JPH0357245A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents

Manufacture of semiconductor device

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Publication number
JPH0357245A
JPH0357245A JP19148289A JP19148289A JPH0357245A JP H0357245 A JPH0357245 A JP H0357245A JP 19148289 A JP19148289 A JP 19148289A JP 19148289 A JP19148289 A JP 19148289A JP H0357245 A JPH0357245 A JP H0357245A
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JP
Japan
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power supply
power
trunk
main line
line
Prior art date
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Pending
Application number
JP19148289A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Kuraishi
倉石 孝
Ken Uragami
浦上 憲
Takaharu Morishige
森重 隆春
Noriaki Oka
岡 則昭
Shigeru Takahashi
高橋 卯
Manabu Shibata
学 柴田
Toru Komatsu
徹 小松
Masataka Sakamoto
昌隆 坂本
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

PURPOSE:To effectively utilize a chip area by a method wherein, when several kinds of power-supply trunk lines are arranged and installed inside a predetermined power-supply trunk line region, kinds of the power-supply trunk lines and widths of the power-supply trunk lines are decided according to a user's specifications. CONSTITUTION:A semiconductor chip 1 is partitioned into an inside region 2 and an outside region, an input/output buffer 3 is arranged in the outside region; a power-supply trunk line region which is connected to an I/O cell is formed in a position traversing the buffer; outside pads 4 are formed at an edge of the chip 1. A ground trunk line for output use of a TTL I/O cell is not arranged and installed in a formation region of power-supply trunk lines; a ground trunk line 5, a power-supply trunk line 6 of the cell, a Vcc power- supply trunk line 7 and a Vee power-supply trunk line 8 are arranged and installed there. A trunk-line width of the trunk line 5 is set at two times or higher of individual trunk-line widths; kinds of trunk lines and individual widths of the power-supply trunk lines 5, 6, 7, 8 are decided respectively according to a user's specifications. Thereby, a wasteful interconnection region is eliminated and a chip area can be utilized effectively.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、複数のI/Oセルと、これらI/Oセルに接
続される数種類の電源幹線とを備える半導体装置の製造
方法に適用して有効な技術に関するもので、例えば、予
め決められている電源幹線領域内に数種類の電源幹線を
配設する際の技術に利用して有効な技術に関するもので
ある6[従来の技術] ゲートアレイ等のセミカスタムタイプの半導体装置にお
いては、ゲート形成工程、拡散層形戒工程、絶縁膜形成
工程等のマスター工程を行なった後に、ユーザー仕様に
応じてコンタクト穴形戊工程、配線層形成工程、スルー
ホール形成工程等のスライス工程を行なって半導体装置
を得るようにしている。上記スライス工程においては、
内部領域の配線チャネルに配線を形戒する工程の他に、
外部領域に数種類の電源幹線を配設する工程がある。こ
の外部領域に電源幹線を配設する技術の一例を示した図
が第4図である。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention is applied to a method of manufacturing a semiconductor device comprising a plurality of I/O cells and several types of power main lines connected to these I/O cells. 6 [Prior Art] Gate array For semi-custom type semiconductor devices such as, after performing master processes such as gate forming process, diffusion layer forming process, and insulating film forming process, contact hole forming process, wiring layer forming process, etc. are performed according to user specifications. A semiconductor device is obtained by performing a slicing process such as a through hole forming process. In the above slicing process,
In addition to the process of forming wiring into wiring channels in internal areas,
There is a process of arranging several types of power main lines in the external area. FIG. 4 is a diagram showing an example of a technique for arranging a power main line in this external area.

同図において、符号1は半導体チップを、2は該半導体
チップ1に形成される内部領域を、破線で示される3は
多数の工/○セルをアレイ状に連ねる(狛4図における
左右方向)ことにより形威される人出力バッファを、4
 (4a,4b,4cも含む)は半導体チップ1の縁に
沿って多数設けられる外部パッドをそれぞれ示しており
、この外部パッド4と上記I/Oセルとは各々1対lに
対応するように配置されている。
In the figure, reference numeral 1 indicates a semiconductor chip, 2 indicates an internal region formed in the semiconductor chip 1, and 3 indicated by a broken line indicates a large number of cells arranged in an array (horizontal direction in Fig. 4). The human output buffer, which is shaped by
(including 4a, 4b, and 4c) each indicate a large number of external pads provided along the edge of the semiconductor chip 1, and the external pads 4 and the above-mentioned I/O cells correspond to each other in a 1:1 ratio. It is located.

このように構或されるマスタチップに対して、上記I/
Oセルに接続される電源幹線を配設する工程を以下説明
する。
For the master chip configured in this way, the above I/
The process of arranging the power main line connected to the O cell will be described below.

この■/○セルに接続される電源幹線の形成領域は予め
決められており、ゲートアレイタイプの半導体装置にお
いては概ね上記入出力バッファ3の上方を横切る位置と
定められている。この電源幹線の本数及びその幅も予め
決定されており、従,ってユーザー仕様にあまり関係な
く電源幹線の配設が行なわれるようになっている。上記
レジストマスクを用いてパターニングを行なうことによ
り電源幹線を形成すると第4図のようになり、一定本数
、一定幅の電源幹線が得られることになる。
The formation area of the power supply main line connected to the ■/○ cells is predetermined, and in a gate array type semiconductor device, the area is determined to be approximately at a position crossing above the input/output buffer 3. The number of power supply main lines and their widths are also determined in advance, so that the power supply main lines can be arranged without much regard to user specifications. When a power supply main line is formed by patterning using the resist mask, it becomes as shown in FIG. 4, and a fixed number of power supply main lines and a fixed width are obtained.

第4図における半導体装置はECL/TTLインターフ
ェース混在の半導体装置であり、符号工OはECLI/
Oセルの出力用のグランド幹線を,11はTTLI/○
セルの出力用のグランド幹線をそれぞれ示しており、6
は,例えばドライバー系I/Oセルの電源幹線を示して
いる。上述のようにECLI/Oセルの出力用のグラン
ド幹線10、TTLI/○セルの出力用のグランド幹H
L1、ドライバー系I/Oセルの電源幹g6の各幹線幅
はそれぞれ同一とされており、幹線10,1lとの間、
11,6との間の距離もそれぞれ同一とされている。こ
こで、第4図においては図が煩雑になるのを避けるため
に3本の電源幹線10,11.6L,か示されていない
が、実際にはVc c,Vee,Vss等の他の電源幹
線も配設されている. このように1源幹1i10,11,6等が配設し終わっ
たら、該電源幹線10,11.6をECLグランド用電
源バッド4a.TTLグランド用電源パッド4b.ドラ
イバー用電源バッド4Cにそれぞれ繋ぐためのハッチン
グで示される配線層20,21.22を形成し、第4図
に示される半導体装置が得られることになる。
The semiconductor device in FIG. 4 is a semiconductor device with a mixed ECL/TTL interface, and code O is an ECLI/TTL interface
The ground main line for the output of the O cell, 11 is TTLI/○
The ground main lines for the output of the cells are shown respectively, and 6
indicates, for example, a power supply main line of a driver system I/O cell. As mentioned above, the ground trunk 10 for the output of the ECLI/O cell, and the ground trunk H for the output of the TTLI/○ cell.
The main line widths of L1 and driver system I/O cell power supply main g6 are the same, and between main lines 10 and 1l,
The distances between them are also the same. Here, in FIG. 4, only the three power supply main lines 10 and 11.6L are not shown to avoid complicating the diagram, but in reality, other power supply lines such as Vc c, Vee, and Vss A trunk line is also installed. After arranging the power supply trunks 1i10, 11, 6, etc. in this way, connect the power supply trunks 10, 11.6 to the ECL ground power supply pad 4a. TTL ground power supply pad 4b. Wiring layers 20, 21, and 22 shown by hatching for connection to the driver power supply pad 4C are formed, and the semiconductor device shown in FIG. 4 is obtained.

[発明が解決しようとする課題コ しかしながら,上記半導体装置の製造方法においては以
下の問題点がある。
[Problems to be Solved by the Invention] However, the above method for manufacturing a semiconductor device has the following problems.

すなわち,ユーザー仕様により,例えばTTLI/Oセ
ルを使用しなかった場合には、上記TTL工/Oセルの
出力用のグランド幹線l1が全く無駄になってしまい、
チップ面積を有効利用できなくなってしまうという問題
がある。
In other words, if the TTLI/O cell is not used according to user specifications, the ground main line l1 for the output of the TTL I/O cell will be completely wasted.
There is a problem that the chip area cannot be used effectively.

また,ユーザー仕様により、例えばTTLI/Oセルと
ECLI/Oセルの使用数が片寄っている場合には,上
述のようにその幹線幅が決まってしまっているためにそ
の使用数に応じた最適な幹線幅にできないという問題点
があり,例えばそれが出力用のグランド幹線であった場
合には,使用数の多い方の出力用のグランド幹線のイン
ダクタンスこそは変わらないが、消費電流が増大して該
出力用のグランド幹線のノイズが大きくなってしまうと
共に、このノイズの増大によりI/Oセルの同時切り換
えの数が限定されてしまうという問題点がある. ここで、ユーザー仕様により、例えばECL I/Oセ
ルとTTLI/Oセルの何れか一方しか使用しない場合
には使用しない方の出力用のグランド幹線も使用する方
のグランド幹線とする一方、ECLI/OセルとTTL
I/Oセルとを両方共使用する場合には従来どおり決め
られた幹線幅のグランド幹線としてそれぞれ使用し、E
CLI/OセルとTTLI/Oセルの何れか一方しか使
用しない場合におけるグランド幹線の無駄をなくしてチ
ップ面積を有効利用できるようにすると共に,グランド
用電源パッドを多数設け、I/Oセルの使用数に片寄り
がある場合にはこの多数のグランド用電源パッドに工/
○セルの使用数の多い方の出力用のグランド幹線を接続
し、ノイズ低減を図ると共にこのノイズ低減によりI/
Oセルの同時切り換えの数を多くする方法も考えられる
が,ECLI/○セルとTTLI/Oセルの何れか一方
しか使用しない場合においては、電源幹線間の面積は相
変わらず無駄になってしまうという問題点があり、■/
○セルの使用数に片寄りがある場合においては,グラン
ド用電源パッドを多数設けるといってもその数には限度
があるのであまり効果が期待できないという問題点があ
る。
In addition, if the number of TTLI/O cells and ECLI/O cells used is unbalanced due to user specifications, for example, the width of the main line is fixed as described above, so the optimal There is a problem that it is not possible to change the main line width, for example, if it is an output ground main line, the inductance of the output ground main line that is used more often will not change, but the current consumption will increase. There is a problem in that the noise of the output ground main line becomes large, and the increase in noise limits the number of I/O cells that can be switched simultaneously. Here, depending on user specifications, for example, if only one of the ECL I/O cells and TTLI/O cells is used, the ground trunk line for the output of the unused one is also set as the ground trunk line of the used one, while the ECLI/ O cell and TTL
When both I/O cells are used, use each as a ground trunk line with the determined trunk line width as before,
This eliminates wasted ground lines when only one of the CLI/O cells and TTLI/O cells is used, allowing effective use of the chip area, and also provides a large number of ground power supply pads to improve the use of I/O cells. If there is an imbalance in the number of ground power pads,
○ Connect the output ground main line of the cell that is used more often to reduce noise, and by this noise reduction, the I/O
Although it is possible to increase the number of O cells that can be switched simultaneously, the problem is that if only one of the ECLI/○ cells and TTLI/O cells is used, the area between the power main lines will still be wasted. There is a point, ■/
If the number of cells used is uneven, there is a problem that even if a large number of grounding power supply pads are provided, the number is limited and it cannot be expected to be very effective.

本発明は係る問題点に鑑みなされたものであって、ユー
ザー仕様に最適な電源幹線を備え,しかもチップ面積の
有効利用が図られた半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的としている。
The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device that is equipped with a power supply main line that is optimal for user specifications and that makes effective use of chip area.

[課題を解決するための手段] 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、下記のとおりである。
[Means for Solving the Problems] Representative inventions disclosed in this application will be summarized as follows.

すなわち、複数の■/○セルと、これらI/Oセルに接
続される数種類の電源幹線とを備える半導体装置の、予
め決められている電源幹線領域内に前記数種類の電源幹
線を配設するにあたって、ユーザー仕様に応じて電源幹
線の種類及びこの電源幹線の幅を決定するようにしたも
のである。
That is, when arranging the several types of power supply lines within a predetermined power supply line area of a semiconductor device that includes a plurality of ■/○ cells and several types of power supply lines connected to these I/O cells, , the type of power supply main line and the width of this power supply main line are determined according to user specifications.

[作用コ 上記した手段によれば、予め決められている電源幹線領
域内に数種類の電源幹線を配設するにあたって、ユーザ
ー仕様に応じて電源幹線の種類及びこの電源幹線の幅を
決定するようにしたので,必要とされない電源幹線につ
いてはその電源幹線を配設せず、一方必要とされる電源
幹線についてはその電源幹線に必要とされる幹線幅を持
たせて配設でき、しかもその配設を予め決められている
fl源幹線領域内において面積的に全く無駄なく行なえ
るという作用により,ユーザー仕様に最適な電源幹線を
備えさせ、しかもチップ面積の有効利用を図るという上
記目的が達戊されることになる。
[Operation] According to the above-mentioned means, when several types of power supply main lines are arranged within a predetermined power supply main area, the type of power supply main line and the width of this power supply main line are determined according to user specifications. Therefore, power supply trunks that are not required can be laid out without being laid out, while those that are needed can be laid out with the required trunk width, and the wiring can be This can be done within a predetermined FL source trunk area without wasting area at all, thereby achieving the above-mentioned purpose of providing a power supply trunk that is optimal to the user's specifications and effectively utilizing the chip area. That will happen.

[実施例コ 以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。[Example code] Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図には本発明に係る半導体装置の製造方法の実施例
を適用して得られた半導体装置の要部が示されている。
FIG. 1 shows the main parts of a semiconductor device obtained by applying an embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.

この実施例の半導体装置はゲートアレイによリ構威され
るセミカスタムタイプの半導体装置であって、この半導
体装置では、半導体チップ1は内部領域2と外部領域と
に区画され、この外部領域には破線で示される多数の■
/○セルをアレイ状に連ねる(第工図における左右方向
)ことにより形成される入出力バッファ3が配置されて
いると共に、この人出カバッファ3上方を横切る位置が
I/Oセルに接続される電源幹線の形成領域と定められ
ており,半導体チップ1の縁に沿っては上記I/Oセル
と1対1に対応する外部パッド4が多数設けられている
The semiconductor device of this embodiment is a semi-custom type semiconductor device configured with a gate array. In this semiconductor device, a semiconductor chip 1 is divided into an internal region 2 and an external region. is a large number of ■ indicated by dashed lines.
/○ An input/output buffer 3 formed by arranging cells in an array (in the left-right direction in the construction drawing) is arranged, and a position crossing above this buffer 3 is connected to an I/O cell. This area is defined as a formation area for a power supply main line, and a large number of external pads 4 are provided along the edge of the semiconductor chip 1 in one-to-one correspondence with the I/O cells.

そして,この実施例にあっては、上記電源幹線の形成領
域内には,従来技術で説明したTTLI/Oセルの出力
用のグランド幹線は配設されず、ECLI/Oセルの出
力用のグランド幹線5、ドライバー系工/○セルの電源
幹線6,Vcc[源幹線7、V e e電源幹線8等が
配設されており,ドライバー系I/Oセルの電源幹線6
、VCC電源幹線7、Vee電源幹線8の各幹線幅は同
一とされているが、ECLI/Oセルの出力用のグラン
ド幹線5の幹a幅は上記の各幹線幅の2倍以上とされて
いる.上記電源幹線の種類及びこの電源幹RIA5,6
,7,8の各幅はユーザー仕様に応じてそれぞれ決定さ
れている(詳しくは後述)。
In this embodiment, the ground main line for the output of the TTLI/O cell described in the prior art is not arranged in the region where the power supply main line is formed, but the ground main line for the output of the ECLI/O cell is not provided. Main line 5, driver system work/○ cell power supply main line 6, Vcc [source main line 7, V e e power supply main line 8, etc. are installed, and driver system I/O cell power supply main line 6
, the VCC power supply trunk line 7, and the Vee power supply trunk line 8 are said to have the same width, but the width of the trunk a of the ground trunk line 5 for the output of the ECLI/O cell is more than twice the width of each of the above-mentioned trunk lines. There is. Types of the above power supply trunks and this power supply trunk RIA5, 6
, 7, and 8 are determined according to user specifications (details will be described later).

次に,上記構或を有する半導体装置の製造プロセスにつ
いて簡単に説明する。
Next, a manufacturing process for a semiconductor device having the above structure will be briefly described.

ゲート形戒工程、拡散層形成工程、絶a膜形成工程等の
マスター工程が行なわれたマスタチップはスライス工程
に送られる。このスライス工程においては、ユーザー仕
様に応じてコンタクト穴形戒工程、配線層形成工程,ス
ルーホール形或工程等が行なわれるが、その際に、上述
の外部領域に数種類の電源幹線を配設する工程が行なわ
れる。
The master chip, which has been subjected to master processes such as a gate formation process, a diffusion layer formation process, and an amorphous film formation process, is sent to a slicing process. In this slicing process, contact hole forming process, wiring layer forming process, through hole forming process, etc. are performed according to user specifications, but at this time, several types of power supply main lines are arranged in the external area mentioned above. The process is carried out.

この工程においては、ユーザー仕様に応じて電源幹線の
種類及びこの電源幹線の幅が決定される。
In this step, the type of power main line and the width of this power main line are determined according to user specifications.

本実施例におけるユーザー仕様においてはECLI/○
セルは多数使用されているが,TTLI/Oセルは全く
使用されていない。従って、従来技術で配設するように
していたTTLI/Oセルの出力用のグランド幹線の配
設は必要なく、ECLI/Oセルの出力用のグランド幹
,t25及びその他の必要とされる電源幹線,すなわち
ドライバー系I/Oセルの電源幹線6、vcc電源幹線
7、Vee電源幹線8等の幹m幅の決定が行なわれる。
In the user specifications in this example, ECLI/○
A large number of cells are used, but no TTLI/O cells are used. Therefore, there is no need to provide a ground trunk for the output of the TTLI/O cell, which was provided in the prior art, and the ground trunk, t25, and other required power supply trunks for the output of the ECLI/O cell are not required. , that is, the width of the main power supply line m of the driver system I/O cell power supply main line 6, VCC power supply main line 7, Vee power supply main line 8, etc. is determined.

この実施例にあっては、その他の必要とされる電源幹線
6,7.8の幹線幅は機能の面から見て問題ないので各
々同一とされており、従来技術のそれとも同じ理由から
同一にされているが、ECLI/○セルの出力用のグラ
ンド幹線5は、使用されるECLI/Oセルの数が多く
ノイズ増大が見込まれることからその幹線幅が広くされ
ている。
In this embodiment, the widths of the other required power supply main lines 6, 7, and 8 are the same because there is no problem from a functional point of view, and for the same reason as in the prior art, they are the same. However, the ground trunk line 5 for the output of the ECLI/○ cells has a wide trunk line width because the number of ECLI/O cells used is large and an increase in noise is expected.

このECLI/Oセルの出力用のグランド幹[5の配設
は,第2図に示されるように,従来技術で使用していた
ECLI/○セルの出力用のグランド幹,110の図に
おける下端からTTLI/○セルの出力用のグランド幹
線11の図における上端までをレジストマスクを用いて
アルミニウム等で全部埋めることにより行なわれる。
As shown in FIG. 2, the ground trunk for the output of this ECLI/O cell [5] is located at the lower end of the ground trunk for the output of the ECLI/O cell used in the prior art, 110 in the diagram. This is done by completely filling the area from the top of the ground line 11 for the output of the TTLI/○ cell to the upper end in the figure with aluminum or the like using a resist mask.

このように、本実施例においては、ユーザー仕様に応じ
て,必要とされないTTLI/Oセルの出力用のグラン
ド幹線についてはその電源幹線をllI[!設せず、一
方必要とされるECLI/Oセルの出力用のグランド幹
線5及びその他の電源幹線6,7,8についてはその@
源幹線5,6,7.8に必要とされる幹IIA@をそれ
ぞれ持たせて配設するようにしているので,ユーザー仕
様に最適な電源幹線を配設できるようになっている。
In this way, in this embodiment, depending on the user specifications, the power supply main line for the output ground main line of the TTLI/O cell that is not required is connected to llI[! However, for the ground trunk line 5 for the output of the ECLI/O cell and other power supply trunk lines 6, 7, and 8, which are required,
Since the power trunk lines 5, 6, and 7.8 are provided with the required trunk IIA@, it is possible to arrange the power trunk line that is most suitable for the user's specifications.

しかも,ECLI/Oセルの出力用のグランド幹線5の
配設においては,従来配設していたグラlンド幹線10
と1lとの間もECLI/○セルの出力用のグランド幹
線5として利用できるようになっているので,従来生じ
ていた無駄な配設領域がなくなり、チップ面積の有効利
用を図ることが可能になっている。
Moreover, in the arrangement of the ground trunk line 5 for the output of the ECLI/O cell, the ground trunk line 10
and 1l can also be used as the ground main line 5 for the output of the ECLI/○ cell, eliminating the wasted installation area that previously occurred and making it possible to effectively utilize the chip area. It has become.

また、本実施例においては、上述の如く、使用されるE
CLI/Oセルの数が多くノイズ増大が見込まれるが、
ECLI/○セルの出方用のグランド幹15の幹線幅が
広くされているのでノイズ低減がなされるようになって
おり、従って■/○セルの同時切り換えの本数も多くす
ることが可能になっている。
In addition, in this embodiment, as mentioned above, the E
Although the number of CLI/O cells is large and noise is expected to increase,
The width of the ground trunk 15 for the output of the ECLI/○ cells is widened to reduce noise, making it possible to increase the number of simultaneous switching of the ■/○ cells. ing.

そして、上記の電源幹線配設工程が終わったら、該電源
幹1g5.6等をECLグランド用電源バッド4a,4
a、ドライバー用電源パッド4Cにそれぞれ繋ぐための
ハッチングで示される配線M20,20.22を形或し
、第2図に示される電源幹線とは異なるAn状態の半導
体装置が得られることになる。
After the above-mentioned power supply trunk arrangement process is completed, the power supply trunk 1g5.6 etc. is connected to the power supply pads 4a and 4 for ECL ground.
(a) Wiring lines M20, 20.22 shown by hatching for connection to the driver power supply pad 4C are formed, and a semiconductor device in an An state different from the power main line shown in FIG. 2 is obtained.

なお、本実施例においては、従来より広くされたEC:
LI/Oセルの出力用のグランド幹線5には、従来使用
していたECLグランド用電源パッド4aの他に従来の
TTLグランド用電源パッド4b+JECLグランド用
電源パッド4aとして接続されているので、ECLI/
○セルの出力用のグランド幹LA5のノイズ低減がさら
に図られている。
Note that in this embodiment, the EC is wider than the conventional one:
The ground main line 5 for the output of the LI/O cell is connected as a conventional TTL ground power supply pad 4b + JECL ground power supply pad 4a in addition to the conventionally used ECL ground power supply pad 4a, so that the ECLI/
○ Further efforts have been made to reduce noise in the ground trunk LA5 for cell output.

第3図には本発明に係る半導体装置の製造方法の他の実
施例を適用して得られた半導体装置の要部が示されてい
る. この実施例の半導体装置が先の実施例のそ九と違う点は
、ユーザー仕様においてECLI/○セルとTTLI/
Oセルとを両方共使用していることから、M1g幹線の
形成領域内には.ECLr/Oセルの出力用のグランド
幹$i5aとTTLI/Oセルの出力用のグランド幹1
iA5bとの双方が混在して配設されている点であり、
しかも、この実施例にあっては、双方の工/○セルの使
用数が片寄っている(本実施例においてはECLI/O
セルの方がかなり多く使用されている)ので、その使用
数の多い方の出力用のグランド幹線幅が広くされている
点も異なっている. この出力用のグランド幹線5a,5bの幹線幅は、本実
施例においてはECLI/OセルとTTLI/Oセルの
数の比に応じて決定されており、ECLI/○セルとT
TLI/Oセルの数の比が、例えば5:2であったなら
ば、グランド幹線5a,5bの幹線幅も、その比が5:
2となるように決定されている。
FIG. 3 shows the main parts of a semiconductor device obtained by applying another embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention. The difference between the semiconductor device of this embodiment and the previous embodiment 9 is that the user specifications include ECLI/○ cell and TTLI/
Since both O cells are used, there are . Ground trunk $i5a for output of ECLr/O cell and ground trunk 1 for output of TTLI/O cell
The point is that both the iA5b and the iA5b are installed together,
Moreover, in this embodiment, the number of cells used for both the ECLI/○ cells is uneven (in this embodiment,
The main difference is that the width of the ground trunk line for the output of the cell that is used more often is wider. In this embodiment, the trunk line width of the output ground trunk lines 5a and 5b is determined according to the ratio of the numbers of ECLI/O cells and TTLI/O cells, and
For example, if the ratio of the number of TLI/O cells is 5:2, the width of the ground trunk lines 5a and 5b is also 5:2.
It is determined to be 2.

このように、この実施例においても,ユーザー仕様に応
じて、必要とされる電源幹lIA5a,5b,6,7.
8についてはその電源幹線5a,5b,6,7.8に必
要とされる幹線幅をそれぞれ持たせて配設するようにし
ているので,ユーザー仕様に最適な電源幹線を配設でき
るようになっている。
In this way, also in this embodiment, the required power supply mains IIA 5a, 5b, 6, 7 .
Regarding 8, the power supply main lines 5a, 5b, 6, and 7.8 are arranged with the required main line width, so that it is possible to arrange the power supply main line that is most suitable for the user's specifications. ing.

しかも、この実施例においては、上述の如く、グランド
幹線5a,5bの幹線幅はECL’I/OセルとTTL
I/Oセルの数の比に応じて決定されている、すなわち
その使用数の多い方の幹線幅がその比に応じて広くされ
、一方使用数の少ない方の幹線幅がその比に応じて狭く
されているので、使用数に比例して増大するノイズを低
減することが可能になっており、従ってI/Oセルの同
時切り換えの本数も多くすることが可能になっている。
Moreover, in this embodiment, as mentioned above, the trunk line width of the ground trunk lines 5a and 5b is equal to that of the ECL'I/O cell and TTL.
The width of the main line is determined according to the ratio of the number of I/O cells, that is, the width of the main line that is used more often is widened according to that ratio, and the width of the main line that is used less is made wider according to that ratio. Since it is narrow, it is possible to reduce noise that increases in proportion to the number of cells used, and therefore it is possible to increase the number of I/O cells that can be switched simultaneously.

その上、上記電源幹tiA5a,5b,6,7.8の配
設は、予め決められている電源幹線領域内(入出力パッ
ファ3上方を横切る位置)において面積的に全く無駄な
く行なわれており、チップ面積の有効利用を図ることが
可能になっている.なお、上記ECLI/○セルの出力
用のグランド幹!!5aは、エミッタホロワトランジス
タの電流値が大きく変動することから特にノイズが発生
しやすくなっているので、その点も踏まえてその幹線幅
を決定するように、すなわちECLI/OセルとTTL
I/Oセルの数の比から決定されたECLI/Oセルの
出力用のグランド幹線幅を多少広くするようにすること
も可能である。
Furthermore, the power supply mains tiA5a, 5b, 6, 7.8 are arranged within the predetermined power supply mainline area (positions that cross above the input/output buffer 3) without wasting any area. This makes it possible to effectively utilize the chip area. In addition, the ground trunk for the output of the above ECLI/○ cell! ! 5a is particularly susceptible to noise generation due to large fluctuations in the current value of the emitter follower transistor, so the main line width should be determined with this in mind.
It is also possible to make the output ground main line width of the ECLI/O cells somewhat wider, which is determined from the ratio of the number of I/O cells.

上記各実施例における半導体装置の製造方法によれば次
のような主たる効果を得ることができる。
According to the method of manufacturing a semiconductor device in each of the above embodiments, the following main effects can be obtained.

すなわち、予め決められている電源幹線領域内(入出力
バッファ3上方を横切る位置)に数種類のMl源幹線を
配設するにあたって,ユーザー仕様に応じて電源幹線の
種類及びこの電源幹線の幅を決定するようにしたので、
必要とされない電源幹線についてはその電源幹線を配設
せず、一方必要とされる電源幹線についてはその電源幹
線に必要とされる幹線幅を持たせて配設でき、しかもそ
の配設を予め決められている電源幹線領域内(人出カバ
ッファ3上方を横切る位M)において面積的に全く無駄
なく行なえるという作用により,ユーザー仕様に最適な
電.源幹線を備えることが可能になり、しかもチップ面
積の有効利用を図ることが可能になる。
That is, when arranging several types of Ml source trunk lines within a predetermined power trunk area (positions that cross above the input/output buffer 3), the type of power trunk line and the width of this power trunk line are determined according to user specifications. I decided to do this, so
Power supply trunks that are not required can be laid out without being laid out, while required power supply trunks can be laid out with the required width, and the layout can be determined in advance. This function allows the power supply to be carried out without wasting any area within the main power line area (the area M that crosses above the traffic buffer 3), which is ideal for the user's specifications. It becomes possible to provide a source trunk line, and moreover, it becomes possible to effectively utilize the chip area.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor.

例えば、上記実施例おいては、ゲートアレイにより構成
された半導体装置に対する適用例だけが述べられている
が、本実施例はセミカスタムタイプの半導体装置全てに
対して適用可能である。
For example, in the above embodiment, only an example of application to a semiconductor device constituted by a gate array is described, but this embodiment is applicable to all semi-custom type semiconductor devices.

また、上記実施例においては、ユーザー仕様に応じて種
類及び幅が決定される電源幹線を、ノイズ低減等の見地
からECLI/Oセルの出力用のグランド幹15a.T
TLI/Oセルの出力用のグランド幹1i5bだけにし
ているが、本発明は他の電源幹線に対しても同様に適用
できる。
In the above embodiment, the power supply main line, the type and width of which is determined according to the user specifications, is connected to the ground main line 15a for the output of the ECLI/O cell from the standpoint of noise reduction. T
Although only the ground trunk 1i5b is used for the output of the TLI/O cell, the present invention can be similarly applied to other power supply trunks.

さらにまた、上記実施例においては、従来技術で決めら
れた幹線位置及び幹線幅をなるべく生かすようにしてい
る,すなわちドライバー系I/Oセルの電源幹vA6,
vCC電源幹線7.Veeffi源幹線8等の幹線位置
及び幹線幅を従来技術のそれと同一にしており、しかも
ECLI/Oセルの出力用のグランド幹線5についても
、従来技術で使用していたEC:LI/Oセルの出力用
のグランド幹線10の図における下端からTTLI/O
セルの出力用のグランド幹線11の図における上端まで
をレジストマスクを用いてアルミニウム等で全部埋める
ことにより形或するというように従来技術の幹線位置を
生かすようにしているが、幹線位置及び幹線幅は従来技
術のそれに全くとらわれる必要はなく、予め決められて
いる電源幹線領域内であればその幹線位置及び幹線幅は
どのように決められても構わない。
Furthermore, in the above embodiment, the trunk line position and trunk line width determined by the prior art are utilized as much as possible, that is, the power supply trunk vA6 of the driver system I/O cell,
vCC power main line7. The main line position and main line width of the Veeffi source main line 8, etc. are the same as those of the conventional technology, and the ground main line 5 for the output of the ECLI/O cell is also the same as that of the EC:LI/O cell used in the conventional technology. TTLI/O from the lower end in the diagram of the output ground main line 10
The position of the main line in the prior art is utilized by filling the entire ground line 11 for cell output up to the upper end in the diagram with aluminum etc. using a resist mask, but the position of the main line and the width of the main line are There is no need to be bound by the conventional technology at all, and the position and width of the main line may be determined in any way as long as it is within a predetermined area of the power supply main line.

[発明の効果コ 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
[Effects of the Invention] The effects obtained by typical inventions disclosed in this application are briefly explained below.

すなわち,複数の工/○セルと、これら工/○セルに接
続される数種類の電源幹線とを備える半導体装置におい
て、予め決められている電源幹線領域内に前記数種類の
電源幹線を配設するにあたって、ユーザー仕様に応じて
電源幹線の種類及びこの電源幹線の幅を決定するように
したので、必要とされない電源幹線についてはその電源
幹線を配設せず、一方必要とされる電g幹線については
その電源幹線に必要とされる幹H.@を持たせて配設で
き,しかもその配設を予め決められている電源幹線領域
内において面積的に全く無駄なく行なえるようになる。
That is, in a semiconductor device including a plurality of cells/cells and several types of power supply lines connected to these cells/cells, when arranging the several types of power supply lines within a predetermined power line area, Since the type of power supply main line and the width of this power supply main line are determined according to the user specifications, power supply main lines that are not required are not installed, while necessary power supply main lines are not installed. Trunk H. required for the power supply trunk line. It is possible to arrange the power supply with @, and the arrangement can be done within a predetermined power main line area without wasting any area.

その結果、ユーザー仕様に最適な電源幹線を備えること
が可能になり、しかもチップ面積の有効利用を図ること
が可能になる。
As a result, it is possible to provide a power supply line that is optimal to the user's specifications, and it is also possible to effectively utilize the chip area.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に係る半導体装置の製造方法の実施例を
適用して得られた半導体装置の要部の平面図、 第2図は同上実施例の電源幹線形成工程を説明するため
の図, 第3図は本発明に係る半導体装置の製造方法の他の実施
例を適用して得られた半導体装置の要部の平面図, 第4図は従来技術に係る半導体装置の製造方法を適用し
て得られた半導体装置の要部の平面図である。 3 −−−−複数のI/Oセル、5.5a,5b,6,
7,8・・・・電源幹線.
FIG. 1 is a plan view of the main parts of a semiconductor device obtained by applying an embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, and FIG. 2 is a diagram for explaining the process of forming a power main line in the same embodiment. , FIG. 3 is a plan view of the main parts of a semiconductor device obtained by applying another embodiment of the semiconductor device manufacturing method according to the present invention, and FIG. 4 is a plan view of the main part of a semiconductor device obtained by applying the semiconductor device manufacturing method according to the prior art. FIG. 3 ----Multiple I/O cells, 5.5a, 5b, 6,
7, 8...Power main line.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、複数のI/Oセルと、、これらI/Oセルに接続さ
れる数種類の電源幹線とを備える半導体装置において、
予め決められている電源幹線領域内に前記数種類の電源
幹線を配設するにあたって、ユーザー仕様に応じて電源
幹線の種類及びこの電源幹線の幅を決定するようにした
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 2、前記電源幹線の種類及びこの電源幹線の幅は、使用
されるI/Oセルの種類及び種別されたI/Oセル同士
の数の比に応じて決定されることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の製造方法。 3、前記ユーザー仕様に応じて種類及び幅が決定される
電源幹線は、出力用のグランド幹線であることを特徴と
する特許請求の範囲第1項または第2項記載の製造方法
[Claims] 1. A semiconductor device comprising a plurality of I/O cells and several types of power main lines connected to these I/O cells,
A semiconductor device characterized in that, in arranging the several types of power supply main lines within a predetermined power supply main line area, the type of the power supply main line and the width of this power supply main line are determined according to user specifications. Production method. 2. A patent claim characterized in that the type of the power main line and the width of the power main line are determined according to the type of I/O cells used and the ratio of the number of I/O cells of the type. The manufacturing method according to item 1. 3. The manufacturing method according to claim 1 or 2, wherein the power main line whose type and width are determined according to the user specifications is an output ground main line.
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