ
ックλを溶射材料とするときは、キヘ・リアガスは20
0℃以りに加熱することが好ましく、さらに被覆層を緻
密化するためには500℃以上に加熱することが望まし
い。
(実験例)
SUS304製基材[50X50X5(mm)]及び密
着試験片(第3図参照)に粉末粒径10〜44μmのN
i−17Cr−4B−4S i又はA120tを厚さ
3mmと12る様に溶射し、被覆層の気孔率及び密着力
を夫々調へた。尚密着試験片17の一方には接着剤を塗
布し、被覆層16に貼着接合さ仕た。また溶射装置とし
てはプラズマテクニック社14 A 2000モデルを
使用し、キャリアガスとしてはアルゴンカスを用いた。
着試験片(第3図参照)に粉末粒径10〜44μmのN
i−17Cr−4B−4S i又はA120tを厚さ
3mmと12る様に溶射し、被覆層の気孔率及び密着力
を夫々調へた。尚密着試験片17の一方には接着剤を塗
布し、被覆層16に貼着接合さ仕た。また溶射装置とし
てはプラズマテクニック社14 A 2000モデルを
使用し、キャリアガスとしてはアルゴンカスを用いた。
1う
第1表の結果から明らかな如く、キヘ・リアガスを高温
に加熱すれはするほど気孔率が低くなり、且つ密着力も
向ヒすることか分かった。またAI、03を使用する場
合には、キャリアガス塩度を500℃以−ヒとすると上
記効果が著しく向上することか分かった。
に加熱すれはするほど気孔率が低くなり、且つ密着力も
向ヒすることか分かった。またAI、03を使用する場
合には、キャリアガス塩度を500℃以−ヒとすると上
記効果が著しく向上することか分かった。
[発明の効果]
本発明は以−Lの様に構成されているので、溶射粉太は
確実にτ容融さ才lだ状態で基材表面に被着され、その
結果溶射被覆層は気孔率か低く Itつ高い密着力を発
揮できる様にな一ノた。
確実にτ容融さ才lだ状態で基材表面に被着され、その
結果溶射被覆層は気孔率か低く Itつ高い密着力を発
揮できる様にな一ノた。
第1図は本発明に使用するプラズマ溶射装置の例を示す
説明図、第2図は溶射ガンの例を示す断面説明図、第3
図は実験例に使用した試験片の形状を示す断面説明図で
ある。 1・・・溶射カン 2・・・高周波スタークコ・
・直疏電源 4・・給水性 5・・・冷却水用ポンプ 6・・・排水管7 ・作動ガ
ス供給管 8−・7)ス加熱装置10・・・溶射粉末供
給管 12・・・制御装置 15・・・基材 17・・・密着試験片 +1・・・ポノバ 13・・・不活性fJスポンl、 16・・・ ン皮覆尺弓
説明図、第2図は溶射ガンの例を示す断面説明図、第3
図は実験例に使用した試験片の形状を示す断面説明図で
ある。 1・・・溶射カン 2・・・高周波スタークコ・
・直疏電源 4・・給水性 5・・・冷却水用ポンプ 6・・・排水管7 ・作動ガ
ス供給管 8−・7)ス加熱装置10・・・溶射粉末供
給管 12・・・制御装置 15・・・基材 17・・・密着試験片 +1・・・ポノバ 13・・・不活性fJスポンl、 16・・・ ン皮覆尺弓
Claims (1)
- 不活性キャリアガスによって送給されてきた溶射粉末材
料を溶射ガンによって溶融し、基材表面に衝突させ被覆
層を形成する溶射方法において、前記キャリアガスを予
め上記溶射粉末材料の融点温度未満に加熱することを特
徴とする溶射方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1200747A JPH0364445A (ja) | 1989-08-01 | 1989-08-01 | 溶射方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1200747A JPH0364445A (ja) | 1989-08-01 | 1989-08-01 | 溶射方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0364445A true JPH0364445A (ja) | 1991-03-19 |
Family
ID=16429499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1200747A Pending JPH0364445A (ja) | 1989-08-01 | 1989-08-01 | 溶射方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0364445A (ja) |
-
1989
- 1989-08-01 JP JP1200747A patent/JPH0364445A/ja active Pending
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