JPH0357114B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0357114B2
JPH0357114B2 JP60255469A JP25546985A JPH0357114B2 JP H0357114 B2 JPH0357114 B2 JP H0357114B2 JP 60255469 A JP60255469 A JP 60255469A JP 25546985 A JP25546985 A JP 25546985A JP H0357114 B2 JPH0357114 B2 JP H0357114B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alkoxysilane
chlorine
methyltrimethoxysilane
ppm
groups
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60255469A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS62114992A (en
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP60255469A priority Critical patent/JPS62114992A/en
Priority to US06/923,378 priority patent/US4697027A/en
Priority to CA000521664A priority patent/CA1307536C/en
Priority to EP86115804A priority patent/EP0223210B1/en
Priority to DE8686115804T priority patent/DE3683987D1/en
Publication of JPS62114992A publication Critical patent/JPS62114992A/en
Publication of JPH0357114B2 publication Critical patent/JPH0357114B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/20Purification, separation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/04Esters of silicic acids

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、アルコキシシランの精製方法に関す
るものであり、詳しくは、アルコキシシラン中に
含まれる塩素に起因する不純物を、極めて微量ま
で除去することができるアルコキシシランの精製
方法に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for purifying alkoxysilane, and specifically, a method for removing impurities caused by chlorine contained in alkoxysilane to an extremely trace amount. This invention relates to a method for purifying alkoxysilane that can produce

[従来の技術] 近年、アルコキシシラン類の電気・電子分野へ
の用途は増大しているが、その用途によつてはア
ルコキシシランの純度に対する要求は非常に厳し
いものであるため、高純度のアルコキシシランを
得るための精製方法の開発が急務になつている。
[Prior Art] In recent years, the use of alkoxysilanes in the electrical and electronic fields has been increasing. There is an urgent need to develop purification methods to obtain silane.

ところで、RmSi(OR14−mで示されるアルコ
キシシラン類はそれに相当するクロロシランとア
ルコールとを液相または気相で接触反応させるこ
とによつて得られる。得られたアルコキシシラン
の精製は、従来、中和剤による中和、ついでアル
コキシシランの蒸留による中和塩など不揮発成分
からの分離によつて精製されていた。しかしなが
ら、この方法では、中和剤として、乾燥アンモニ
ウム,アミン類,ナトリウム,カリウム,マグネ
シウム等のアルカリ金属を有する塩基性化合物等
のうちいずれを用いても、塩化水素やクロロシラ
ン等の加水分解性塩素に起因する不純物しか、中
和塩を形成しないので、例えば、クロロメチルト
リメトキシシランのような炭素原子に結合する塩
素原子等の非加水分解性塩素に起因する不純物は
除去することができないという欠点があつた。
By the way, alkoxysilanes represented by RmSi(OR 1 ) 4 -m can be obtained by contacting the corresponding chlorosilane and alcohol in a liquid phase or gas phase. The obtained alkoxysilane has conventionally been purified by neutralizing it with a neutralizing agent and then separating it from non-volatile components such as neutralized salt by distilling the alkoxysilane. However, in this method, no matter which one of dry ammonium, amines, basic compounds containing alkali metals such as sodium, potassium, magnesium, etc. is used as a neutralizing agent, hydrolyzable chlorine such as hydrogen chloride or chlorosilane is used. The disadvantage is that impurities originating from non-hydrolyzable chlorine, such as chlorine atoms bonded to carbon atoms such as chloromethyltrimethoxysilane, cannot be removed, since only impurities originating from chlorine form neutralizing salts. It was hot.

この非加水分解性塩素に起因する不純物を除去
する試みとして、例えばJournal of
Organometallic Chemistry,265(1984),135−
139に記載の方法があり、これは400ppm程度の非
加水分解性塩素を含むアルコキシシランを、リチ
ウムアルミニウハイドライト,テトラメチルグリ
ニジン、酸化マグネシウム、ジヒドリドジブチル
スズ、金属ナトリウムのうち、いずれかの存在下
に加熱処理し、次いで蒸留するものである。
In an attempt to remove impurities caused by this non-hydrolyzable chlorine, for example, the Journal of
Organometallic Chemistry, 265 (1984), 135−
There is a method described in 139, in which an alkoxysilane containing about 400 ppm of non-hydrolyzable chlorine is mixed with the presence of any one of lithium aluminum hydride, tetramethylglinidine, magnesium oxide, dihydrido dibutyltin, and metallic sodium. It is then heat treated and then distilled.

しかしながら、この方法ではアルコキシシラン
中に不純物として含まれる非加水分解性塩素を、
金属ナトリウムを用いた場合を除いて100ppmよ
り少なくすることはできないという欠点があつ
た。また、金属ナトリウムを用いた場合、アルコ
キシシラン中の非加水分解性塩素を100ppm以下
にすることは可能であるが、取り扱い上非常に危
険であるため、工業的には適さないという欠点が
あつた。
However, this method removes non-hydrolyzable chlorine contained as an impurity in alkoxysilane.
The drawback was that it was not possible to reduce the concentration below 100 ppm except when metallic sodium was used. Furthermore, when metallic sodium is used, it is possible to reduce the non-hydrolyzable chlorine in the alkoxysilane to 100 ppm or less, but it has the disadvantage that it is extremely dangerous to handle and is therefore not suitable for industrial use. .

[発明が解決しようとする問題点] 以上述べたように、従来の精製方法では塩素に
起因する不純物の除去が困難であつたが、本発明
は、アルコキシシラン中の加水分解性塩素に起因
する不純物および非加水分解性塩素に起因する不
純物の両方を、比較的簡単に除去できるため、不
純物の極めて少ないアルコキシシラン、特に電
気・電子分野へ有用な電気伝導度の小さいアルコ
キシシランを提供することを目的とするものであ
る。
[Problems to be Solved by the Invention] As described above, it is difficult to remove impurities caused by chlorine in conventional purification methods, but the present invention solves impurities caused by hydrolyzable chlorine in alkoxysilane. Since both impurities and impurities caused by non-hydrolyzable chlorine can be removed relatively easily, we aim to provide alkoxysilanes with extremely low impurities, especially alkoxysilanes with low electrical conductivity that are useful in the electrical and electronic fields. This is the purpose.

[問題を解決するための手段とその作用] すなわち、本発明は、 塩素に起因する不純物を含む、 一般式 RmSi(OR14−m (式中、Rは水素原子または炭素原子数1〜8
の置換もしくは非置換の1価炭化水素基、R1
炭素原子数1〜8の置換もしくは非置換の1価炭
化水素基、mは0〜3の整数である。)で示され
るアルコキシシランを精製するに際し、全精製工
程中少なくとも、 () アルコキシシランを酸性白土または金属
ハロゲン化物の存在下に加熱処理する工程、 () 中和剤で中和する工程、 ()中和塩を除去する工程 を順に実施する工程を含むことを特徴とするアル
コキシシランの精製方法によつて目的を達成する
ことができる。
[Means for Solving the Problems and Their Effects] That is, the present invention provides a solution containing impurities caused by chlorine and having the general formula RmSi(OR 1 ) 4 -m (wherein R is a hydrogen atom or a carbon atom number of 1 to 1). 8
is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, R 1 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and m is an integer of 0 to 3. ) When purifying the alkoxysilane represented by (), at least among the entire purification steps are () a step of heat treating the alkoxysilane in the presence of acid clay or a metal halide, () a step of neutralizing with a neutralizing agent, () The object can be achieved by a method for purifying alkoxysilane, which is characterized by including the steps of sequentially performing the steps of removing neutralized salts.

本発明の塩素に起因する不純物を含むアルコキ
シシランの精製方法は、クロロシランのアルコキ
シ化工程で生成された粗アルコキシシランに対し
て行なわれても良いし、従来の精製方法により、
加水分解性塩素に起因する不純物は中和除去され
ているが、非加水分解性塩素に起因する不純物は
除去されていないアルコキシシランに対して行な
われても良い。なお、粗アルコキシシラン中に未
反応物のアルコール等の不純物を多く含む場合
は、本発明を実施する前に蒸留等で除去しておく
ことが望ましい。また、本発明の精製方法は
()、()および()工程を順に実施するも
のであるが、これは()工程を実施した後は、
必ず中和処理と中和塩を除去する工程を必要とす
るからである。
The method for purifying alkoxysilane containing impurities caused by chlorine according to the present invention may be carried out on crude alkoxysilane produced in the alkoxylation step of chlorosilane, or by a conventional purification method.
The process may be performed on an alkoxysilane in which impurities due to hydrolyzable chlorine have been neutralized and removed, but impurities due to non-hydrolyzable chlorine have not been removed. If the crude alkoxysilane contains a large amount of unreacted impurities such as alcohol, it is desirable to remove them by distillation or the like before carrying out the present invention. In addition, the purification method of the present invention sequentially carries out steps (), (), and (); however, after carrying out step (),
This is because a process of neutralization treatment and removal of neutralized salt is always required.

本発明に使用されるアルコキシシランは、一般
式RmSi(OR14−m(式中、RおよびR1は炭素原
子数1〜8の置換もしくは非置換の1価炭化水素
基であり、具体的にはメチル基、エチル基、プロ
ピル基、オクチル基などのアルキル基、ビニル
基、アリル基などのアルケニル基、フエニル基、
トリル基、キシリル基などのアリール基、ベンジ
ル基などのアラルキル基、もしくはこれらの1価
炭化水素基の水素原子の一部または全部がシアノ
基、ハロゲン原子で置換された基などをあげるこ
とができる。この他Rとしては水素原子を、R1
としてはアルコキシアルキル基をあげることがで
きる。また、式中のmは0〜3の整数である。)
で示されるものである。
The alkoxysilane used in the present invention has the general formula RmSi(OR 1 ) 4 -m (wherein R and R 1 are substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon groups having 1 to 8 carbon atoms, and Examples include alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl and octyl groups, alkenyl groups such as vinyl and allyl groups, phenyl groups,
Examples include aryl groups such as tolyl groups and xylyl groups, aralkyl groups such as benzyl groups, and groups in which some or all of the hydrogen atoms of these monovalent hydrocarbon groups are substituted with cyano groups or halogen atoms. . In addition, R is a hydrogen atom, R 1
Examples include alkoxyalkyl groups. Moreover, m in the formula is an integer of 0 to 3. )
This is shown in .

このアルコキシシランの具体例としては、例え
ばトリメトキシシラン、トリエトキシシラン、テ
トラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メ
チルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラ
ン、トリメチルメトキシシラン、トリメトキシエ
トキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチ
ルトリエトキシシラン、トリ(2−メトキシエト
キシ)シラン、ビニルメチルジエトキシシラン、
ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシ
シラン、ビニルトリ(2−メトキシエトキシ)シ
ラン、フエニルトリメトキシシラン、ジフエニル
メトキシシラン、フエニルメチルジメトキシシラ
ン、アリルトリメトキシシラン等があげられる。
Specific examples of this alkoxysilane include trimethoxysilane, triethoxysilane, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, methyldimethoxysilane, methyldiethoxysilane, trimethylmethoxysilane, trimethoxyethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyl Triethoxysilane, tri(2-methoxyethoxy)silane, vinylmethyldiethoxysilane,
Examples include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltri(2-methoxyethoxy)silane, phenyltrimethoxysilane, diphenylmethoxysilane, phenylmethyldimethoxysilane, and allyltrimethoxysilane.

本発明の()工程に使用される酸性白土また
は金属ハロゲン化物の非加水分解性塩素に対する
メカニズムは、明確ではないが、その非加水分解
性塩素を引き抜く触媒的な作用を有するものであ
り、したがつて、()工程で加熱処理すること
によつて非加水分解性塩素は加水分解性塩素に変
化するものと考えられる。
Although the mechanism by which the acid clay or metal halide used in step (2) of the present invention acts against non-hydrolyzable chlorine is not clear, it has a catalytic action to extract the non-hydrolyzable chlorine. Therefore, it is thought that non-hydrolyzable chlorine is changed into hydrolyzable chlorine by the heat treatment in step ().

()工程に用いられる酸性白土は、天然に産
した酸性白土をそのまま使用してもよいが、有利
には、酸処理を施した、いわゆる活性白土である
方が望ましい。具体的には、日本活性白土社のK
−500、西ドイツのズードケミカル社のトンシル
FF、米国フイトロール社のフイトロール20LM
等が例示できるが、これらに限定するものではな
い。
As the acid clay used in the step (), naturally produced acid clay may be used as it is, but it is more preferable to use acid-treated so-called activated clay. Specifically, Nippon Kousaku Hakudosha's K
-500, Tonsil of Süd Chemical GmbH in West Germany
FF, Phytrol 20LM from U.S. Phytrol
Examples include, but are not limited to these.

また、()工程に用いられる金属ハロゲン化
物としては、金属塩化物が好ましい。特に、周期
律表第族から第族の金属塩化物が好ましい
が、この範囲に限定するものではない。具体的に
は、塩化鉄、塩化銅、塩化ニッケル、塩化亜鉛、
塩化コバルト、塩化マンガン、塩化クロム、塩化
モリブデン、塩化セリウムおよびこれらの沃化
物、臭化物、弗化物等があげられる。
Furthermore, as the metal halide used in step (), metal chlorides are preferred. In particular, metal chlorides from Groups to Groups of the Periodic Table are preferred, but the range is not limited to these. Specifically, iron chloride, copper chloride, nickel chloride, zinc chloride,
Examples include cobalt chloride, manganese chloride, chromium chloride, molybdenum chloride, cerium chloride, and their iodides, bromides, and fluorides.

酸性白土または金属ハロゲン化物の使用量とし
ては、加熱処理されるアルコキシシランの重量に
対し、0.01重量%以上添加すれば、塩素に起因す
る不純物に対して有効である。一般に酸性白土ま
たは金属ハロゲン化物の量を増すと加熱処理時間
が短縮できる傾向がみられるが、経済上、通常、
使用される好ましい範囲は処理されるアルコキシ
シランの重量の0.05〜2重量%である。
As for the amount of acid clay or metal halide used, if it is added in an amount of 0.01% by weight or more based on the weight of the alkoxysilane to be heat treated, it is effective against impurities caused by chlorine. In general, increasing the amount of acid clay or metal halide tends to shorten the heat treatment time, but from an economical perspective,
The preferred range used is 0.05 to 2% by weight of the alkoxysilane being treated.

加熱処理温度としては、通常50℃〜200℃の範
囲で行なわれるが、もし、加熱処理されるアルコ
キシシランの沸点が200℃より低い場合はアルコ
キシシランの沸点で、還流状態で加熱処理される
のが望ましい。
The heat treatment temperature is usually in the range of 50℃ to 200℃, but if the boiling point of the alkoxysilane to be heat-treated is lower than 200℃, the heat treatment is performed at the boiling point of the alkoxysilane under reflux. is desirable.

反応時間は、加熱処理されるアルコキシシラン
中の不純物量、酸性白土または金属ハロゲン化物
の添加量および反応温度に影響されるが、一般に
は30分間以上、10時間以下の範囲である。
The reaction time is influenced by the amount of impurities in the alkoxysilane to be heat treated, the amount of acid clay or metal halide added, and the reaction temperature, but is generally in the range of 30 minutes or more and 10 hours or less.

本発明の()工程に使用される中和剤は
()工程で生じた加水分解性塩素および酸性白
土または金属ハロゲン化物から付随的に生じる酸
性化合物を中和するためのものであり、したがつ
て、従来技術の中和剤を使用することができる。
このような中和剤としては乾燥アンモニア、アミ
ン類、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグ
ネシウム等のアルカリ金属を有する塩基性化合
物、酸化アルキレン、オルトエステル類等があげ
られる。
The neutralizing agent used in step () of the present invention is for neutralizing the hydrolyzable chlorine generated in step () and the acidic compounds incidentally generated from acid clay or metal halide. Therefore, conventional neutralizing agents can be used.
Examples of such neutralizing agents include dry ammonia, amines, basic compounds containing alkali metals such as sodium, potassium, calcium, and magnesium, alkylene oxides, orthoesters, and the like.

具体例をあげると、アミン類としては、3級ア
ミン、2級アミン、1級アミンがいずれも使用で
き、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリ
オクチルアミン、N,N−ジメチルドデシルアミ
ン、ジエチルアミン、ジブチルアミン、プロピル
アミン、ブチルアミン、オクチルアミン、ステア
リルアミン、アニリン、ピリジン、ジフエニルア
ミン、キノリン、エタノールアミン、ジエタノー
ルアミン、トリエタノールアミン等が例示され、
アルカリ金属を有する塩基性化合物としては水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化マグネシ
ウム、ナトリウムメチラート、酸化マグネシウ
ム、炭酸ナトリウム、炭酸マグネシウム等があげ
られる。また、酸化アルキレンとしては、酸化エ
チレン、酸化プロピレン、酸化ブチレン等が例示
され、オルトエステルとしては、オルトギ酸トリ
メチル、オルト酢酸トリエチル等があげられる。
To give specific examples, as amines, tertiary amines, secondary amines, and primary amines can all be used, including triethylamine, tributylamine, trioctylamine, N,N-dimethyldodecylamine, diethylamine, dibutylamine, Examples include propylamine, butylamine, octylamine, stearylamine, aniline, pyridine, diphenylamine, quinoline, ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, etc.
Examples of the basic compound containing an alkali metal include sodium hydroxide, potassium hydroxide, magnesium hydroxide, sodium methylate, magnesium oxide, sodium carbonate, and magnesium carbonate. Furthermore, examples of alkylene oxide include ethylene oxide, propylene oxide, and butylene oxide, and examples of orthoesters include trimethyl orthoformate and triethyl orthoacetate.

これらの中和剤の使用量は必要に応じて自由に
選択することができるが、望ましくはアルコキシ
シランの1重量%以下、より望ましくは0.5重量
%以下で使用するのが好ましい。
The amount of these neutralizing agents to be used can be freely selected as required, but it is preferably used in an amount of 1% by weight or less, more preferably 0.5% by weight or less of the alkoxysilane.

本発明の()工程の中和により生じた中和塩
の除去方法は、特に限定するものではなく、必要
に応じて適宜選択すればよい。例えば、水洗によ
り中和塩を洗い出しても良いし、ろ過により除去
しても良い。また、蒸留によりアルコキシシラン
を中和塩から分離しても良い。また、より効果的
に中和塩を除去するため、これらの方法を組み合
わせることもできる。
The method for removing the neutralized salt produced by the neutralization in step () of the present invention is not particularly limited, and may be appropriately selected as necessary. For example, the neutralized salt may be washed out by washing with water, or may be removed by filtration. Alternatively, the alkoxysilane may be separated from the neutralized salt by distillation. Moreover, in order to remove neutralized salts more effectively, these methods can also be combined.

[実施例] 次に、本発明を実施例および比較例をあげて説
明する。実施例中に%とあるのはいずれも重量%
を表わす。
[Example] Next, the present invention will be explained by giving examples and comparative examples. In the examples, all percentages are by weight.
represents.

実施例 1 バツチ法でメチルトリクロロシランをメトキシ
化させ、ナトリウムメチラートで中和し、中和塩
をろ過で除き、蒸留により精製して得られたメチ
ルトリメトキシシランの特性は次のようであつ
た。ガスクロマトグラフイーによる純度は99.8
%、元素分析の結果トータル塩素量は81ppm、2
%濃度の水溶液とした時の電気伝導度は17.0μs/
cm,pHは4.5であつた。
Example 1 The properties of methyltrimethoxysilane obtained by methoxylating methyltrichlorosilane by a batch method, neutralizing it with sodium methylate, removing the neutralized salt by filtration, and purifying it by distillation are as follows. Ta. Purity by gas chromatography is 99.8
%, as a result of elemental analysis, the total amount of chlorine was 81ppm, 2
The electrical conductivity when made into an aqueous solution with a concentration of 17.0μs/
cm, and the pH was 4.5.

このメチルトリメトキシシラン200gを、コン
デンサ、温度計および攪拌モーターの付いた300
mlフラスコに入れ、酸性白土(日本活性白土社製
K−500)をメチルトリメトキシシランに対し
500ppmの量を添加し、2時間還流下に加熱処理
した。この時の加熱温度は100±2℃であつた。
次いで、酸性白土をろ過で除去後、水酸化カリウ
ム0.5gで中和し、イオン交換水で水洗し、中和塩
を取り除いた。このように精製したメチルトリメ
トキシシランに含まれるトータル塩素量は6ppm、
2%水溶液とした時の電気伝導度は1.67μs/cm、
pHは5.43であつた。
200g of this methyltrimethoxysilane was transferred to a
ml flask, add acid clay (K-500 manufactured by Nippon Kousaku Shirado Co., Ltd.) to methyltrimethoxysilane.
500 ppm was added and heated under reflux for 2 hours. The heating temperature at this time was 100±2°C.
Next, after removing the acid clay by filtration, it was neutralized with 0.5 g of potassium hydroxide, and washed with ion-exchanged water to remove the neutralized salt. The total amount of chlorine contained in methyltrimethoxysilane purified in this way is 6 ppm.
The electrical conductivity when made into a 2% aqueous solution is 1.67μs/cm,
The pH was 5.43.

なお、比較例として、酸性白土で加熱処理をせ
ずに、それ以外は上記と同様の処理を行なつたメ
チルトリメトキシシランのトータル塩素量は
78ppm、2%水溶液の電気伝導度は16.5μs/cm、
pHは4.9であつた。
As a comparative example, the total chlorine amount of methyltrimethoxysilane was treated in the same manner as above without being heat treated with acid clay.
78ppm, the electrical conductivity of a 2% aqueous solution is 16.5μs/cm,
The pH was 4.9.

実施例 2 メチルトリクロロシランを充填カラムで連続的
にメタノール蒸気と向流接触させて得られた粗メ
チルトリメトキシシランは以下の特性値を有して
いた。すなわち、ガスクロマトグラフイーによれ
ば、メタノール16.5%を含む。またナトリウムメ
チラートによる中和後の硝酸銀滴定によれば加水
分解性塩素を760ppm含んでいた。またトータル
塩素量は1000ppmであつた。2%水溶液の電気伝
導度は194μs/cmであつた。
Example 2 Crude methyltrimethoxysilane obtained by contacting methyltrichlorosilane in a packed column in continuous countercurrent contact with methanol vapor had the following properties: That is, according to gas chromatography, it contains 16.5% methanol. Furthermore, according to silver nitrate titration after neutralization with sodium methylate, it contained 760 ppm of hydrolyzable chlorine. Moreover, the total amount of chlorine was 1000 ppm. The electrical conductivity of the 2% aqueous solution was 194 μs/cm.

この粗メチルトリメトキシシラン57.8gを100ml
フラスコにて加熱し、大部分のメタノールを留出
除去後、塩化第鉄を粗メチルトリメトキシシラ
ンに対し400ppm加え、91℃で1時間、還流下に
加熱処理した。次いでナトリウムメチラートで中
和後、単蒸留により、メチルトリメトキシシラン
を留出させた。このようにして得られたメチルト
リメトキシシランには、加水分解性塩素は検出せ
ず、トータル塩素量は12ppmであり、2%水溶液
の電気伝導度は1.6μs/cmであつた。
100ml of this crude methyltrimethoxysilane 57.8g
After heating in a flask and removing most of the methanol by distillation, 400 ppm of ferrous chloride was added to the crude methyltrimethoxysilane, and the mixture was heated at 91° C. for 1 hour under reflux. Next, after neutralization with sodium methylate, methyltrimethoxysilane was distilled out by simple distillation. No hydrolyzable chlorine was detected in the methyltrimethoxysilane thus obtained, the total amount of chlorine was 12 ppm, and the electrical conductivity of the 2% aqueous solution was 1.6 μs/cm.

比較例として、塩化第鉄を加えて加熱処理し
た工程を除いた以外は、実施例2と同様の処理を
行なつたメチルトリメトキシシランのトータル塩
素量は248ppmであり、2%水溶液の電気伝導度
は45μs/cmであつた。
As a comparative example, the total chlorine amount of methyltrimethoxysilane was 248 ppm, which was treated in the same manner as in Example 2 except that the step of adding ferrous chloride and heat treatment was omitted, and the electrical conductivity of a 2% aqueous solution was The speed was 45 μs/cm.

実施例 3 実施例2で使用した塩化第鉄の代わりに、塩
化亜鉛を粗メチルトリメトキシシランに対し1%
加え、90〜95℃で1時間、還流下に加熱処理し
た。以後、実施例2と同様の操作後、得られた精
製メチルトリメトキシシラン中の加水分解性塩素
量は10ppmで、トータル塩素量は59ppmであり、
2%水溶液の電気伝導度は2.1μs/cmであつた。
Example 3 Instead of the ferrous chloride used in Example 2, zinc chloride was added at 1% to the crude methyltrimethoxysilane.
The mixture was then heated under reflux at 90 to 95°C for 1 hour. After the same operation as in Example 2, the amount of hydrolyzable chlorine in the purified methyltrimethoxysilane was 10 ppm, and the total amount of chlorine was 59 ppm.
The electrical conductivity of the 2% aqueous solution was 2.1 μs/cm.

実施例 4 実施例2で使用した塩化第鉄の代わりに、塩
化セリウムを粗メチルトリメトキシシランに対し
1%加え、90〜95℃で1.5時間、還流下に加熱処
理した。以後、実施例2と同様にしてメチルトリ
メトキシシランを得た。これのトータル塩素量は
40ppmであり、2%水溶液の電気伝導度は
2.2μs/cmであつた。
Example 4 Instead of the ferric chloride used in Example 2, 1% cerium chloride was added to crude methyltrimethoxysilane, and the mixture was heated under reflux at 90 to 95°C for 1.5 hours. Thereafter, methyltrimethoxysilane was obtained in the same manner as in Example 2. The total amount of chlorine in this is
40ppm, and the electrical conductivity of a 2% aqueous solution is
It was 2.2μs/cm.

実施例 5 実施例2で使用した塩化第鉄の代わりに、臭
化第鉄を粗メチルトリメトキシシランに対し1
%加え、90〜95℃で2時間、還流下に加熱処理し
た以外は実施例2に従つて実施した。この結果ト
ータル塩素量は48ppmであり、電気伝導度は
4.5μs/cmであつた。
Example 5 Instead of the ferrous chloride used in Example 2, ferrous bromide was added at a ratio of 1 part to crude methyltrimethoxysilane.
Example 2 was carried out, except that the mixture was heated at 90 to 95° C. for 2 hours under reflux. As a result, the total amount of chlorine was 48 ppm, and the electrical conductivity was
It was 4.5μs/cm.

実施例 6 テトラクロロシランをエトキシ化して製造した
従来法による精製テトラエトキシシラン中のトー
タル塩素量は64ppmで、電気伝導度は8.5μs/cm
であつた。このテトラエトキシシラン200gをフ
ラスコに入れ、酸性白土(フイトロール社製フイ
トロール20LM)を500ppm加えて1時間還流下
に加熱処理した。それ以降の操作を実施例1に準
じて行なつた後のテトラエトキシシランのトータ
ル塩素量は4ppmであり、電気伝導度は1.0μs/cm
であつた。
Example 6 The total amount of chlorine in purified tetraethoxysilane produced by the conventional method by ethoxylating tetrachlorosilane was 64 ppm, and the electrical conductivity was 8.5 μs/cm
It was hot. 200 g of this tetraethoxysilane was placed in a flask, 500 ppm of acid clay (Phytrol 20LM manufactured by Phytrol) was added, and the mixture was heated under reflux for 1 hour. After the subsequent operations were performed according to Example 1, the total amount of chlorine in tetraethoxysilane was 4 ppm, and the electrical conductivity was 1.0 μs/cm.
It was hot.

[発明の効果] 本発明のアルコキシシランの精製方法は、塩素
に起因する不純物を含むアルコキシシランを、酸
性白土または金属ハロゲン化物の存在下に加熱処
理することにより、加水分解性塩素に起因する不
純物および非加水分解性塩素に起因する不純物の
両方を除去できるため、従来方法では到達困難で
あつた程度に、不純物の少ない、電気伝導度の小
さいアルコキシシランを、容易に得ることが可能
となつた。このため、従来のアルコキシシランの
用途以外に、高純度で電気伝導度の小さいアルコ
キシシランを必要とする電気・電子分野への用途
として特に有用である。
[Effects of the Invention] The alkoxysilane purification method of the present invention heat-treats alkoxysilane containing impurities caused by chlorine in the presence of acid clay or metal halides, thereby removing impurities caused by hydrolyzable chlorine. Since both impurities caused by non-hydrolyzable chlorine can be removed, it has become possible to easily obtain alkoxysilane with few impurities and low electrical conductivity, which was difficult to achieve with conventional methods. . Therefore, in addition to the conventional uses of alkoxysilanes, it is particularly useful in electrical and electronic fields that require alkoxysilanes with high purity and low electrical conductivity.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 塩素に起因する不純物を含む、 一般式 RmSi(OR14−m (式中、Rは水素原子または炭素原子数1〜8
の置換もしくは非置換の1価炭化水素基、R1
炭素原子数1〜8の置換もしくは非置換の1価炭
化水素基、mは0〜3の整数である。)で示され
るアルコキシシランを精製するに際し、全精製工
程中少なくとも、 () アルコキシシランを酸性白土または金属
ハロゲン化物の存在下に加熱処理する工程、 ()中和剤で中和する工程、 ()中和塩を除去する工程 を順に実施する工程を含むことを特徴とするアル
コキシシランの精製方法。
[Claims] 1 Contains impurities due to chlorine, general formula RmSi(OR 1 ) 4 -m (wherein R is a hydrogen atom or a carbon atom number of 1 to 8
is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, R 1 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and m is an integer of 0 to 3. ) When purifying the alkoxysilane represented by (), at least among the entire purification steps are () a step of heat treating the alkoxysilane in the presence of acid clay or a metal halide, () a step of neutralizing with a neutralizing agent, () 1. A method for purifying alkoxysilane, comprising the steps of sequentially performing steps for removing neutralized salts.
JP60255469A 1985-11-14 1985-11-14 Purification of alkoxysilane Granted JPS62114992A (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60255469A JPS62114992A (en) 1985-11-14 1985-11-14 Purification of alkoxysilane
US06/923,378 US4697027A (en) 1985-11-14 1986-10-27 Method for purifying alkoxysilane
CA000521664A CA1307536C (en) 1985-11-14 1986-10-29 Method for purifying alkoxysilane
EP86115804A EP0223210B1 (en) 1985-11-14 1986-11-13 Method for purifying alkoxysilane
DE8686115804T DE3683987D1 (en) 1985-11-14 1986-11-13 METHOD FOR CLEANING ALKOXYSILANES.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60255469A JPS62114992A (en) 1985-11-14 1985-11-14 Purification of alkoxysilane

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62114992A JPS62114992A (en) 1987-05-26
JPH0357114B2 true JPH0357114B2 (en) 1991-08-30

Family

ID=17279197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60255469A Granted JPS62114992A (en) 1985-11-14 1985-11-14 Purification of alkoxysilane

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4697027A (en)
EP (1) EP0223210B1 (en)
JP (1) JPS62114992A (en)
CA (1) CA1307536C (en)
DE (1) DE3683987D1 (en)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63190891A (en) * 1987-02-03 1988-08-08 Toray Silicone Co Ltd Purification of hexamethyldisiloxane
US4732996A (en) * 1987-02-10 1988-03-22 Dow Corning Corporation Treatment of alkoxysilanes
DE3708293A1 (en) * 1987-03-14 1988-09-22 Basf Ag METHOD FOR PRODUCING ALKOXYSILANES WITH A LOW CONTENT OF CHLORINE COMPOUNDS
US4761492A (en) * 1987-09-28 1988-08-02 Union Carbide Corporation Process for recovering trimethoxysilane from a trimethoxysilane and methanol mixture
JPH0798828B2 (en) * 1990-05-18 1995-10-25 東芝シリコーン株式会社 Method for purifying alkoxysilane
JP2554413B2 (en) * 1990-07-05 1996-11-13 ユニオン・カーバイド・ケミカルズ・アンド・プラスティックス・カンパニー・インコーポレイテッド Reduction of halide contamination in alkoxysilane
DE4203352A1 (en) * 1992-02-06 1993-08-12 Henkel Kgaa METHOD FOR PRODUCING LIGHT-COLORED TETRAAL COXYSILANES
US5210254A (en) * 1992-03-31 1993-05-11 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Acidic halide neutralization in alkoxysilanes
US5914421A (en) * 1998-07-01 1999-06-22 Dow Corning Corporation Method for preparation of alkoxysilanes having reduced halide content
EP0999215B1 (en) * 1998-11-06 2004-07-28 Degussa AG Process for preparing alkoxy silanes
EP0999214B1 (en) * 1998-11-06 2004-12-08 Degussa AG Process for preparing alkoxy silanes with low chlorine content
KR100573784B1 (en) * 2002-11-06 2006-04-25 애경유화 주식회사 Method for preparing alkylalkoxysilane with high purity
DE10332622B4 (en) * 2003-07-17 2004-07-22 Wacker-Chemie Gmbh Process for the splitting of chlorinated hydrocarbons in alkoxysilanes
DE102009027257A1 (en) * 2009-06-26 2010-12-30 Wacker Chemie Ag Process for the preparation of organoalkoxyhydrosilanes
JP5942926B2 (en) * 2013-05-16 2016-06-29 信越化学工業株式会社 Method for purifying alkoxysilane
US11236034B2 (en) 2018-03-21 2022-02-01 Rohm And Haas Company Method for preparing acrylic acid
CN110172072B (en) * 2019-06-26 2022-03-04 江西蓝星星火有机硅有限公司 Method for removing chloride from alkoxy silane

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB880211A (en) * 1959-04-07 1961-10-18 Dynamit Nobel Ag Process for the removal of hydrogen halide from silicic acid esters
DE1150372B (en) * 1960-04-20 1963-06-20 Dynamit Nobel Ag Process for the cleaning of silicic acid esters from adhering traces of acid
GB1115052A (en) * 1965-08-24 1968-05-22 Owens Illinois Inc Method of purifying monomeric precursors of organo-polysiloxanes
JPS4897070A (en) * 1972-03-25 1973-12-11
US4127598A (en) * 1977-02-22 1978-11-28 Mcentee Harry R Process for removing biphenyls from chlorosilanes
US4156689A (en) * 1978-02-13 1979-05-29 General Electric Company Purification of hydrosilanes and siloxanes
SU852874A1 (en) * 1979-06-06 1981-08-07 Предприятие П/Я А-7925 Method of purifying alkoxysilans
JPS60252488A (en) * 1984-05-28 1985-12-13 Toray Ind Inc Method for purifying trialkoxysilane

Also Published As

Publication number Publication date
EP0223210A2 (en) 1987-05-27
EP0223210A3 (en) 1989-11-02
CA1307536C (en) 1992-09-15
DE3683987D1 (en) 1992-04-02
JPS62114992A (en) 1987-05-26
US4697027A (en) 1987-09-29
EP0223210B1 (en) 1992-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0357114B2 (en)
JP4996003B2 (en) Production method of alkoxysilane
JP4897131B2 (en) High yield hydrosilylation process
JP3193513B2 (en) Production method of organosilane from polysilane
JP4996002B2 (en) Production of alkoxysilane
JPH0458478B2 (en)
EP0457175B1 (en) Method of purification of alkoxysilanes
EP0556802B1 (en) Method for preparing organomonochlorosilane
US4717773A (en) Silicate esters and organosilicon compounds
JPS6145632B2 (en)
EP2032588B1 (en) Method for preparation of alkoxysilanes having reduced halide content
KR100517429B1 (en) Use of water and acidic water to purify liquid mocvd precursors
JPS6341919B2 (en)
JPH0314835B2 (en)
JP4435333B2 (en) Method for producing alkoxysilane with low halogen content
JPH10265480A (en) Processing of gas containing silanes
JPH07119178B2 (en) Method for purifying ethylene compound having fluorinated organic group
JP4025384B2 (en) Method for purifying 3-methacryloxypropyldimethylhalosilane or 3-methacryloxypropylmethyldihalosilane
JP3606613B2 (en) Low polymerization degree organopolysiloxane production method
JP3419153B2 (en) Method for producing 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane
JP2008502660A5 (en)
JP2006160831A (en) Method for producing organopolysiloxane
JPH01305803A (en) Purifying method for hydrochloric acid
JPS62241806A (en) Purification of aqueous solution of hydrochloric acid
JPS58223604A (en) Purification of hydrochloric acid