JPH0358622U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0358622U JPH0358622U JP12077089U JP12077089U JPH0358622U JP H0358622 U JPH0358622 U JP H0358622U JP 12077089 U JP12077089 U JP 12077089U JP 12077089 U JP12077089 U JP 12077089U JP H0358622 U JPH0358622 U JP H0358622U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring layer
- thin film
- silicon thin
- film transistor
- amorphous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
第１図は、この考案のアモルフアスシリコン薄
膜トランジスタを備えた装置の要部を示す概略的
平面図、第２図は、従来のアモルフアスシリコン
薄膜トランジスタの一例の構造を示す概略的断面
図、第３図は、従来のアモルフアスシリコン薄膜
トランジスタを備えた装置の要部を示す概略的平
面図、第４図は、この考案に用いるアモルフアス
シリコン薄膜トランジスタの構造の一例を概略的
に示す断面図、第５図および第６図は、この考案
のアモルフアスシリコン薄膜トランジスタを備え
た装置の一例である液晶デイスプレイ装置の製造
工程図である。 ３０……透光性絶縁基板、３２……ゲート配線
層、３４……ドレイン配線層、３６……ａ−Ｓｉ
ＴＦＴ、３８……ゲート電極、４０……ドレイン
電極、４２……ゲート絶縁膜、４４……コンタク
トホール、４６……ソース電極、４８……画素電
極、５０……活性層、５２……保護膜。
膜トランジスタを備えた装置の要部を示す概略的
平面図、第２図は、従来のアモルフアスシリコン
薄膜トランジスタの一例の構造を示す概略的断面
図、第３図は、従来のアモルフアスシリコン薄膜
トランジスタを備えた装置の要部を示す概略的平
面図、第４図は、この考案に用いるアモルフアス
シリコン薄膜トランジスタの構造の一例を概略的
に示す断面図、第５図および第６図は、この考案
のアモルフアスシリコン薄膜トランジスタを備え
た装置の一例である液晶デイスプレイ装置の製造
工程図である。 ３０……透光性絶縁基板、３２……ゲート配線
層、３４……ドレイン配線層、３６……ａ−Ｓｉ
ＴＦＴ、３８……ゲート電極、４０……ドレイン
電極、４２……ゲート絶縁膜、４４……コンタク
トホール、４６……ソース電極、４８……画素電
極、５０……活性層、５２……保護膜。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 透光性絶縁基板上に、ゲート配線層と、該ゲー
ト配線層と交差するドレイン配線層と、ゲート電
極がゲート配線層と結合されドレイン電極がドレ
イン配線層と結合されたアモルフアスシリコン薄
膜トランジスタと、該アモルフアスシリコン薄膜
トランジスタのソース電極と結合された透光性の
画素電極とを設けてなる、アモルフアスシリコン
薄膜トランジスタを備えた装置において、 前記ゲート配線層およびドレイン配線層の双方
またはいずれか一方を透光性配線層として形成し
、 前記画素電極の一部分を前記透光性配線層上に
透光性絶縁層を介して重ね合わせて構成したこと
を特徴とするアモルフアスシリコン薄膜トランジ
スタを備えた装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12077089U JPH0358622U (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12077089U JPH0358622U (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0358622U true JPH0358622U (ja) | 1991-06-07 |
Family
ID=31668829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12077089U Pending JPH0358622U (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0358622U (ja) |
-
1989
- 1989-10-16 JP JP12077089U patent/JPH0358622U/ja active Pending