JPH0360915B2 - - Google Patents
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- JPH0360915B2 JPH0360915B2 JP62311277A JP31127787A JPH0360915B2 JP H0360915 B2 JPH0360915 B2 JP H0360915B2 JP 62311277 A JP62311277 A JP 62311277A JP 31127787 A JP31127787 A JP 31127787A JP H0360915 B2 JPH0360915 B2 JP H0360915B2
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
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Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、薄膜のスパツタ装置に関するもの
で、特に、半導体装置の膜形成用として使用され
るものである。
で、特に、半導体装置の膜形成用として使用され
るものである。
（従来の技術）
従来この種のスパツタ装置は、ターゲツトと基
板が対向した枚葉式で、磁石によるマグネトロン
放電により、基板へのダメージを軽減するととも
に、磁界によりプラズマ径を制御し、高速スパツ
タ（1500Å／min、SiO2スパツタの場合）を実現
している。一方、パーテイクル（微粒子）対策と
しては、ターゲツト付近に防着板を設ける事によ
り、スパツタ粒子のチヤンバー内壁への付着を抑
え、チヤンバー内壁からのスパツタ膜の剥離を低
減している。又、スパツタ膜（線膨張係数小）付
着部分（ステンレス等線膨張係数大）を、線膨張
係数がターゲツト材と近い物質（石英等）で覆う
とともに、スパツタ時には基板を水平から85°傾
け、パーテイクル対策を行つている。（第５図参
照）しかし、これでも不十分である為、定期的に
スパツタ膜付着部分を交換している。第５図にお
いて１１はカソードフランジ、１２はＯリング、
１３はチヤンバー壁、１４はチヤンバー内防着
板、１５はターゲツト防着板、１５′はターゲツ
ト防着板上石英板、１６はターゲツト、１７はバ
ツキングプレート、１８は基板ホルダー、１８′
は基板ホルダー上石英板、１９は基板（半導体ウ
エハ）、２０は交流電源である。
板が対向した枚葉式で、磁石によるマグネトロン
放電により、基板へのダメージを軽減するととも
に、磁界によりプラズマ径を制御し、高速スパツ
タ（1500Å／min、SiO2スパツタの場合）を実現
している。一方、パーテイクル（微粒子）対策と
しては、ターゲツト付近に防着板を設ける事によ
り、スパツタ粒子のチヤンバー内壁への付着を抑
え、チヤンバー内壁からのスパツタ膜の剥離を低
減している。又、スパツタ膜（線膨張係数小）付
着部分（ステンレス等線膨張係数大）を、線膨張
係数がターゲツト材と近い物質（石英等）で覆う
とともに、スパツタ時には基板を水平から85°傾
け、パーテイクル対策を行つている。（第５図参
照）しかし、これでも不十分である為、定期的に
スパツタ膜付着部分を交換している。第５図にお
いて１１はカソードフランジ、１２はＯリング、
１３はチヤンバー壁、１４はチヤンバー内防着
板、１５はターゲツト防着板、１５′はターゲツ
ト防着板上石英板、１６はターゲツト、１７はバ
ツキングプレート、１８は基板ホルダー、１８′
は基板ホルダー上石英板、１９は基板（半導体ウ
エハ）、２０は交流電源である。
（発明が解決しようとする問題点）
従来技術の問題点を以下に示す。
(1) ターゲツト１６に防着板１５を取り付ける事
で、チヤンバー内防着板１４上へのスパツタ膜
の形成、及びそれに寄因するスパツタ膜の剥れ
は、抑えられる。しかし、主なスパツタ膜付着
部分であるターゲツト防着板１５の内側（ター
ゲツト側）と、基板ホルダー１８の表面の基板
周辺部には、スパツタ膜が厚く形成される。こ
の形成されたスパツタ膜の剥れによるパーテイ
クルが、基板１９上へのスパツタ成膜時に、膜
中不純物として取り込まれ、絶縁膜形成の場
合、リーク、耐圧不良等の問題となる。防着板
１５の表面及び基板ホルダー１８の表面を、タ
ーゲツト材１６と近い線膨張係数を持つ物質
（石英板等）で覆つた場合、パーテイクル数は、
石英板なしの場合の第２図の曲線ｂの場合によ
りある程度低減されるが十分ではない。（第２
図の曲線Ｃ参照）、その為、防着板及び基板ホ
ルダー表面の定期的な交換洗浄が必要となる
が、これは装置の稼動効率の低下を意味する。
で、チヤンバー内防着板１４上へのスパツタ膜
の形成、及びそれに寄因するスパツタ膜の剥れ
は、抑えられる。しかし、主なスパツタ膜付着
部分であるターゲツト防着板１５の内側（ター
ゲツト側）と、基板ホルダー１８の表面の基板
周辺部には、スパツタ膜が厚く形成される。こ
の形成されたスパツタ膜の剥れによるパーテイ
クルが、基板１９上へのスパツタ成膜時に、膜
中不純物として取り込まれ、絶縁膜形成の場
合、リーク、耐圧不良等の問題となる。防着板
１５の表面及び基板ホルダー１８の表面を、タ
ーゲツト材１６と近い線膨張係数を持つ物質
（石英板等）で覆つた場合、パーテイクル数は、
石英板なしの場合の第２図の曲線ｂの場合によ
りある程度低減されるが十分ではない。（第２
図の曲線Ｃ参照）、その為、防着板及び基板ホ
ルダー表面の定期的な交換洗浄が必要となる
が、これは装置の稼動効率の低下を意味する。
(2) 基板１９を、水平方向から85゜傾け成膜する
事は、水平に保持した場合と比較すると、基板
上のパーテイクル数は低減されるが、これも不
十分である。
事は、水平に保持した場合と比較すると、基板
上のパーテイクル数は低減されるが、これも不
十分である。
(3) 高速スパツタを行なう為、防着板上でのスパ
ツタ膜の堆積速度も速くスパツタ膜の剥れによ
るパーテイクルの増加速度も速い。
ツタ膜の堆積速度も速くスパツタ膜の剥れによ
るパーテイクルの増加速度も速い。
(4) スパツタ膜の剥れは、放電中、及びそれ以外
の時の膜付着部分の温度変化に伴なう膜内部応
力の増大（加）が原因と考えられるが、それに
対する対策がなされていない。
の時の膜付着部分の温度変化に伴なう膜内部応
力の増大（加）が原因と考えられるが、それに
対する対策がなされていない。
本発明は、従来の基板とターゲツトが対向した
高速スパツタ装置の長所を損なわずに、チヤンバ
内のパーテイクル数を減少させる事を目的とす
る。
高速スパツタ装置の長所を損なわずに、チヤンバ
内のパーテイクル数を減少させる事を目的とす
る。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段と作用）
本発明は、スパツタ時に、ターゲツトと基板を
対向設置し、該基板上へ薄膜を形成するマグネト
ロン・スパツタ装置において、前記基板以外のス
パツタ膜付着部分を、スパツタ時に前記スパツタ
膜付着部分が到達する温度付近に加熱保持してお
く手段を具備したことを特徴とするスパツタ装置
である。即ち本発明は、基板とターゲツトの対向
した高速スパツタ装置において、基板以外のスパ
ツタ膜付着部分を、連続スパツタ時に前記スパツ
タ膜付着部分が到達安定する温度付近に常時、温
度コントロールしておくことにより、上記スパツ
タ膜付着部分と付着スパツタ膜の間の温度変化に
よる伸縮ずれを防止（低減）して付着スパツタ膜
の剥れを抑制し、チヤンバー内パーテイクル数を
低減する事を特徴とする。
対向設置し、該基板上へ薄膜を形成するマグネト
ロン・スパツタ装置において、前記基板以外のス
パツタ膜付着部分を、スパツタ時に前記スパツタ
膜付着部分が到達する温度付近に加熱保持してお
く手段を具備したことを特徴とするスパツタ装置
である。即ち本発明は、基板とターゲツトの対向
した高速スパツタ装置において、基板以外のスパ
ツタ膜付着部分を、連続スパツタ時に前記スパツ
タ膜付着部分が到達安定する温度付近に常時、温
度コントロールしておくことにより、上記スパツ
タ膜付着部分と付着スパツタ膜の間の温度変化に
よる伸縮ずれを防止（低減）して付着スパツタ膜
の剥れを抑制し、チヤンバー内パーテイクル数を
低減する事を特徴とする。
（実施例）
本発明の実施例として第１図に高速スパツタ装
置を示すが、これは第５図のものと対応する場合
の例であるから、同一部分には同一符号を付して
おく。本装置は、３ターゲツト（３チヤンバー）
を有し、同時に３枚の基板上の成膜可能としてい
るが、第１図には、その中の一室の断面図を示し
た。本装置の特徴は、成膜時に基板１９が水平方
向から85゜の角度をもつてターゲツト１６と対向
する事、ターゲツト防着板１５と基板ホルダー１
８により、チヤンバー内壁防着板１４上へのスパ
ツタ膜の形成が抑制される事、防着板１５の表面
及び基板ホルダー１８の表面のスパツタ膜付着部
分を高純度石英板１５′，１８′で覆つた事、そし
て最も重要な点は、防着板１５及び基板ホルダー
１８を加熱保持可能なヒーター・ユニツト２１及
び２２を持つ事にある。
置を示すが、これは第５図のものと対応する場合
の例であるから、同一部分には同一符号を付して
おく。本装置は、３ターゲツト（３チヤンバー）
を有し、同時に３枚の基板上の成膜可能としてい
るが、第１図には、その中の一室の断面図を示し
た。本装置の特徴は、成膜時に基板１９が水平方
向から85゜の角度をもつてターゲツト１６と対向
する事、ターゲツト防着板１５と基板ホルダー１
８により、チヤンバー内壁防着板１４上へのスパ
ツタ膜の形成が抑制される事、防着板１５の表面
及び基板ホルダー１８の表面のスパツタ膜付着部
分を高純度石英板１５′，１８′で覆つた事、そし
て最も重要な点は、防着板１５及び基板ホルダー
１８を加熱保持可能なヒーター・ユニツト２１及
び２２を持つ事にある。
本装置を用い、防着板１５及び基板ホルダー１
８の表面の温度を200℃近辺に保持加熱し、ター
ゲツト１６として高純度石英を使用し、SiO2膜
を基板１９にスパツタ成膜した。ここでスパツタ
成膜のためのスパツタ放電時はヒータ２１，２２
はオフ状態とするが、スパツタ放電時の熱で上記
近辺の温度を保持する。一方、スパツタ放電時以
外はヒータ２１，２２をオンとし、防着板１５、
基板ホルダー１８の温度を例えば200℃に温調す
る。このようにすれば防着板１５、基板ホルダー
１８は定温に保たれるため、たとえこれらの材質
と累積スパツタ膜材との間に、温度差による伸縮
差があつても、スパツタ膜材の剥れによるパーテ
イクル数増加を防止できるものである。
８の表面の温度を200℃近辺に保持加熱し、ター
ゲツト１６として高純度石英を使用し、SiO2膜
を基板１９にスパツタ成膜した。ここでスパツタ
成膜のためのスパツタ放電時はヒータ２１，２２
はオフ状態とするが、スパツタ放電時の熱で上記
近辺の温度を保持する。一方、スパツタ放電時以
外はヒータ２１，２２をオンとし、防着板１５、
基板ホルダー１８の温度を例えば200℃に温調す
る。このようにすれば防着板１５、基板ホルダー
１８は定温に保たれるため、たとえこれらの材質
と累積スパツタ膜材との間に、温度差による伸縮
差があつても、スパツタ膜材の剥れによるパーテ
イクル数増加を防止できるものである。
上記基板上における0.3μm以上のパーテイクル
数のスパツタ膜厚（防着板及び基板ホルダー洗浄
後の基板上累積スパツタ膜厚）依存性を第２図に
示す。測定は、直径５インチのベア・シリコン・
ウエハ上に、1000ÅのSiO2膜をスパツタ成膜し、
パーテイクルの測定を行つた。パーテイクル測定
を行なわないウエハ上には、各ウエハにつき
10000ÅSiO2膜を成膜した。１ロツト24枚チヤー
ジで、各ターゲツトで８枚づつ成膜し、１枚目、
８枚目を測定ウエハとした。尚、３チヤンバー
各々のパーテイクル数を平均し、測定値とした。
スパツタ条件は、到達真空度1.5×10-7Torr、ス
パツタ時Ar分圧3.0×10-3Torr、Ar流量30SCCM
であり、スパツタ成膜速度1500Å／minである。
数のスパツタ膜厚（防着板及び基板ホルダー洗浄
後の基板上累積スパツタ膜厚）依存性を第２図に
示す。測定は、直径５インチのベア・シリコン・
ウエハ上に、1000ÅのSiO2膜をスパツタ成膜し、
パーテイクルの測定を行つた。パーテイクル測定
を行なわないウエハ上には、各ウエハにつき
10000ÅSiO2膜を成膜した。１ロツト24枚チヤー
ジで、各ターゲツトで８枚づつ成膜し、１枚目、
８枚目を測定ウエハとした。尚、３チヤンバー
各々のパーテイクル数を平均し、測定値とした。
スパツタ条件は、到達真空度1.5×10-7Torr、ス
パツタ時Ar分圧3.0×10-3Torr、Ar流量30SCCM
であり、スパツタ成膜速度1500Å／minである。
尚、保持加熱温度は、本実施例では200℃とし
たが、スパツタ時の防着板の到着温度は、ターゲ
ツトと基板間距離、チヤンバ形状、ターゲツト電
力等により異なる為、防着板の最適保持加熱温度
は、装置毎に異なる。その装置の防着板のスパツ
タ時の安定温度に設定すればよい。
たが、スパツタ時の防着板の到着温度は、ターゲ
ツトと基板間距離、チヤンバ形状、ターゲツト電
力等により異なる為、防着板の最適保持加熱温度
は、装置毎に異なる。その装置の防着板のスパツ
タ時の安定温度に設定すればよい。
本実施例の設定温度は、第３図から求めた。こ
の第３図は、成膜（放電）時、及び成膜終了後の
防着板の温度変化とパーテイクル数変化の関係を
示す。放電終了後の防着板温度の低下に伴い、パ
ーテイクル数が急増している事が分る。
の第３図は、成膜（放電）時、及び成膜終了後の
防着板の温度変化とパーテイクル数変化の関係を
示す。放電終了後の防着板温度の低下に伴い、パ
ーテイクル数が急増している事が分る。
本実施例において、スパツタ膜付着部分（防着
板及び基板ホルダー）の温度を常時200℃に保持
し、SiO2スパツタ成膜のランニング・テスト行
つた際の、パーテイクル数の累積スパツタ膜厚依
存性を調べた結果を第２図の実線ａで、保持加熱
を行なわない従来法によるランニング・テストの
結果を破線ｂ及び一点鎖線ｃで示す。
板及び基板ホルダー）の温度を常時200℃に保持
し、SiO2スパツタ成膜のランニング・テスト行
つた際の、パーテイクル数の累積スパツタ膜厚依
存性を調べた結果を第２図の実線ａで、保持加熱
を行なわない従来法によるランニング・テストの
結果を破線ｂ及び一点鎖線ｃで示す。
パーテイクル数のスペツクは、通常ウエハ上
100個以下（0.3μm以上）であるが、従来法では、
7μm成膜時にスペツクを超えてしまう。しかし、
本発明によれば、40μmまでスペツクを満たす24
枚編成で成膜を行なうと、３ターゲツトの装置の
場合、各ターゲツトで８枚成膜する事になる。一
枚につき、1μm成膜すると、１ロツト（24枚）に
つき、各ターゲツト8μm成膜する事になる。それ
ゆえ、従来法によれば１ロツト成膜する度に、ス
パツタ膜付着部分の洗浄が必要であるが、本発明
によれば、洗浄の頻度は、５ロツトに一度で済
む。防着板を交換する際には、チヤンバーを大気
に戻す必要があり、又、交換後の真空引きにも数
時間を要する。結局、交換一度につき、最低５時
間程度の時間を消費する。本発明の方法によれ
ば、このロス時間が大幅に低減され、装置スルー
プツトの向上にも有効である。
100個以下（0.3μm以上）であるが、従来法では、
7μm成膜時にスペツクを超えてしまう。しかし、
本発明によれば、40μmまでスペツクを満たす24
枚編成で成膜を行なうと、３ターゲツトの装置の
場合、各ターゲツトで８枚成膜する事になる。一
枚につき、1μm成膜すると、１ロツト（24枚）に
つき、各ターゲツト8μm成膜する事になる。それ
ゆえ、従来法によれば１ロツト成膜する度に、ス
パツタ膜付着部分の洗浄が必要であるが、本発明
によれば、洗浄の頻度は、５ロツトに一度で済
む。防着板を交換する際には、チヤンバーを大気
に戻す必要があり、又、交換後の真空引きにも数
時間を要する。結局、交換一度につき、最低５時
間程度の時間を消費する。本発明の方法によれ
ば、このロス時間が大幅に低減され、装置スルー
プツトの向上にも有効である。
第６図は本発明の異なる実施例である。これは
前実施例のドーム状防着板とは異なり、防着板を
広げ、仕切り板のような形をした防着板１５″と
し、これにヒータ２１を設けるようにしたもので
ある。この構成には、スパツタ室下方にターゲツ
ト電力分散用開口部３１と溝３２が設けられ、こ
れは真空引き用のポンプ（図示せず）につながつ
ている。。このような構成でも同様な効果が得ら
れ、電極裏面の部分にヒータの無い場合にも同様
な効果が得られる。３３はターゲツト・アースシ
ールドである。
前実施例のドーム状防着板とは異なり、防着板を
広げ、仕切り板のような形をした防着板１５″と
し、これにヒータ２１を設けるようにしたもので
ある。この構成には、スパツタ室下方にターゲツ
ト電力分散用開口部３１と溝３２が設けられ、こ
れは真空引き用のポンプ（図示せず）につながつ
ている。。このような構成でも同様な効果が得ら
れ、電極裏面の部分にヒータの無い場合にも同様
な効果が得られる。３３はターゲツト・アースシ
ールドである。
なお本発明は実施例のみに限られることなく、
種々の応用が可能である。例えば本実施例では、
ソース・ターゲツト材として高純度石英（SiO2）
を用いたが、ターゲツト材としてMo系合金、Ｗ
系合金等の内部応力の大きい膜剥れを起こしやす
い金属を用いる場合にも、本発明が有効である事
は言うまでもない。又、ヒーター・ユニツトの取
り付け位置としても、本実施例では、カソード防
着板と基板ホルダーの両者としたが、例えば第４
図の如くカソード防着板１５のみに取付けても、
実施例と略同様な効果が得られる。
種々の応用が可能である。例えば本実施例では、
ソース・ターゲツト材として高純度石英（SiO2）
を用いたが、ターゲツト材としてMo系合金、Ｗ
系合金等の内部応力の大きい膜剥れを起こしやす
い金属を用いる場合にも、本発明が有効である事
は言うまでもない。又、ヒーター・ユニツトの取
り付け位置としても、本実施例では、カソード防
着板と基板ホルダーの両者としたが、例えば第４
図の如くカソード防着板１５のみに取付けても、
実施例と略同様な効果が得られる。
［発明の効果］
以上説明した如く本発明によれば、基板とター
ゲツトが対向した高速スパツタ装置の長所を損な
わずに、チヤンバ内従つてスパツタ成膜時のパー
テイクル数を減少させ得る等の利点を有したスパ
ツタ装置が提供できるものである。
ゲツトが対向した高速スパツタ装置の長所を損な
わずに、チヤンバ内従つてスパツタ成膜時のパー
テイクル数を減少させ得る等の利点を有したスパ
ツタ装置が提供できるものである。
第１図は本発明の一実施例を示す断面的構成
図、第２図及び第３図は同実施例の効果を説明す
るための特性図、第４図は本発明の他の実施例の
断面的構成図、第５図は従来装置の断面的構成
図、第６図は本発明の異なる実施例の断面的構成
図である。 １１…カソード・フランジ、１２…Ｏリング、
１３…チヤンバー壁、１４…チヤンバー内防着
板、１５，１５″…ターゲツト防着板、１５′…タ
ーゲツト防着板上石英板、１６…ターゲツト、１
７…バツキング・プレート、１８…基板ホルダ
ー、１８′…基板ホルダー上石英板、１９…基板、
２１…ターゲツト防着板保持加熱用ヒータ、２２
…基板ホルダー保持加熱用ヒータ。
図、第２図及び第３図は同実施例の効果を説明す
るための特性図、第４図は本発明の他の実施例の
断面的構成図、第５図は従来装置の断面的構成
図、第６図は本発明の異なる実施例の断面的構成
図である。 １１…カソード・フランジ、１２…Ｏリング、
１３…チヤンバー壁、１４…チヤンバー内防着
板、１５，１５″…ターゲツト防着板、１５′…タ
ーゲツト防着板上石英板、１６…ターゲツト、１
７…バツキング・プレート、１８…基板ホルダ
ー、１８′…基板ホルダー上石英板、１９…基板、
２１…ターゲツト防着板保持加熱用ヒータ、２２
…基板ホルダー保持加熱用ヒータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ スパツタ時に、ターゲツトと基板を対向設置
し、該基板上へ薄膜を形成するマグネトロン・ス
パツタ装置において、主な前記基板以外のスパツ
タ膜付着部分を、スパツタ時に前記スパツタ膜付
着部分が到達する温度付近に温度コントロールし
ておく手段を具備したことを特徴とするスパツタ
装置。 ２ 前記スパツタを枚葉式で行なう事を特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載のスパツタ装置。 ３ 前記スパツタ膜は、絶縁膜であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載のスパツタ装
置。 ４ 前記スパツタ膜は、金属あるいは合金である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
スパツタ装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62311277A JPH01152271A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | スパッタ装置 |
| KR1019880016342A KR910009607B1 (ko) | 1987-12-09 | 1988-12-08 | 스퍼터장치 |
| US07/281,366 US4933063A (en) | 1987-12-09 | 1988-12-08 | Sputtering device |
| EP88120657A EP0320016B1 (en) | 1987-12-09 | 1988-12-09 | Sputtering device |
| DE88120657T DE3884158T2 (de) | 1987-12-09 | 1988-12-09 | Sputteranlage. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62311277A JPH01152271A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | スパッタ装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4215963A Division JP2566101B2 (ja) | 1992-08-13 | 1992-08-13 | スパッタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01152271A JPH01152271A (ja) | 1989-06-14 |
| JPH0360915B2 true JPH0360915B2 (ja) | 1991-09-18 |
Family
ID=18015197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62311277A Granted JPH01152271A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | スパッタ装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4933063A (ja) |
| EP (1) | EP0320016B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01152271A (ja) |
| KR (1) | KR910009607B1 (ja) |
| DE (1) | DE3884158T2 (ja) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02163368A (ja) * | 1988-12-15 | 1990-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置 |
| JP2612057B2 (ja) * | 1988-12-20 | 1997-05-21 | 三菱電機株式会社 | 真空成膜装置の運転方法 |
| DE4108001C1 (ja) * | 1991-03-13 | 1992-07-09 | Forschungszentrum Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De | |
| WO1992016671A1 (en) * | 1991-03-20 | 1992-10-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and device for forming film by sputtering process |
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| US6246247B1 (en) | 1994-11-15 | 2001-06-12 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit, and methods of using same |
| US5791895A (en) * | 1994-02-17 | 1998-08-11 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for thermal treatment of thin film wafer |
| US5518593A (en) * | 1994-04-29 | 1996-05-21 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Shield configuration for vacuum chamber |
| US5595241A (en) * | 1994-10-07 | 1997-01-21 | Sony Corporation | Wafer heating chuck with dual zone backplane heating and segmented clamping member |
| JP2671835B2 (ja) * | 1994-10-20 | 1997-11-05 | 日本電気株式会社 | スパッタ装置とその装置を用いた半導体装置の製造方法 |
| DE69533336T2 (de) * | 1994-11-15 | 2005-01-13 | Formfactor, Inc., Livermore | Testkarte und ihre anwendung |
| US5589041A (en) * | 1995-06-07 | 1996-12-31 | Sony Corporation | Plasma sputter etching system with reduced particle contamination |
| US6483328B1 (en) | 1995-11-09 | 2002-11-19 | Formfactor, Inc. | Probe card for probing wafers with raised contact elements |
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| DE19734633C2 (de) * | 1997-08-11 | 1999-08-26 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Hochdruck-Magnetron-Kathode |
| US6014082A (en) * | 1997-10-03 | 2000-01-11 | Sony Corporation | Temperature monitoring and calibration system for control of a heated CVD chuck |
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| US7262611B2 (en) | 2000-03-17 | 2007-08-28 | Formfactor, Inc. | Apparatuses and methods for planarizing a semiconductor contactor |
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| JP2002090977A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-03-27 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランク、フォトマスクブランク、並びにそれらの製造装置及び製造方法 |
| US7147759B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-12-12 | Zond, Inc. | High-power pulsed magnetron sputtering |
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| DE102013107167B4 (de) | 2013-07-08 | 2017-10-05 | Von Ardenne Gmbh | Anordnung zum Schutz von Einbauten in Vakuumkammern |
| DE102013221029A1 (de) * | 2013-10-16 | 2015-04-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung uniformer Schichten auf bewegten Substraten und derart hergestellte Schichten |
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| US20230395385A1 (en) * | 2022-06-06 | 2023-12-07 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching tools and systems |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63121659A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-25 | Anelva Corp | スパツタリング装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58164228A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-29 | Toshiba Corp | 誘電体の薄膜形成方法 |
| US4610775A (en) * | 1985-07-26 | 1986-09-09 | Westinghouse Electric Corp. | Method and apparatus for clearing short-circuited, high-voltage cathodes in a sputtering chamber |
| DE3634710A1 (de) * | 1986-10-11 | 1988-04-21 | Ver Glaswerke Gmbh | Vorrichtung zum vakuumbeschichten einer glasscheibe durch reaktive kathodenzerstaeubung |
-
1987
- 1987-12-09 JP JP62311277A patent/JPH01152271A/ja active Granted
-
1988
- 1988-12-08 KR KR1019880016342A patent/KR910009607B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-12-08 US US07/281,366 patent/US4933063A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-09 EP EP88120657A patent/EP0320016B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-09 DE DE88120657T patent/DE3884158T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63121659A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-25 | Anelva Corp | スパツタリング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3884158T2 (de) | 1994-01-13 |
| EP0320016A1 (en) | 1989-06-14 |
| US4933063A (en) | 1990-06-12 |
| KR910009607B1 (ko) | 1991-11-23 |
| DE3884158D1 (de) | 1993-10-21 |
| JPH01152271A (ja) | 1989-06-14 |
| EP0320016B1 (en) | 1993-09-15 |
| KR890011050A (ko) | 1989-08-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |