JPH0341754A - 半導体の冷却装置 - Google Patents
半導体の冷却装置Info
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- JPH0341754A JPH0341754A JP1175478A JP17547889A JPH0341754A JP H0341754 A JPH0341754 A JP H0341754A JP 1175478 A JP1175478 A JP 1175478A JP 17547889 A JP17547889 A JP 17547889A JP H0341754 A JPH0341754 A JP H0341754A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体チップや半導体パッケージなどのLS
I高密度集積回路から発生した熱を除去するの好適な半
導体の冷却装置に関する。
I高密度集積回路から発生した熱を除去するの好適な半
導体の冷却装置に関する。
LSI等の高密度に集積した電子回路をもつ半導体装置
は、動作時の発熱が大きく、半導体装置から発生する熱
の除去性能が装置の動作、及び。
は、動作時の発熱が大きく、半導体装置から発生する熱
の除去性能が装置の動作、及び。
設計の制限となってきている。特に、最近高集積化の著
しい計算機用半導体装置では安定した性能維持のため、
半導体装置からの発生熱の除去は必須の課題になってい
る。このため、その冷却装置はこれまで種々の方式が考
案されている。例えば、第5図に示した特開昭57−1
78348号公報に開示されたように、ポンプで液体冷
媒を半導体装置間りに循環させるもの、あるいは、第6
図に示した特公昭57−25980号公報に開示された
ように、半導体装置には送風機を備え、冷却空気を発熱
部に噴流ノズルから強制的に吹き付けて空冷するもの、
さらに、第7図に例示したように、冷却液媒体と発熱部
との接触には、発熱量の多少によらず必要温度差を小さ
く保持することを可能にするような考案がなされている
。
しい計算機用半導体装置では安定した性能維持のため、
半導体装置からの発生熱の除去は必須の課題になってい
る。このため、その冷却装置はこれまで種々の方式が考
案されている。例えば、第5図に示した特開昭57−1
78348号公報に開示されたように、ポンプで液体冷
媒を半導体装置間りに循環させるもの、あるいは、第6
図に示した特公昭57−25980号公報に開示された
ように、半導体装置には送風機を備え、冷却空気を発熱
部に噴流ノズルから強制的に吹き付けて空冷するもの、
さらに、第7図に例示したように、冷却液媒体と発熱部
との接触には、発熱量の多少によらず必要温度差を小さ
く保持することを可能にするような考案がなされている
。
上記に示した従来技術による冷却方式は、半導体装置の
発熱を効果的に除去することを最大の目的にしている。
発熱を効果的に除去することを最大の目的にしている。
しかし、その発熱量が大きい場合にはそれに相当する冷
却能力をもつ容量の装置。
却能力をもつ容量の装置。
及び、複雑な熱伝達構造が必要である。それらは主とし
て空冷方式であれば空気流量、媒体冷却方式であれば媒
体の顕熱量、及び、媒体の一部を沸騰させた潜熱量によ
っているのが通常であり、それらの量が大きくなるため
に、半導体装置には、送風機や媒体循環ポンプなどの動
力機器を付番装置として備えた大規模、かつ、複雑な装
置の構成を許している。
て空冷方式であれば空気流量、媒体冷却方式であれば媒
体の顕熱量、及び、媒体の一部を沸騰させた潜熱量によ
っているのが通常であり、それらの量が大きくなるため
に、半導体装置には、送風機や媒体循環ポンプなどの動
力機器を付番装置として備えた大規模、かつ、複雑な装
置の構成を許している。
この結果、半導体の高集積化により小型化した半導体装
置ではあるが、冷却に要する付4B設備があまり小さく
ならず、コスト及び維持管理の面からも好ましい状態で
はなかった。発明者らは、媒体の全量を蒸発させれば潜
熱の利用が増大でき、媒体使用量を少なくすることが出
来ることに着目した。さらに、近年の高密度半導体装置
は、オフィスコンピュータやワードプロセッサなどのO
A機器に用いられることが多くなり、人間の居住生活空
間と接近した場所で使用される。この場合、従来技術に
よる冷却方法では付帯装置動力機器から発生する騒音が
問題となる。そこで、低騒音の半導体冷却方法が必要に
なってくる。
置ではあるが、冷却に要する付4B設備があまり小さく
ならず、コスト及び維持管理の面からも好ましい状態で
はなかった。発明者らは、媒体の全量を蒸発させれば潜
熱の利用が増大でき、媒体使用量を少なくすることが出
来ることに着目した。さらに、近年の高密度半導体装置
は、オフィスコンピュータやワードプロセッサなどのO
A機器に用いられることが多くなり、人間の居住生活空
間と接近した場所で使用される。この場合、従来技術に
よる冷却方法では付帯装置動力機器から発生する騒音が
問題となる。そこで、低騒音の半導体冷却方法が必要に
なってくる。
本発明の目的は、低騒音で冷却できる半導体装置の冷却
装置を提供することにある。さらに他の目的は、媒体使
用量が少なく単純な伝熱構造で低コストの半導体の冷却
装置を提供することにある。
装置を提供することにある。さらに他の目的は、媒体使
用量が少なく単純な伝熱構造で低コストの半導体の冷却
装置を提供することにある。
上記目的は、計算機など高密度に実装した半導体装置の
うち大量に熱を発生する部品を効果的に冷却し、信頼性
のある動作をさせるために多孔質の放熱フィンを使用し
、その放熱フィンに冷却媒体を供給して蒸発させ、蒸発
潜熱を利用した冷却装置とすることで達成できる。
うち大量に熱を発生する部品を効果的に冷却し、信頼性
のある動作をさせるために多孔質の放熱フィンを使用し
、その放熱フィンに冷却媒体を供給して蒸発させ、蒸発
潜熱を利用した冷却装置とすることで達成できる。
冷却媒体が蒸発する時の潜熱を用いて半導体装置の効果
的な冷却装置とすることが出来る。
的な冷却装置とすることが出来る。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。第1
図は多孔質のセラミックス放熱フィン上が基板6上の高
発熱LSIチップ2上に熱伝導フィルム3をはさんで構
成される半導体の冷却装置である。冷却のために蒸発さ
せる冷媒4は管5により供給される。冷媒は、セラミッ
クス放熱フィンの内部、あるいは、表面を張力により広
がる。
図は多孔質のセラミックス放熱フィン上が基板6上の高
発熱LSIチップ2上に熱伝導フィルム3をはさんで構
成される半導体の冷却装置である。冷却のために蒸発さ
せる冷媒4は管5により供給される。冷媒は、セラミッ
クス放熱フィンの内部、あるいは、表面を張力により広
がる。
LSIチップ2より発生した熱は、熱伝導フィルム3を
伝わり、放熱フィン1へ伝えられ、放熱フィン■の表面
、あるいは、内部に保持された冷媒4の蒸発により除去
される。LSIチップ2の発熱量に応じて4r!5より
供給する冷却媒体量をバルブ14で制御しながらLSI
チップ2の必要な冷却容量を確保する。
伝わり、放熱フィン1へ伝えられ、放熱フィン■の表面
、あるいは、内部に保持された冷媒4の蒸発により除去
される。LSIチップ2の発熱量に応じて4r!5より
供給する冷却媒体量をバルブ14で制御しながらLSI
チップ2の必要な冷却容量を確保する。
本実施例によれば、セラミックス放熱フィンの多孔質構
造により、冷媒の蒸発を促進させる構造が単純化出来る
。
造により、冷媒の蒸発を促進させる構造が単純化出来る
。
第2図に示す実施例は冷熱媒体4の蒸発を促進させるた
めに、ファン6によって強制的に蒸発させてL S I
チップ2を冷却し、冷媒4の蒸気を空気と共に送風機7
および吸引ファン8で回収して圧縮機9に送り、LSI
チップ4を空気より分離して回収し、管5によって冷媒
4を@環使用した半導体装置の冷却装置である。
めに、ファン6によって強制的に蒸発させてL S I
チップ2を冷却し、冷媒4の蒸気を空気と共に送風機7
および吸引ファン8で回収して圧縮機9に送り、LSI
チップ4を空気より分離して回収し、管5によって冷媒
4を@環使用した半導体装置の冷却装置である。
第3図に示す実施例は媒体循環ポンプ11により冷媒を
循環させるもので、冷媒凝縮機10により媒体気体4b
を液化している。冷却用LSI3の発熱量に応じて吸引
ファン8、及び、循環ポンプ11を連動させて制御装置
12により制御する半導体装置の冷却装置である。
循環させるもので、冷媒凝縮機10により媒体気体4b
を液化している。冷却用LSI3の発熱量に応じて吸引
ファン8、及び、循環ポンプ11を連動させて制御装置
12により制御する半導体装置の冷却装置である。
第4図に示す実施例は繊維状の耐熱プラスチックを板状
に整形して放熱フィン15が基板6上の高発熱LSIチ
ップ2.LSIチップ匡体上体13よび熱伝導フィルム
3をはさんで構成される半導体装置の冷却装置である。
に整形して放熱フィン15が基板6上の高発熱LSIチ
ップ2.LSIチップ匡体上体13よび熱伝導フィルム
3をはさんで構成される半導体装置の冷却装置である。
冷却のために蒸発させる冷媒4は管5.圧入ポンプ11
及びバルブ14により供給される。冷媒4は、セラミッ
クス放熱フィンの内部に圧入されて広がる。LSIチッ
プ2より発生した熱は、熱伝導フィルム3を伝わり、放
熱フィン土5へ伝えられ、放熱フィン15の表面、ある
いは、内部に保持された冷媒4の蒸発により除去される
。LSIチップ2の発熱量に応じて管5より供給する冷
却媒体量をバルブ↓4で制御しながらLSIチップ2の
必要な冷却容量を確保する。
及びバルブ14により供給される。冷媒4は、セラミッ
クス放熱フィンの内部に圧入されて広がる。LSIチッ
プ2より発生した熱は、熱伝導フィルム3を伝わり、放
熱フィン土5へ伝えられ、放熱フィン15の表面、ある
いは、内部に保持された冷媒4の蒸発により除去される
。LSIチップ2の発熱量に応じて管5より供給する冷
却媒体量をバルブ↓4で制御しながらLSIチップ2の
必要な冷却容量を確保する。
本実施例によれば、繊維状放熱板の微細の網目構造によ
り、冷媒の蒸発を促進させる構造が単純化出来る。
り、冷媒の蒸発を促進させる構造が単純化出来る。
以上に例示した実施例はいずれも半導体装置の冷却装置
として、空冷方式の場合よりも低い馬力のファン、すな
わち、低無騒音伶却装置としての効果が大きい。さらに
、水冷方式や媒体方式で顕熱を利用する場合よりも媒体
の持つ全蒸発潜熱量を100%近く利用できるために、
冷却効率が高く、媒体使用量が少なく単純で低コストの
半導体装置の冷却装置を実現できる。そして、冷却媒体
は多孔質のセラミックスや繊維状の放熱フィンに毛細管
現象で浸透、あるいは、圧力注入されることで媒体の蒸
発面積を最大限に広げることができ、簡単な構造で蒸発
速度を早める効果をもつ装置を実現することができる。
として、空冷方式の場合よりも低い馬力のファン、すな
わち、低無騒音伶却装置としての効果が大きい。さらに
、水冷方式や媒体方式で顕熱を利用する場合よりも媒体
の持つ全蒸発潜熱量を100%近く利用できるために、
冷却効率が高く、媒体使用量が少なく単純で低コストの
半導体装置の冷却装置を実現できる。そして、冷却媒体
は多孔質のセラミックスや繊維状の放熱フィンに毛細管
現象で浸透、あるいは、圧力注入されることで媒体の蒸
発面積を最大限に広げることができ、簡単な構造で蒸発
速度を早める効果をもつ装置を実現することができる。
本発明によれば、ファンなど騒音源となる冷却機器が低
馬力ですむため、低騒音の静かな半導体冷却が可能であ
る。さらに、付帯機器や伝熱構造が簡略化され、単純で
低コスト、かつ、コンパクトの半導体装置の冷却装置を
実現できる。
馬力ですむため、低騒音の静かな半導体冷却が可能であ
る。さらに、付帯機器や伝熱構造が簡略化され、単純で
低コスト、かつ、コンパクトの半導体装置の冷却装置を
実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図、第3図及び第4図は本発明の一実施例
の説明図、第5図は従来構造の断面図、第6図は従来構
造の他の例を示す斜視図、第7図は従来の熱伝達構造斜
視図である。 1・・・放熱フィン、2・・・冷却用LSI、3・・・
熱伝導フィルム、4a・・・冷却媒体、4b・・・冷却
媒体気体、5・・・管、6・・・基板、7・・・ファン
、8・・・吸引ファン、9・・・冷媒分離装置、io・
・冷媒凝縮器、11・・・循環ポンプ、12・・・媒体
循環量制御装置、13・・LSIチップ匡体、14・・
・流量調節バルブ、15・・繊維状放熱板。 め1図 寮 3 図 給 ム 図 3 1S班様4に枝棹坂 第 区 め ら 圓 第 圀
の説明図、第5図は従来構造の断面図、第6図は従来構
造の他の例を示す斜視図、第7図は従来の熱伝達構造斜
視図である。 1・・・放熱フィン、2・・・冷却用LSI、3・・・
熱伝導フィルム、4a・・・冷却媒体、4b・・・冷却
媒体気体、5・・・管、6・・・基板、7・・・ファン
、8・・・吸引ファン、9・・・冷媒分離装置、io・
・冷媒凝縮器、11・・・循環ポンプ、12・・・媒体
循環量制御装置、13・・LSIチップ匡体、14・・
・流量調節バルブ、15・・繊維状放熱板。 め1図 寮 3 図 給 ム 図 3 1S班様4に枝棹坂 第 区 め ら 圓 第 圀
Claims (8)
- 1.基板上に複数個取り付け実装した電子部品の集合体
からなる高密度半導体装置において、放熱フインに断続
的、または、連続的に液体を供給し、全量、ないし、そ
れに近い量を気化することでその蒸発熱によつて冷却を
行うことを特徴とする半導体の冷却装置。 - 2.基板上に取り付け実装した電子部品の集合体からな
る高密度半導体装置に於いて、 前記半導体装置の上方に、前記半導体装置の発熱量に連
動して冷却液を供給し、冷却媒体の蒸発表面積を冷却フ
インの表面を利用して大きくすることで蒸発を促進させ
、その蒸発熱によつて冷却を行うことを特徴とする半導
体の冷却装置。 - 3.請求項1または2において、前記冷却媒体を回収し
て循環使用する半導体の冷却装置。 - 4.請求項1または2において、前記冷却媒体に水,有
機化合物またはそれらの混合物を使用する半導体の冷却
装置。 - 5.請求項1または2において、前記放熱フインに多孔
質の金属を使用する半導体の冷却装置。 - 6.請求項1または2において、前記放熱フインに多孔
質のセラミツクス化合物を使用する半導体の冷却装置。 - 7.請求項1または2において、前記放熱フインに繊維
状または網目状の耐熱有機化合物を使用する半導体の冷
却装置。 - 8.請求項1,2,5,6または7において、前記放熱
フインの多孔質部分,繊維状および網目状の毛細管部分
に、前記冷媒が表面張力により浸透する現象を利用して
蒸発を促進させる半導体の冷却装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1175478A JPH0341754A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 半導体の冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1175478A JPH0341754A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 半導体の冷却装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0341754A true JPH0341754A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=15996750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1175478A Pending JPH0341754A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 半導体の冷却装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0341754A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002286605A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 高歪速度疲労試験方法及び装置 |
US6748755B2 (en) | 2000-03-09 | 2004-06-15 | Fujitsu Limited | Refrigeration system utilizing incomplete evaporation of refrigerant in evaporator |
JP2019152709A (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-12 | セイコーエプソン株式会社 | プロジェクター |
-
1989
- 1989-07-10 JP JP1175478A patent/JPH0341754A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6748755B2 (en) | 2000-03-09 | 2004-06-15 | Fujitsu Limited | Refrigeration system utilizing incomplete evaporation of refrigerant in evaporator |
US7007506B2 (en) | 2000-03-09 | 2006-03-07 | Fujitsu Limited | Refrigeration system utilizing incomplete evaporation of refrigerant in evaporator |
JP2002286605A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 高歪速度疲労試験方法及び装置 |
JP2019152709A (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-12 | セイコーエプソン株式会社 | プロジェクター |
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