JPH0364015A - Manufacture of solid electrolytic capacitor - Google Patents

Manufacture of solid electrolytic capacitor

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JPH0364015A
JPH0364015A JP19981789A JP19981789A JPH0364015A JP H0364015 A JPH0364015 A JP H0364015A JP 19981789 A JP19981789 A JP 19981789A JP 19981789 A JP19981789 A JP 19981789A JP H0364015 A JPH0364015 A JP H0364015A
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JP
Japan
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lead
electrolytic capacitor
solid electrolytic
acryl resin
anode
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Application number
JP19981789A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazumi Naito
一美 内藤
Akio Kumai
熊井 昭男
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Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
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Abstract

PURPOSE:To obtain a solid electrolytic capacitor with improved leakage current characteristics and without any reduction in capacity by using acryl resin as an insulation resin and by drying it at a specified temperature. CONSTITUTION:An external lead-out lead 3 which is a metal wire such as tin plating copper wire is welded to an anode tab 6 and acryl resin is clad to a lead-out lead part,. thus preventing adhesion of a semiconductor layer and/or a conductive layer to be formed at a later process. Further, acryl resin which is clad to the lead-out lead part is dried at a specified temperature, hopefully a temperature which is approximately 10deg lower than the melting point of acryl resin or higher, thus enabling acryl resin clad to the lead-out lead to contract and eliminating pin holes generated within the clad acryl resin.

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野J 本発明は、固体電解コンデンサの製造方法に関し、特に
漏れ電流特性が良好で高容量を達成できる固体電解コン
デンサの製造方法に関する。 【従来の技術】 固体電解コンデンサは2表面に誘電体酸化皮膜層を有す
るアルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用金属に半
導体層、導電体層を、順次形成した構造を有している。 一般に陽極引出しリードは、固体電解コンデンサの素子
から外部へ導線として導出する外部引出しリード線と、
このリード線が直接又は陽極タブを介して弁作用金属に
固着されている引出しリード部から構成されている。 従って、陽極引出しリードは実質的に弁作用金属から引
出されるが、陽極引出しリードの引出しリード部の一部
のみ表面に誘電体酸化皮膜層を有するため、それ以外の
引出しリード部に半導体層および/又は導電体層が一部
でも付着すると短絡を起こす構造になっている。このよ
うな短絡を防止する為に、引出しリード部に絶縁性の樹
脂を塗布して半導体層および/又は導電体層が直接引出
しリード部に付着するのを防いでいる。一般にこのよう
な絶縁性の樹脂としてエポキシ樹脂、変性フッ素樹脂、
シリコン樹脂等の熱硬化性樹脂やポリブタジェンなどの
弾力性を有する樹脂が知られている。 〔発明が解決しようとする課題1 前述した絶縁性の樹脂は、塗布時に、脱気が不充分であ
ったり、塗布時の塗布方法が不充分であったりすると、
ピンホールが生じ、その結果、半導体層および/又は導
電体層を付着させると短絡を引き起すことも希ではない
。又、絶縁性樹脂を塗布する際にその粘度管理が不充分
であると、半導体層を形成すべき位置まで絶縁性樹脂が
染み込み、その結果思わぬ容置低下を引き起すこともあ
る。 [課題を解決するための手段J 本発明者等は上述した問題点を解決するために鋭意研究
した結果、絶縁性樹脂としてアクリル樹脂を使用し、し
かもこの絶縁性樹脂を所定の温度で乾燥することにより
、漏れ電流(以下、L Cと称する。)特性が良好で容
量低下の無い固体電解コンデンサを作製できることを見
い出だし本発明を完成するに至った。 即ち、本発明は、陽極引出しリードを設ける弁作用金属
からなる陽極体の表面に、誘電体酸化皮膜層、化学的析
出法による半導体層、および導電体層を順次形成してな
る固体電解コンデンサの製造方法において、前記陽極引
出しリードの引出しリード部にアクリル樹脂を波青し、
しかる後、このアクリル樹脂を所定の温度で乾燥して固
体電解コンデンサを製造する方法にある。 以下、本発明について詳細に説明する。 本発明において固体電解コンデンサの陽極体として用い
られる弁作用金属としては、例えばアルミニウム、タン
タル5三オブ、チタンおよびこれらを基質とする合金等
、弁作用を有する金属がいずれも使用できる。そしてこ
れらの陽極体は箔又は焼結体が用いられる。弁作用金属
の表面に設ける誘電体酸化被膜層は、弁作用金属の表面
部分に設けられた弁作用金属自体の酸化物層であっても
よく、あるいは、弁作用金属の表面上に設けられた他の
誘電体酸化物の層であってもよいが、特に弁作用金属自
体の酸化物からなる層であることが好ましい。いずれの
場合にも酸化物層を設ける方法としては、電解液を用い
た陽極化成法など従来公知の方法を用いることができる
。 第1図において、表面に誘電体酸化皮膜層(図示せず)
を有する弁作用金属箔4にアルミニウム等の弁作用金属
からなる平板状の陽極タブ6がかしめ付けしである。 陽極タブ6には錫メツキ銅線等の金属線である外部引出
しリード3が熔接されており、この外部引出しリード3
は陽極タブ6の右端から導出されている。そして引出し
リード部2は陽極タブ6を含めて、陽極タブ6が弁作用
金属箔4にU!A着している周辺部をいう。この引出し
リード部2はアクリル樹脂5で被着してあり、im引出
しり−ドlは引出しリード部2と外部引出しリード3か
ら構成されている。 第2図においては、第1図の陽極タブ6の代りに外部引
出しリード3が直接弁作用金属箔4に熔接されている。 そしてこの弁作用金属箔4に接続している外部引出しリ
ード3の部分とその周辺の弁作用金属箔4の部分を引出
しリード部2といい、この引出しリード部2はアクリル
樹脂5で被着されている。 なお第1図および第2図は陽極体として弁作用金属箔を
用いているが、焼結体であってもよい。 陽極引出しリードlは、弁作用金属箔4に接続されてい
るが、一般に弁作用金属箔4の表面に誘電体酸化皮膜層
を形成した後に、かしめ付け、あるいは熔接等により弁
作用金属に直接接続するように、誘電体酸化皮膜層を破
って形成する方が工業的には簡便である。このため破ら
れた誘電体酸化皮膜を再び修復するために、前述した陽
極化成法等の方法で再化成される。引出しリード部2の
一部は弁作用金属であるので、この再化成時に、引出し
リード部2の一部も表面に誘電体酸化皮膜層が形成され
る。又、本発明においては、弁作用金属自身を陽極引出
しリードとしてもよく、この場合、後述する゛F導体層
は、陽極引出しリードとしてあらかじめ決められた部分
以外の誘電体酸化皮膜層を有する弁作用金属上に形成す
る。 上述したように陽極引出しリードは、誘電体酸化皮膜層
上に電荷をたくわえるため電気導入部として必要なだけ
であり、その庇状、大きさ、接続位置等については特に
限定は無い。 次に本発明において、前述した引出しリード部にアクリ
ル樹脂を被若し、後の工程で形成される半導体層および
/又は導電体層の付着を防止する。さらに引出しリード
部に被着したアクリル樹脂を、所定の温度、好ましくは
アクリル樹脂の融点よりほぼ10deg低い温度以上の
温度で乾燥する。乾燥時間は、アクリル樹脂の種類、濃
度、被着量によって変化するため規定することができな
いが、一般的に数10分以上である。又、アクリル樹脂
の乾燥温度の上限は、アクリル樹脂の分解点であること
は言うまでも無い。 アクリル樹脂の代表例としては、ポリアクリル酸、ポリ
−4−ビフェニルアクリレート、ポリ−t−ブチルアク
リレート、ポリセシウムアクリレート、ポリペンタクロ
ロフェニルアクリレート、ポリフェロセニルメチルアク
リレート、ポリマグネシウムアクリレート、ポリ−3,
5−ジメチルアダマンチルアクリレート、ポリボタシウ
ムアクリレート、ポリソデウムアクリレート、ポリアダ
マンチルメタクリレート、ポリ−t−ブチルメタクリレ
ート、ポリ−4−シアノメチルフェニルメタクリレート
、ポリ−4−シアノエチルメタクリレート、ポリフェロ
セニルエチルメタクリレート、ポリメタクリル酸、ポリ
メチルクロロアクリレート、ポリメチルフルオロアクリ
レート。 ポリメチルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート
、ポリ−2−ナフチルアクリレート。 ポリイソブチルクロロアクリレート、ポリ−2−クロロ
エチルメタクリレート、ポリ−2−シアノエチルメタク
リレート、ポリ−4−メトキシカルボニルフェニルメタ
クリレート、ポリ−3,3−ジメチル−2−ブチルメタ
クリレート、ポリブチルシアノアクリレート、ポリシク
ロヘキシルクロロアクリレート、ポリエチルクロロアク
リレート、ポリフェニルメタクリレート、ポリ−2−を
−ブチルフェニルアクリレート、ポリ−4−七−ブチル
フェニルアクリレート、ポリ−4−メトキシカルボニル
フェニルアクリレート、ポリシクロヘキシルメタクリレ
ート、ポリエチルメタクリレート、ポリ−1,l、l−
トリフロロ−2−プロピルメタクリレート、ポリ−2−
ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリイソプロピル
メタクリレート、ポリプロピルクロロアクリレート、ポ
リメチルフルオロメタクリレート等が用いられる。 尚、上記アクリル樹脂には適当な溶媒を添加し、粘度を
調整して用いる。 本発明に用いる半導体層は、化学的析出法によって、前
述した導電体酸化皮膜層上に形成する。化学的析出法と
しては、例えば、特開昭62−256423号公報、特
開昭63−51621号公報等に記載されている二酸化
鉛または二酸化鉛と6M酸鉛からなる半導体層を化学的
析出法で形成する方法が作製した固体電解コンデンサの
高周波性能が良好なため好ましい。 また、酸化剤と有機酸を用いて気相重合によってポリア
ニリン、ポリピロール等の電導性高分子化合物を半導体
層として形成させる方法(特開昭62−47109号公
報)やタリウムイオンおよび過硫酸イオンを含んだ反応
母液から化学的に酸化第2タリウムを半導体層として析
出させる方?P、(特開昭62−98715号公報)も
その−例である。 次に、半導体層上に形成される導電体層は1例えば銀ペ
ースト等の従来公知の導電ペーストが使用される。 このように構成された固体電解コンデンサの素子は、例
えば樹脂モールド、樹脂ケース、金属製の外装ケース、
樹脂のディッピング、ラミネートフィルムによる外装に
より各種用途の汎用コンデンサ製品とすることができる
。 [作用〕 陽極引出しリードの引出しリード部にアクリル樹脂を被
着し、その後所定の温度で乾燥すると、引出しリード部
に被着したアクリル樹脂が収縮する。その結果、被着し
たアクリル樹脂中に生じるピンホールを無くすことがで
き、又、元来誘電体酸化皮膜層上で半導体層を形成すべ
き位置まで流れ込んだ樹脂分を所望の位置まで戻すこと
ができる。従って半導体層および/または導電体層の付
着によるLC特性の不良を防止することができ、かつ容
量低下の無い固体電解コンデンサを作製することができ
る。 〔実施例1 以下、実施例および比較例を示して本発明を説明する。 実施例 表面に誘電体酸化皮膜層を有する40μF / c r
n”のアルミニウムエツチング箔に錫メツキ銅線を接続
したアルミニウムの平板を陽極タブとしてかしめ付けし
、引出しリードに第1表に示されたアクリル樹脂を塗布
し、各温度で約30分乾燥した。次いで酢酸鉛3水和物
2.4モル/e水溶液と過硫酸アンモニウム4.0モル
/2の水溶液の混液中に前述したアクリル樹脂を被着し
たエツチング箔を、アクリル樹脂被着面まで入れ、80
’Cで30分反応させた。生じた二酸化鉛とfM酸鉛か
らなる半導体層を水で充分洗浄した後、銀ペーストで半
導体層を形成し、さらにエポキシ樹脂で封口して固体電
解コンデンサを作製した。 比較例 実施例におけるアクリル樹脂の代りにエポキシ樹脂、シ
リコーン樹脂、変性フッ素樹脂、ポリブタジェン樹脂を
使用した以外は、実施例と同様に固体電解コンデンサを
作製した。 第1表には各々の実施例および比較例における樹脂の種
類と乾燥温度をまとめており、第2表には各実施例およ
び比較例で作製した素子それぞれ20点の平均を性能値
として示しである。 (以下余白) 第  1 表 第  2 表 中tOVにおけるイ直 【発明の効果J 弁作用金属に陽極引出しリードを接続し、この陽極引出
しリードの引出しリード部をアクリル樹脂で被着した後
、アクリル樹脂を所定の温度で乾燥しているので、容量
低下が無く、LC特性の良好な固体電解コンデンサを作
製することができる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application J] The present invention relates to a method for manufacturing a solid electrolytic capacitor, and particularly to a method for manufacturing a solid electrolytic capacitor that has good leakage current characteristics and can achieve high capacity. 2. Description of the Related Art A solid electrolytic capacitor has a structure in which a semiconductor layer and a conductor layer are sequentially formed on a valve metal such as aluminum, tantalum, or niobium, which has dielectric oxide film layers on two surfaces. In general, an anode lead is an external lead wire that is led out from the element of a solid electrolytic capacitor to the outside.
This lead wire consists of a lead-out lead portion that is fixed to the valve metal directly or via an anode tab. Therefore, although the anode lead is substantially drawn out from the valve metal, only a part of the lead part of the anode lead has a dielectric oxide film layer on the surface, so the other part has a semiconductor layer and / Or the structure is such that if even a portion of the conductor layer adheres, a short circuit will occur. In order to prevent such short circuits, an insulating resin is applied to the lead portion to prevent the semiconductor layer and/or the conductive layer from directly adhering to the lead portion. Generally, such insulating resins include epoxy resin, modified fluororesin,
Thermosetting resins such as silicone resins and elastic resins such as polybutadiene are known. [Problem to be Solved by the Invention 1] The above-mentioned insulating resin may cause problems if the degassing is insufficient during application or the application method during application is insufficient.
It is not uncommon for pinholes to form, resulting in short circuits when depositing semiconductor and/or conductor layers. Furthermore, if the viscosity of the insulating resin is insufficiently controlled when applying it, the insulating resin may seep into the position where the semiconductor layer is to be formed, resulting in an unexpected decrease in capacity. [Means for Solving the Problems J] As a result of intensive research in order to solve the above-mentioned problems, the present inventors used acrylic resin as the insulating resin, and further, dried this insulating resin at a predetermined temperature. By doing so, the inventors discovered that a solid electrolytic capacitor with good leakage current (hereinafter referred to as LC) characteristics and no decrease in capacity could be produced, and the present invention was completed. That is, the present invention provides a solid electrolytic capacitor in which a dielectric oxide film layer, a semiconductor layer formed by chemical deposition, and a conductive layer are sequentially formed on the surface of an anode body made of a valve metal on which an anode lead is provided. In the manufacturing method, a drawer lead portion of the anode drawer lead is coated with acrylic resin;
Thereafter, the acrylic resin is dried at a predetermined temperature to produce a solid electrolytic capacitor. The present invention will be explained in detail below. As the valve metal used as the anode body of the solid electrolytic capacitor in the present invention, any metal having a valve effect can be used, such as aluminum, tantalum, titanium, and alloys using these as substrates. Foil or a sintered body is used for these anode bodies. The dielectric oxide film layer provided on the surface of the valve metal may be an oxide layer of the valve metal itself provided on the surface portion of the valve metal, or a dielectric oxide layer provided on the surface of the valve metal. Although the layer may be made of another dielectric oxide, it is particularly preferable to use a layer made of an oxide of the valve metal itself. In either case, a conventionally known method such as an anodization method using an electrolytic solution can be used to provide the oxide layer. In Figure 1, a dielectric oxide film layer (not shown) is shown on the surface.
A flat anode tab 6 made of a valve metal such as aluminum is caulked to a valve metal foil 4 having a valve metal foil 4. An external lead 3 made of a metal wire such as a tin-plated copper wire is welded to the anode tab 6.
is led out from the right end of the anode tab 6. The drawer lead portion 2 includes the anode tab 6, and the anode tab 6 is attached to the valve metal foil 4! Refers to the surrounding area where A is attached. This drawer lead part 2 is covered with acrylic resin 5, and the im drawer lead l is composed of the drawer lead part 2 and the external drawer lead 3. In FIG. 2, an external lead 3 is directly welded to the valve metal foil 4 instead of the anode tab 6 of FIG. The part of the external drawer lead 3 connected to this valve metal foil 4 and the part of the valve metal foil 4 around it are called a drawer lead part 2, and this drawer lead part 2 is covered with an acrylic resin 5. ing. Although a valve metal foil is used as the anode body in FIGS. 1 and 2, a sintered body may also be used. The anode lead l is connected to the valve metal foil 4, but generally, after forming a dielectric oxide film layer on the surface of the valve metal foil 4, it is directly connected to the valve metal by caulking, welding, etc. Therefore, it is industrially easier to form the dielectric oxide layer by breaking it. Therefore, in order to repair the broken dielectric oxide film again, it is re-formed by a method such as the anodic chemical formation method described above. Since a portion of the drawer lead portion 2 is made of valve metal, a dielectric oxide film layer is also formed on the surface of the portion of the drawer lead portion 2 during this re-formation. Further, in the present invention, the valve metal itself may be used as an anode lead. In this case, the ゛F conductor layer described later is a valve metal having a dielectric oxide film layer other than the portion predetermined as the anode lead. Formed on metal. As described above, the anode lead is only necessary as an electricity introduction part in order to store charge on the dielectric oxide film layer, and there are no particular limitations on its eaves shape, size, connection position, etc. Next, in the present invention, an acrylic resin is coated on the above-mentioned lead-out lead portion to prevent adhesion of a semiconductor layer and/or a conductive layer to be formed in a later step. Furthermore, the acrylic resin adhered to the drawer lead portion is dried at a predetermined temperature, preferably at a temperature that is approximately 10 degrees lower than the melting point of the acrylic resin. The drying time cannot be specified because it varies depending on the type, concentration, and amount of acrylic resin applied, but it is generally several tens of minutes or more. It goes without saying that the upper limit of the drying temperature of the acrylic resin is the decomposition point of the acrylic resin. Typical examples of acrylic resins include polyacrylic acid, poly-4-biphenylacrylate, poly-t-butyl acrylate, polycesium acrylate, polypentachlorophenylacrylate, polyferrocenylmethyl acrylate, polymagnesium acrylate, poly-3,
5-dimethyladamantyl acrylate, polybotacium acrylate, polysodium acrylate, polyadamantyl methacrylate, poly-t-butyl methacrylate, poly-4-cyanomethylphenyl methacrylate, poly-4-cyanoethyl methacrylate, polyferrocenyl ethyl methacrylate, poly Methacrylic acid, polymethylchloroacrylate, polymethylfluoroacrylate. Polymethyl methacrylate, polyethyl methacrylate, poly-2-naphthyl acrylate. Polyisobutyl chloroacrylate, poly-2-chloroethyl methacrylate, poly-2-cyanoethyl methacrylate, poly-4-methoxycarbonylphenyl methacrylate, poly-3,3-dimethyl-2-butyl methacrylate, polybutyl cyanoacrylate, polycyclohexyl chloro Acrylate, polyethyl chloroacrylate, polyphenyl methacrylate, poly-2-butylphenyl acrylate, poly-4-7-butylphenyl acrylate, poly-4-methoxycarbonylphenyl acrylate, polycyclohexyl methacrylate, polyethyl methacrylate, poly- 1, l, l-
Trifluoro-2-propyl methacrylate, poly-2-
Hydroxypropyl methacrylate, polyisopropyl methacrylate, polypropyl chloroacrylate, polymethylfluoromethacrylate, etc. are used. Incidentally, an appropriate solvent is added to the acrylic resin to adjust the viscosity before use. The semiconductor layer used in the present invention is formed on the conductive oxide film layer described above by a chemical precipitation method. As a chemical precipitation method, for example, a semiconductor layer consisting of lead dioxide or lead dioxide and 6M lead acid is deposited by a chemical precipitation method as described in JP-A No. 62-256423, JP-A No. 63-51621, etc. This method is preferred because the solid electrolytic capacitor produced has good high frequency performance. In addition, a method of forming a conductive polymer compound such as polyaniline or polypyrrole as a semiconductor layer by vapor phase polymerization using an oxidizing agent and an organic acid (Japanese Unexamined Patent Publication No. 62-47109) and a method containing thallium ions and persulfate ions are also available. Is it possible to chemically precipitate thallium oxide as a semiconductor layer from the reaction mother liquor? P. (Japanese Unexamined Patent Publication No. 62-98715) is also an example. Next, for the conductor layer formed on the semiconductor layer, a conventionally known conductive paste such as silver paste is used. The element of the solid electrolytic capacitor configured in this way is, for example, a resin mold, a resin case, a metal exterior case,
It can be made into a general-purpose capacitor product for various uses by resin dipping and laminate film exterior. [Function] When an acrylic resin is applied to the drawer lead portion of the anode drawer lead and then dried at a predetermined temperature, the acrylic resin adhered to the drawer lead portion shrinks. As a result, pinholes that occur in the deposited acrylic resin can be eliminated, and the resin that originally flowed to the position where the semiconductor layer should be formed on the dielectric oxide film layer can be returned to the desired position. can. Therefore, it is possible to prevent defects in LC characteristics due to adhesion of semiconductor layers and/or conductor layers, and to produce a solid electrolytic capacitor without a decrease in capacity. [Example 1] The present invention will be described below with reference to Examples and Comparative Examples. Example: 40μF/cr with dielectric oxide film layer on the surface
An aluminum flat plate with a tin-plated copper wire connected to n'' aluminum etched foil was caulked as an anode tab, and the lead-out leads were coated with the acrylic resin shown in Table 1 and dried at each temperature for about 30 minutes. Next, the etching foil coated with the acrylic resin described above was placed in a mixed solution of a 2.4 mol/e aqueous solution of lead acetate trihydrate and a 4.0 mol/2 aqueous solution of ammonium persulfate up to the surface to which the acrylic resin was applied.
'C for 30 minutes. After the resulting semiconductor layer made of lead dioxide and fM lead acid was sufficiently washed with water, a semiconductor layer was formed using silver paste and sealed with epoxy resin to produce a solid electrolytic capacitor. Comparative Example A solid electrolytic capacitor was produced in the same manner as in the example except that an epoxy resin, a silicone resin, a modified fluororesin, and a polybutadiene resin were used instead of the acrylic resin in the example. Table 1 summarizes the type of resin and drying temperature in each Example and Comparative Example, and Table 2 shows the performance value of the average of 20 points for each of the elements fabricated in each Example and Comparative Example. be. (Leaving space below) Table 1 Table 2 A direct line at tOV in Table 2 [Effect of the invention J] After connecting the anode lead to the valve metal and covering the lead part of the anode lead with acrylic resin, the acrylic resin Since the solid electrolytic capacitor is dried at a predetermined temperature, a solid electrolytic capacitor with good LC characteristics can be produced without a decrease in capacity.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明を説明するための陽極引出しリードの一
例を示す説明図であり、第2図は陽極引出しリードの他
側を示す説明図である。 l・・・・・−1陽極引出しリード 2・・・・・・引出しリード部 3・・・・・・外部引出しリード 4・・・・・・弁作用金属箔 5・・・・・・アクリル樹脂 6・・・・・・陽極タブ
FIG. 1 is an explanatory view showing an example of an anode lead for explaining the present invention, and FIG. 2 is an explanatory view showing the other side of the anode lead. l...-1 Anode drawer lead 2...Drawer lead part 3...External drawer lead 4...Valve metal foil 5...Acrylic Resin 6... Anode tab

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1.陽極引出しリードを設ける弁作用金属からなる陽極
体の表面に、順次、誘電体酸化皮膜層、化学的析出法に
よる半導体層、および導電体層を形成してなる固体電解
コンデンサの製造方法において、前記陽極引出しリード
の引出しリード部にアクリル樹脂を被着し、しかる後、
このアクリル樹脂を所定の温度で乾燥することを特徴と
する固体電解コンデンサの製造方法。
1. In the method for manufacturing a solid electrolytic capacitor, a dielectric oxide film layer, a semiconductor layer formed by a chemical deposition method, and a conductive layer are sequentially formed on the surface of an anode body made of a valve metal in which an anode lead is provided. Apply acrylic resin to the drawer lead part of the anode drawer lead, and then
A method for manufacturing a solid electrolytic capacitor, which comprises drying this acrylic resin at a predetermined temperature.
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