JPH0341193B2 - - Google Patents
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- JPH0341193B2 JPH0341193B2 JP58071926A JP7192683A JPH0341193B2 JP H0341193 B2 JPH0341193 B2 JP H0341193B2 JP 58071926 A JP58071926 A JP 58071926A JP 7192683 A JP7192683 A JP 7192683A JP H0341193 B2 JPH0341193 B2 JP H0341193B2
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Description
本発明は、磁気パルス、とりわけ、二相性活動
電位波形の磁気パルスによる細胞賦活装置に関す
る。 たとえば、玉川鐵雄著「電気治療学概論」、第
198〜202頁、建友館発行（1979年）に記載されて
いるように、恒常磁場は、マウスの成長、白血球
数、移植腫瘍に影響を及ぼすことが知られてい
る。 本発明者が、生体外或は生体内で恒常磁場を照
射して腫瘍細胞を賦活し、この増殖並びに有機物
質生産の促進を試みたところ、所期の効果を得る
ことが極めて困難であつた。 本発明者が細胞賦活効果のより高い磁場につい
て鋭意検討したところ、二相性活動電位波形の磁
気パルスによる交番磁場が極めて高い細胞賦活効
果を有し、生体外域は生体内で各種細胞に照射す
ることにより、それら細胞の増殖率、生残率並び
にそれら細胞による有用物質生産を著しく高める
ことを見出した。 すなわち、本発明は、直流電源とその直流電源
よりの電荷を蓄えるコンデンサとからなる一対の
充電回路、磁界発生コイル、その磁界発生コイル
を介して前記充電回路に接続された続流遮断手段
を有する制御整流素子、及びそれら制御整流素子
のトリガー電極を所定の時間間隔を置いて交互に
導通させる制御手段からなり、前記一対の充電回
路に充電された電荷を、磁界発生コイルを通じて
互いに逆方向に放電させて二相性活動電位波形の
磁気パルスを発生させることを特徴とする磁気パ
ルスによる細胞賦活装置の構造を要旨とするもの
である。 本発明で使用する二相性活動電位波形の磁気パ
ルスとは、二相性活動電位（diphasic action
pot ential）と類似の波形を有する第５図図示の
如き交番磁場であり、一対となつて発生する一方
向のパルスＮと他方向のパルスＳとのパルス幅が
１／５００乃至1/100秒、パルス発生回数１乃至100
回／秒のものが好適である。 二相性活動電位とは、例えば、「岩波生物学辞
典」、第157〜158頁、株式会社岩波書店発行
（1960年）にも見られるように、興奮した筋肉、
神経などの被刺激性形体に観察される電位であつ
て、零電位を基準に正負の電圧成分を有するけれ
ども、最大電位及び最抵電位付近で急激な部分、
即ち、スパイク電位を有する点で正弦波などの交
流とは異なるものである。 以下、実施例に基づいて本発明を説明する。 第１図は、本発明の細胞賦活装置の回路を示
し、直流電源Ｂには、それぞれ、チヨークコイル
CH1，CH2を介して直流電源Ｂよりの荷電を蓄え
るためのコンデンサC1，C2が接続され、一対の
充電回路を形成している。コンデンサC1，C2に
は、それぞれ、逆阻止三端子サイリスタなどの制
御整流素子SCR1，SCR2の主電路を介して磁界発
生コイルＮ，Ｓが接続され、制御整流素子SCR1
が導通すると、コンデンサC1に蓄えられ電荷が
磁界発生コイルＮを通じて放電され、制御整流素
子SCR2が導通すると、コンデンサC2に蓄えられ
た電荷が磁界発生コイルＳを通じて放電されるよ
うに構成されている。 直流電源ＢとコンデンサC1或はC2の間に挿入
されているチヨークコイルCH1及びCH2は、コン
デンサC1或はC2放電後の続流を遮断するための
ものである。すなわち、コンデンサC1或はC2が
放電するとチヨークコイルCH1，CH2に急激な電
流変化が起こり、この電流変化は、チヨークコイ
ルCH1，CH2内に逆起電力を生じて制御整流素子
SCR1，SCR2のアノードーカソード間電圧を瞬間
的に負電圧とし、制御整流素子SCR1，SCR2の導
通を遮断する。そして、コンデンサC1，C2への
充電が定常値に近付くと、チヨークコイルCH1，
CH2のインダクタンスは、ほぼ直流成分のみとな
り、例えば、１ヘンリーのチヨークコイルを使用
する場合、その直流抵抗は、数オーム程度である
ので、コンデンサC1，C2の容量を1000マイクロ
アラツドに設定しても数十分の１秒で充電を完了
することができることとなり、高速で磁気パルス
を発生させる場合に好都合となる。 一方、トランジスタT1，T2、抵抗R1，R2，
R3，R4，コンデンサC3，C4からなるマルチバイ
ブレータ０は、周波数１乃至100ヘルツの矩形波
を発振しトランジスタT2のコレクタは、結合コ
ンデンサC5を介してトランスH1の一次線輪L1に
接続されている。マルチバイブレータ０よりの矩
形波出力は、コンデンサC5及び線輪L1により形
成される微分回路により微分され、第２図図示の
如きパルス幅1/500乃至1/100秒、パルス間隔1/10
０乃至１秒の正負パルス電圧対ｎ、ｍよりなる出
力電圧を発生する。このうち、正電圧成分ｍは、
コンデンサC6、及びトランジスタT3、変圧器H2
などからなる増幅回路を介して制御整流素子
SCR1のゲートに導かれ、一方、負電圧成分ｎは、
トランスH1の二次線輪L2により、第３図図示の
如く反転された後、トランジスタT4及びトラン
スH3からなる増幅回路を経て、制御整流素子
SCR2のゲートに導かれる。 本例は、斯く構成されているので、一対の制御
整流素子SCR1，SCR2の主電路は、前期二相性活
動電位の周期で交互に導通することとなり、一対
の磁界発生コイルＮ，Ｓには、第４図図示の如き
スパイクを有する磁気パルスＳ，Ｎが相次いで交
互に発生することとなる。従つて、一対の磁界発
生コイルＮ，Ｓを対向させることにより、両コイ
ルを貫通して第５図図示の如き、二相性活動電位
波形の磁気パルスが発生することになる。 第６図は、単一の磁気発生コイルを使用する本
発明の別の実施例の回路を示す。 本例に於ては、一対の充電回路１，２のうち、
充電回路１に制御整流素子SCR1の磁界発生コイ
ルＷを直列接続するとともに、充電回路２には制
御整流素子SCR2及び磁界発生コイルＷが直列接
続されている。本例は、斯く構成されているの
で、第１図図示の実施例のようにして、制御整流
素子SCR1が導通したときには、充電回路１が磁
界発生コイルＷを通じて放電し、制御整流素子
SCR2が導通したときには、磁場発生コイルＷを
通じて放電させることにより、磁界発生コイルＷ
に二相性活動電位波形の磁気パルスを発生させる
ことができる。 次に、本発明の細胞賦活効果を実施例の装置を
使用して行なつた実験例に基づいて説明する。 実験例 １ 生体外の細胞増殖 パルス幅1/400秒、パルス間隔1/20秒、磁界強
度約300ガウスの二相性活動電位波形の磁気パル
スを発生するようセツトした第１図図示の細胞賦
活装置の磁界発生コイルＮ，Ｓ内に、ウシ胎児血
清10％を補定した37℃のRPMI 1640培地（PH
7.8）を含む培養容器を収容し、ヒト由来のリン
パ芽球様細胞BALL−１を濃度約１×105／ml１
になるよう懸濁した。ついで、培養容器に磁気パ
ルスを毎日一回、０分間、５分間、10分間、20分
間、40分間、80分間又は160分間照射しながら５
％CO2インキユベータ（37℃）中で３日間培養し
た。 培養後、培養物中の生細胞数を公知のエリスロ
シンＢ染色法により計数するとともに、細胞の生
残率（％）を計算した。 対照として、第１図図示の磁気パルス発生装置
に於て、充電回路及び制御回路付近の結線を一部
変更して、パルス幅1/400秒、パルス間隔1/20秒
の恒常磁場パルスを発制するようにしたもの（対
照１）、及び、マルチバイブレータ０に代えて分
周回路を有する低周波発振器を使用して、一対の
磁界発生コイルＮ、Ｓに1/20秒毎に磁場方向が反
転するパルス幅1/400秒、パルス間隔1/20秒のパ
ルス磁場（対照２）若しくは正弦波波形を有する
20ヘルツの交番磁場を発生するようにしたもの
（対照３）を使用して同様に実験した。 結果を第１表に示す。 第１表の実験結果から明らかなように、本発明
の装置を使用して二相性活動電位波形の磁気パル
スを照射しながら増殖させると、得られる増殖細
胞の数が、対照１或は対照２の磁気パルスを照射
する場合の２倍以上と、ずば抜けて多くなるばか
りか、細胞の生残率も極めて高いことが判明し
た。 一方、正弦波波形の磁場を照射した系では、増
殖、生残率ともに悪く、長時間照射すると培養培
地の温度が上昇する傾向があつた。
電位波形の磁気パルスによる細胞賦活装置に関す
る。 たとえば、玉川鐵雄著「電気治療学概論」、第
198〜202頁、建友館発行（1979年）に記載されて
いるように、恒常磁場は、マウスの成長、白血球
数、移植腫瘍に影響を及ぼすことが知られてい
る。 本発明者が、生体外或は生体内で恒常磁場を照
射して腫瘍細胞を賦活し、この増殖並びに有機物
質生産の促進を試みたところ、所期の効果を得る
ことが極めて困難であつた。 本発明者が細胞賦活効果のより高い磁場につい
て鋭意検討したところ、二相性活動電位波形の磁
気パルスによる交番磁場が極めて高い細胞賦活効
果を有し、生体外域は生体内で各種細胞に照射す
ることにより、それら細胞の増殖率、生残率並び
にそれら細胞による有用物質生産を著しく高める
ことを見出した。 すなわち、本発明は、直流電源とその直流電源
よりの電荷を蓄えるコンデンサとからなる一対の
充電回路、磁界発生コイル、その磁界発生コイル
を介して前記充電回路に接続された続流遮断手段
を有する制御整流素子、及びそれら制御整流素子
のトリガー電極を所定の時間間隔を置いて交互に
導通させる制御手段からなり、前記一対の充電回
路に充電された電荷を、磁界発生コイルを通じて
互いに逆方向に放電させて二相性活動電位波形の
磁気パルスを発生させることを特徴とする磁気パ
ルスによる細胞賦活装置の構造を要旨とするもの
である。 本発明で使用する二相性活動電位波形の磁気パ
ルスとは、二相性活動電位（diphasic action
pot ential）と類似の波形を有する第５図図示の
如き交番磁場であり、一対となつて発生する一方
向のパルスＮと他方向のパルスＳとのパルス幅が
１／５００乃至1/100秒、パルス発生回数１乃至100
回／秒のものが好適である。 二相性活動電位とは、例えば、「岩波生物学辞
典」、第157〜158頁、株式会社岩波書店発行
（1960年）にも見られるように、興奮した筋肉、
神経などの被刺激性形体に観察される電位であつ
て、零電位を基準に正負の電圧成分を有するけれ
ども、最大電位及び最抵電位付近で急激な部分、
即ち、スパイク電位を有する点で正弦波などの交
流とは異なるものである。 以下、実施例に基づいて本発明を説明する。 第１図は、本発明の細胞賦活装置の回路を示
し、直流電源Ｂには、それぞれ、チヨークコイル
CH1，CH2を介して直流電源Ｂよりの荷電を蓄え
るためのコンデンサC1，C2が接続され、一対の
充電回路を形成している。コンデンサC1，C2に
は、それぞれ、逆阻止三端子サイリスタなどの制
御整流素子SCR1，SCR2の主電路を介して磁界発
生コイルＮ，Ｓが接続され、制御整流素子SCR1
が導通すると、コンデンサC1に蓄えられ電荷が
磁界発生コイルＮを通じて放電され、制御整流素
子SCR2が導通すると、コンデンサC2に蓄えられ
た電荷が磁界発生コイルＳを通じて放電されるよ
うに構成されている。 直流電源ＢとコンデンサC1或はC2の間に挿入
されているチヨークコイルCH1及びCH2は、コン
デンサC1或はC2放電後の続流を遮断するための
ものである。すなわち、コンデンサC1或はC2が
放電するとチヨークコイルCH1，CH2に急激な電
流変化が起こり、この電流変化は、チヨークコイ
ルCH1，CH2内に逆起電力を生じて制御整流素子
SCR1，SCR2のアノードーカソード間電圧を瞬間
的に負電圧とし、制御整流素子SCR1，SCR2の導
通を遮断する。そして、コンデンサC1，C2への
充電が定常値に近付くと、チヨークコイルCH1，
CH2のインダクタンスは、ほぼ直流成分のみとな
り、例えば、１ヘンリーのチヨークコイルを使用
する場合、その直流抵抗は、数オーム程度である
ので、コンデンサC1，C2の容量を1000マイクロ
アラツドに設定しても数十分の１秒で充電を完了
することができることとなり、高速で磁気パルス
を発生させる場合に好都合となる。 一方、トランジスタT1，T2、抵抗R1，R2，
R3，R4，コンデンサC3，C4からなるマルチバイ
ブレータ０は、周波数１乃至100ヘルツの矩形波
を発振しトランジスタT2のコレクタは、結合コ
ンデンサC5を介してトランスH1の一次線輪L1に
接続されている。マルチバイブレータ０よりの矩
形波出力は、コンデンサC5及び線輪L1により形
成される微分回路により微分され、第２図図示の
如きパルス幅1/500乃至1/100秒、パルス間隔1/10
０乃至１秒の正負パルス電圧対ｎ、ｍよりなる出
力電圧を発生する。このうち、正電圧成分ｍは、
コンデンサC6、及びトランジスタT3、変圧器H2
などからなる増幅回路を介して制御整流素子
SCR1のゲートに導かれ、一方、負電圧成分ｎは、
トランスH1の二次線輪L2により、第３図図示の
如く反転された後、トランジスタT4及びトラン
スH3からなる増幅回路を経て、制御整流素子
SCR2のゲートに導かれる。 本例は、斯く構成されているので、一対の制御
整流素子SCR1，SCR2の主電路は、前期二相性活
動電位の周期で交互に導通することとなり、一対
の磁界発生コイルＮ，Ｓには、第４図図示の如き
スパイクを有する磁気パルスＳ，Ｎが相次いで交
互に発生することとなる。従つて、一対の磁界発
生コイルＮ，Ｓを対向させることにより、両コイ
ルを貫通して第５図図示の如き、二相性活動電位
波形の磁気パルスが発生することになる。 第６図は、単一の磁気発生コイルを使用する本
発明の別の実施例の回路を示す。 本例に於ては、一対の充電回路１，２のうち、
充電回路１に制御整流素子SCR1の磁界発生コイ
ルＷを直列接続するとともに、充電回路２には制
御整流素子SCR2及び磁界発生コイルＷが直列接
続されている。本例は、斯く構成されているの
で、第１図図示の実施例のようにして、制御整流
素子SCR1が導通したときには、充電回路１が磁
界発生コイルＷを通じて放電し、制御整流素子
SCR2が導通したときには、磁場発生コイルＷを
通じて放電させることにより、磁界発生コイルＷ
に二相性活動電位波形の磁気パルスを発生させる
ことができる。 次に、本発明の細胞賦活効果を実施例の装置を
使用して行なつた実験例に基づいて説明する。 実験例 １ 生体外の細胞増殖 パルス幅1/400秒、パルス間隔1/20秒、磁界強
度約300ガウスの二相性活動電位波形の磁気パル
スを発生するようセツトした第１図図示の細胞賦
活装置の磁界発生コイルＮ，Ｓ内に、ウシ胎児血
清10％を補定した37℃のRPMI 1640培地（PH
7.8）を含む培養容器を収容し、ヒト由来のリン
パ芽球様細胞BALL−１を濃度約１×105／ml１
になるよう懸濁した。ついで、培養容器に磁気パ
ルスを毎日一回、０分間、５分間、10分間、20分
間、40分間、80分間又は160分間照射しながら５
％CO2インキユベータ（37℃）中で３日間培養し
た。 培養後、培養物中の生細胞数を公知のエリスロ
シンＢ染色法により計数するとともに、細胞の生
残率（％）を計算した。 対照として、第１図図示の磁気パルス発生装置
に於て、充電回路及び制御回路付近の結線を一部
変更して、パルス幅1/400秒、パルス間隔1/20秒
の恒常磁場パルスを発制するようにしたもの（対
照１）、及び、マルチバイブレータ０に代えて分
周回路を有する低周波発振器を使用して、一対の
磁界発生コイルＮ、Ｓに1/20秒毎に磁場方向が反
転するパルス幅1/400秒、パルス間隔1/20秒のパ
ルス磁場（対照２）若しくは正弦波波形を有する
20ヘルツの交番磁場を発生するようにしたもの
（対照３）を使用して同様に実験した。 結果を第１表に示す。 第１表の実験結果から明らかなように、本発明
の装置を使用して二相性活動電位波形の磁気パル
スを照射しながら増殖させると、得られる増殖細
胞の数が、対照１或は対照２の磁気パルスを照射
する場合の２倍以上と、ずば抜けて多くなるばか
りか、細胞の生残率も極めて高いことが判明し
た。 一方、正弦波波形の磁場を照射した系では、増
殖、生残率ともに悪く、長時間照射すると培養培
地の温度が上昇する傾向があつた。
【表】
【表】
実験例 ２
生体内の細胞増殖
ウサギから公知の方法で調製した免疫抑制剤を
注射して免疫反応を弱めた同腹のハムスター新生
児15匹の皮下に、ヒトリンパ芽球様細胞CCRF−
CEM（ATCC CCL 119）をそれぞれ約2.5×106
個移植した。 パルス幅1/200秒、パルス間隔1/50秒、磁界強
度約700ガウスの二相性活動電位波形の磁気パル
スを発生する第６図図示の装置の磁界発生コイル
Ｗ内に市販の実験動物飼育ケージを設置してハム
スター新生児を収容し、毎日一回、約700ガウス
の磁界を０分間、５分間、10分間、20分間、40分
間、80分間、160分間照射しながら公知の方法で
３週間飼育した後、皮下に生じた腫瘤を摘出し、
その湿重を測定した。 対照として、第１図図示の磁気パルス発生装置
の充電回路及び制御回路付近の結線を一部変更し
て、パルス幅1/200秒、パルス間隔1/50秒の恒常
磁場パルスを発生するようにしたもの（対照１）、
及び、マルチバイブレータ０に代えて分周回路を
有する低周波発振器を使用して、一対の磁界発生
コイルＮ，Ｓに1/50秒毎に磁場方向が反転するパ
ルス幅1/200秒、パルス間隔1/50秒のパルス磁場
（対照２）若しくは正弦波波形を有する50ヘルツ
の交番磁場を発生するようにしたもの（対照３）
を使用して同様に実験した。 結果を第２表に示す。
注射して免疫反応を弱めた同腹のハムスター新生
児15匹の皮下に、ヒトリンパ芽球様細胞CCRF−
CEM（ATCC CCL 119）をそれぞれ約2.5×106
個移植した。 パルス幅1/200秒、パルス間隔1/50秒、磁界強
度約700ガウスの二相性活動電位波形の磁気パル
スを発生する第６図図示の装置の磁界発生コイル
Ｗ内に市販の実験動物飼育ケージを設置してハム
スター新生児を収容し、毎日一回、約700ガウス
の磁界を０分間、５分間、10分間、20分間、40分
間、80分間、160分間照射しながら公知の方法で
３週間飼育した後、皮下に生じた腫瘤を摘出し、
その湿重を測定した。 対照として、第１図図示の磁気パルス発生装置
の充電回路及び制御回路付近の結線を一部変更し
て、パルス幅1/200秒、パルス間隔1/50秒の恒常
磁場パルスを発生するようにしたもの（対照１）、
及び、マルチバイブレータ０に代えて分周回路を
有する低周波発振器を使用して、一対の磁界発生
コイルＮ，Ｓに1/50秒毎に磁場方向が反転するパ
ルス幅1/200秒、パルス間隔1/50秒のパルス磁場
（対照２）若しくは正弦波波形を有する50ヘルツ
の交番磁場を発生するようにしたもの（対照３）
を使用して同様に実験した。 結果を第２表に示す。
【表】
これらの結果から明らかなように、本発明の装
置を使用し、二相性活動電位波形の磁気パルスを
照射した系では、発生した腫瘤の大きさが、全く
照射しない場合の約３倍以上にも達し、一方、対
照１〜３のように、二相性活動電位波形以外の波
形の磁気パルス若しくは交番磁場を照射した系に
於ては、発生した腫瘤も小さく、殊に、正弦波波
形の交番磁場を照射した対照３に於ては、移植後
早期にハムスターが死亡するケースが多く見ら
れ、解剖したところ、内蔵全体が一様に白つぽ
く、また、体外、体内に火傷によると思われる炎
症が見られた。 実験例 ３ インターラエロンの生産 実験例２の方法で得られた腫瘤を生理食塩水中
で細切し、コラゲナーゼを含有する生理食塩水で
分散させて得られたCCRF−CEM細胞及びセン
ダイウイルスを37℃に予温した血清無含有RPMI
1640倍地（PH7.8）にそれぞれ濃度５×106／ml及
び100赤血球凝集価／mlになるように捲懸した。
ついで、パルス幅１／100秒、パルス間隔1/10秒、
磁場強度約100ガウスの二相性活動電位波形の磁
気パルスを発生する第１図図示の装置を使用し、
実験例１の同様にして約100ガウスの磁気パルス
を照射しながら37℃で10時間培養した。培養終了
後、培養物を遠心分離して、上清中に含まれるイ
ンターフエロンを公知のプラーク半減法により測
定した。 対照として、第１図図示の磁気パルス発生装置
の充電回路及び制御回路付近の結線を一部変更し
て、パルス幅1/100秒、パルス間隔1/10秒の恒常
磁場パルスを発生するようにしたもの（対照１）、
及び、マルチバイブレータ０に代えて分周回路を
有する低調波発振器を使用して、一対の磁界発生
コイルＮ，Ｓに1/10秒毎に磁場方向が反転するパ
ルス幅1/100秒、パルス間隔1/10秒のパルス磁場
（対照２）若しくは正弦波波形を有する10ヘルツ
の交番磁場を発生するようにしたもの（対照３）
を使用して同様に実験した。 なお、赤血球凝集価は、「ザ・ジヤーナル・オ
ブ・イムノロジー（The Journal of
Immunology）」、第49巻、第87〜89頁（1944年）
に記載された方法に準じて測定した。 結果を第３表に示す。
置を使用し、二相性活動電位波形の磁気パルスを
照射した系では、発生した腫瘤の大きさが、全く
照射しない場合の約３倍以上にも達し、一方、対
照１〜３のように、二相性活動電位波形以外の波
形の磁気パルス若しくは交番磁場を照射した系に
於ては、発生した腫瘤も小さく、殊に、正弦波波
形の交番磁場を照射した対照３に於ては、移植後
早期にハムスターが死亡するケースが多く見ら
れ、解剖したところ、内蔵全体が一様に白つぽ
く、また、体外、体内に火傷によると思われる炎
症が見られた。 実験例 ３ インターラエロンの生産 実験例２の方法で得られた腫瘤を生理食塩水中
で細切し、コラゲナーゼを含有する生理食塩水で
分散させて得られたCCRF−CEM細胞及びセン
ダイウイルスを37℃に予温した血清無含有RPMI
1640倍地（PH7.8）にそれぞれ濃度５×106／ml及
び100赤血球凝集価／mlになるように捲懸した。
ついで、パルス幅１／100秒、パルス間隔1/10秒、
磁場強度約100ガウスの二相性活動電位波形の磁
気パルスを発生する第１図図示の装置を使用し、
実験例１の同様にして約100ガウスの磁気パルス
を照射しながら37℃で10時間培養した。培養終了
後、培養物を遠心分離して、上清中に含まれるイ
ンターフエロンを公知のプラーク半減法により測
定した。 対照として、第１図図示の磁気パルス発生装置
の充電回路及び制御回路付近の結線を一部変更し
て、パルス幅1/100秒、パルス間隔1/10秒の恒常
磁場パルスを発生するようにしたもの（対照１）、
及び、マルチバイブレータ０に代えて分周回路を
有する低調波発振器を使用して、一対の磁界発生
コイルＮ，Ｓに1/10秒毎に磁場方向が反転するパ
ルス幅1/100秒、パルス間隔1/10秒のパルス磁場
（対照２）若しくは正弦波波形を有する10ヘルツ
の交番磁場を発生するようにしたもの（対照３）
を使用して同様に実験した。 なお、赤血球凝集価は、「ザ・ジヤーナル・オ
ブ・イムノロジー（The Journal of
Immunology）」、第49巻、第87〜89頁（1944年）
に記載された方法に準じて測定した。 結果を第３表に示す。
【表】
これらの結果は、対照１〜３に於けるような磁
気パルス或は正弦波波形の交番磁場などを照射す
る場合と違つて、二相性活動電位波形の磁気パル
スを照射するときには、細胞増殖や細胞生残率の
みならず、インターフエロンなどの細胞による有
用物質生産も顕著に向上することを示している。 本発明の装置を使用して二相性活動電位波形の
磁気パルスを照射することにより、細胞増殖率、
細胞生残率及び細胞による有用物質生産に於て斯
しく顕著な効果が達成されるのは、二相性活動電
位の磁気パルスが、生体外或は生体以内に於て細
胞の新陳代謝を促し、細胞を効果的に賦活するか
らであると判断される。 本発明の装置を使用して達成される細胞賦活効
果は、細胞の種類並びに使用する二相性活動電位
波形の磁気パルスのパルス幅、パルス間隔、磁場
強度、照射時間に依存するけれども、本発明者が
実験したところによると、パルス幅1/500乃至1/1
００秒、パルス間隔1/100乃至１秒、磁場強度約
1000ガウス以下の二相性活動電位波形の磁気パル
スを毎日一回、１時間未満照射したときに好結果
が得られることが多かつた。また、磁場強度が
1300ガウス、殊に、8000ガウスを越えたり、1000
ガウス以下であつても、照射時間が２時間を越え
ると、増殖率や生残率が低下したり、一旦発生し
た腫瘤が縮退（腫瘍抑制効果）することがあつ
た。 叙上のように、本発明によるときには二相性活
動電位波形の磁気パルスを簡便に発生することが
できるいう特徴がある。 また、本発明の磁気パルス治療器を使用して生
体外或は生体内で細胞に二相性活動電位波形の磁
気パルスを照射することによつて細胞が賦活さ
れ、この増殖、生残率及び有用物質生産を顕著に
高め得るという実益を有するものである。
気パルス或は正弦波波形の交番磁場などを照射す
る場合と違つて、二相性活動電位波形の磁気パル
スを照射するときには、細胞増殖や細胞生残率の
みならず、インターフエロンなどの細胞による有
用物質生産も顕著に向上することを示している。 本発明の装置を使用して二相性活動電位波形の
磁気パルスを照射することにより、細胞増殖率、
細胞生残率及び細胞による有用物質生産に於て斯
しく顕著な効果が達成されるのは、二相性活動電
位の磁気パルスが、生体外或は生体以内に於て細
胞の新陳代謝を促し、細胞を効果的に賦活するか
らであると判断される。 本発明の装置を使用して達成される細胞賦活効
果は、細胞の種類並びに使用する二相性活動電位
波形の磁気パルスのパルス幅、パルス間隔、磁場
強度、照射時間に依存するけれども、本発明者が
実験したところによると、パルス幅1/500乃至1/1
００秒、パルス間隔1/100乃至１秒、磁場強度約
1000ガウス以下の二相性活動電位波形の磁気パル
スを毎日一回、１時間未満照射したときに好結果
が得られることが多かつた。また、磁場強度が
1300ガウス、殊に、8000ガウスを越えたり、1000
ガウス以下であつても、照射時間が２時間を越え
ると、増殖率や生残率が低下したり、一旦発生し
た腫瘤が縮退（腫瘍抑制効果）することがあつ
た。 叙上のように、本発明によるときには二相性活
動電位波形の磁気パルスを簡便に発生することが
できるいう特徴がある。 また、本発明の磁気パルス治療器を使用して生
体外或は生体内で細胞に二相性活動電位波形の磁
気パルスを照射することによつて細胞が賦活さ
れ、この増殖、生残率及び有用物質生産を顕著に
高め得るという実益を有するものである。
第１図は、本発明の実施例の電気回路を示す。
第２〜５図は、本発明の実施例に於ける、各部の
波形を示す。第６図は、本発明の別の実施例の電
気回路を示す。 図中の記号について説明すれば、Ｔ……トラン
ジスタ、Ｒ……抵抗、Ｃ……コンデンサ、Ｈ……
トランス、CH……チヨークコイル、Ｌ……線
輪、SCR……制御整流素子、Ｂ……直流電源、
Ｓ……スイツチ、Ｎ，Ｓ，Ｗ……磁界発生コイ
ル、０……マルチバイブレータ、１，２……充電
回路である。
第２〜５図は、本発明の実施例に於ける、各部の
波形を示す。第６図は、本発明の別の実施例の電
気回路を示す。 図中の記号について説明すれば、Ｔ……トラン
ジスタ、Ｒ……抵抗、Ｃ……コンデンサ、Ｈ……
トランス、CH……チヨークコイル、Ｌ……線
輪、SCR……制御整流素子、Ｂ……直流電源、
Ｓ……スイツチ、Ｎ，Ｓ，Ｗ……磁界発生コイ
ル、０……マルチバイブレータ、１，２……充電
回路である。
Claims (1)
- １ 直流電源とその直流電源よりの電荷を蓄える
コンデンサとからなる一対の充電回路、磁界発生
コイル、その磁界発生コイルを介して前記充電回
路に接続された続流遮断手段を有する制御整流素
子、及びそれら制御整流素子のトリガー電極を所
定の時間間隔を置いて交互に導通させる制御手段
からなり、前記一対の充電回路に充電された電荷
を、磁界発生コイルを通じて互いに逆方向に放電
させて二相性活動電位波形の磁気パルスを発生さ
せることを特徴とする磁気パルスによる細胞賦活
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58071926A JPS59197262A (ja) | 1983-04-23 | 1983-04-23 | Ｎｓ磁束一対の強力磁気パルス細胞賦活装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58071926A JPS59197262A (ja) | 1983-04-23 | 1983-04-23 | Ｎｓ磁束一対の強力磁気パルス細胞賦活装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59197262A JPS59197262A (ja) | 1984-11-08 |
| JPH0341193B2 true JPH0341193B2 (ja) | 1991-06-21 |
Family
ID=13474618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58071926A Granted JPS59197262A (ja) | 1983-04-23 | 1983-04-23 | Ｎｓ磁束一対の強力磁気パルス細胞賦活装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59197262A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6024121A (ja) * | 1983-07-16 | 1985-02-06 | 林原 健 | 動植物の生産性を向上させる方法 |
| JPS61249479A (ja) * | 1985-04-27 | 1986-11-06 | 星 亮 | 変動磁界を用いた生体刺激装置 |
| IL130982A0 (en) | 1999-07-19 | 2001-01-28 | Pemsti Technologies Ltd | Method and device for controlling behavior of living cell and tissue and biological solution |
| JP5771261B2 (ja) * | 2013-12-03 | 2015-08-26 | 株式会社Ｉｆｇ | 医療用連発磁気パルス発生装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5722770A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-05 | Inoue Japax Res | Magnetic treating instrument |
| CA1150361A (en) * | 1980-09-24 | 1983-07-19 | Roland A. Drolet | Electro-magnetic therapeutic system and method |
-
1983
- 1983-04-23 JP JP58071926A patent/JPS59197262A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59197262A (ja) | 1984-11-08 |
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