JPH0357583A - プリント基板加工方法 - Google Patents
プリント基板加工方法Info
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- JPH0357583A JPH0357583A JP1188969A JP18896989A JPH0357583A JP H0357583 A JPH0357583 A JP H0357583A JP 1188969 A JP1188969 A JP 1188969A JP 18896989 A JP18896989 A JP 18896989A JP H0357583 A JPH0357583 A JP H0357583A
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Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、レーザ或は電子ビーム等の電磁波を利用した
プリント基板の外形加工、スルホール加工等のプリント
基板加工方法に関する。
プリント基板の外形加工、スルホール加工等のプリント
基板加工方法に関する。
［従来の技術］
従来、プリント基板の外形加工、スルホール加工におい
ては、プレス、カッター、ドリル等の工作機械を用いた
機械加工が行なわれている。しかしながら、このような
機械加工では、微細形状加工、及び高精度の加工を行な
うことが困難であるため、近時、ビームの直進性を利用
して高精度な加工を可能とした電子ビーム加工、スポッ
トとして収束することにより微細加工を可能としたレー
ザ加工法等が開発されている。
ては、プレス、カッター、ドリル等の工作機械を用いた
機械加工が行なわれている。しかしながら、このような
機械加工では、微細形状加工、及び高精度の加工を行な
うことが困難であるため、近時、ビームの直進性を利用
して高精度な加工を可能とした電子ビーム加工、スポッ
トとして収束することにより微細加工を可能としたレー
ザ加工法等が開発されている。
ところで、上記のような電磁波を用いた加工法によって
、例えばガラスーエボキシ銅張板のように複数の異種材
料からなる基板を加工する場合、ある特定波長のビーム
に対する吸収率が銅、ガラス、エボキシ等の各材料間で
異なるため、除去、溶融が容易にされ易いものとされ難
いものとが生じ、加工断面形状が凹凸の激しいものにな
ってしまう。このため、外形加工においては端面精度及
び外観が悪化し、又スルホール加工においてはスルホー
ル特性の劣化、断練等を引き起こす原因となっていた。
、例えばガラスーエボキシ銅張板のように複数の異種材
料からなる基板を加工する場合、ある特定波長のビーム
に対する吸収率が銅、ガラス、エボキシ等の各材料間で
異なるため、除去、溶融が容易にされ易いものとされ難
いものとが生じ、加工断面形状が凹凸の激しいものにな
ってしまう。このため、外形加工においては端面精度及
び外観が悪化し、又スルホール加工においてはスルホー
ル特性の劣化、断練等を引き起こす原因となっていた。
本発明は、上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、プリント基板を高精度に外形加工及びスルホ
ール加工等ができるようにしたプリント基板加工法を提
供することを目的とする。
たもので、プリント基板を高精度に外形加工及びスルホ
ール加工等ができるようにしたプリント基板加工法を提
供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記の問題点を解決するために、本発明のプリント基板
加工法は、プリント基板にレーザや電子ビーム等の電磁
波を照射して孔明け或は切断等の形状加工をするプリン
ト基板加工法において、前記プリント基板を構成する材
料が前記電磁波に刻する吸収率を揃えた材料から構威さ
れたことを特徴とする。
加工法は、プリント基板にレーザや電子ビーム等の電磁
波を照射して孔明け或は切断等の形状加工をするプリン
ト基板加工法において、前記プリント基板を構成する材
料が前記電磁波に刻する吸収率を揃えた材料から構威さ
れたことを特徴とする。
本発明の具体的手段としては、前記プリント基板の絶縁
材料である樹脂にカーボン等の無機フィラー或は顔料を
加えて前記電磁波の吸収率を調整する。前記プリント基
板の材料において、補強材であるガラスクロスにＦｅ”
を含ませて赤外線吸収率向上を図り、Ｃｅを含ませて紫
外線吸収率向上を図り、又はこれらを表面コーティング
する。
材料である樹脂にカーボン等の無機フィラー或は顔料を
加えて前記電磁波の吸収率を調整する。前記プリント基
板の材料において、補強材であるガラスクロスにＦｅ”
を含ませて赤外線吸収率向上を図り、Ｃｅを含ませて紫
外線吸収率向上を図り、又はこれらを表面コーティング
する。
前記プリント基板の材料において、導体材料である銅箔
表面に前記電磁波に対する良吸収物を塗布するか、又は
銅箔表面を酸化処理することにより前記電磁波の吸収を
調整する。
表面に前記電磁波に対する良吸収物を塗布するか、又は
銅箔表面を酸化処理することにより前記電磁波の吸収を
調整する。
［作用］
上記の本発明により、プリント基板の異種構成材料であ
る銅、ガラス、樹脂等の各々に対してある一定波長の電
磁波をすべて同程度で良好な吸収率を持たせることがで
き、各構成材料は同程度に分壊蒸発して凹凸の少ないフ
ラットな加工断面形状を得ることができる。
る銅、ガラス、樹脂等の各々に対してある一定波長の電
磁波をすべて同程度で良好な吸収率を持たせることがで
き、各構成材料は同程度に分壊蒸発して凹凸の少ないフ
ラットな加工断面形状を得ることができる。
なお、吸収率が５０％未満の場合についてはトータルパ
ワーアップ、蓄熱等の問題により上記の効果が極端に低
減してしまうことがある。従って、波長光に対する吸収
率を５０％以上という高いレベルで同程度に揃える必要
がある。
ワーアップ、蓄熱等の問題により上記の効果が極端に低
減してしまうことがある。従って、波長光に対する吸収
率を５０％以上という高いレベルで同程度に揃える必要
がある。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
する。
実施例１：
第ｉ図は、本実施例によるプリント基板の模式的断面図
である。
である。
１は導体である銅箔層、２は樹脂層、３は補強材である
ガラスクロス層である。
ガラスクロス層である。
銅箔層１の表面には酸化皮膜４を形或することにより、
銅箔層１の吸収率を向上するようにしてある。
銅箔層１の吸収率を向上するようにしてある。
樹脂層２は、ベースにエボキシ樹脂を用い、これにシリ
カ微粉末Ｓｉｎ２を重量比７：３の割合で混合すること
により、樹脂層２の吸収率を抑えるようにしてある。
カ微粉末Ｓｉｎ２を重量比７：３の割合で混合すること
により、樹脂層２の吸収率を抑えるようにしてある。
ガラスクロス層３は補強材であるガラス中にＦｅ３＋等
を含有させたものを用い、赤外線の吸収率を向上するよ
うにしてある。
を含有させたものを用い、赤外線の吸収率を向上するよ
うにしてある。
そこで、上記のような構成から成る厚さ０．４〜０．８
ｍｍのプリント基板に対して炭酸ガスレーザを平均出力
１００Ｗ、パルス発振１ ０Ｈｚで約１秒間レーザ照射
すると、得られた孔は第１図に示すように凹凸の少ない
フラットな断面形状Ｄに加工することができた。
ｍｍのプリント基板に対して炭酸ガスレーザを平均出力
１００Ｗ、パルス発振１ ０Ｈｚで約１秒間レーザ照射
すると、得られた孔は第１図に示すように凹凸の少ない
フラットな断面形状Ｄに加工することができた。
比較例ｌ：
第３図に本実施例の比較例が示してある。
同図には、銅箔１と通常のエボキシ樹脂層５と通常のガ
ラスクロス層６からなるガラスエボキシ樹脂基板（厚さ
０．４〜Ｏ＋８ｍｍ；東芝ケミカルズ社製ＴＬＣ−Ｗ−
５５１）に対して炭酸ガスレーザにより孔明け加工を行
なったものの断面形状Ｄ３の模式的断面図が示してある
が、図示のように凹凸の激しい断面形状しか得られなか
った。
ラスクロス層６からなるガラスエボキシ樹脂基板（厚さ
０．４〜Ｏ＋８ｍｍ；東芝ケミカルズ社製ＴＬＣ−Ｗ−
５５１）に対して炭酸ガスレーザにより孔明け加工を行
なったものの断面形状Ｄ３の模式的断面図が示してある
が、図示のように凹凸の激しい断面形状しか得られなか
った。
実施例２：
第２図は、本実施例によるプリント基板の模式的断面図
である。
である。
１は導体である銅箔層、２′は樹脂層、３゜は補強材で
あるガラスクロス層である。
あるガラスクロス層である。
銅箔層１の表面には酸化皮膜４゜を形成することにより
、銅箔層１の吸収率を向上するようにしてある。
、銅箔層１の吸収率を向上するようにしてある。
樹脂層２゜ぱ、ベースにエボキシ樹脂を用い、これにア
ルミ微粉末Ａ ｌ ２ ０ ３を重量比８：２の割合で
混合することにより、樹脂層２の吸収率を抑えるように
してある。
ルミ微粉末Ａ ｌ ２ ０ ３を重量比８：２の割合で
混合することにより、樹脂層２の吸収率を抑えるように
してある。
ガラスクロス層３゛は補強材であるガラス中にＣｅ等を
含有させたものを用い、紫外線の吸収率を向上するよう
にしてある。
含有させたものを用い、紫外線の吸収率を向上するよう
にしてある。
そこで、上記のような構成から成る厚さ０．４〜０．８
ｍｍのプリント基板に対してエキシマレーザを平均出力
３０Ｗ、パルス発振１ ０Ｈｚで約３秒間レーザ照射す
ると、得られた孔は第１図に示すように凹凸のないフラ
ットな断面形状Ｄ２に加工することができた。
ｍｍのプリント基板に対してエキシマレーザを平均出力
３０Ｗ、パルス発振１ ０Ｈｚで約３秒間レーザ照射す
ると、得られた孔は第１図に示すように凹凸のないフラ
ットな断面形状Ｄ２に加工することができた。
比較例２：
第４図に本実施例の比較例が示してある。
同図には、銅箔１と通常のエボキシ樹脂層５と通常のガ
ラスクロス層６からなるガラスエボキシ樹脂基板（厚さ
０．４〜０．８ｍｍ；東芝ケミカルズ社製ＴＬＣ−Ｗ−
５５ｉ）に対してエキシマレーザにより孔明け加工を行
なったものの断面形状Ｄ４の模式的断面図が示してある
が、図示のように凹凸の激しい断面形状しか得られなか
った。
ラスクロス層６からなるガラスエボキシ樹脂基板（厚さ
０．４〜０．８ｍｍ；東芝ケミカルズ社製ＴＬＣ−Ｗ−
５５ｉ）に対してエキシマレーザにより孔明け加工を行
なったものの断面形状Ｄ４の模式的断面図が示してある
が、図示のように凹凸の激しい断面形状しか得られなか
った。
ここで、次表に、実施例１、実施例２と夫々の比較例に
おける各材料についてのレーザ孔に対する吸収率を示す
。
おける各材料についてのレーザ孔に対する吸収率を示す
。
以上説明したように、比較例１及び比較例２では、各々
ＣＯ２レーザでは’ｌ− ＝ １． ０ ． ６Ｐｍ５
エキシマレーザではん＝２４８％ｍという特有の波長を
持っているため、それに対する銅、樹脂、ガラスの吸収
率が違うことから、孔壁面が凹凸の激しい形状に加工さ
れるのに対し、実施例及び実施例２においては銅、ガラ
スの吸収率を高め、樹脂層の吸収率を抑えることにより
、孔壁面が凹凸の少ない平滑性に優れた形状に加工でき
る。
ＣＯ２レーザでは’ｌ− ＝ １． ０ ． ６Ｐｍ５
エキシマレーザではん＝２４８％ｍという特有の波長を
持っているため、それに対する銅、樹脂、ガラスの吸収
率が違うことから、孔壁面が凹凸の激しい形状に加工さ
れるのに対し、実施例及び実施例２においては銅、ガラ
スの吸収率を高め、樹脂層の吸収率を抑えることにより
、孔壁面が凹凸の少ない平滑性に優れた形状に加工でき
る。
以上説明したように、ブリンｌ・基板を構成する各物質
である銅、樹脂、ガラス等の波長光に対する吸収率を５
０％以上という高いレベルで同程度に揃えることにより
各構成材料は同程度に分壊蒸発し、加工断面は凹凸の少
ないフラットな形状が得られる。
である銅、樹脂、ガラス等の波長光に対する吸収率を５
０％以上という高いレベルで同程度に揃えることにより
各構成材料は同程度に分壊蒸発し、加工断面は凹凸の少
ないフラットな形状が得られる。
第１図は、本発明による実施例１のプリント基板の模式
的断面図である。 第２図は、本発明による実施例２のプリント基板の模式
的断面図である。 第３図は、実施例１に対する比較例を示す模式的断面図
である。 第４図は、実施例２に対する比較例を示す模式的断面図
である。 １・・・銅箔 ２、２゛・・・樹脂層 ３、３゜・・・ガラスクロス層 ４、４゜・・・酸化皮膜
的断面図である。 第２図は、本発明による実施例２のプリント基板の模式
的断面図である。 第３図は、実施例１に対する比較例を示す模式的断面図
である。 第４図は、実施例２に対する比較例を示す模式的断面図
である。 １・・・銅箔 ２、２゛・・・樹脂層 ３、３゜・・・ガラスクロス層 ４、４゜・・・酸化皮膜
Claims (4)
- （１）プリント基板にレーザや電子ビーム等の電磁波を
照射して孔明け或は切断等の形状加工をするプリント基
板加工法において、前記プリント基板を構成する材料が
前記電磁波に対する吸収率を揃えた材料から構成された
ことを特徴とするプリント基板加工方法。 - （２）前記プリント基板の絶縁材料である樹脂にカーボ
ン等の無機フィラー或は顔料を加えて前記電磁波の吸収
率を調整することを特徴とする請求項１記載のプリント
基板加工方法。 - （３）前記プリント基板の材料において、補強材である
ガラスクロスにＦｅ＾３＾＋を含ませて赤外線の吸収率
向上を図り、Ｃｅを含ませて紫外線の吸収率向上を図り
、又はこれらを表面コーティングすることを特徴と請求
項１記載のプリント基板加工方法。 - （４）前記プリント基板の材料において、導体材料であ
る銅箔表面に前記電磁波に対する良吸収物を塗布するか
、又は銅箔表面を酸化処理することにより前記電磁波の
吸収を調整することを特徴とする請求項１記載のプリン
ト基板の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188969A JPH0357583A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | プリント基板加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188969A JPH0357583A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | プリント基板加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0357583A true JPH0357583A (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=16233099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1188969A Pending JPH0357583A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | プリント基板加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0357583A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012028511A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | On Semiconductor Trading Ltd | 回路基板およびその製造方法、回路装置およびその製造方法、絶縁層付き導電箔 |
| JPWO2011024921A1 (ja) * | 2009-08-31 | 2013-01-31 | イビデン株式会社 | プリント配線板及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-07-24 JP JP1188969A patent/JPH0357583A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2011024921A1 (ja) * | 2009-08-31 | 2013-01-31 | イビデン株式会社 | プリント配線板及びその製造方法 |
| JP2012028511A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | On Semiconductor Trading Ltd | 回路基板およびその製造方法、回路装置およびその製造方法、絶縁層付き導電箔 |
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