JPH0348704A - 位置検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は位置検出装置に関し、例えば半導体露光装置の
マスクあるいはレチクル等（以後マスクで総称する）の
第一物体上に形成されている微細電子回路パターンをウ
ェハ、感光基板等（以後クエへで総称する）の第２物体
面上に露光転写する際に両物体を位置合わせ（アライメ
ント）するのに好適な位置検出装置に関するものである
。

（従来の技術〕 従来より半導体製造用の露光装置においては、マスクと
ウェハの相対的な位置合わせは性能向上を図る為の重要
な一要素となっている。特に最近の露光装置における位
置合わせにおいては、半導体素子の高集積化の為に、例
えばサブミクロン以下の位置合わせ精度を有するものが
要求されている。

多くの位置合わせ装置においては、マスク及びウニ八面
上に位置合わせ用の所謂アライメントパターンを設け、
それらより得られる位置情報を利用して、双方のアライ
メントを行っている。

このときのアライメント方法としては、例えば双方のア
ライメントパターンのずれ量を画像処理を行うことによ
り検出したり、又は米国特許第４０３７９６９号公報や
特開昭５６−１５７０３３号公報で提案されているよう
にアライメントパターンとしてゾーンプレートを用い該
ゾーンプレートに光束を照射し、このときゾーンプレー
トから射出した光束の所定面上における集光点位置を検
出すること等により行っている。

一般にゾーンプレートを利用したアライメント方法は、
単なるアライメントパターンを用いた方法に比べてアラ
イメントパターンの欠損に影晋されずに比較的高精度の
アライメントが出来る特長がある。

フレネルゾーンプレート等の物理光学素子を用いたマス
クとクエへの相対位置検出方法としては他に米国特許第
４３１１３８９号公報に示すものがある。以下にこの方
法を説明する。

第７図は同方法を説明する為のマスクとウェハとの物理
光学素子の関係を示した説明図である。

ノ 同図において６８ｂはＸ方向にのみ集光作用を有する様
に、線状の不透明部と透明部が交互に形成されたマスク
６８上の線状フレネルゾーンプレート、６０ｂはウェハ
６０上に、Ｘ方向に並べて設けられた回折格子である。

線状フレネルゾーンプレート６８ｂは入射した光束をＸ
方向に集光し、ウェハ６０面上でＸ方向に長平方向を有
すスリット状に焦点を結ぶ、このスリット状焦点がウェ
ハ６０上の焦点に重なると回折光６９が発生し、この回
折光が不図示のディテクタにより検出される。不図示の
照明系によってフレネルゾーンプレート６８ｂ上を光走
査し、焦点が回折格子６０ｂと重なる時にディテクタが
検出する光強度変化により、回折格子６８ｂのフレネル
ゾーンプレート６８ｂに対する位置、即ちマスク６８と
ウェハ６０との相対位置関係を検出する。

第８図は本方法における物理光学素子と入射光出射光と
の関係を説明する為に素子を側面から見た説明図である
。ｋｓ状フレネルゾーンプレート６８ｂに斜方向から図
面下向ぎの矢印の様に入射する光束７０ａはゾーンプレ
ート６８ｂにより実線矢印の如くウェハ６０上に集光す
る。ｉＪ、光位置に回折格子６０ｂが配置されている場
合、集光光束は回折されて発散し、再びゾーンプレート
６８ｂに入射し、ゾーンプレート６８ｂによって、図で
斜線で示す様に、ディテクタの存在する方向りに偏向さ
れる。この斜線で示した出射光束７０ｂを不図示のディ
テクタで光強度検出して相対位置関係が実行される。

（発明が解決しようとしている問題点）しかしながら、
この様な従来例においては、第８図に示す様に、出射光
束は７０ｂの他に図に破線で示した様なマスクやウニ八
面上での正反射光束や、その他の回折光等が光束７０ｂ
とは異なる方向、具体的にはマスク面上への斜影成分が
（不図示の）光束を照射する手段のある方向と対向する
様な方向に出射する。この為、例えばより多くの位置情
報を得る為に、この様な光束照射手段及びディテクタを
複数設けた場合には、特にマスク面上への斜影成分が一
つの光束照射手段の光束照射方向と略対向する方向に存
在する他の光束照射手段からの光束用ディテクタに、対
向する光束照射手段のこれら正反射光束等の不要光が入
射し、ディテクタからの信号にノイズが含まれる事にな
リ、位置検出手段の位置検出情報の精度は悪化し半導体
露光装置の位置合わせ精度が悪化しプロセス上の問題と
なる。

本発明は前述従来例の欠点に鑑み、複数の位置検出情報
を得る為に複数の光束照射手段と受光手段とを設けた場
合にも常に高精度な位置検出を可能にする位置検出装置
を提供する事を目的とする。

〔問題点を解決する為の手段及び作用〕本願発明は、位
置検出すべき物体上に第一の光束を照射する第一照射手
段と、第一照射手段で照射された物体からの第一の光束
を受光することによって物体の位置を検出する第一検出
手段と、物体上に第二の光束を照射する第二照射手段と
、第二照射手段によって照射された物体からの第二光束
を受光することによって物体の位置を検出する第二検出
手段と、第一及び第二検出手段による物体の位置検出時
に第二照射手段による物体照射光束の物体による正反射
方向に第一検出手段が位置しないように第二照射手段あ
るいは第一検出手段の位置を制御する制御手段とを設け
る事により、受光すべき光束を照射する光源以外の光源
からの光を検出しに＜＜シ、高精度な位置検出を実現す
るものである。

〔実施例〕

第１図（Ａ）、（Ｂ）に本発明の第１実施例を含む半導
体露光装置の外観の、それぞれ部分斜視図、上面図を示
す０図中、１は照射手段及び検出手段であるピックアッ
プ、２はピックアップ１を保持する支持部材、３はピッ
クアップ１をマスクに形成されているマスクアライメン
トマーク及びウェハに形成されているウェハアライメン
トマーク上にアライメントを行う光束を３勤させるため
のステージである。４はステージ３を移動させピックア
ップの位置を移動する駆動部である。５はステー゛ジ３
を３勤させピックアップの位置を移動する駆動部４にピ
ックアップ１の位置を指定するピックアップ位置制御部
である。

１０４″よアライメントを行う光束、１ｏ５は例えばポ
リノミド等の材質のフィルムに金等で半導体パターン及
びアライメントマークが形成されているマスクであり、
１０５ａはマスクに形成されているマスクアライメント
マークである。１０５ｂは転写用パターン形成部である
。

尚、パターン形成部１０５ｂのＺ方向には、不図示の、
パターンをウェハ上に転写する為の線源、例えばＸ線源
、エキシマレーザ光源等が配置されている。

第１図（Ａ）（Ｂ）に示す様に、この半導体露光装置に
使用されるピックアップ１は、パターン形成部１０５ｂ
に対して、検出方向と光束照射方向が互いに９０′″異
なる様な位置に４つ配置されている。この４つの位置を
図の様にＰＬＩ−Ｕ。

ＰＵ−Ｒ，ＰＵ−Ｄ、ＰＵ−Ｌとする。４つのピックア
ップ１はすべて同一構成のものである。

第２図はピックアップ１とその周辺部の構成を示す説明
図である。ここではＰＵ−Ｕの位置のピックアップで代
表しつ説明する。

第２図において、１０１は発光素子である半導体レーザ
、１０２はコリメータレンズであり半導体レージ←１０
１から出力される光束を平行光にしている。

１０３はハーフミラ−であり、半導体レーザ１０１から
の光束をマスク、ウニへ方向へ反射させ、さらにマスク
、ウェハからの光束を透過させている。１ｏ６は半導体
パターン及びアライメントマークが形成されているシリ
コン等のウェハであり、１０６ａはウェハアライメント
マークでありウェハ１０６に形成されている。マスクア
ライメントマーク１０５ａ及び、ウェハアライメントマ
ーク１０６ａは、フレネルゾーンプレートで形成されて
いる。

１０７はマスク１０５に形成されているマスクアライメ
ントマーク１０５ａとウェハ１０６に形成されているウ
ェハアライメントマーク１０６ａにより回・折したアラ
イメント（マスクウェハずれ）情報を持つ光束である。

１０８は光電変換素子（ラインセンサとも記す）であり
例えばＣＯＤ等のラインセンサである。そしてマスクア
ライメントマーク１０５ａとウェハアライメントマーク
１０６ａにより回折したアライメント（マスクウェハず
れ）情報を持つ光束１０７を受光する。

１０９は半導体レーザ１０１を駆動するＬＤドライバ、
１１０はラインセンサ１０８を駆動するラインセンサド
ライバであり、１１１はラインセンサ１０８の出力であ
る位置情報を持つ光束１０７の位置を計算する信号処理
部である。

第２図において、マスク１０５のマスクアライメントマ
ーク１０５ａ（あるいはマスク）とウェハ１０６のウェ
ハアライメントマーク１０６ａ（あるいはウェハ）の相
対位置（マスクウェハずれ）は、各々のピックアップで
以下のように求めることができる。

半導体レーザ１０１を出射した光束１０４はコリメータ
レンズ１０２により平行光になり、ハーフミラ−１０３
でウニ八方向へ反射し、マスク１０５をｉｎ遇する。透
過した光束はウェハアライメントマーク１０６ａのレン
ズ作用で、マスクアライメントマーク１０５ａの方向へ
集光（あるいは発散）させる様に反射回折される。更に
入射したマスクアライメントマーク１０５ａのレンズ作
用でラインセンサ１０８の方向に発散（あるいは集光）
させる様に透過回折される。その後ハーフミラ−１０３
を透過した光束１０７はラインセンサ１０８上にスポッ
トを形成する。ラインセンサ１０８の素子配列方向はこ
こではＸ方向に一致する。今ここで装置に固定されてい
るマスク１０５に対し、ウェハ１０６がＸ方向に位置変
動を起こした場合マスクとクエへのアライメントマーク
１０５ｍ、１０６ａはレンズ系内でレンズ同士がいわゆ
る軸ずれを起こしたのと同じ状態になり、出射光束の出
射角が変動する。この為ラインセンナ１０８上のスポッ
トはマスクとクエへとのＸ方向相対ずれ量に応じた量だ
けラインセンサ１．０８の素子配列方向に移動する。マ
スクとウェハとの相対ずれ量がそれ程大きくない範囲で
はスボッ）・のＢ動量はマスクとウェハとの相対ずれ量
に比例する。マスクとウェハのアライメントマーク１０
５ａ、１０６ａは、ラインセンナ１０８上でのスポット
のＸ方向移動量がマスクとクエへとのＸ方内相対位置変
ｗＪ量の、１より大きな所定倍（例えば１００倍）にな
る様にＸ方向のレンズパワーを設定されている。従って
マスク設定時に、マスクとウェハとのＸ方向相対位置ず
れがない状態でのラインセンナ１０８上のスポットの重
心位置をためし焼で求め、これを基準位置として記憶し
ておき、マスクとウェハとの相対位置検出時にラインセ
ンサ１０８上に形成されたスポットの重心位置の基準位
置からのずれ量をラインセンサ１０８を用いて計測すれ
ば、このずれ量がマスクとクエへとのＸ方向相対位置ず
れ量の既知の所定倍になっているので、計算によりＸ方
向相対位置ずれ量を求める事ができる。ここでスポット
の重心位置とはラインセンナ１０８の受光面上において
、受光面内各点のＥの点からの位置ベクトルにその点の
光強度を乗算したものを受光面全面で積分した時に積分
値がＯベクトルになる点のことである。

次にピックアップ位置制御部５によるピックアップ位置
制御について説明する。

第３図はピックアップの位置と出射光束との関係を説明
する為の上面図である。図中８０１は照射光束１０４の
マスクあるいはウェハにおける正反射方向を示す、正反
射方向とはここではマスクあるいはクエへの法線とマス
クあるいはウェハ上での正反射光の光路とを含む面の中
に含まれる方向を言うものとする。この方向にはマスク
、ウェハ上での正反射光や大強度の不要回折光、大強度
散乱光が含まれる。ピックアップ位置制御手段はあらか
じめ位置検出すべきマスクとウェハのアライメントマー
クの位置が入力されており、位置検出時には、互いに各
ピックアップからの光束の正反射方向に位置しない様に
各ピックアップ（特にラインセンサ）の位置あるいは姿
勢を調整する。

本実施例の場合、各マスクアライメントマーク１０５ａ
′とウェハアライメントマーク１０６８の位置は第３図
に示すようにパターン形成部１０５ｂを中心として互い
にピックアップからの光束の正反射方向にならないよう
に配置されている。

この様な配置なので各ピックアップの姿勢は変化させず
、それぞれ横方向に移動させる様にステージを移動する
だけで図に示す様に、各ピックアップ（特にラインセン
サ）が互いの出射光束の反射位置に来ない様にする事が
できる。即ちＰＵ−ｕ、ＰＵ−Ｄ、ＰＵ−ＬＩ　ＰＵ−
Ｒ全てのピックアップにおいて、対向するピックアップ
（すなわちｐｕ−ｕとＰＵ−Ｄ、ＰＵ−ＬとＰＵ−Ｒ）
の発光素子の光束１０４のマスクやウェハによる強度が
特に強い不要回折光や散乱光等をラインセンサ１０８は
受光しにくい。

そのためラインセンサ１０８上のアライメント情報を持
つ光束１０７の形状は変化しにくい。

従ってアライメント情報を持つ光束１０７の位置例えば
重心位置は変化しにくく、高精度な検出が維持される。

上述した様に各アライメントマークの位置関係があらか
じめ調整されていれば、姿勢を変える必要なく、ピック
アップを横方向（図の各両矢印方向）に所定量６勅させ
るだけで互いの照射光束の反射方向に互いが位置しない
様に調整で縫る。制御手段にはこの所定量を入力してお
くだけでもよい。

この特番ピックアップ内のラインセンサにアライメント
マークからの信号光束が、入射する様に各アライメント
マークのパワー、偏向方向をあらかじめ調整しておく。

第４図に、各アライメントマークの他の位置関係の例を
示す、この場合も各ピックアップを横に移動させて前述
の位置調整可能である。

つぎに′！３２の実施例を説明する。

通常、本発明に使用する位置合わせ装置は、半導体露光
装置等のマスクに形成されている微細な電子回路パター
ンをクエへに露光転写する際にマスクとクエへとの位置
決め（アライメント）をおこなうために使用される。

集積回路等の半導体のプロセスは、例えばプロセス毎に
マスクに形成された電子回路パターンの位置合わせな行
い、電子回路パターンの露光を繰り返すことによフて、
シリコン等のウェハに半導体回路を形成する。

そのため通常、アライメントマークは、プロセス毎にマ
スクに形成された電子回路パターンに対応して特定の場
所に形成されている０例えば８ｆ！１１類のマスクを使
うプロセスでは半導体パターンに隣接して形成されるア
ライメントマークは、８個必要になる。

第２の実施例において、この点を鑑みアライメントマー
クの配置すなわちピックアップの配置について説明する
。

本実施例ではアライメントマークの数が８個の例につい
て説明する。

第５図は第２図の実施例で用いるアライメントマークの
配置を示す図である。

第２の実施例の構成は、第１の実施例と同一図面で説明
するので、各番号と各称の説明は省略する。

第５図に示すように、不図示のウェハアライメントマー
ク１０６ａとマスクアライメントマーク１０５ａは、ア
ライメントマーク内の番号で示す順番でプロセス毎に特
定の場所に形成される。

そして第１回目のプロセスの位置合わせにおいて、ピッ
クアップ位置制御部５は、各ピックアップ１　（ＰｔＪ
−Ｕ、　ＰＵ−Ｄ、　ＰＵ−Ｌ、　ＰＵ　−Ｒ）を１番
目のマスクアライメントマーク１０５ａに対応した位置
にステージ３を横穆勤して配置する。そして各ピックア
ップ１は、第１実施例と同様にアライメント情報を求め
る。

同様に第２回目以降のプロセスの位置合わせにおいても
、ピックアップ位置制御部５は、各ピックアップ１　（
ＰＬＩ−Ｕ、ＰＵ−Ｄ、ＰＵ−Ｌ。

ＰＵ−Ｒ）をプロセスに応じた番号のマスクアライメン
トマーク１０５ａに対応した位置にステージ３を移動し
配！する。そして各ピックアップ１は、１回目のプロセ
スと同様にアライメント情報を求める。

′Ｓ２の実施例において第１の実施例同様、対向するピ
ックアップ（ＰＵ−ＵとＰＵ−Ｄ、ＰＵ−Ｌとｐｕ−Ｆ
ｔ）の位置は互いにピックアップの発光素子の光束１０
４の正反射方向８０１にない配置である。そのため、Ｐ
Ｕ−Ｕ、ＰＵ−Ｄ、Ｐυ−Ｌ、ＰＵ−Ｒ全てのピックア
ップにおいて、対向するピックアップの発光素子の光束
１０４のマスクやウェハによる強度が特に強い不要回折
光や散乱光等をラインセンナ１０８は受光しにくい。

さらに、互いに隣接するピックアップ（例えばｐｕ−ｕ
に対してＰＵ−ＬとＰＵ−Ｒ）間の距離がプロセス毎で
常に等しく、そして第１の実施例で示した第４図の様に
互いに隣接するピックアップ間の距離が短くならないた
め、ＰＵ−υ、ＰＵ−Ｄ、ＰＵ−Ｌ、ＰＵ−Ｒ全てのピ
ックアップにおいて、互いに隣接するピックアップの発
光素子の光束１０４のマスクやウェハによる不要回折光
や散乱光等をラインセンサ１０８は受光しにくい。

そのためラインセンサ１０８上のアライメント情報を持
つ光束１０７の形状は第１の実施例に比較してさらに変
化しにくい、そしてアライメント情報を持つ光束１０７
の位置例えば重心位置は、さらに変化しにくい。

以上の実施例では第１物体（マスク）と第２物体（ウェ
ハ）との対向方向に垂直な方向に沿った位置ずれを検出
する装置について述べたが、第２物体の高さ検出あるい
は第１物体と第２物体との対向方向に沿った位置関係即
ち間隔を測定する装置についても本発明は適用できる。

以下その実施例を説明する。

第６図は本発明の第３実施例の位置ＰＵ−Ｕにおけるマ
スク、ウニへ部概略図である。第６図（ａ）、（ｂ）、
（Ｃ）はそれぞれマスク、ウニへ部の正面図、側面図、
上面図である。ピックアップ部の構成は第１図（Ａ）、
（Ｂ）及び第２図と同様である。

同図において１１０１は半導体レーザ１ｏ１ｈ）らの光
束である。半導体レーザーは例えばＨｅ−Ｎｅレーザー
等に換えてもよい。１１ｏ２は第１物体で例゛えばマス
ク、１１０３は第２物体で例えばクエへである。１１０
４．１１０５は各々マスク１１０２面上の一部に設けた
第１．第２物理光学素子で、これらの物理光学素子１１
０４゜１１０５は例えば回折格子やゾーンプレート等か
ら成っている。

ラインセンサ１０８は第１の実施例と同様素子配列方向
はＸ方向であり入射光束のスポットの重心位置を検出し
ている。信号処理部１１１はここでは受光手段１０８か
らの信号を用いて受光手段１０８面上に入射した光束の
スポットの重心位置を求め、後述するようにマスク１！
０２とウェハ１１０３との間隔を演算し求めている。

本実施例においては半導体レーザー１０１からの光束１
１０１（波長λ±８３０ｎｍ）をマスク１１０２面上の
第１フレネルゾーンプレート（以下ＦＺＰと略記する）
１１０４面上の点に斜めに入射させている。そして第１
のＦＺＰ１１０４からの角度θｌで回折する所定次数の
回折光をウェハ１１０３面上の点Ｂ　（Ｃ）で反射させ
ている。

このうち反射光１１３１はウェハ１１ｏ３がマスク１１
０２との間隔ｄｏの位置Ｐ１に位置しているときの反射
光、反射光１１３２はウェハ１１０３が位置Ｐ１から距
ｊＩＩＩｔｄｏだけ変位して、位置Ｐ２にあるときの反
射光である。

次いでウェハ１１０３からの反射光を第１物体１１０２
面上の第２のＦＺＰ１１０５面上の点Ｄ（クエへがＰ２
にある時はＥ）に入射させている。

尚、第２のＦＺＰ１１０５は集光レンズの様に入射光束
の入射位置に応じて出射回折光の射出角を変化させる光
学作用を有している。この時のＦＺＰ１１０５の焦点距
離をｆＭとする。

そして第２のＦＺＰ１１０５から回折した所定次数の回
折光１１６１（ウェハがＰ２にある時は１１６２）を受
光手段１１０８面上に導光している。

そして、このときの受光手段１１０８面上における入射
光束１１６１（クエへが２２にある時は１１６２）の重
心位置を用いてマスク１１ｏ２とウェハ１１０３との間
隔を演算し求めている。

ここで、本実施例においては、第１のＦＺＰ１１０４は
単に入射光を折り曲げる作用をしているが、この他収束
、又は発散作用を持たせるようにしても良い。

演算の方法を以下・に述べる。ＦＺＰ１１０５の焦点位
置から受光手段までの距離をｆＬｓ、ウェハがＰｌから
Ｐ２までギャップ変化した時の受光手段１０８上での光
束のし動量なＳとすると以下の式が成り立つ。

３ Ｓ＝ＤＥ・□ １１ ここで ＡＤ＝２ｄＯｔａｎ　θ　Ｉ ＡＥ＝２　（ｄｏ　＋ｄａ　）ｔａｎθ１−’、ｄＭｗ
ＤＥ＝ｘＡＥ−ＡＤｓｓ２ｄｇ　ｔａｎθ１従って、 Ｓ　−（２・−Ｌ！−ｔ　ａ　ｎθ＋）・ｄａｆ＆ｌ となるｅｌｌ＋ｆＭ＋　θ、は前もって求めておく事が
可能である。よって受光手段で光束の移動量Ｓを求めれ
ば、この式よりｄ、が求まり、これによりマスクとウェ
ハの間隔が検出される。この時１、の値を大きくとる事
でｄ、の値に対するＳの値を大きくし、微細なギャップ
変化量を拡大した光束移動量に変換して検出する事がで
きる。

マスク１１０２とウェハ１１０３は最初に図に示す様に
基準となる間隔ｄ０を隔てて対向配置されている。この
時のｄｏの値は例えばＴＭ−２３ＯＮ（商品名：キヤノ
ン株式会社製）等の装置を用いて測定可能である。

以上の様な構成において、ピックアップ位置制御部５は
第１実施例同様、間隔測定時に互いに各ピックアップか
らの光束の反射方向に位置しない様に各ピックアップ（
特にラインセンサ）の位＃１（あるいは姿勢）を調整す
る０例えばＦＺＰ１１０４が第３図の様に配置されれば
各ピックアップを第３図の様に移動させ、第４図の様に
配置されれば第４図の様に移動させる。第２実施例同様
各プロセス毎に第５図に示す様に移動させても良い。

上述実施例では、光電変換素子としてＣＣＤラインセン
サの実施例を示したがＣＣＤラインセンサに限るもので
は無い０例えば光電変換素子としてＣＣＤエリアセンサ
であっても構わない。

さらに上述実施例では４個のピックアップの例を示した
が、ピックアップの数は４個に限るものでなく複数個で
あればどんな数であっても４Δねない０例えば互いに同
包が６０’異なるように６つ配置されたピックアップで
あっても横わない。

（発明の効果） 以上述べた様に本発明によれば複数個の照射手段と検出
手段によりて物体の位置検出を行う際にも互いの照射光
束の悪影響を受けにくい高精度な位置検出が可能になる
。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）（Ｂ）は本発明の第１実施例の位置検出装
置の要部斜視図及び上面図、 第２図は同装置のピックアップ周辺部説明図、第３図、
第４図はピックアップと照射光束との関係説明図、 第５図は本発明の第２実施例の位置検出装置における各
プロセスピックアップ配置説明図、第６図は本発明の′
！Ｊ３実施例の間隔測定装置の原理説明図、 第７図、第８図は従来例の説明図、である。 図中、 　０１ ０５ａ １０６　ａ 　０８ １１ である。 ：ピックアップ ：ステージ ：駆動部 ：ビックアップ位置制御部 ：光源 ：マスクアライメントマーク ：ウェハアライメントマーク ：ラインセンサ ：信号処理部 ／１０４ ７１０５

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）位置検出すべき物体上に第一の光束を照射する第
   一照射手段と、前記第一照射手段で照射された物体から
   の第一の光束を受光することによって前記物体の位置を
   検出する第一検出手段と、物体上に第二の光束を照射す
   る第二照射手段と、前記第二照射手段によって照射され
   た物体からの第二光束を受光することによって前記物体
   の位置を検出する第二検出手段と、第一及び第二検出手
   段による物体の位置検出時に前記第二照射手段による物
   体照射光束の物体による正反射方向に第一検出手段が位
   置しないように第二照射手段あるいは第一検出手段の位
   置を制御する制御手段とを有することを特徴とする位置
   検出装置。
2. （２）相対位置検出すべき第一および第二物体上に第一
   の光束を照射する第一照射手段と、前記第一照射手段で
   照射された第一または第二物体からの第一の光束を受光
   することによって前記第一および第二物体の相対位置を
   検出する第一検出手段と、第一および第二物体上に第二
   の光束を照射する第二照射手段と、前記第二照射手段に
   よって照射された第一または第二物体からの第二光束を
   受光することによって前記第一および第二物体の相対位
   置を検出する第二検出手段と、第一及び第二検出手段に
   よる第一および第二物体の相対位置検出時に前記第二照
   射手段による物体照射光束の第一または第二物体による
   正反射方向に第一検出手段が位置しないように第二照射
   手段あるいは第一検出手段の位置を制御する制御手段と
   を有することを特徴とする位置検出装置。