JPH0345018B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ノボラツク樹脂系ポジ型ホトレジス
ト用容器に関するものである。

近年における集積回路等の半導体素子の進歩に
はめざましいものがあり、これには、レジスト材
料の発達も寄与するところが大きい。例えば、集
積回路の作製において使用されるレジスト膜の形
成のために、最近では、高解像度が得られるノボ
ラツク樹脂系ポジ型ホトレジスト溶液が開発され
て実用に供されるに至つている。このノボラツク
樹脂系ポジ型ホトレジスト溶液は、ノボラツク樹
脂と、１，２−キノンジアジド化合物とを有機溶
剤に溶解してなるものである（例えば、特開昭57
−118237号公報参照）。そして、このホトレジス
ト溶液の使用量は今後一層増大するものと予想さ
れる。

このノボラツク樹脂系ポジ型ホトレジスト溶液
は液状であつて、これを塗布乾燥させることによ
りホトレジスト膜が形成されるのであるが、当該
ホトレジスト溶液は通常ガラス製の容器内に収納
され保存される。

然るに、ガラス製の容器にノボラツク樹脂系ポ
ジ型ホトレジスト溶液を収納して長期間保存する
と、当該ホトレジスト溶液が変性し、その結果、
所期のホトレジスト膜を形成することのできない
場合が少なくない。具体的には、当該ホトレジス
ト溶液から形成されるホトレジスト膜は、多数の
ピンホールが形成されたものとなつてしまう。

本発明は、以上の如き事情に基づき、種々研究
を重ねた結果完成されたものであつて、その目的
は、有機溶剤によるノボラツク樹脂系ポジ型ホト
レジスト溶液を長期間保存するために用いたとき
にも、当該ホトレジスト溶液を変性せしめること
のない容器を提供するにある。

本発明のノボラツク樹脂系ポジ型ホトレジスト
用溶器の特徴とするところは、ガラスより成り、
その内面が加熱下において硫黄酸化物で処理さ
れ、有機溶剤によるノボラツク樹脂系ポジ型ホト
レジスト溶液が収納される点にある。

以下本発明について具体的に説明する。

本発明においては、ガラス製の容器内を二酸化
硫黄ガスで充満せしめた状態で加熱することによ
り、若しくは加熱されているガラス製の容器に二
酸化硫黄ガスを充満せしめることにより、または
高温で硫黄酸化物を発生する熱分解性化合物、例
えば硫酸アンモニウム、亜硫酸アンモニウム、酸
性硫酸アンモニウムなどのような硫酸もしくは亜
硫酸の弱アルカリによる塩類の存在下でガラス製
の容器を加熱して、若しくは加熱されたガラス製
の容器にそのような化合物を投入して、当該化合
物を熱分解することにより、当該容器の内面を処
理し、これを有機溶剤によるノボラツク樹脂系ポ
ジ型ホトレジスト溶液の保存用容器とする。

以上における加熱温度は、通常400〜600℃の範
囲内が好ましいが、前記熱分解性化合物を用いる
場合には、その分解温度以上の温度であることが
必要である。しかし、容器のガラスの熱変形温度
以下であることが好ましい。ガラス製の容器に充
満せしめる二酸化硫黄ガスの量は、二酸化硫黄ガ
スが容器の内面に十分に接触する量であればよ
く、また、熱分解性化合物を用いる場合における
その化合物の量は、発生した硫黄酸化物のガスが
容器の内面に十分に接触することとなる量であれ
ばよい。

また、容器の材質であるガラスは特に制限を受
けるものではなく、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ
酸ガラスなどの何れのガラスであつてもよい。

本発明によるノボラツク樹脂系ポジ型ホトレジ
スト用容器を用いると、後述する実施例の説明か
らも理解されるように、半導体素子、記憶素子、
その他の電子装置などの作製において必要とされ
るノボラツク樹脂系ポジ型ホトレジスト溶液を当
該容器に入れて長期間保存したときにも、当該ホ
トレジスト変液が変性することがなく、ピンホー
ルのない所期の性能を有するホトレジスト膜を形
成することができる。

以下本発明の実施例について説明するが、これ
によつて本発明が限定されるものではない。

実施例 １ 容量１のガラスびんの中に硫酸アンモニウム
３ｇを入れ、温度550℃の電気炉により熱処理し、
硫酸アンモニウムを熱分解させて本発明の容器を
得た。

この容器の内外表面を水道水で洗浄した後、電
気抵抗値が1MΩ・cmの純水で１回当該容器の内
部をすすぎ、更に電気抵抗値が17MΩ・cmの超純
水で３回当該容器の内部をすすいだ。この容器を
クリーンオーブン（ダン産業社製、SDB−200M
型）を用いて温度70℃で16時間乾燥し、室温まで
冷却した後、これにノボラツク樹脂系ポジ型ホト
レジスト溶液を孔径0.2μｍのメンブランフイルタ
ーにより濾過しながら946ml充填した。そして清
浄なポリエチレン製内蓋を装着し、更に外蓋を装
着した。ここに用いたノボラツク樹脂系ポジ型ホ
トレジスト溶液は、ノボラツク樹脂および没食子
酸ラウリルと１，２−ナフトキシノンジアジド−
５−スルホニルクロリドとの反応モル比１：2.5
の縮合物をセロソルブアセテートに溶解したもの
であり、その固型分濃度は24.4重量％、粘度は
19cP（25℃）であり、ナトリウムイオン濃度は
2ppmの溶液である。

以上の操作はすべて、米国連邦規格No.209aに
よるクラス10000のクリーンルーム内に設置した、
除塵率99.97％（0.5μｍ径の粒子に対する値）の
高性能フイルターを内装したクリーンベンチ内で
行ない、充填容器をそのまま５ケ月間保存した。
保存期間の経過後、容器内の当該ホトレジスト溶
液をシリコーンウエハーに塗布し、その被膜の特
性を調べたところ、保存する前のホトレジスト容
液による被膜に対し、感度、解像度、塗膜性、ピ
ンホール密度、その他の点において劣るところは
認められなかつた。

比較例 １ 実施例１におけると同様のガラスびんを水で十
分洗浄した後、１容量％の塩酸水溶液をびんの開
口まで入れたものを超音波洗浄装置（25KHz、出
力300W）内に立て、びんの肩口の高さまで水道
水を入れ、30分間超音波処理を施し、その後びん
を取り出して内部の塩酸水溶液を除去し、脱アル
カリ処理された比較用容器を得た。

この比較用容器を実施例１と同様に洗浄処理
し、これに実施例１と同様のノボラツク樹脂系ポ
ジ型ホトレジスト溶液を同様にして充填して５ケ
月間保存した。そして、その後に同様の特性テス
トを行なつたところ、比較用容器に保存された当
該ホトレジスト溶液による被膜は、感度および解
像度の点では劣つてはいなかつたが、膜厚1μｍ
の被膜では10〜100μｍのピンホールが多数発生
したことが認められた。

また保存後の当該ホトレジスト溶液を孔径0.2μ
ｍのメンブランフイルターにより再度濾過し、こ
のホトレジスト溶液によつて同様の被膜を形成さ
せたが、得られた被膜においても同様の状態でピ
ンホールが発生していた。

なお、保存後の当該ホトレジスト溶液における
ナトリウムイオン濃度は2ppmであり、保存前に
比べて変化は認められず、容器のガラスとの反応
は特に認められなかつた。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ ガラスより成り、その内面が加熱下において
   硫黄酸化物で処理され、有機溶剤によるノボラツ
   ク樹脂系ポジ型ホトレジスト溶液が収納されるこ
   とを特徴とするノボラツク樹脂系ポジ型ホトレジ
   スト用溶器。