JPH0349400Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は高耐圧半導体装置に適した絶縁物封止
形状を有する絶縁物封止半導体装置に関するもの
である。

第１図〜第４図は従来の樹脂モールド形パワー
トランジスタの１例を示すもので、第１図と第２
図はモールドされた樹脂体のない状態、第３図と
第４図はモールドされた樹脂体のある状態であ
る。第１図と第３図は平面図、第２図と第４図は
これらのＡ−Ａ線断面図である。

裏面をコレタク電極とするトランジスタチツプ
１が放熱板２の上に固着されており、放熱板２か
らコレクタリードとなる外部リード３が延びてい
る。外部リード３と並列配置された外部リード
４，５はそれぞれベースリードとエミツタリード
であり、トランジスタチツプ１の表面のベース電
極あるいはエミツタ電極との間はそれぞれ内部リ
ード線６，７で接続されている。トランジスタチ
ツプ１は樹脂体８でモールド（封止）されてお
り、外部リード３，４，５は樹脂体８から１平面
上に並列して導出されている。第１図と第２図の
破線は樹脂体８の外形を示している。外部リード
３，４，５は樹脂体８からの導出幅が幅広部３
ａ，４ａ，５ａとなつており、そこから先端側が
幅狭部３ｂ，４ｂ，５ｂとなつている。幅広部３
ａ，４ａ，５ａは、外部リードに外力が加わつて
もあるいは加えても樹脂体８からの導出部近傍で
外部リードが変形し難いように補強するためのも
のである。幅広部３ａ，４ａ，５ａは、それぞれ
の幅狭部３ｂ，４ｂ，５ｂを樹脂体８まで延長し
た部分の両側に張出した形状である。幅狭部３
ｂ，４ｂ，５ｂは、実質的に外部への接続端子と
して使われる部分であり、かなり幅を狭くしてリ
ード線として必要な柔軟性を持たせている。外部
リード４，５の放熱板２に隣接する部分は、内部
リード線６，７を接続するための端子部４ｃ，５
ｃとなつている。

ところで、トランジスタチツプ１に高耐圧のも
のを使用したとき、外部リード３，４の間および
外部リード３と５の間の樹脂体８の表面に沿つて
の最短距離、いわゆる外部リード間の沿面距離ｌ
が問題となる。すなわち、高圧が印加されると外
部リード間の樹脂体表面を電流通路とする耐圧不
良が起きやすいので、例えば耐圧400V以上の製
品では外部リード間の沿面距離ｌを２mm以上は取
りたいところである。

しかし、外部リードの幅広部の幅Ｗは、補強部
としての効果を持たせるために小さくするにも限
度がある。また、外部リードの間隔ｐは、半導体
装置の小形化の要求に応えるために樹脂体８の幅
をできるだけ小さく設計する必要のあることか
ら、大きくするにも限度がある。しかも、外部リ
ードの間隔ｐは、業界としての標準的な値があつ
て設計の自由度がない場合も多い。このため、特
に小形の樹脂モールド形パワートランジスタで
は、その耐圧からすると外部リード間の沿面距離
ｌが不足している場合があり、悪条件下の使用で
は樹脂体８の表面において耐圧不良を引き起こす
恐れがあつた。

本考案は上記従来の欠点を解消するためのもの
で、外部リード間の沿面距離を大きく取れる絶縁
物封止半導体装置を提供することを目的とする。

本考案は、以下で実施例について説明するよう
に、外部リードを導出する部分の絶縁物封止形状
および外部リードの幅広部の形状に特徴を有する
絶縁物封止半導体装置である。 第５図〜第８図
は、本考案の１実施例に係る樹脂モールド形パワ
ートランジスタを示すもので、第１図〜第４図の
従来構造にそれぞれ対応している。したがつて、
同一箇所には同一符号を付し、その説明を省略す
る。なお、断面は実質的に同一箇所であるので、
第１図〜第８図に共通する形でＡ−Ａ線断面と表
示した。

中央に位置する外部リード３については、幅広
部３ａが幅狭部３ｂを樹脂体８まで延長した部分
の両側に張出している。上側に位置する外部リー
ド４については、幅広部４ａは幅狭部４ｂを樹脂
体８まで延長した部分の上側（外部リード３に対
面する側とは反対側）にのみ張出しており、外部
リード４の下側面は樹脂体８から先端まで直線的
に延びている。下側に位置する外部リード５につ
いては、上下の違いがあるだけで、外部リード４
と同じである。

なお、外部リードの幅広部３ａ，４ａ，５ａに
は、第７図に対応する第９図の平面図で示すよう
に、製造段階で外部リード同志を連結していた部
分を切断した結果として残る連結部材残存部９が
見られる場合が多い。しかし、連結部材残存部９
は、樹脂体８から少し離れているので、外部リー
ド間の沿面距離ｌに関しては何らの影響を与えな
い。

外部リード３と４の間および外部リード３と５
の間には、樹脂体８の形状変更による段差部１
０，１１を設けている。段差部１０，１１は、樹
脂体８に凸部１２を設けることにより形成されて
おり、外部リード３を凸部１２の頂部から導出し
ている。外部リード４，５は，凸部１２の頂部に
対して相対的に凹部となる凸部１２の両側からそ
れぞれ導出している。

この実施例によれば、樹脂体８に凸部１２を形
成したことによる段差部１０，１１によつて、外
部リード間の沿面距離ｌが大きく取られている。
また、外部リード４，５の幅広部４ａ，５ａの形
状を直線状の外部リードと見なせる範囲で変更し
たことによつても、直線状の外部リードのもつ取
扱いの容易さを損なうことなく外部リード間の沿
面距離ｌが大きく取られている。１例として、外
部リードの間隔ｐが2.54mm、外部リードの幅広部
の幅Ｗが1.4mm、外部リードの幅狭部の幅が0.7
mm、段差部１０，１１の長さ（凸部１２の高さ）
を0.6mmとすると、外部リード間の沿面距離ｌは
2.09mm（外部リード４，５の形状の変更がないと
きは1.74mm）となる。同じ条件で従来構造であれ
ば、ｌは1.14mmである。

以上、実施例について説明したように、本考案
によれば外部リード間の沿面距離を大きくとれる
ため、高耐圧化の可能な絶縁物封止半導体装置を
提供することができる。

なお、本考案は上記実施例に限定されることな
く、その趣旨に基づいて種々の変形・応用が可能
である。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図は従来の絶縁物封止半導体装置
を示す。第５図〜第９図は本考案に係る絶縁物封
止半導体装置を示す。なお、第１図、第３図、第
５図および第７図は平面図で、第２図、第４図、
第６図および第８図はそれぞれのＡ−Ａ線断面図
である。第９図も平面図である。 １はパワートランジスタチツプ（半導体素子）、
２は放熱板、３，４，５は外部リード、３ａ，４
ａ，５ａは外部リードの幅広部、３ｂ，４ｂ，５
ｂは外部リードの幅狭部，４ｃ，５ｃは外部リー
ドの内側リード線用端子部、６，７は内部リード
線、８は樹脂体（絶縁物）、９は連結部材残存部、
１０，１１は樹脂体の段差部、１２は樹脂体の凸
部。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 半導体素子の裏面が放熱板の一方の主面に固着
   され、第１、第２および第３の外部リードが第１
   の外部リードを中心にして並列配置され、前記第
   １の外部リードの一端は前記放熱板に連結され、
   前記第２と第３の外部リードの一端はそれぞれリ
   ード線接続用端子部となつて前記放熱板に隣接
   し、前記第２と第３の外部リードの前記リード線
   接続用端子部と前記半導体素子の表面はそれぞれ
   内部リード線で接続され、少なくとも前記半導体
   素子と前記第１、第２および第３の外部リードの
   前記一端と前記内部リード線とが絶縁物によつて
   封止されている構造において、 前記第１、第２および第３の外部リードは前記
   絶縁物からの導出側が幅広部、前記幅広部から先
   端側が幅狭部となつており、前記第１の外部リー
   ドの幅広部は前記第１の外部リードの幅狭部を前
   記絶縁物まで延長した部分の両側に張出してお
   り、前記第２および第３の外部リードの幅広部は
   それぞれ前記第２および第３の外部リードの幅狭
   部を前記絶縁物まで延長した部分の前記第１の外
   部リードに対面する側と反対側にのみ張出してお
   り、前記第２および第３の外部リードの前記第１
   の外部リードに対面する側は前記絶縁物から前記
   先端側まで直線的に延びた形状とし、 かつ前記絶縁物に凸部を設けてこの凸の頂部か
   ら前記第１の外部リードを導出し、前記凸部の頂
   部に対して相対的に凹部となる底面から前記第２
   と第３の外部リードをそれぞれ導出していること
   を特徴とする半導体装置。