JPH0363284B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0363284B2 JPH0363284B2 JP58176221A JP17622183A JPH0363284B2 JP H0363284 B2 JPH0363284 B2 JP H0363284B2 JP 58176221 A JP58176221 A JP 58176221A JP 17622183 A JP17622183 A JP 17622183A JP H0363284 B2 JPH0363284 B2 JP H0363284B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase
- voltage
- zero
- circuit
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 28
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000016507 interphase Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
Landscapes
- Patch Boards (AREA)
- Remote Monitoring And Control Of Power-Distribution Networks (AREA)
- Cable Transmission Systems, Equalization Of Radio And Reduction Of Echo (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は零相伝送装置の高圧結合部構造に係
り、特に高圧三相回路を筐体内に引き込んだとき
の絶縁空間を縮少するのに好適な高圧結合部構造
に関するものである。
り、特に高圧三相回路を筐体内に引き込んだとき
の絶縁空間を縮少するのに好適な高圧結合部構造
に関するものである。
三相回路において、対地静電容量を人為的に不
平衡状態とし、低レベルの零相成分を生じさせ、
これを伝送キヤリヤとして配電系統に重畳させ、
変電所側の親局と負荷側の子局との間で送受信を
行うにした零相伝送装置には、配電系統の高圧三
相回路と、装置を制御する低圧回路とを結合する
高圧結合部が設けてある。
平衡状態とし、低レベルの零相成分を生じさせ、
これを伝送キヤリヤとして配電系統に重畳させ、
変電所側の親局と負荷側の子局との間で送受信を
行うにした零相伝送装置には、配電系統の高圧三
相回路と、装置を制御する低圧回路とを結合する
高圧結合部が設けてある。
第１図は高圧結合部の回路構成説明図である。
第１図において、１は筐体、Ｕ，Ｖ，Ｗは高圧三
相回路の各相を示し、高圧三相回路の各相Ｕ，
Ｖ，Ｗはそれぞれブツシング２によつて筐体２内
に引き込んである。筐体２内には、３相のうちの
一相Ｕの電圧をインピーダンス変換した後対地容
量を介して微地絡させて上記高圧三相回路に零相
成分を生じさせて、これをキヤリヤとして送出す
るための高インピーダンスの変圧器３と地絡用コ
ンデンサ４および送られてきたキヤリヤ、すなわ
ち、零相成分を検出するための各相Ｕ，Ｖ，Ｗと
対地間にそれぞれ設けた同一の常数の分圧コンデ
ンサ５が収納してある。６は地絡用スイツチであ
る。
第１図において、１は筐体、Ｕ，Ｖ，Ｗは高圧三
相回路の各相を示し、高圧三相回路の各相Ｕ，
Ｖ，Ｗはそれぞれブツシング２によつて筐体２内
に引き込んである。筐体２内には、３相のうちの
一相Ｕの電圧をインピーダンス変換した後対地容
量を介して微地絡させて上記高圧三相回路に零相
成分を生じさせて、これをキヤリヤとして送出す
るための高インピーダンスの変圧器３と地絡用コ
ンデンサ４および送られてきたキヤリヤ、すなわ
ち、零相成分を検出するための各相Ｕ，Ｖ，Ｗと
対地間にそれぞれ設けた同一の常数の分圧コンデ
ンサ５が収納してある。６は地絡用スイツチであ
る。
第２図、第３図はそれぞれ従来の高圧結合部の
断面した側面説明図、正面説明図である。第２
図、第３図において、１は筐体、２はブツシング
で、２１は外部端子、２２は内部端子部、３は変
圧器、４は地絡用コンデンサ、５は分圧コンデン
サである。そして、筐体１内に各ブツシング２、
変圧器３、地絡用コンデンサ４および各分圧コン
デンサ５などが、図示のように取付け配設して接
続してある。しかし、この場合、系統の高圧三相
回路を筐体１内に引き込む際、各相共、対地絶縁
距離l1および相間絶縁距離l2を回路電圧に応じた
絶縁階級に必要な絶縁距離としなければならず、
筐体１の大きさが、内部に収納する部品の大きさ
に比べて必要以上に大きくなるという欠点を生
じ、高圧結合部は屋外に装柱使用されるものであ
るため、それの大形化が大きな問題になつてい
た。
断面した側面説明図、正面説明図である。第２
図、第３図において、１は筐体、２はブツシング
で、２１は外部端子、２２は内部端子部、３は変
圧器、４は地絡用コンデンサ、５は分圧コンデン
サである。そして、筐体１内に各ブツシング２、
変圧器３、地絡用コンデンサ４および各分圧コン
デンサ５などが、図示のように取付け配設して接
続してある。しかし、この場合、系統の高圧三相
回路を筐体１内に引き込む際、各相共、対地絶縁
距離l1および相間絶縁距離l2を回路電圧に応じた
絶縁階級に必要な絶縁距離としなければならず、
筐体１の大きさが、内部に収納する部品の大きさ
に比べて必要以上に大きくなるという欠点を生
じ、高圧結合部は屋外に装柱使用されるものであ
るため、それの大形化が大きな問題になつてい
た。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目
的とするところは、高圧三相回路を筐体内に引き
込んだときの筐体内部での高圧接続部を少なくし
て絶縁空間を縮少することができる零相伝送装置
の高圧結合部構造を提供することにある。
的とするところは、高圧三相回路を筐体内に引き
込んだときの筐体内部での高圧接続部を少なくし
て絶縁空間を縮少することができる零相伝送装置
の高圧結合部構造を提供することにある。
本発明の特徴は、高圧三相回路を筐体内に引き
込むブツシングのうちの二相のブツシングの胴体
内にそれぞれ当該相と対地との間に設ける分圧コ
ンデンサを内臓させ、この各分圧コンデンサの低
圧側を上記筐体内に引き込み、上記筐体の中には
上記高圧三相回路のうちの残りの一相だけの高圧
回路を引き込み、三相分の相間および対地絶縁距
離は上記残りの一相分の対地絶縁距離だけを取れ
ばよい構成とした点にある。
込むブツシングのうちの二相のブツシングの胴体
内にそれぞれ当該相と対地との間に設ける分圧コ
ンデンサを内臓させ、この各分圧コンデンサの低
圧側を上記筐体内に引き込み、上記筐体の中には
上記高圧三相回路のうちの残りの一相だけの高圧
回路を引き込み、三相分の相間および対地絶縁距
離は上記残りの一相分の対地絶縁距離だけを取れ
ばよい構成とした点にある。
以下本発明を第４図、第５図に示した実施例を
用いて詳細に説明する。
用いて詳細に説明する。
第４図、第５図はそれぞれ本発明の零相伝送装
置の高圧結合部構造の一実施例を示す断面した側
面説明図、正面説明図で、それぞれ第２図、第３
図に対比した同じスケールで示してあり、第２
図、第３図と同一部分は同じ符号で示してある。
タンクと蓋で密閉構造とした筐体１の中にインピ
ーダンスを変換する変圧器３と、変圧器３の２次
側に接続した外部制御回路に設けた地絡用スイツ
チ６（第１図参照）で地絡させることにより三相
高圧回路に零相成分を生じさせる地絡用コンデン
サ４と、零相成分を検出するための各相と対地間
に接続した分圧コンデンサ５とが収納してあり、
また、ブツシング２を介して高圧三相回路を筐体
１の中に引き込んである。ただし、各相と対地間
に接続する分圧コンデンサ５三相分のうち二相分
は、それぞれブツシング２の胴体内に内蔵し、他
の一相分は、変圧器３の頭部に水平配置し、上記
二相分の分圧コンデンサ５は、高圧側をブツシン
グ２の頭部で外部端子２１に取り付け、反対側の
低圧側を筐体１内に引き込み、他の一相分の分圧
コンデンサ５は、高圧側をブツシング２の内部端
子部２２に取り付けるとともに変圧器３の一次側
高圧端子のＵ部に取り付け、反射側の低圧側を変
圧器３の無電圧端子に固定し、分圧コンデンサ５
を内蔵した２つのブツシング２と分圧コンデンサ
５を内蔵しない１つのブツシング２とは、それぞ
れ筐体１の側面に扇状になるように取り付け、か
つ、分圧コンデンサ５を内蔵しないブツシング２
の内部端子部２２が筐体１との対地絶縁距離l1を
もつて筐体１内部の中央部近傍に位置するように
配置した。また、変圧器３は、一次側高圧端子の
Ｕ部が分圧コンデンサ５を内蔵しないブツシング
２の内部端子部２２に極く近傍し、かつ、一次側
高圧端子のＵ，Ｖ部が筐体１と対地絶縁距離l1を
もつように配置した。このように、三相のうち二
相の高圧部接続は、分圧コンデンサ５を内蔵した
ブツシング２の頭部の外部端子２１で行い、筐体
１内には高圧三相回路のうちの残りの一相分だけ
を引き込むようにした。また、筐体１内の高圧接
続部を構造的に１個所に集中するようにし、ブツ
シング２の外部端子２１間には相間絶縁距離l2を
設け、筐体１内部では、三相のうち二相は分圧コ
ンデンサ５で電圧を下げられているので、低圧回
路並の絶縁距離とし、また、残りの一相の高圧相
の内部端子部２２の絶縁距離は、相間距離を取る
必要がないので、筐体１との絶縁距離は、対地絶
縁距離l1としてある。これにより、筐体１の小形
化をはかることができる。
置の高圧結合部構造の一実施例を示す断面した側
面説明図、正面説明図で、それぞれ第２図、第３
図に対比した同じスケールで示してあり、第２
図、第３図と同一部分は同じ符号で示してある。
タンクと蓋で密閉構造とした筐体１の中にインピ
ーダンスを変換する変圧器３と、変圧器３の２次
側に接続した外部制御回路に設けた地絡用スイツ
チ６（第１図参照）で地絡させることにより三相
高圧回路に零相成分を生じさせる地絡用コンデン
サ４と、零相成分を検出するための各相と対地間
に接続した分圧コンデンサ５とが収納してあり、
また、ブツシング２を介して高圧三相回路を筐体
１の中に引き込んである。ただし、各相と対地間
に接続する分圧コンデンサ５三相分のうち二相分
は、それぞれブツシング２の胴体内に内蔵し、他
の一相分は、変圧器３の頭部に水平配置し、上記
二相分の分圧コンデンサ５は、高圧側をブツシン
グ２の頭部で外部端子２１に取り付け、反対側の
低圧側を筐体１内に引き込み、他の一相分の分圧
コンデンサ５は、高圧側をブツシング２の内部端
子部２２に取り付けるとともに変圧器３の一次側
高圧端子のＵ部に取り付け、反射側の低圧側を変
圧器３の無電圧端子に固定し、分圧コンデンサ５
を内蔵した２つのブツシング２と分圧コンデンサ
５を内蔵しない１つのブツシング２とは、それぞ
れ筐体１の側面に扇状になるように取り付け、か
つ、分圧コンデンサ５を内蔵しないブツシング２
の内部端子部２２が筐体１との対地絶縁距離l1を
もつて筐体１内部の中央部近傍に位置するように
配置した。また、変圧器３は、一次側高圧端子の
Ｕ部が分圧コンデンサ５を内蔵しないブツシング
２の内部端子部２２に極く近傍し、かつ、一次側
高圧端子のＵ，Ｖ部が筐体１と対地絶縁距離l1を
もつように配置した。このように、三相のうち二
相の高圧部接続は、分圧コンデンサ５を内蔵した
ブツシング２の頭部の外部端子２１で行い、筐体
１内には高圧三相回路のうちの残りの一相分だけ
を引き込むようにした。また、筐体１内の高圧接
続部を構造的に１個所に集中するようにし、ブツ
シング２の外部端子２１間には相間絶縁距離l2を
設け、筐体１内部では、三相のうち二相は分圧コ
ンデンサ５で電圧を下げられているので、低圧回
路並の絶縁距離とし、また、残りの一相の高圧相
の内部端子部２２の絶縁距離は、相間距離を取る
必要がないので、筐体１との絶縁距離は、対地絶
縁距離l1としてある。これにより、筐体１の小形
化をはかることができる。
以上説明したように、本発明によれば、高圧三
相回路を筐体内に引き込むときの筐体内部での高
圧接続部を少なくすることができ、それにともな
い絶縁空間を縮少することができ、筐体の小形化
をはかることができるという効果がある。
相回路を筐体内に引き込むときの筐体内部での高
圧接続部を少なくすることができ、それにともな
い絶縁空間を縮少することができ、筐体の小形化
をはかることができるという効果がある。
第１図は零相伝送装置の高圧結合部の回路構成
説明図、第２図、第３図はそれぞれ従来の高圧結
合部の断面した側面説明図および正面説明図、第
４図、第５図はそれぞれ本発明の零相伝送装置の
高圧結合部構造の一実施例を示す断面した側面説
明図および正面説明図である。 １……筐体、２……ブツシング、３……変圧
器、４……地絡用コンデンサ、５……分圧コンデ
ンサ、２１……外部端子、２２……内部端子部。
説明図、第２図、第３図はそれぞれ従来の高圧結
合部の断面した側面説明図および正面説明図、第
４図、第５図はそれぞれ本発明の零相伝送装置の
高圧結合部構造の一実施例を示す断面した側面説
明図および正面説明図である。 １……筐体、２……ブツシング、３……変圧
器、４……地絡用コンデンサ、５……分圧コンデ
ンサ、２１……外部端子、２２……内部端子部。
Claims (1)
- １ 三相回路に零相成分を生じさせ、該零相成分
をキヤリヤとして送受信を行うようにしてなる零
相伝送装置に用いられ、ブツシングによつて筐体
内に引き込んだ高圧三相回路のうちの一相を高イ
ンピーダンスの容量で微地路して零相成分を生じ
させる地絡用のコンデンサと変圧器、送られてき
た零相成分を検出するために前記高圧三相回路の
各相と対地との間に設けた分圧コンデンサを収納
した零相伝送装置の高圧結合部において、前記高
圧三相回路を引き込むブツシングのうちの二相の
ブツシングの胴体にそれぞれ前記分圧コンデンサ
を内蔵させて該各分圧コンデンサの低圧側を前記
筐体内部に引き込み、前記筐体の中にはブツシン
グを介して前記高圧三相回路のうちの残りの一相
だけの高圧回路を引き込み、この相の分圧コンデ
ンサを筐体内に設置したことを特徴とする零相伝
送装置の高圧結合部。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176221A JPS6070907A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 零相伝送装置の高圧結合部 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176221A JPS6070907A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 零相伝送装置の高圧結合部 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070907A JPS6070907A (ja) | 1985-04-22 |
| JPH0363284B2 true JPH0363284B2 (ja) | 1991-09-30 |
Family
ID=16009740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58176221A Granted JPS6070907A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 零相伝送装置の高圧結合部 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6070907A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2602211B2 (ja) * | 1986-07-11 | 1997-04-23 | 株式会社日立製作所 | 高圧結合装置 |
| JP2858218B2 (ja) * | 1994-03-28 | 1999-02-17 | 松下電器産業株式会社 | 高圧受電設備 |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP58176221A patent/JPS6070907A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6070907A (ja) | 1985-04-22 |
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