JPH0349455Y2 - - Google Patents

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JPH0349455Y2
JPH0349455Y2 JP1982168780U JP16878082U JPH0349455Y2 JP H0349455 Y2 JPH0349455 Y2 JP H0349455Y2 JP 1982168780 U JP1982168780 U JP 1982168780U JP 16878082 U JP16878082 U JP 16878082U JP H0349455 Y2 JPH0349455 Y2 JP H0349455Y2
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JP
Japan
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yoke
waveguide
insulating rubber
high frequency
bias voltage
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JP1982168780U
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JPS5973816U (ja
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  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 考案の技術分野 本考案は導波管形発振器の改良に関し、更に詳
細には信頼性を向上させた導波管形発振器に関す
るものである。
従来技術と問題点 ガンダイオード、インパツトダイオード等の超
高周波半導体素子にバイアス電圧を印加してガン
ダイオード等を発振させる導波管形発振器に於い
ては、発振出力がバイアス部に漏洩しないように
する為に、チヨークを介してガンダイオード等に
バイアス電圧を印加するようにしている。
第1図は従来の導波管形発振器の断面図であ
り、1はガンダイオード、2はチヨーク、3はば
ね、4はバイアス電圧端子、5は筐体、6は導波
路、7は絶縁スペーサ、8はプリント板、9はボ
ス、10はチユーニングスクリユ、11は高周波
短絡プランジヤである。
ガンダイオード1はバイアス電圧端子4、ばね
3、チヨーク2を介して加えられるバイアス電圧
により発振し、その発振出力は導波路6を介して
出力される。チヨーク2は、ガンダイオード1の
発振出力がバイアス部に漏洩しないようにする為
に設けたものであり、図示の如く、バイアス電圧
端子4とチヨーク2との間に挿入されたばね3に
より適当な圧力で軸方向に押圧され、固定されて
いる。
上述したように、チヨーク2はガンダイオード
1の発振出力のバイアス部への漏洩を防ぐ為に必
要であるが、従来の導波管形発振器は、チヨーク
2をばね3により軸方向に押圧して固定するよう
にしているものであるから、横方向の力により、
チヨーク2の位置がずれやすく、この為、発振周
波数が変化しやすい等信頼性に欠ける欠点があつ
た。
考案の目的 本考案は前述の如き欠点を改善したものであ
り、その目的はチヨークの固定位置が変化しない
ようにすることにより、導波管形発振器の信頼性
を向上させることにある。以下実施例について詳
細に説明する。
考案の実施例 第2図は本考案の実施例の断面図で、21はシ
リコンゴム等から成る絶縁ゴム、22はバイアス
電圧端子であり、他の第1図と同一符号は同一部
分を表わしている。
絶縁ゴム21は筐体5に設けられた孔内に、孔
の内周を押圧するように圧入されている。また、
チヨーク2の一端のバイアス電圧端子22は、絶
縁ゴム21に設けられた中心孔に圧入されてお
り、チヨーク2の他端は絶縁ゴム21の作用によ
り、適当な圧力でガンダイオード1に圧接されて
いる。このように、本実施例は、チヨーク2を絶
縁ゴム21により固定したものであるから、横方
向の振動によつても、固定位置が変化することが
なく、従つて、信頼性を向上させることができ
る。
考案の効果 以上説明したように、本考案は導波管内に設け
られた超高周波半導体素子にチヨークを介してバ
イアス電圧を印加する導波管形発振器に於いて、
前記超高周波半導体素子の直上の導波管筐体に形
成した孔に、中心孔を有する絶縁ゴムを圧入し、
該絶縁ゴムの中心孔にチヨークの一端に接続され
たバイアス電圧端子を圧入して該チヨークと前記
絶縁ゴムとを圧接し、該チヨークの他端を前記絶
縁ゴムの弾性力により、前記超高周波半導体素子
に圧接させるようにしたものであるから、横方向
の振動によつてもチヨークの固定位置が変化する
ことはなく、従つて、信頼性を向上することがで
きる利点がある。また、実施例に於いては、ガン
ダイオードを用いた導波管形発振器について説明
したが、インパツトダイオード等の超高周波半導
体素子を用いた導波管形発振器に本考案を適用し
た場合も前述したと同様の効果を得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の断面図、第2図は本考案の実
施例の断面図である。 1はガンダイオード、2はチヨーク、3はば
ね、4,22はバイアス電圧端子、5は筐体、6
は導波路、7は絶縁スペーサ、8はプリント板、
9はボス、10はチユーニングスクリユ、11は
高周波短絡プランジヤ、21は絶縁ゴムである。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 導波管内に設けられた超高周波半導体素子にチ
    ヨークを介してバイアス電圧を印加する導波管形
    発振器に於いて、前記超高周波半導体素子の直上
    の導波管筐体に形成した孔に、中心孔を有する絶
    縁ゴムを圧入し、該絶縁ゴムの中心孔にチヨーク
    の一端に接続されたバイアス電圧端子を圧入して
    該チヨークと前記絶縁ゴムとを圧接し、該チヨー
    クの他端を前記絶縁ゴムの弾性力により、前記超
    高周波半導体素子に圧接したことを特徴とする導
    波管形発振器。
JP16878082U 1982-11-08 1982-11-08 導波管形発振器 Granted JPS5973816U (ja)

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JP16878082U JPS5973816U (ja) 1982-11-08 1982-11-08 導波管形発振器

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Publications (2)

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JPS5973816U JPS5973816U (ja) 1984-05-19
JPH0349455Y2 true JPH0349455Y2 (ja) 1991-10-22

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5224859B2 (ja) * 1971-09-30 1977-07-04

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5224859U (ja) * 1975-08-13 1977-02-22
JPS52140777U (ja) * 1976-04-20 1977-10-25

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5224859B2 (ja) * 1971-09-30 1977-07-04

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Publication number Publication date
JPS5973816U (ja) 1984-05-19

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