JPH034007B2 - - Google Patents

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JPH034007B2
JPH034007B2 JP805086A JP805086A JPH034007B2 JP H034007 B2 JPH034007 B2 JP H034007B2 JP 805086 A JP805086 A JP 805086A JP 805086 A JP805086 A JP 805086A JP H034007 B2 JPH034007 B2 JP H034007B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold
molding
ceramic
surface layer
molded
Prior art date
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Expired
Application number
JP805086A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62167005A (ja
Inventor
Isamu Matsui
Jiro Terada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
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Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Priority to JP805086A priority Critical patent/JPS62167005A/ja
Publication of JPS62167005A publication Critical patent/JPS62167005A/ja
Publication of JPH034007B2 publication Critical patent/JPH034007B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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  • Devices For Post-Treatments, Processing, Supply, Discharge, And Other Processes (AREA)
  • Producing Shaped Articles From Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はセラミツクス成形体を成形後すぐに成
形型から離型可能なセラミツクスの成形方法に関
するものである。
(従来の技術) 従来、セラミツクス成形体を作成するための成
形型としては石膏が広く一般的に使用されてい
る。セラミツクスの成形に石膏型を使用する場合
は、石膏型中でセラミツクスを加圧形し、セラミ
ツクス成形体を石膏型と一緒に乾燥炉中で数時間
にわたつて加熱乾燥させることにより、セラミツ
クス成形体と石膏型との間に両者の乾燥にともな
う収縮により隙間を生ぜしめて離型する必要があ
つた。
(発明が解決しようとする問題点) 上述した従来の石膏型を使用する方法では、離
型のための乾燥炉が不可欠であるため、成形体の
離型までの装置全体が大型となりまたスペースを
広く要すると共にセラミツクスの成形に要する時
間が膨大になる欠点があつた。さらに、乾燥炉中
でセラミツクス成形体と石膏型とを一緒に乾燥す
る必要があるので、成形に必要な石膏型の数も非
常に多く必要とする欠点があつた。
本発明の目的は上述した不具合を解消して、セ
ラミツクス成形体の成形型からの離型が成形後す
ぐにできるので離型のために乾燥炉を使用する必
要がないと共に、使用する成形型の総数が極めて
少なくてすむセラミツクスの成形方法を提供しよ
うとするものである。
(問題点を解決するための手段) 本発明のセラミツクスの成形方法は、10μm以
下の微細孔を有する成形表面層と、型の機械的強
度を保持する前記表面層の孔径より大きい孔径を
有する下層との二重構造よりなる成形型を金属製
受台中に気密でかつ成形型と受台との間に間〓を
設けて収納固定し、しかる後成形型に離型剤を予
め含浸させてセラミツクス坏土を成形型中に載置
し、成形時には前記間〓を減圧に維持しながら成
形型中でセラミツクス坏土を加圧成形し、成形後
の離型時には前記間〓に圧縮空気を導入すること
により、成形型中より離型剤を成形体と成形型と
の間に噴出させて成形体を成形型中で即脱型可能
とすることを特徴とするものである。
(作用) 上述した構成において、10μm以下の微細孔を
有する成形表面層と、型の機械的強度を保持する
前記表面層の孔径より大きい孔径を有する下層と
の二重構造よりなるセラミツクス成形型を使用す
ると共に、成形時および離型時にそれぞれセラミ
ツクス成形型の空隙部を減圧および加圧している
ため、得られるセラミツクス成形体をセラミツク
ス成形型から成形後すぐに離型することができ
る。さらに離型時には、エアレーシヨンにより予
じめセラミツクス成形型の10μm以下の微細孔を
有する成形表面層中に含浸させた離型剤がセラミ
ツクス成形型の表面に噴出するため、エアレーシ
ヨンによる空気の吹き出しだけでは離型できない
成形体も、噴出した離型剤と吹き出した空気の相
乗効果により容易にセラミツクス成形体を成形型
から離型させることができる。
ここで、表面保持層を10μm以下の微細孔と限
定したのは、離型剤を含浸保持するため10μm以
下好ましくは3μm以下が必要であり、また成形
品の表面を平滑にするため10μm以下が必要であ
り、さらに成形素地粒子により目詰りを起こさな
いため10μm以下が必要であるからである。
また、下層の孔径を表面層の孔径より大きくし
た理由は、減圧時および加圧時の圧力損失を少な
くするためであり、下層の孔径は50〜200μmで
あると好ましい。
(実施例) 第1図は本発明のセラミツクスの成形方法を実
施するセラミツクス成形型の一例を示す断面図で
ある。本実施例では、多孔体からなる成形型1を
金属製受台2中に複数のスペーサー3を介して載
置してセラミツクス成形型10を得ている。成形
型1と受台2との固定にはボルト4を使用して、
その先端の円周部にはOリング等のパツキング5
を設けると共に受台2の成形型1の頭部に対応す
る位置には図示しない加圧減圧装置を接続するた
めのプラグ6を設け、気密な空隙部7を形成す
る。本実施例のセラミツクス成形型10では、加
圧減圧装置をプラグ6に接続して空隙部7を加圧
又は減圧にすると、多孔体からなる成形型1の成
形表面層1−1は空気を吹き出すか又は空気を引
き込む状態を取り得る。なお、この成形型1とし
ては、10μm以下の微細孔を有する好ましくは無
機質微細粒子を有機質結合剤で結合した成形表面
層1−1と型の機械的強度を保持する表面層の孔
径より大きい孔径を有する好ましくは50〜200μ
mの孔径を有する好ましくは無機質粒子を結合剤
で結合した下層1−2との2重構造の成形型1を
使用する必要がある。
上述した構造のセラミツクス成形型10を使用
して、実際に成形体を得る方法は以下の手順によ
る。まず、成形時を説明すると、加圧減圧装置を
プラグ6に接続した後、好ましくは予備成形が完
了してその一面が成形型1の成形表面層1−1と
ほぼ同じ形状のセラミツクス坏土を成形型1中に
載置する。なお成形型1の多孔体内には予じめ離
型剤を含浸させておく。使用する離型剤としては
焼成によつて完全に焼失する油性のものが好まし
い。その後加圧減圧装置により空隙部7を真空圧
で引き、セラミツクス坏土と成形型1の成形表面
層1−1とを密着させた状態で本成形をおこな
う。本成形は上方より回転する好ましくは焼鏝を
セラミツクス坏土に押し付けて実施する。成形後
セラミツクス成形体を成形型1から離型する際
は、加圧減圧装置により空隙部7に例えば3.5〜
5.0Kg/cm2の圧力で空気を送り込み成形型1の表
面1aをエアレーシヨンする。このエアレーシヨ
ンにより成形体と成形型1の成形表面層1−1と
の間に空気が一様に吹き出すと共に、成形型1内
の多孔体中に予め含浸させた油性の離型剤も細か
い泡状となつて一様に噴出して、成形型に密着し
ている成形体と成形型1の成形表面層1−1との
間に隙間ができて成形体をわずかに浮き上がらせ
る。この状態で好ましくは減圧吸着盤によりセラ
ミツクス成形体を上方に吸着離型して所定の位置
へ搬送する。
(発明の効果) 以上詳細に説明したところから明らかなよう
に、本発明のセラミツクスの成形方法によれば、
10μm以下の微細孔を有する成形表面層と、型の
機械的強度を保持する表面層の孔径より大きい孔
径を有する下層との二重構造の成形型を使用して
成形時に減圧および離型時にエアレーシヨンを行
なつているのでセラミツクス成形体をセラミツク
ス成形型から成形後すぐに離型することができ
る。その結果、離型のために必要な乾燥炉を全く
省くことができるため、装置全体を小型化できス
ペースも狭く、また使用する成形型の個数も極め
て少なくて済むと共に成形に要する時間を大幅に
短縮することができる等数多くの利点を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のセラミツクスの成形方法を実
施するセラミツクス成形型の一例を示す断面図で
ある。 1……成形型、1−1……成形表面層、1−2
……下層、2……金属製受台、3……スペーサ
ー、4……ボルト、5……パツキング、6……プ
ラグ、7……空隙部、10……セラミツクス成形
型。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 10μm以下の微細孔を有する成形表面層と、
    型の機械的強度を保持する前記表面層の孔径より
    大きい孔径を有する下層との二重構造よりなる成
    形型を金属製受台中に気密でかつ成形型と受台と
    の間に間〓を設けて収納固定し、しかる後成形型
    に離型剤を予め含浸させてセラミツクス坏土を成
    形型中に載置し、成形時には前記間〓を減圧に維
    持しながら成形型中でセラミツクス坏土を加圧成
    形し、成形後の離型時には前記間〓に圧縮空気を
    導入することにより、成形型中より離型剤を成形
    体と成形型との間に噴出させて成形体を成形型中
    で即脱型可能とすることを特徴とするセラミツク
    スの成形方法。 2 減圧吸着盤により前記セラミツクス成形体を
    吸着して脱型する特許請求の範囲第1項記載のセ
    ラミツクスの成形方法。 3 前記セラミツクス坏土の成形を加熱加圧で行
    なう特許請求の範囲第1項記載のセラミツクスの
    成形方法。 4 前記加熱加圧を焼鏝成形法で行なう特許請求
    の範囲第3項記載のセラミツクスの成形方法。
JP805086A 1986-01-20 1986-01-20 セラミツクスの成形方法 Granted JPS62167005A (ja)

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JP805086A JPS62167005A (ja) 1986-01-20 1986-01-20 セラミツクスの成形方法

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Publication Number Publication Date
JPS62167005A JPS62167005A (ja) 1987-07-23
JPH034007B2 true JPH034007B2 (ja) 1991-01-22

Family

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