JPH0355415A - 燃焼炉の圧力変動の伝達防止方法 - Google Patents
燃焼炉の圧力変動の伝達防止方法Info
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- JPH0355415A JPH0355415A JP18935289A JP18935289A JPH0355415A JP H0355415 A JPH0355415 A JP H0355415A JP 18935289 A JP18935289 A JP 18935289A JP 18935289 A JP18935289 A JP 18935289A JP H0355415 A JPH0355415 A JP H0355415A
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Landscapes
- Incineration Of Waste (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は,アルシン,ホスフィン、ジボラン,モノシラ
ン等で代表される有毒性ガスを含む排ガスを燃焼処理す
るにあたって,その排ガスの燃焼処理に際して起る燃焼
炉の圧力変動が有毒性排ガス発生源に伝達するのを防止
する方法に関するものである. (従来の技術および発明が解決しようとする課題)半導
体製造工程からは、前記した如きガス状の有毒性物質を
含む有毒性排ガスが生成する。このような有毒性排ガス
は人体に対する毒性が極めて高いので、その排ガスの大
気への放出に際しては,それに含まれる有毒性物質の完
全除去が要求される. 排ガス中に含まれる有毒性物質を除去するための有効な
方法の1つとして、燃焼法が知られている(特開昭62
−134414号,特開昭62−152517号)。こ
の方法は、排ガス中の有毒性物質を燃焼条件で酸化分解
し、単体元素や酸化物の固体状物質に変換させて除去す
る方法である. この固体状物質も有毒であるため完全に燃焼ガス中から
除去されなければならないが、生成される固体状物質は
、気相で生成されるためサブミクロンサイズの微粉末で
あることから,通常の数ミクロンサイズの微粉末に比し
燃焼ガス中のこの固体微粉末を燃焼ガスから完全除去す
るのに著しい困難が生じる.本発明者らは、先に、この
ような固体微粉末から効率よく除去するために,燃焼炉
内壁に水膜をを流下させ、この水膜に固体微粉末を捕捉
吸収させる一連の有毒性排ガスの燃焼処理方法及び装置
を提案している(特願昭63−218389号,特願昭
63−284930号)。
ン等で代表される有毒性ガスを含む排ガスを燃焼処理す
るにあたって,その排ガスの燃焼処理に際して起る燃焼
炉の圧力変動が有毒性排ガス発生源に伝達するのを防止
する方法に関するものである. (従来の技術および発明が解決しようとする課題)半導
体製造工程からは、前記した如きガス状の有毒性物質を
含む有毒性排ガスが生成する。このような有毒性排ガス
は人体に対する毒性が極めて高いので、その排ガスの大
気への放出に際しては,それに含まれる有毒性物質の完
全除去が要求される. 排ガス中に含まれる有毒性物質を除去するための有効な
方法の1つとして、燃焼法が知られている(特開昭62
−134414号,特開昭62−152517号)。こ
の方法は、排ガス中の有毒性物質を燃焼条件で酸化分解
し、単体元素や酸化物の固体状物質に変換させて除去す
る方法である. この固体状物質も有毒であるため完全に燃焼ガス中から
除去されなければならないが、生成される固体状物質は
、気相で生成されるためサブミクロンサイズの微粉末で
あることから,通常の数ミクロンサイズの微粉末に比し
燃焼ガス中のこの固体微粉末を燃焼ガスから完全除去す
るのに著しい困難が生じる.本発明者らは、先に、この
ような固体微粉末から効率よく除去するために,燃焼炉
内壁に水膜をを流下させ、この水膜に固体微粉末を捕捉
吸収させる一連の有毒性排ガスの燃焼処理方法及び装置
を提案している(特願昭63−218389号,特願昭
63−284930号)。
ところで、特願昭63−231787号では、燃焼炉の
圧力変動を燃焼炉に設けた伸縮性部材を伸縮させること
により制御しているが、燃焼炉の圧力変動が伸縮性部材
の制御能力を超えるような場合には炉内の圧力変動を制
御しきれず、このため,燃焼炉に連なる半導体製造装置
に悪影響を及ぼす恐れがあった。
圧力変動を燃焼炉に設けた伸縮性部材を伸縮させること
により制御しているが、燃焼炉の圧力変動が伸縮性部材
の制御能力を超えるような場合には炉内の圧力変動を制
御しきれず、このため,燃焼炉に連なる半導体製造装置
に悪影響を及ぼす恐れがあった。
(課題を解決するための手段)
本発明者らは、燃焼炉内で起る圧力変動の半導体製造工
程への伝達を防止すべく鋭意研究を重ねた結果、燃焼炉
の上流側に加圧訃動気体を噴出させたエゼクターを配設
し、このエゼクターに有毒性排ガスを吸引させるととも
に、このエゼクターから有毒性排ガスを郭動気体との混
合ガスとして取出し、これを燃焼炉へ導入する時には、
燃焼炉内で起る圧力変動は、そのエゼクタ一部で遮断さ
れ、それより上流側には伝達されないことを見出し,本
発明を完成するに至った。
程への伝達を防止すべく鋭意研究を重ねた結果、燃焼炉
の上流側に加圧訃動気体を噴出させたエゼクターを配設
し、このエゼクターに有毒性排ガスを吸引させるととも
に、このエゼクターから有毒性排ガスを郭動気体との混
合ガスとして取出し、これを燃焼炉へ導入する時には、
燃焼炉内で起る圧力変動は、そのエゼクタ一部で遮断さ
れ、それより上流側には伝達されないことを見出し,本
発明を完成するに至った。
即ち、本発明によれば、有毒性排ガス発生源からの有毒
性排ガスを、加圧能動気体を噴出させた二セクターに吸
引させるとともに、該エゼクターから該馳動気体との混
合ガスとして取出し、これを燃焼炉に導入することを特
徴とする燃焼炉の圧力変動が有毒性排ガス発生源へ伝達
するのを防止する方法が提供される。
性排ガスを、加圧能動気体を噴出させた二セクターに吸
引させるとともに、該エゼクターから該馳動気体との混
合ガスとして取出し、これを燃焼炉に導入することを特
徴とする燃焼炉の圧力変動が有毒性排ガス発生源へ伝達
するのを防止する方法が提供される。
(発明の実施例)
本発明の方法を実施する装置の一例を図簡について説明
すると、第1図において,1は半導体製造装置等の有毒
性排ガス発生源を示す。2は吸着処理装置,3は燃焼処
理装置、4は逆火防止装置、5は除塵フィルターを各示
す。有毒性排ガス発生源からの有毒性排ガス偶給ライン
(配管)は、その切換バルブ7及び8により吸着処理装
置2に続くライン9と、逆火防止装置4を介して燃焼処
理装置3に続くラインlOとに分岐される。通常の状態
においては、吸着処理装置に続くバルブ7は閉とされ、
逆火防止装置に続くバルブ8は開放される。
すると、第1図において,1は半導体製造装置等の有毒
性排ガス発生源を示す。2は吸着処理装置,3は燃焼処
理装置、4は逆火防止装置、5は除塵フィルターを各示
す。有毒性排ガス発生源からの有毒性排ガス偶給ライン
(配管)は、その切換バルブ7及び8により吸着処理装
置2に続くライン9と、逆火防止装置4を介して燃焼処
理装置3に続くラインlOとに分岐される。通常の状態
においては、吸着処理装置に続くバルブ7は閉とされ、
逆火防止装置に続くバルブ8は開放される。
有毒性排ガス発生mlからの有毒性排ガス(以下、単に
排ガスとも言う)は、ライン6、バルブ8及びラインl
Oを通って逆火防止装置4を通過した後、ラインl1を
通り、バーナ12を通って燃焼処理装置3内に噴出され
燃焼処理される。燃焼排ガスは、ラインl3を通って抜
出され、除塵フィルター5及び排気ボンプ14を通って
大気へ放出される.燃焼処理装賀3では、有毒性排ガス
の燃焼処理により生成した微粉末は、燃焼処理装置の上
端部にラインl8を介して導入され,炉壁を液膜として
流下する液体及び中間部にラインl8を介してスプレー
された液滴によって捕捉される.微粉末を捕捉した液体
は、装置底部から、ラインl5、液循環ボンプl6、冷
却器17を通って再び焼燃炉へ循環される。その循環液
の一部はラインl9を通って廃液ドラム20に貯留され
る。このような燃焼処理装置は、特願昭63−2183
89号及び特願昭63−284930号明細書に記載さ
れている。
排ガスとも言う)は、ライン6、バルブ8及びラインl
Oを通って逆火防止装置4を通過した後、ラインl1を
通り、バーナ12を通って燃焼処理装置3内に噴出され
燃焼処理される。燃焼排ガスは、ラインl3を通って抜
出され、除塵フィルター5及び排気ボンプ14を通って
大気へ放出される.燃焼処理装賀3では、有毒性排ガス
の燃焼処理により生成した微粉末は、燃焼処理装置の上
端部にラインl8を介して導入され,炉壁を液膜として
流下する液体及び中間部にラインl8を介してスプレー
された液滴によって捕捉される.微粉末を捕捉した液体
は、装置底部から、ラインl5、液循環ボンプl6、冷
却器17を通って再び焼燃炉へ循環される。その循環液
の一部はラインl9を通って廃液ドラム20に貯留され
る。このような燃焼処理装置は、特願昭63−2183
89号及び特願昭63−284930号明細書に記載さ
れている。
有毒性排ガス発生源と逆火防止装置との間のラインには
,必要に応じ、可燃性ガスがライン2lを通って導入さ
れ、燃焼バーナーl2には支燃ガスとしての酸素又は空
気がライン22を通って導入される。燃焼バーナへの排
ガス供給ライン11には、竃素ガスライン23がバルブ
25及びライン27を介して接続されるとともに,給水
ライン24がバルブ26及びライン27を介して接続さ
れ、必要に応じ、室素ガスと水との混合物が排ガス供給
ライン27を通って燃焼バーナノズル内を流れるように
なっている。
,必要に応じ、可燃性ガスがライン2lを通って導入さ
れ、燃焼バーナーl2には支燃ガスとしての酸素又は空
気がライン22を通って導入される。燃焼バーナへの排
ガス供給ライン11には、竃素ガスライン23がバルブ
25及びライン27を介して接続されるとともに,給水
ライン24がバルブ26及びライン27を介して接続さ
れ、必要に応じ、室素ガスと水との混合物が排ガス供給
ライン27を通って燃焼バーナノズル内を流れるように
なっている。
水と室素ガスとの混合物を燃焼バーナノズル内を流通さ
せることによって、バーナノズルの洗浄を行うこヒがで
きる。
せることによって、バーナノズルの洗浄を行うこヒがで
きる。
本発明においては、前記したように燃焼処理装&!!3
のバーナl2に至るライン1lに加圧駒動気体aを噴出
させたエゼクタ−28を介設させ、排ガスを、エゼクタ
ーから駐動気体との混合ガスとして取出し、これをバー
ナl2に送入する。
のバーナl2に至るライン1lに加圧駒動気体aを噴出
させたエゼクタ−28を介設させ、排ガスを、エゼクタ
ーから駐動気体との混合ガスとして取出し、これをバー
ナl2に送入する。
このエゼクタ−28は、一般に使用されるエゼクターと
同様のものであって、第2図に明らかなようにノズル部
分29、吸引室部分30、デフユーザー部分3lよりな
り、加圧された杯動気体aをノズル33から噴射すると
吸引室34は減圧となり、排ガスbが吸引されて両者が
激しく混合しなからデフユーザー35内を通過する.こ
のようにしてエゼクターを通過した排ガスを燃焼バーナ
l2に導入して燃焼処理する時には、燃焼処理装置の燃
焼炉内に圧力変動が生じても、この圧力変動の伝達はエ
ゼクタ−28によって遮断され、エゼクタ−28より上
流側には伝達されない. エゼクタ−28における廓動気体としては、窒素,水素
、メタン、プロパン等の各種のガスが用いられる。馳動
気体の圧力は、デュフユーザー出口圧力の2〜15倍、
好ましくは3−lO倍にするのがよく,また、ディフユ
ーザー出口圧力は、吸引される排ガス圧力の1〜10倍
、好ましくはl〜5倍にするのがよい。
同様のものであって、第2図に明らかなようにノズル部
分29、吸引室部分30、デフユーザー部分3lよりな
り、加圧された杯動気体aをノズル33から噴射すると
吸引室34は減圧となり、排ガスbが吸引されて両者が
激しく混合しなからデフユーザー35内を通過する.こ
のようにしてエゼクターを通過した排ガスを燃焼バーナ
l2に導入して燃焼処理する時には、燃焼処理装置の燃
焼炉内に圧力変動が生じても、この圧力変動の伝達はエ
ゼクタ−28によって遮断され、エゼクタ−28より上
流側には伝達されない. エゼクタ−28における廓動気体としては、窒素,水素
、メタン、プロパン等の各種のガスが用いられる。馳動
気体の圧力は、デュフユーザー出口圧力の2〜15倍、
好ましくは3−lO倍にするのがよく,また、ディフユ
ーザー出口圧力は、吸引される排ガス圧力の1〜10倍
、好ましくはl〜5倍にするのがよい。
(発明の効果)
本発明は,以上のように、燃焼炉のパーナ上流側にエゼ
クターを通してエゼクター駆動気体との混合ガスとして
取出し、これを燃焼炉へ導入することにより、燃焼炉内
で起る圧力変動の燃焼炉上流側への伝達を、そのエゼク
タ一部で遮断し、有毒性排ガス発生源に伝達することを
防止したものである。従って、本発明によれば、有毒性
排ガス発生温である半導体製造装置において圧力条件が
何ら変動しないことから、その半導体製造装置では安定
な操業を行うことができる。
クターを通してエゼクター駆動気体との混合ガスとして
取出し、これを燃焼炉へ導入することにより、燃焼炉内
で起る圧力変動の燃焼炉上流側への伝達を、そのエゼク
タ一部で遮断し、有毒性排ガス発生源に伝達することを
防止したものである。従って、本発明によれば、有毒性
排ガス発生温である半導体製造装置において圧力条件が
何ら変動しないことから、その半導体製造装置では安定
な操業を行うことができる。
第l図は本発明の方法を実施する装置の系統図、第2図
は同じくエゼクタの縦断図面である。 l・・・有毒性排ガス発生源 2・・・吸着処理装置 3・・・燃焼処理装置 7.8・・・切換バルブ l2・・・バーナ l6・・・液循環ポンプ 28・・・エゼクター 33・・・ノズル、 34・・・吸引室 35・・・デフユーザー a・・・駆動気体 b・・・有毒性排ガス
は同じくエゼクタの縦断図面である。 l・・・有毒性排ガス発生源 2・・・吸着処理装置 3・・・燃焼処理装置 7.8・・・切換バルブ l2・・・バーナ l6・・・液循環ポンプ 28・・・エゼクター 33・・・ノズル、 34・・・吸引室 35・・・デフユーザー a・・・駆動気体 b・・・有毒性排ガス
Claims (1)
- (1)有毒性排ガス発生源からの有毒性排ガスを、加圧
駆動気体を噴出させたエゼクターに吸引させるとともに
、該エゼクターから該駆動気体との混合ガスとして取出
し、これを燃焼炉に導入することを特徴とする燃焼炉の
圧力変動が有毒性排ガス発生源へ伝達するのを防止する
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1189352A JP2808310B2 (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 燃焼炉の圧力変動の伝達防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1189352A JP2808310B2 (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 燃焼炉の圧力変動の伝達防止方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0355415A true JPH0355415A (ja) | 1991-03-11 |
JP2808310B2 JP2808310B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=16239889
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1189352A Expired - Fee Related JP2808310B2 (ja) | 1989-07-21 | 1989-07-21 | 燃焼炉の圧力変動の伝達防止方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2808310B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001355820A (ja) * | 2000-06-12 | 2001-12-26 | Sumitomo Seika Chem Co Ltd | 排ガスの処理方法および処理装置 |
CN107940475A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-04-20 | 中冶焦耐(大连)工程技术有限公司 | 一种处理钒钛还原回转窑废气装置的燃烧室结构及工艺 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5025071A (ja) * | 1973-07-06 | 1975-03-17 | ||
JPS5037283A (ja) * | 1973-08-06 | 1975-04-07 | ||
JPS5330025A (en) * | 1976-08-31 | 1978-03-20 | Hitachi Zosen Corp | Gas discharging device |
-
1989
- 1989-07-21 JP JP1189352A patent/JP2808310B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5025071A (ja) * | 1973-07-06 | 1975-03-17 | ||
JPS5037283A (ja) * | 1973-08-06 | 1975-04-07 | ||
JPS5330025A (en) * | 1976-08-31 | 1978-03-20 | Hitachi Zosen Corp | Gas discharging device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001355820A (ja) * | 2000-06-12 | 2001-12-26 | Sumitomo Seika Chem Co Ltd | 排ガスの処理方法および処理装置 |
CN107940475A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-04-20 | 中冶焦耐(大连)工程技术有限公司 | 一种处理钒钛还原回转窑废气装置的燃烧室结构及工艺 |
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JP2808310B2 (ja) | 1998-10-08 |
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