JPH0348581B2 - - Google Patents

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JPH0348581B2
JPH0348581B2 JP60216928A JP21692885A JPH0348581B2 JP H0348581 B2 JPH0348581 B2 JP H0348581B2 JP 60216928 A JP60216928 A JP 60216928A JP 21692885 A JP21692885 A JP 21692885A JP H0348581 B2 JPH0348581 B2 JP H0348581B2
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JP
Japan
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pattern
substrate
mask
resist
thin film
Prior art date
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JP60216928A
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Japanese (ja)
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JPS6276039A (en
Inventor
Yasushi Myazono
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Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
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Publication date
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  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光学的に情報の記録、再生、また消
去を行なう再生専用、追加記録用または書き換え
可能な光情報記録媒体の製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a reproduction-only, additional recording, or rewritable optical information recording medium that optically records, reproduces, and erases information.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、光情報記録媒体(以下、「媒体」とい
う。)を有する光メモリ装置は高密度で大容量の
メモリ装置として注目されている。この光情報記
録媒体が高密度及び大容量となる理由は、情報の
記録単位であるビツトが、光の波長及び記録層へ
光を集光させるレンズの開口数によつて決まり、
その大きさを1μm程度にすることができるからで
ある。なお、再生もこのビツトの有無を光学的に
読み出すことによりなされる。しかし、情報の記
録、再生を正確にするためには、電子制御システ
ムを有する精密な機械機構を必要とし、そのた
め、光メモリ装置を大型にせざるを得ないことか
ら、その対策として、第4図に示すような構造が
とられるようになつた。同図において、媒体用基
板1はガラスからなり、中央に円柱状の貫通孔1
aを有する円板状で、主表面2に記録層が形成さ
れるが、この主表面2は、エツチングにより形成
された情報の記録再生を行う光のトラツキングを
容易にする同心状の案内溝3(以下、「プレグル
ープ」という)や、トラツク番号、セクターおよ
びセクター番号等を示すための小陥部4(以下、
「プレピツト」という)を有している。なお、プ
レグループまたはプレピツトの総称として、以
下、ガイド部という。
2. Description of the Related Art In recent years, optical memory devices having optical information recording media (hereinafter referred to as "medium") have attracted attention as high-density, large-capacity memory devices. The reason why this optical information recording medium has high density and large capacity is that the bit, which is the unit of recording information, is determined by the wavelength of light and the numerical aperture of the lens that focuses the light on the recording layer.
This is because the size can be reduced to about 1 μm. Note that reproduction is also performed by optically reading out the presence or absence of this bit. However, in order to accurately record and reproduce information, a precise mechanical mechanism with an electronic control system is required, which necessitates making the optical memory device larger. The structure shown is now adopted. In the figure, a medium substrate 1 is made of glass, and has a cylindrical through hole 1 in the center.
The recording layer is formed on the main surface 2 of the disk-shaped disk having a diameter of 1.a, and the main surface 2 has concentric guide grooves 3 formed by etching to facilitate the tracking of light for recording and reproducing information. (hereinafter referred to as "pregroup"), a small recess 4 (hereinafter referred to as
``Prepit''). The pre-group or pre-pit will hereinafter be collectively referred to as a guide section.

このようなガイド部を有する媒体用基板を製造
する場合、従来は、ガラス基板の主表面上に被着
したパターン形成用薄膜にホトリソグラフイおよ
びエツチングを施し、ガイド部を形成するための
パターンを有する円板状または角板状のマスクを
形成し、次に、媒体用基板となる円板状のガラス
基板の主表面上に塗布したレジスト膜を上記マス
クを介して露光後現像することによりレジスト膜
に上記パターンを転写し、最後にこのパターン化
したレジスト膜をマサクとしてガラス基板の表面
をエツチングすることにより行なつていた。
Conventionally, when manufacturing a media substrate having such a guide portion, a pattern for forming the guide portion is formed by photolithography and etching on a pattern-forming thin film deposited on the main surface of the glass substrate. A resist film is coated on the main surface of a disc-shaped glass substrate that will serve as a media substrate, and is then exposed to light through the mask and then developed. This was done by transferring the above pattern onto a film and finally etching the surface of the glass substrate using this patterned resist film as a mask.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかし、ガイド部の種類もしくはその位置およ
び形状は常に一定のものではなく、それらのパタ
ーンがわずかでま変わるたびに新たにマスクを製
造し、そのパターンを転写して媒体用基板を形成
しなければならなかつた。
However, the type, position, and shape of the guide portions are not always constant, and each time the pattern slightly changes, a new mask must be manufactured and the pattern transferred to form the media substrate. It didn't happen.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

このような問題点を解決するために、本発明
は、まず、複数種の媒体用基板に共通なパターン
のみをフオトリソグラフイ法により所定位置に形
成した第1のマスクを作り、次に、その共通パタ
ーンをフオトリソグラフイ法により転写すると共
に、共通パターンとは異なる位置に固有パターン
をフオトリソグラフイ法により形成した第2のマ
スクを作り、これを用いて媒体用基板を形成する
ようにしたものである。
In order to solve these problems, the present invention first creates a first mask in which only a pattern common to multiple types of media substrates is formed at a predetermined position by photolithography, and then A second mask is created in which a common pattern is transferred by photolithography, and a unique pattern is formed by photolithography at a position different from the common pattern, and this is used to form a media substrate. It is.

〔作用〕[Effect]

共通パターンを有する複数種の媒体用基板を製
造する場合、第1のマスクは各種基板において共
用され、第2のマスクの形成段階からのみ個別に
実行される。
When manufacturing a plurality of types of media substrates having a common pattern, the first mask is shared by the various substrates and is individually executed only from the stage of forming the second mask.

〔実施例〕〔Example〕

次に第1図および第2図を用いて本発明の一実
施例を説明する。なお、第1図は媒体用基板の製
造工程を示す工程断面図、第2図は完成時の平面
図である。
Next, one embodiment of the present invention will be described using FIGS. 1 and 2. Note that FIG. 1 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the medium substrate, and FIG. 2 is a plan view of the completed medium substrate.

はじめに外径130mm、内径6mm、厚さ2.3mmの石
英ガラスからなる第1透光性基板11を用意し、
主表面に精密研摩を施した後、スパツタ法により
約700Åのクロム(Cr)からなる第1パターン形
成用薄膜12を被着させ、さらにその上にポジ形
の電子線レジスト13を塗布した。電子線レジス
ト13としてはチツソ社製のPBSを用いた。次
に、電子線14による直接描画により、レジスト
13に共通ガイド部(本実施例ではプレグルー
プ)のパターンの露光を行なう(第1図a)。
First, a first transparent substrate 11 made of quartz glass with an outer diameter of 130 mm, an inner diameter of 6 mm, and a thickness of 2.3 mm is prepared.
After precision polishing the main surface, a first pattern-forming thin film 12 made of chromium (Cr) with a thickness of about 700 Å was deposited by sputtering, and a positive electron beam resist 13 was further applied thereon. As the electron beam resist 13, PBS manufactured by Chitsuso was used. Next, a pattern of a common guide portion (pregroup in this embodiment) is exposed on the resist 13 by direct writing with an electron beam 14 (FIG. 1a).

次に、露光したレジスト13を5−メチル2へ
キサノンと2ペンタンとの混合液に水を加えた現
像液で現像し、レジストパターンを形成する。次
いでこのレジストパターンをマスクとし、硝酸第
2セリウムアンモンと過塩素酸との混合液を用い
て第1パターン形成用薄膜12をエツチングす
る。その後、レジスト13を硫酸で除去すること
により、共通ガイド部を形成するための共通パタ
ーン15を有する第1のマスク16を形成する
(第1図b)。なお、図では省略して示してある
が、共通パターンは半径40mmから60mmの範囲内に
幅1.0μmの溝が2.0μmピツチで同心状に形成され
たものとする。
Next, the exposed resist 13 is developed with a developer prepared by adding water to a mixture of 5-methyl 2-hexanone and 2-pentane to form a resist pattern. Next, using this resist pattern as a mask, the first pattern forming thin film 12 is etched using a mixed solution of ceric ammonium nitrate and perchloric acid. Thereafter, by removing the resist 13 with sulfuric acid, a first mask 16 having a common pattern 15 for forming a common guide portion is formed (FIG. 1b). Although not shown in the figure, the common pattern is assumed to be concentric grooves with a width of 1.0 μm formed at a pitch of 2.0 μm within a radius of 40 mm to 60 mm.

前述した第1透光性基板11と同様の石英ガラ
ス基板からなる第2透光性基板17の主表面を精
密研摩し、クロムからなる第2パターン形成用薄
膜18(膜厚700Å)を被着させ、さらにその上
にポジ形のホトレジスト(本実施例ではヘキスト
社製のAZ−1350)19を被覆した。レジスト1
9は膜厚は1000Åとした。次に、第1のマスク1
6をマスクとし、紫外線20を全面に照射してレ
ジスト19を露光した(第1図c)。
The main surface of a second light-transmitting substrate 17 made of a quartz glass substrate similar to the first light-transmitting substrate 11 described above is precisely polished, and a second pattern-forming thin film 18 (thickness: 700 Å) made of chromium is deposited. Further, a positive photoresist (AZ-1350 manufactured by Hoechst Co., Ltd. in this example) 19 was coated thereon. resist 1
No. 9 had a film thickness of 1000 Å. Next, the first mask 1
6 as a mask, the entire surface was irradiated with ultraviolet rays 20 to expose the resist 19 (FIG. 1c).

次に、ヘキスト社製のAZデベロツパーにより
現像を行ない、エツチングを行なつて第2パター
ン形成用薄膜18に共通パターン15と同様の共
通パターン21を形成した(第1図d)。
Next, development was performed using AZ Developer manufactured by Hoechst, and etching was performed to form a common pattern 21 similar to the common pattern 15 on the second pattern forming thin film 18 (FIG. 1d).

次に共通パターン21が形成された主表面状に
さらに前述したレジスト13と同様の電子線レジ
スト22を全面に塗布し、電子線23による直接
描画によりレジスト22に共通パターン21とは
異なつた位置に形成される共通ガイド部以外の固
有のガイド部のパターンの露光を行なう(第1図
e)。
Next, an electron beam resist 22 similar to the resist 13 described above is applied to the entire main surface on which the common pattern 21 is formed, and by direct drawing with the electron beam 23, the resist 22 is formed at a position different from that of the common pattern 21. A pattern of unique guide portions other than the common guide portion to be formed is exposed (FIG. 1e).

次いで前述したレジスト13と同様にレジスト
22の現像および第2パターン形成用薄膜18の
エツチングを行ない(第1図f)、前述したと同
様の方法でレジスト22を除去することにより、
共通パターン21に固有パターン24を付加した
第2のマスク25が形成される(第1図g)。な
お、固有パターン24は、半径35mmから40mmの範
囲内に幅1μmの溝が2μmピツチで同心円状に形
成されたものとする。
Next, the resist 22 is developed and the second pattern forming thin film 18 is etched in the same manner as the resist 13 described above (FIG. 1f), and the resist 22 is removed in the same manner as described above.
A second mask 25 is formed in which a unique pattern 24 is added to the common pattern 21 (FIG. 1g). It is assumed that the unique pattern 24 has grooves each having a width of 1 μm formed concentrically at a pitch of 2 μm within a radius of 35 mm to 40 mm.

次に、外径130mm、内径15mm、厚さ1.2mm、偏心
量10μm以下の円板状に加工されたソーダライム
ガラスからなる第3の透光性基板26を用意し
た。そして精密研摩を行ない低温形イオン交換処
理を施したこの基板26の一方の主表面に、ガイ
ド部形成用に酸化シリコン(SiO2)からなるパ
ターン形成用薄膜27を蒸着法により1500Åの膜
厚に被着した。その上にヘキサメチルジシラザン
からなる中間層28を介し前述したレジスト19
と同様のホトレジスト29を被覆した。中間層2
8は、パターン形成用薄膜27とレジスト29と
の付着力を高めるためのものである。レジスト2
9の膜厚は1000Åとした。次に、第2のマスク2
5をマスクとし、紫外線30による密着露光によ
つてレジスト29を露光した(第1図h)。
Next, a third transparent substrate 26 made of soda lime glass was prepared, which was processed into a disk shape with an outer diameter of 130 mm, an inner diameter of 15 mm, a thickness of 1.2 mm, and an eccentricity of 10 μm or less. Then, on one main surface of this substrate 26, which has been precision polished and subjected to low-temperature ion exchange treatment, a pattern forming thin film 27 made of silicon oxide (SiO 2 ) for forming guide portions is deposited to a thickness of 1500 Å by vapor deposition. It was covered. The above-mentioned resist 19 is applied thereon through an intermediate layer 28 made of hexamethyldisilazane.
A photoresist 29 similar to that described above was coated. middle layer 2
8 is for increasing the adhesion between the pattern forming thin film 27 and the resist 29. resist 2
The film thickness of No. 9 was 1000 Å. Next, the second mask 2
5 as a mask, the resist 29 was exposed by contact exposure with ultraviolet rays 30 (FIG. 1h).

露光したレジスト29を前述したレジスト19
と同様に現像し、さらにそのレジストをマスクと
してパターン形成用薄膜27にドライエツチング
を施した。エツチングに先立ち、レジスト29の
ポストベークを100℃で30分間行なつた。エツチ
ングガスはCF4を用い、流量30sccM、全圧
0.2Torr、高周波電力密度0.2W/cm2の条件で行な
つた。エツチング後、残留するレジストを酸素ガ
スを用いた灰化処理により取除き、共通ガイド部
31および固有ガイド32を有する媒体用基板3
3を形成した(第1図iおよび第2図)。
The exposed resist 29 is the resist 19 described above.
The resist was developed in the same manner as above, and the pattern forming thin film 27 was dry etched using the resist as a mask. Prior to etching, resist 29 was post-baked at 100°C for 30 minutes. Etching gas uses CF 4 , flow rate 30sccM, total pressure
The experiment was conducted under the conditions of 0.2 Torr and high frequency power density of 0.2 W/cm 2 . After etching, the remaining resist is removed by ashing using oxygen gas, and the medium substrate 3 having the common guide portion 31 and the unique guide 32 is removed.
3 (Fig. 1i and Fig. 2).

媒体用基板33の作成方法は以上説明した通り
であるが、共通ガイド部31を有する他の媒体用
基板を作成する場合には、上述した第1のマスク
16が共用できるため、その場合には第1のマス
ク16の作成工程は改めて行なう必要がなく、そ
の共通パターン15を第2のパターン形成用薄膜
18に転写するための第1図cの工程から初めれ
ばよく、媒体用基板の作成時間は30分程度短縮で
きる。
The method for creating the medium substrate 33 is as described above, but when creating another medium substrate having the common guide portion 31, the first mask 16 described above can be shared. There is no need to perform the step of creating the first mask 16 anew, and it is sufficient to start from the step of FIG. 1c for transferring the common pattern 15 to the second pattern-forming thin film 18. The time can be reduced by about 30 minutes.

次に、このようなガイド部を設けた媒体用基板
を2枚用意し、それぞれのガイド部上に追加記録
が可能な材料としてテルル(Te)からなる記録
層を300Åの厚さに被覆した後この記録層を対向
させ、基板の外周および貫通孔近傍にそれぞれス
ペーサをおいて固定し、内部に空隙を有したサン
ドイツチ状の媒体を作成した。
Next, two media substrates provided with such guide parts were prepared, and a recording layer made of tellurium (Te) was coated to a thickness of 300 Å on each guide part to allow additional recording. These recording layers were placed facing each other and fixed by placing spacers on the outer periphery of the substrate and near the through hole, respectively, to create a sandwich-like medium having voids inside.

なお、上述した媒体用基板の製造工程ではレジ
ストはすべてポジ形のものを用いたが、ネガ形を
用いてもよく、両者を併用してもよい。例えば、
第1図eの工程においてレジスト22の代りにネ
ガ形のレジスト(例えばミードケミカル社製の
COP)を用い、固有パターン形成領域の溝とな
らない部位にのみ電子線を照射する。
In addition, in the manufacturing process of the medium substrate described above, positive resists were used in all cases, but negative resists may be used, or both resists may be used in combination. for example,
In the step shown in FIG. 1e, a negative resist (for example, manufactured by Mead Chemical Co.
COP), the electron beam is irradiated only on the parts of the unique pattern formation area that will not become grooves.

また、前述した第1図aおよびeの工程では電
子線レジストを用いて直接描画したが、ホトレジ
ストを塗布し、所望するマスクを介して露光して
もよい。
Further, in the steps shown in FIGS. 1a and 1e described above, direct drawing was performed using an electron beam resist, but a photoresist may be applied and exposed through a desired mask.

また、上述した実施例では最終的にパターン形
成用薄膜27のない溝の部分をガイド部とするた
めにすべてポジ形のレジストを用いたが、例えば
第1図hの工程においてレジスト29の代りにネ
ガ形のレジストを用い、共通パターン21および
固有パターン24の第2パターン形成用薄膜18
が存在する部分に対応した部分のパターン形成用
薄膜27をエツチングにより除去し、そこをガイ
ド部としてもよい。
In addition, in the above-mentioned embodiments, all positive resists were used in order to finally use the groove portions without the pattern forming thin film 27 as guide parts, but for example, in the step of FIG. Using a negative resist, a thin film 18 for forming the second pattern of the common pattern 21 and the unique pattern 24 is formed.
A portion of the pattern forming thin film 27 corresponding to the portion where the pattern forming film 27 is present may be removed by etching, and this portion may be used as a guide portion.

さらに、パターン形成用薄膜27が存在する部
分(凸部)をガイド部としてもよい。
Furthermore, the portion (convex portion) where the pattern forming thin film 27 is present may be used as the guide portion.

以上ガイド部としてプタグループを設けた例に
ついて説明したが、プレピツトまたそれらの双方
を設けた場合も同様である。また、その場合共通
ガイド部はプレグループのみでも、逆にプレピツ
トのみでも、その双方でもよい。
Although the example in which the pit group is provided as the guide section has been described above, the same applies to the case where the prepit group or both of them are provided. Further, in that case, the common guide portion may be only the pre-group, conversely, only the pre-pit, or both.

なお、上述した実施例において、透光性基板2
6としてイオン交換処理を施して強化したガラス
板を用いているため、毎分2万回の回転をさせて
も破壊されることがない。また表面硬度が同処理
を行なわないものに比較して50〜100Kg/mm2向上
することにより、表面に傷がつきにくくなる。さ
らにNaイオンの析出による劣化を防止でき、光
の透過率の低下を防ぐことができる。一例として
温度60℃、相対湿度90%RHで測定した基板の光
透過率の経時変化を第3図に示す。図中イが上記
実施例による場合、ロがイオン交換処理を施さな
かつた場合で、イオン交換処理により特性が大幅
に改善されていることがわかる。
In addition, in the embodiment described above, the light-transmitting substrate 2
6 uses a glass plate strengthened by ion exchange treatment, so it will not break even if rotated 20,000 times per minute. In addition, the surface hardness is improved by 50 to 100 kg/mm 2 compared to those without the same treatment, making the surface less likely to be scratched. Furthermore, deterioration due to precipitation of Na ions can be prevented, and a decrease in light transmittance can be prevented. As an example, Fig. 3 shows the change over time in the light transmittance of the substrate measured at a temperature of 60°C and a relative humidity of 90% RH. In the figure, A indicates the case according to the above example, and B indicates the case where ion exchange treatment was not performed, and it can be seen that the characteristics were significantly improved by the ion exchange treatment.

なお、上記実施例では低温形イオン交換法を用
いたが、高温形イオン交換法や風冷強化法によつ
ても、少なくとも前述した破壊防止や傷の防止に
ついては同様の効果が得られる。また、ソーダー
ライムガラスに限らず、他のガラス、例えばボロ
シリケート系ガラスやアルミノシリケート系ガラ
スを用いた場合でも同様の効果が得られる。
Note that although a low temperature ion exchange method was used in the above embodiments, the same effects can be obtained, at least in terms of preventing destruction and scratches as described above, by using a high temperature ion exchange method or an air-cooling strengthening method. Further, the same effect can be obtained not only when using soda lime glass but also when using other glasses such as borosilicate glass or aluminosilicate glass.

共通ガイド部31および固有ガイド部32は透
光性基板26の表面に被着したパターン形成用薄
膜27に形成したが、必ずしもそうする必要はな
く、これらパターン形成用薄膜27および透光性
基板26の両者にわたつて形成してもよい。さら
には、直接透光性基板に形成するようにしてもよ
いが、組成変動によるエツチングむら、傷、泡の
存在等を考慮すると、このようなガイド部形成
層、つまりパターン形成用層として、透光性基板
自体の表層部を用いるよりは、上記実施例のよう
に専用の薄膜を別に設ける方が望ましい。
Although the common guide portion 31 and the unique guide portion 32 are formed on the pattern forming thin film 27 adhered to the surface of the transparent substrate 26, it is not necessary to do so. It may be formed over both. Furthermore, although it may be formed directly on a light-transmitting substrate, considering the presence of uneven etching, scratches, bubbles, etc. due to compositional variations, it is necessary to use a transparent guide layer as a pattern-forming layer. Rather than using the surface layer of the photosensitive substrate itself, it is preferable to separately provide a dedicated thin film as in the above embodiment.

なお、パターン形成用薄膜27の形成に先立ち
透光性基板26の表面を酸化アルミニウム等で被
覆しその上にパターン形成用薄膜27を形成する
ようにしてその付着力を高めてもよい。
Note that, prior to forming the pattern-forming thin film 27, the surface of the transparent substrate 26 may be coated with aluminum oxide or the like, and the pattern-forming thin film 27 may be formed thereon to increase its adhesion.

また、このようなパターン形成用薄膜27はシ
リコン酸化膜に限定されるものではなく、例えば
周期律表の族、族、族の元素またはその化
合物、さらにそれらの酸化物や窒化膜、あるいは
カルコゲン元素もしくはその化合物またはそれら
の酸化物や窒化膜等の透光性の材質を適宜選択す
ればよい。このパターン形成用層は、エツチング
によつて凹凸が形成できればよく、必ずしも化学
量論的組成でなくてもかまわない。
Further, such a pattern forming thin film 27 is not limited to a silicon oxide film, but may be, for example, an element of a group, a group, or a group of the periodic table, or a compound thereof, an oxide or nitride film thereof, or a chalcogen element. Alternatively, a light-transmitting material such as a compound thereof or an oxide or nitride film thereof may be appropriately selected. This pattern-forming layer does not necessarily have to have a stoichiometric composition as long as it can be formed with unevenness by etching.

また、材質との関係で、パターン形成用層のエ
ツチング方法は任意であり、乾式に限らず湿式で
あつてもよい。
Further, depending on the material, the etching method for the pattern forming layer is arbitrary, and the etching method is not limited to the dry method, but may be a wet method.

さらに、透光性基板26の一主表面にのみパタ
ーンを形成したが、両主表面に形成してもよい。
Further, although the pattern is formed only on one main surface of the transparent substrate 26, it may be formed on both main surfaces.

前記実施例において、追記形の記録層の材質と
してTeを示したがSeなどのTe以外のカルコゲン
元素、GeTeなどのカルコゲン化合物、TeOxな
どのカルコゲン酸化物、周期律表の族、族、
族の元素およびその化合物ならびにその酸化
物、窒化物、さらには光吸収剤を添加した有機物
等であつてもよく、その材質は特に限定されな
い。追加形以外の、例えば書換形の記録層の材質
としては、上記のもの以外にさらにMnBiなどの
遷移金属と周期律表の族の元素を主成分とする
合金、GdFeCoなどの遷移金属と希土類元素を主
成分とする合金等を用いることもできる。さら
に、再生専用の場合には、Au、Ag、Pt、Al、
Cu等の、用いる光に対して高い反射率を有する
ものを用いることも可能である。
In the above embodiments, Te is shown as the material of the write-once recording layer, but chalcogen elements other than Te such as Se, chalcogen compounds such as GeTe, chalcogen oxides such as TeOx, groups of the periodic table,
The material may be a group element, a compound thereof, an oxide or nitride thereof, or an organic substance to which a light absorber is added, and the material thereof is not particularly limited. Materials for the recording layer other than the additive type, for example, the rewritable type, include, in addition to the above, alloys whose main components are transition metals such as MnBi and elements of the periodic table group, transition metals such as GdFeCo, and rare earth elements. It is also possible to use an alloy containing as a main component. Furthermore, in the case of reproduction only, Au, Ag, Pt, Al,
It is also possible to use a material that has a high reflectance to the light used, such as Cu.

また、前記実施例ではエアーサンドイツチ形の
媒体を示したが、この他にエアーインシデント
形、密着サンドイツチ形等の構造であつてもよ
く、また記録層を被着した基板を2枚貼り合せる
代りに、記録層を被着した基板は1枚とし、これ
に記録層を設けない単なる透光性基板を保護用と
して貼り合せてもよい。また、必ずしも貼り合せ
構造とする必要もなく、その場合に記録層側から
光を照射するものとすれば、基板は必ずしも透光
性である必要はない。
In addition, although the above embodiment shows an air sandwich type medium, other structures such as an air incident type or a close contact sandwich type may also be used.Also, two substrates each having a recording layer attached thereto are bonded together. Alternatively, a single substrate may be provided with a recording layer, and a simple light-transmitting substrate without a recording layer may be bonded to this for protection. Further, it is not necessarily necessary to have a bonded structure, and in that case, if light is irradiated from the recording layer side, the substrate does not necessarily have to be translucent.

なお、透光性基板11,17または26として
石英ガラスまたはソーダライムガラスを用いた例
について説明したが、その他アルミノシリケート
ガラス、ポロシリケートガラスなどであつてもよ
く、さらにはポリメチルメタアクリレート
(PMMA)等のプラスチツクやセラミツクなどで
あつてもよい。また、上述したように光情報記録
媒体が記録層を設けた1枚の基板からなり、かつ
記録層の上方から情報の記録もしくは読出しを行
なうものであるときは、媒体用基板としては例え
ばAl合金などの金属を用いてもよい。
Note that although an example in which quartz glass or soda lime glass is used as the transparent substrate 11, 17, or 26 has been described, other materials such as aluminosilicate glass, porosilicate glass, etc. may be used, and polymethyl methacrylate (PMMA ) or other plastics or ceramics. In addition, as mentioned above, when the optical information recording medium consists of one substrate provided with a recording layer and information is recorded or read from above the recording layer, the medium substrate may be made of, for example, an Al alloy. Metals such as may also be used.

また、第1および第2のパターン形成用薄膜1
2および18としてクロムを用いたが、クロム以
外に周期律表の、、族元素、カルコゲン元
素、さらにはそれらの化合物、その酸化膜もしく
は窒化膜などであつてもよい。
In addition, the first and second pattern forming thin films 1
Although chromium is used as 2 and 18, in addition to chromium, elements of group 2 of the periodic table, chalcogen elements, compounds thereof, oxide films or nitride films thereof, etc. may be used.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明によれば、共通パ
ターンを有する第1のマスクを予め用意してお
き、必要に応じてその共通パターンを転写し、固
有パターンのみを新たに付加することで第2のマ
スクを形成することにより、第2マスクの作成時
間の短縮をはかることができ、高品質なガイド部
付き媒体用基板が安価に得られる。また、各パタ
ーンはフオトリソグラフイ法により形成している
ので、作業性および生産性よく共通パターンと固
有パターンを異なつた位置に形成できる。
As explained above, according to the present invention, a first mask having a common pattern is prepared in advance, the common pattern is transferred as needed, and only a unique pattern is newly added to the second mask. By forming the mask, the time required to create the second mask can be shortened, and a high-quality medium substrate with guide portions can be obtained at low cost. Moreover, since each pattern is formed by photolithography, the common pattern and the unique pattern can be formed at different positions with good workability and productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図および第2図は本発明の一実施例を示す
図で、第1図は工程断面図、第2図は平面図、第
3図はガラス基板の光透過率の経時変化を示す
図、第4図は媒体用基板の構成例を示す斜視図で
ある。 11……第1の透光性基板、12……第1パタ
ーン形成用薄膜、15,21……共通パターン、
16……第1のマスク、17……第2の透光性基
板、18……第2パターン形成用薄膜、24……
固有パターン、25……第2のマスク、26……
第3の透光性基板、27……パターン形成用薄膜
(パターン形成用層)、31……共通ガイド部、3
2……固有ガイド部、33……媒体用基板。
Figures 1 and 2 are diagrams showing one embodiment of the present invention, where Figure 1 is a cross-sectional view of the process, Figure 2 is a plan view, and Figure 3 is a diagram showing changes in light transmittance of a glass substrate over time. , FIG. 4 is a perspective view showing an example of the structure of the medium substrate. 11...First light-transmitting substrate, 12...First pattern forming thin film, 15, 21... Common pattern,
16...First mask, 17...Second transparent substrate, 18...Second pattern forming thin film, 24...
Unique pattern, 25...Second mask, 26...
Third transparent substrate, 27... Thin film for pattern formation (layer for pattern formation), 31... Common guide portion, 3
2... Unique guide portion, 33... Medium substrate.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 媒体用基板の主表面上に記録層を形成してな
る光情報記録媒体の製造方法において、 透光性の第1の基板の主表面に形成したパター
ン形成用薄膜にフオトリソグラフイ法により所定
の位置に共通パターンを形成して第1のマスクを
形成する工程と、 透光性の第2の基板の主表面に形成したパター
ン形成用薄膜に、第1のマスクの共通パターンを
フオトリソグラフイ法により形成すると共に、共
通パターンとは異なる位置に固有パターンをフオ
トリソグラフイ法により形成して第2のマスクを
形成する工程と、 第3の基板の主表面に位置するパターン形成層
に第2のマスクの共通パターンおよび固有パター
ンを転写して媒体用基板を形成する工程と を含む光情報記録媒体の製造方法。
[Claims] 1. A method for manufacturing an optical information recording medium in which a recording layer is formed on the main surface of a medium substrate, comprising: a pattern-forming thin film formed on the main surface of a transparent first substrate; A step of forming a first mask by forming a common pattern at a predetermined position using a photolithography method; forming a common pattern by photolithography and forming a unique pattern at a position different from the common pattern by photolithography to form a second mask; A method for manufacturing an optical information recording medium, comprising the step of transferring a common pattern and a unique pattern of a second mask to a pattern forming layer to form a medium substrate.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5938947A (en) * 1982-08-28 1984-03-03 Toshiba Corp Master disk for information storing medium
JPS6055534A (en) * 1983-09-05 1985-03-30 Sanyo Electric Co Ltd Production of optical recording medium

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5938947A (en) * 1982-08-28 1984-03-03 Toshiba Corp Master disk for information storing medium
JPS6055534A (en) * 1983-09-05 1985-03-30 Sanyo Electric Co Ltd Production of optical recording medium

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