JPH0350519B2 - - Google Patents

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JPH0350519B2
JPH0350519B2 JP4696482A JP4696482A JPH0350519B2 JP H0350519 B2 JPH0350519 B2 JP H0350519B2 JP 4696482 A JP4696482 A JP 4696482A JP 4696482 A JP4696482 A JP 4696482A JP H0350519 B2 JPH0350519 B2 JP H0350519B2
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JP
Japan
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phase
winding
capacitor
excitation method
stepping motor
Prior art date
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Expired
Application number
JP4696482A
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English (en)
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JPS5921300A (ja
Inventor
Yoshiaki Sakai
Makoto Shoji
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Teac Corp
Original Assignee
Teac Corp
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Publication date
Application filed by Teac Corp filed Critical Teac Corp
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Publication of JPS5921300A publication Critical patent/JPS5921300A/ja
Publication of JPH0350519B2 publication Critical patent/JPH0350519B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02PCONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
    • H02P8/00Arrangements for controlling dynamo-electric motors rotating step by step
    • H02P8/14Arrangements for controlling speed or speed and torque

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Stepping Motors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、1−2相励磁方式又は1−2−1相
励磁方式と呼ばれる励磁方式で駆動されるステツ
ピングモータ装置の静止位置のヒステリシス特性
の改良に関し、更に詳細には、可撓性磁気デイス
ク記録再生装置即ちフロツピーデイスク装置の送
り駆動装置として好適なステツピングモータ装置
に関するものである。
ステツピングモータ即ちステツプモータには、
VR(可変レラクタンス)型、PM(永久磁石)型、
及びハイブリツド(VR+PM)型のステツピン
グモータがある。そして、これ等のステツピング
モータは、1相即ち1−1相励磁方式、2相即ち
2−2相励磁方式、又は1−2相即ち1−2−1
相励磁方式で駆動される。ところで、1−1相励
磁方式は、2−2相励磁方式に比較して電流が1/
2になり、消費電力及び発熱量が少ないという特
長を有する反面、ポジシヨニングの過渡特性が悪
いという欠点、即ち歩進に際しての振動が大き
く、ダンピング特性(制動特性)が悪いという欠
点、及びプルイントルクが小さいという欠点を有
する。一方、2−2相励磁方式は、ポジシヨニン
グの過渡特性即ちダンピング特性が良く且つプル
イントルクが大きいという特長を有する反面、電
流が1−1相励磁方式に比較して2倍になり、消
費電力及び発熱量が大きくなるという欠点を有す
る。また、1−2−1相励磁方式は、消費電力
(発熱量)及びプルイントルクが1−1相と2−
2相との中間になるが、電流値の制御及び2つの
相が同時に励磁される時間を制御することによ
り、トルクを実質的に十分な値まで上げることが
可能であるという特長及びポジシヨニングの過渡
特性は2−2相とほぼ同一であるという特長を有
する反面、正転と逆転との静止位置のヒステリシ
ス特性が悪いという欠点を有する。
各励磁方式の長所及び欠点を考慮し、従来は主
として2−2相励磁方式のステツピングモータが
フロツピーデイスク装置に於ける磁気ヘツドの送
り駆動装置に適用されている。しかし、フロツピ
ーデイスク装置を小型化すれば、必然的にステツ
ピングモータの発熱が問題となり、例えば、モー
タの表面温度が20℃程度アツプすれば、ヘツドの
移動方向の熱膨張によりヘツドが5μ〜10μシフト
する。このため、フロツピーデイスク装置の小型
化が困難であつた。従つて、1−1相励磁方式と
2−2相励磁方式との両方の長所を備えた1−2
−1相励磁方式を採用することが考えられるが、
正転及び逆転の静止位置のヒステリシス特性が悪
いため、採用されていない。第1図は従来の1−
2−1相励磁方式のヒステリシス特性を示すもの
であり、折れ線aがステツピングモータを右に向
う矢印で示すように正転させた場合に於ける所定
角度位置に於ける角度ずれθを示し、折れ線bが
ステツピングモータを左に向う矢印で示すように
逆転させた場合に於ける所定角度位置に於ける角
度ずれθを示すものである。θ=0の理論的静止
位置になれば理想的な送りが達成されるが、この
ような制御が不可能であつても、折れ線aとbと
が一致することが望ましい。即ち、第1図に示す
ようにaとbとの間に角度誤差の位置ずれθH即
ちヒステリシス又は不感帯誤差があると、正転に
よつてある静止角度位置を得た場合と逆転によつ
てある静止角度位置を得た場合とで同一角度位置
とならない。従つて、フロツピーデイスク装置に
適合した場合にはトラツクずれが生じる。
次に、1−2−1相励磁方式でヒステリシス特
性が悪くなる理由を第2図〜第5図に基づいて説
明する。第2図は4相のPM型ステツピングモー
タを説明的に示すものであり、ロータ1の2極の
永久磁石で形成され、ステータ2は4極を有し、
ステータ2の4極に第1、第2、第3及び第4相
の巻線φ1,φ2,φ3,φ4が巻かれ、各巻線は第1、
第2、第3及び第4のスイツチ回路S1,S2,S3
S4を介して直流電源+Vに接続されている。この
ステツピングモータを1−1相励磁方式で駆動す
る場合には、各巻線φ1〜φ4に順次に電流が流さ
れ、例えば第1相の巻線φ1に電流を流すことに
より、第3図Aの磁束状態となり、次に第2相の
巻線φ2に電流を流すことにより、第3図Bの磁
束状態となる。尚、第3図Bの実線は励磁による
磁束を示し、点線は残留磁化を示す。この第3図
から明らかなように1−1相励磁方式の場合には
磁束分布及び残留磁化の分布が均一になるため
に、正転と逆転とに於けるヒステリシスが少な
い。
第2図のステツピングモータを2−2相励磁方
式で駆動する場合には、第1の期間に巻線φ1
φ2に電流を流し、次の第2の期間に巻線φ2とφ3
とに電流を流す。この結果、第1の期間では第4
図Aの磁束分布となり、第2の期間には第4図B
の磁束分布となり、励磁による磁束分布及び残留
磁化の分布が均一になり、ヒステリシス特性も良
い。
これに対して、第2図のステツピングモータを
1−2−1相励磁方式で駆動する場合には、例え
ば、第1の期間で第1相の巻線φ1に電流を流す
ことにより第5図Aの磁束分布となり、第2の期
間で第1相及び第2相の巻線φ1,φ2に電流を流
すことにより第5図Bの実線で示す磁束分布と点
線で示す残留磁化の分布となり、第3の期間に第
2相の巻線φ2に電流を流すことにより第5図C
の実線で示す磁束分布と点線及び鎖線で示す残留
磁化分布となる。従つて、残留磁化が不均一に分
布し、この影響によつてロータ1の静止位置が正
転と逆転とで異なる。
そこで、本発明の目的は、残留磁化を消滅させ
てヒステリシス特性を良くすることが可能な1−
2−1相励磁方式のステツピングモータ装置を提
供することにある。
上記目的を達成するための本発明は、実施例を
示す図面の符号を参照して説明すると、それぞれ
の一端が共通の電源端子に接続された第1、第
2、第3、及び第4相巻線φ1,φ2,φ3,φ4を有
する4相ステツピングモータと、前記第1、第
2、第3及び第4相巻線φ1,φ2,φ3,φ4に直列
に夫々接続された第1、第2、第3及び第4のス
イツチ回路S1,S2,S3,S4と、前記第1、第2、
第3及び第4のスイツチ回路S1,S2,S3,S4を1
−2−1相励磁方式で制御する位相制御回路3
と、前記第1相巻線φ1の他端と前記第3相巻線
φ3の他端との間に接続された第1のコンデンサ
C1と、前記第2相巻線φ2の他端と前記第4相巻
線φ4の他端との間に接続された第2のコンデン
サC2とから成り、前記第1又は第3のスイツチ
回路S1,S3がオフに制御された時に前記第1相巻
線φ1と前記第1のコンデンサC1と前記第3相巻
線φ3とから成る閉回路に振動電流を流すことが
できるように前記第1のコンデンサC1の容量が
決定され、前記第2又は第4のスイツチ回路S2
S4がオフに制御された時に前記第2相巻線φ2
前記第2のコンデンサC2と前記第4相巻線φ4
から成る閉回路に振動電流を流すことができるよ
うに前記第2のコンデンサC2の容量が決定され
ていることを特徴とするステツピングモータ装置
に係わるものである。
上記本発明によれば、巻線に対する電流の供給
が遮断されると、巻線とコンデンサとから成る閉
回路に振動電流が流れ、この振動電流によつてス
テータとロータとの一方又は両方の残留磁化の除
去がなされる。従つて、残留磁化の影響が少なく
なり、ヒステリシス特性が良くなる。また、2つ
のコンデンサC1,C2によつて4つの巻線φ1〜φ4
の振動電流を得ることが可能になり、回路構成が
簡単になる。
次に、図面を参照して本発明の実施例について
述べる。
第6図は本発明の実施例に係わる1−2−1相
励磁方式の4相ステツピングモータ装置を示すも
のである。この実施例に於けるロータ及びステー
タ及び第1、第2、第3及び第4相の巻線φ1
φ2,φ3,φ4は第2図と同様に設けられ、各巻線
φ1〜φ4の一端は共通に接続されて正の直流電源
+Vに夫々接続されている。また各巻線φ1〜φ4
の他端はオープンコレクタ形式のトランジスタを
含む駆動回路から成る第1、第2、第3、及び第
4のスイツチ回路S1,S2,S3,S4に接続されてい
る。3はステツピングモータの位相制御回路であ
つて、1−2−1相励磁方式でモータを駆動する
ためのパルスを各スイツチ回路S1〜S4に送る。
C1及びC2は消磁用の第1及び第2のコンデンサ
であり、第1のコンデンサC1は第1相の巻線φ1
の左端と第3相の巻線φ3の左端との間に接続さ
れ、第2のコンデンサC2は第2相の巻線φ2の左
端と第4相の巻線φ4の左端との間に接続されて
いる。尚、第1のコンデンサC1は、巻線φ1又は
φ3の励磁電流が遮断された時にφ1とC1とφ3とか
ら成る閉回路に振動電流が次のオン期間までの一
定時間範囲で流れてステータ2の残留磁化を除去
することが可能な容量を有する。また第2のコン
デンサC2は、巻線φ2又はφ4の励磁電流が遮断さ
れた時にφ2とC2とφ4とから成る閉回路に振動電
流が次のオン期間になる前の一定時間範囲で流れ
てステータ2の残留磁化を除去することが可能な
容量を有する。
第7図は第6図の第1〜第4のスイツチング回
路S1〜S4のオン・オフ状態を示すものであり、第
1の区間t0〜t1ではS1とS4、第2の区間t1〜t2
はS1、第3の区間t2〜t3ではS1とS2、第4の区間
t3〜t4ではS2、第5の区間t4〜t5ではS2とS3、第
6の区間ではS3、第7の区間ではS3とS4、第8の
区間ではS4がオンになる。そして、t0〜t8を1サ
イクルとして同様な制御がなされる。また逆転の
場合には第7図と逆方向の制御となる。
今、巻線φ1の電流を例にとつて考えると、t0
t3期間でスイツチ回路S1がオン状態となることに
より、電源+Vと巻線φ1とスイツチ回路S1とか
ら閉回路で第8図のt0〜t3区間で示すように電流
が流れる。しかる後、t3でスイツチ回路S1がオフ
になると、スイツチ回路S1を通つて接地に電流が
流れることが不可能になるために、巻線φ1に蓄
積されたエネルギに基づいて、第1の巻線φ1
第1のコンデンサC1とオフ期間中の第3の巻線
φ3とから成る閉回路に電流が流れ、LCの共振回
路で第8図に示すような振動電流が流れる。この
ように交互に反対方向となる振動電流が流れる
と、ステータの残留磁化が消磁され、磁心がリセ
ツト状態となる。このため、正転と逆転との間の
静止位置のヒステリシスが少なくなる。今、第1
相の巻線φ1の励磁電流をオフにする場合につい
て述べたが、他の相の場合にも全く同様な動作と
なる。尚、各巻線φ1〜φ4のインダクタンスが
夫々約35mHである場合に、コンデンサC1,C2
容量を夫々5〜10μFとすることにより、良い結
果が得られた。
以上、本発明の実施例について述べたが、本発
明はこれに限定されるものではなく、更に変形可
能なものである。例えば、第9図及び第10図に
示すハイブリツド型ステツピングモータにも適用
可能である。このハイブリツト型ステツピングモ
ータのロータ1は永久磁石11と成層鋼板12と
で構成され、表面に凹凸を有する。またステータ
2の極の表面にも凹凸があり、小さいステツプ角
が得られるように構成されている。尚消磁用コン
デンサは巻線φと閉回路を作るように接続する。
また、第11図に示す如くロータ1とステータ
2との極の数を変えてステツプ駆動するVR型ス
テツピングモータにも適用可能である。この場合
にも勿論巻線φと閉回路を作るように消磁用コン
デンサを接続する。
また、巻線φ1〜φ4と消磁用コンデンサとから
成る閉回路中に抵抗を接続してもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は1−2−1相励磁方式のステツピング
モータに於ける正転と逆転に於ける角度ずれ即ち
ヒステリシスを示す特性図、第2図はPM型ステ
ツピングモータを示す断面図、第3図は1−1相
励磁方式に於ける磁束及び残留磁化を示すロータ
及びステータの断面図、第4図は2−2相励磁方
式に於ける磁束及び残留磁化を示すロータ及びス
テータの断面図、第5図は1−2−1相励磁方式
に於ける磁束及び残留磁化を示すロータ及びステ
ータの断面図、第6図は本発明の実施例に係わる
1−2−1相励磁方式のステツピングモータ装置
を示す回路図、第7図は第6図のスイツチ回路の
状態を示す波形図、第8図は第6図の巻線に流れ
る電流を示す波形図、第9図はハイブリツド型ス
テツピングモータを示す断面図、第10図は第9
図の縦断面図、第11図はVR型ステツピングモ
ータを原理的に示す断面図である。 尚図面に用いられている符号に於いて、1はロー
タ、2はステータ、3は位相制御回路、φ1〜φ4
は巻線、S1〜S4はスイツチ回路(駆動回路)、
C1,C2はコンデンサである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 それぞれの一端が共通の電源端子に接続され
    た第1、第2、第3及び第4相巻線φ1,φ2,φ3
    φ4を有する4相ステツピングモータと、 前記第1、第2、第3及び第4相巻線φ1,φ2
    φ3,φ4に直列に夫々接続された第1、第2、第
    3及び第4のスイツチ回路S1,S2,S3,S4と、 前記第1、第2、第3及び第4のスイツチ回路
    S1,S2,S3,S4を1−2−1相励磁方式で制御す
    る位相制御回路3と、 前記第1相巻線φ1の他端と前記第3相巻線φ3
    の他端との間に接続された第1のコンデンサC1
    と、 前記第2相巻線φ2の他端と前記第4相巻線φ4
    の他端との間に接続された第2のコンデンサC2
    と から成り、前記第1又は第3のスイツチ回路S1
    S3がオフに制御された時に前記第1相巻線φ1
    前記第1のコンデンサC1と前記第3相巻線φ3
    から成る閉回路に振動電流を流すことができるよ
    うに前記第1のコンデンサC1の容量が決定され、
    前記第2又は第4のスイツチ回路S2,S4がオフに
    制御された時に前記第2相巻線φ2と前記第2の
    コンデンサC2と前記第4相巻線φ4とから成る閉
    回路に振動電流を流すことができるように前記第
    2のコンデンサC2の容量が決定されていること
    を特徴とするステツピングモータ装置。
JP4696482A 1982-03-24 1982-03-24 ステツピングモ−タ装置 Granted JPS5921300A (ja)

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JPS5921300A JPS5921300A (ja) 1984-02-03
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