JPH0339997B2

JPH0339997B2 -

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Publication number: JPH0339997B2
Application number: JP59111738A
Authority: JP
Priority date: 1984-05-31
Filing date: 1984-05-31
Publication date: 1991-06-17
Also published as: JPS60255693A

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は新規な化合物結晶膜の製造方法とその
装置に関する。詳しくは、純度が高く良好な化合
物結晶膜を容易にかつ簡単な装置で形成すること
ができると共に、不純物の添加が容易であり、更
には、製造の効率がきわめて良好であると共に、
基板温度を従来のように高くせずに化合物結晶膜
を形成することができる新規な化合物結晶膜の製
造方法とその装置を提供しようとするものであ
る。

背景技術とその問題点マイクロエレクトロニクスや光通信技術の発展
に伴ない、半導体レーザー、発光ダイオード、
EL等の電光変換素子、赤外線センサー、太陽電
池等の光電変換素子の需要が急速に高まつて来て
いる。ところが、これらの素子を製造するために
は純度の高い化合物結晶膜が必要であるし、ま
た、化合物結晶膜への不純物の添加を充分なコン
トロールの下に行なうことが必要である。

しかしながら、従来の化合物結晶膜製造方法で
はこれらの要求に充分に答えられないのが現状で
ある。

例えば、MBE法（分子線エピタキシー法）は、
現時点では種々の化合物結晶膜の形成が可能な一
つの方法であるが、超高真空を必要とし、装置が
大掛りで、かつ高価となり、また材料ロスが多い
と共に、良質の膜を得るためには基板温度を高く
しなければならず、基板の選定が制限され、更
に、大型基板の処理が困難である等の問題点があ
る。

また、LPE法（液相エピタキシー法）は、高
温処理であり、蒸気圧の高い材料には適用できな
い、大型基板の処理が困難である、等の欠点を有
し、更に、CVD、ALE、スパツタリング、真空
蒸着等のVPE法（気相エピタキシー法）では、
基板温度が高い、使用できる原料ガスに制限が有
る、化合物の組み合わせに制限が有る、アモルフ
アスになり易い、等の欠点がある。

このように、従来の化合物結晶膜の製造方法に
はそれぞれ一長一短があり、種々の純度の高い化
合物結晶膜を簡単に得ることができ、また、不純
物の添加を充分なコントロールの下に行うことが
でき、そして、更には、その装置が簡単かつ安価
であるというようなものはない。特に、ZnSの結
晶膜の製造が可能なのはMBE法のみであり、他
の方法での製造例に関してはまだ報告がない。

発明の目的そこで、本発明は、HWE法（ホツトウオール
エピタキシー法）を用いて、前記従来の方法にあ
つた問題点を解決して、純度が高く良好で、均一
かつ均質な化合物結晶膜を容易にかつ簡単な装置
で形成することができると共に、不純物の添加も
容易であり、更には、製造の効率がきわめて良好
である新規な化合物結晶膜の製造方法とその装置
を提供することを目的とする。

発明の概要上記目的を達成するために、本発明に係る化合
物結晶膜の製造方法は、真空室内にて、上端開口
を密閉した状態の膜形成室の周壁を加熱すると共
に該膜形成室内に複数の蒸気化された材料を供給
し、該膜形成室内の蒸気圧が高まつたところで、
膜形成室の上端開口に加熱した基板を配置して該
基板上に前記各材料から成る化合物結晶膜を形成
すると共に、化合物結晶膜の形成途中において少
なくとも一回は基板の化合物結晶膜形成面を真空
中に曝することを特徴とする。

第１の実施例先ず、本発明の化合物結晶膜の製造方法の第１
のものについて詳細に説明する。

第１図及び第２図は本発明化合物結晶膜の製造
方法の第１のものを実施するための装置を示すも
のである。

１は真空室であり、図示しないポンプと連結さ
れ、内部の気圧が制御されるようになつている。

２は真空室１内に配置されたHWEルツボであ
り、膜形成室３と周辺ルツボ４と中心ルツボ５と
が一体的に形成されて成る。

膜形成室３は縦断面形状で略Ｕ字状をしてお
り、その底部中央を中心ルツボ５が貫通して設け
られている。中心ルツボ５は底部が閉塞された細
長い円筒状をしており、その中央部で膜形成室３
の底部中央と結合されている。そして、中心ルツ
ボ５の上端、即ち開口端は径の細い蒸着材料供給
口６とされており、該蒸着材料供給口６と筒部と
の間は逆ロート状の連続部７によつて連結されて
いる。

周辺ルツボ４は中心ルツボ５の膜形成室３内に
突出した部分と膜形成室３底部との間に形成され
る。即ち、８は周辺ルツボ形成壁であり、中心ル
ツボ５の連続部７形成位置の稍下方から中心ルツ
ボ５の壁との間に僅かの間隔を空けて下方へ向つ
て延び、膜形成室３の底部近くで、側方へ向つて
拡がつて膜形成室３の側壁と接触される、そし
て、中心ルツボ５の壁と平行に延びる垂直部９の
上端と中心ルツボ５の壁との間が蒸着材料供給口
１０とされている。

１１はウオールヒーターであり、膜形成室３の
底部（周辺ルツボ４の材料収納部となつている。）
を除いた部分の壁外面に沿つて配置されている。
このようなウオールヒーター１１は、例えば、石
英管１２はダンスステン、タンタル等から成るヒ
ーター線１３を巻回して成る。１４は周辺ルツボ
用のルツボヒーターであり、周辺ルツボ４の材料
収納部、即ち、膜形成室３の底部を囲むように配
置されている。１５は中心ルツボ用のルツボヒー
ターであり、中心ルツボ５の底部、即ち、材料収
納部の外側面に沿つて配置されている。これらル
ツボヒーター１４，１５も、前記ヒーター１１と
同様に、石英管１６，１７にヒーター線１８，１
９を巻回して成るものである。

２０はシヤツター兼用の基板ホルダであり、シ
ヤツター部２１と基板保持部２２とが一体に形成
されており、そして、この基板ホルダ２０は膜形
成室３の上端開口を覆うように、かつ水平方向に
スライド可能なるように配置されている。

２３は基板ヒーターであり、基板ホルダ２０の
基板保持部２２の上側に配置されている。

２４は基板ホルダ２０の基板保持部２２に保持
される基板である。そして、基板ホルダ２０が第
２図Ａに示す状態にあるときは、HWEルツボ２
の膜形成室３の上端開口２５は、基板ホルダ２０
のシヤツター部２１によつて閉塞され、基板ホル
ダ２０が第２図Ｂに示す状態にあるときは、基板
２４が膜形成室３に臨まされる。そして、基板ホ
ルダ２０は第２図Ａの位置と第２図Ｂの位置との
間をスライド自在に移動するようにされている。

尚、膜形成室３、中心ルツボ５及び周辺ルツボ
形成壁８は石英製のものが用いられている。

上記の如き装置による化合物結晶膜の製造は、
各ルツボ４，５内に蒸着材料を収納し、各ヒータ
ー１１，１４，１５及び２３によつて膜形成室
３、周辺ルツボ４、中心ルツボ５及び基板２４を
加熱し、各ルツボ４，５内の材料を蒸発させ、
各々の蒸着材料供給口１０及び６から膜形成室３
内に蒸気を導入し、基板２４上に膜を形成するも
のである。

次に、上記装置を用いてZnS膜を形成する場合
の例を説明する。

周辺ルツボ４内にZnを収容し、中心ルツボ５
内にＳを収容する。

そして、膜形成室３内の圧力Pd、亜鉛（Zn）
が入つた周辺ルツボ４内の圧力PZn、イオン
（Ｓ）が入つた中心ルツボ５内の圧力PS相互の関
係を、Pd＜PZn、Pd＜PS、なる関係になるよう
に、周辺ルツボ４の温度TH₁及び中心ルツボ５
の温度TH₂を調整し、そして、膜形成室３の壁
温度TW、基板２４の温度TSをそれぞれTS＜
TW、TH₁＞TH₂となるようにし、これらの熱平
衡下に基板２４上にZnSの結晶膜を形成する。

例えば、TW≒400〜500℃、TS≒250〜300℃、
TH₁≒350〜450℃、TH₂≒90〜350℃とする。

そこで、上記の如き熱平衡下で基板ホルダ２０
を第２図Ｂに示す位置までスライドして、膜形成
室３の上端開口２５に基板保持部２２が位置する
ようにし、それによつて、膜形成室３の上端開口
２５を覆うように位置せしめられた基板２４の下
面にZnSの結晶膜が形成される。

そして、ある程度、ZnS膜が形成されたところ
で、基板ホルダ２０を第２図Ａで示す状態に戻し
て基板２４を真空室１内の真空中に曝すようにす
る。すると、きわめて良好な化合物結晶膜が得ら
れる。即ち、基板２４には単結晶の核にならない
ような不安定な分子２６，２６，…が付着するこ
とがあるが（第３図Ａ参照）、上記したように、
基板２４を真空に曝してやることによつて、かか
る不安定な分子２６，２６…が再蒸発される（第
３図Ｂ参照）。尚、このとき、第４図に示すよう
に、基板２４を真空中に曝した状態において、基
板２４の化合物結晶膜が形成される表面を加熱す
るヒーター２７を設けておくと、上記した不安定
分子２６，２６，…の再蒸発が促進される。第４
図に示したヒーター２７は開口が基板２４側を向
いた回転放物面反射鏡２８とその光源が該反射鏡
２８の略焦点位置に配置されたハロゲンランプあ
るいはレーザービーム及び紫外線（水銀灯）や電
子ビーム、更には、所定の原子層（数層）を部分
的に取り除く加工が可能となるイオンビーム等の
励起源２９とからなるものである。

上記したように、真空中に曝した基板２４を、
再び、第２図Ｂで示す状態とし、所要膜厚の化合
物結晶膜を得るようにする。尚、基板２４を真空
中に曝すのは、一回に限らず、必要に応じて数回
行なつても構わない。

尚、イオウ（Ｓ）等のように蒸気圧の高い材料
を用いる場合は、蒸着材料供給口６や１０の形状
に留意することが必要である。例えば、蒸着材料
供給口６の直径Ａを約0.5mm、蒸着材料供給口１
０の幅Ｂを0.1〜0.3mm、蒸着材料供給口１０の長
さＣを30mm以上とすると良い結果が得られる。特
に、ZnSを製造する場合、Ｂの間隔が大きく、Ｃ
が短かく、Ａが大きいと、蒸気圧の高いＳの蒸発
量のコントロールが難かしく、Znルツボ内にＳ
が逆拡散し、ルツボ内のZnと反応してZnSを形成
してしまい、蒸発困難となる。そこで、Ａを絞
り、Ｂを狭くし、Ｃを長くすることで相互拡散を
防止することが可能となる。

第２の実施例第５図は本発明に係る化合物結晶膜の製造方法
を実施するための化合物結晶膜製造装置の第２の
実施例を示すものである。この第２の実施例のも
のは、前記第１の実施例のものと比較してHWE
ルツボが異なり、蒸着材料をガス状として真空室
１外から膜形成室３１内へと導入するようにした
ものである。

３０は真空室１内に配置されたHWEルツボで
ある。３１は膜形成室であり、上端部に開口３２
を有し、他の部分は真空室１内部とは完全に遮断
されている。この膜形成室３１は略円筒形をして
おり、例えば石英ガラスによつて形成されてい
る。３３は膜形成室の外周面から稍間隔を置いて
膜形成室３２を囲むように配置されたヒーターで
あり、石英管３４にニクロム線、タンタル線等の
ヒーター線３５を等間隔に巻回して成るものであ
る。

３６は、例えば、石英ガラスによつて形成され
た蒸着材料供給管であり、膜形成室３２の底部を
貫通して上下に延びており、上端の蒸着材料供給
口３７は膜形成室３２の上下方向における略中央
部でかつ中心部に位置しており、下端部は真空室
１外まで延びている。そして、蒸着材料供給管３
６の外端（下端）はコントロールバルブ３８を介
してガス供給源３９と連結されている。

４０はヒーターであり、蒸着材料供給管３６の
真空室１内にある中間部を取り囲むように配置さ
れた石英管４１に前述した如き加熱ヒーター線４
２を巻回して成るものである。

４３は蒸着材料加熱部であり、膜形成室３１の
底部４４と該底部４４の周縁部から蒸着材料供給
管３６に接近する位置まで延びるように形成され
た連続部４５と蒸着材料供給管３６の膜形成室３
１内突出部とによつて囲まれた空間として形成さ
れている。尚、連続部４５も、例えば、石英ガラ
スによつて形成されている。連続部４５の上端部
は蒸着材料供給管４６の外周面と僅かな間隔を置
いて延びており、その上端と蒸着材料供給管３６
との間の隙間４６が蒸着材料供給口とされてい
る。そして、この蒸着材料供給口４６の上下方向
における位置は蒸着材料供給管３６の膜形成室３
１内突出部の略中間部に位置していて、かつ、環
状に開口している。

４７はヒーターであり、蒸着材料加熱部４３を
取り囲むように配置された石英管４８に前述した
のと同様のヒーター線４９が巻回されて成るもの
である。

５０は蒸発材料供給管であり、その上端は蒸着
材料加熱部４３の底部４４内に開口５１してお
り、下端部は真空室１外まで延びている。そし
て、この蒸着材料供給管５０の外端（下端）はコ
ントロールバルブ５２を介してガス供給源５３と
連結されている。

上記の如きHWEルツボ３０の上部には前記し
た第１の実施例における基板ホルダと同様の基板
ホルダ２０が配置されている。従つて、基板ホル
ダ２０が第２図Ａに示したのと同様の状態にある
ときは、膜形成室３１の上端開口３２は、基板ホ
ルダ２０のシヤツター部２１によつて閉塞され、
基板ホルダ２０が第２図Ｂに示したのと同様の状
態にあるときは、基板２４が膜形成室３１に臨ま
される。

尚、２２ａは基板ホルダ２０の基板保持部２２
に形成された孔、２２ｂは基板保持部２２の上端
部に形成された開口であり、この開口２２ｂはパ
イプ５４によつて吸引機構５５と連結されてい
る。また、基板保持部２２の内部空間２２ｃは基
板２４が取り付けられた状態で前記孔２２ａを除
いて他の部分と遮断されている。

次に、上記した装置を用いて行なう化合物結晶
膜の製造について説明する。先ず、ZnS膜の製造
について説明する。

ガス供給源３９，５３としてガスボンベが用い
られる。先ず、第１のガスボンベ３９にはH₂Sガ
スが充填されており、第２のガスボンベ５３には
ZnCl₂が充填されている。尚、５６はガスボンベ
５３を囲むように配置されたヒーターであり、石
英管５７とヒーター線５８とから成る。

先ず、第２図Ａに示したのと同様に、膜形成室
３１の上端開口３２を基板ホルダ２０のシヤツタ
ー部２１にて閉塞する。ヒーター５６によつてボ
ンベ５３を加熱して中の材料をガス化する。そし
て、コントロールバルブ３８及び５２を開き、か
つ、各ヒーター３３，４０及び４９のヒーター線
３５，４２及び４９に通電し、膜形成室３１内の
圧力Pd、蒸着材料供給管３６内の圧力PS、蒸着
材料加熱部４３内の圧力PZn相互の関係を、Pd
＜PZn、Pd＜PS、なる関係になるように調整し、
そして、膜形成室３１の壁温度TW、基板２４の
温度TS、蒸着材料供給管３６の温度TH₁及び蒸
着材料加熱部４３の温度TH₂を、それぞれ、TS
＜TW、TH₁＜TH₂とする。あとは、上記した第
１の実施例におけると同様にして化合物結晶膜を
形成することになる。

このとき、HClガスが発生（ZnCl₂＋H₂S→
ZnS＋2HCl）するので、上記吸引機構５５を駆
動して、HClガスを膜形成室３１内から排気す
る。また、基板２４を真空中に曝す場合は、材料
ガスの供給を中止して、基板保持部２２内空間２
２ｃ内のHClガスを吸引機構５５により排気して
から、真空に曝すようにする。この場合、基板２
４にわずかに付着したHClは真空中に再蒸発され
て除去される。

尚、上記装置を用いて化合物結晶膜を形成する
場合、蒸着材料加熱部４３内に蒸着材料を入れて
おくようにしても良い。即ち、先程のZnS膜を形
成する場合、蒸着材料加熱部４３内にZnを収納
しておき、ここ４３へガスボンベ５３からClガス
を供給し、蒸着材料加熱部４３内でZnCl₂ガスを
生成するようにしても良い。

更に、上記装置によつてZnSe膜を形成する場
合には、ガス供給源３９としてHSeガスを充填し
たガスボンベを使用すれば良い。この場合、先程
のTH₁は約220℃に、TH₂は約390℃程度に設定
すれば良い。

第３の実施例第６図乃至第８図は本発明化合物結晶膜の製造
方法を実施するための製造装置の第３の実施例を
示すものである。

第６図は装置全体の配置を平面的に見た配置説
明図である。

Dep１及びDep２はそれぞれ成膜ポジシヨンで
あり、Rev，Rev，Revはそれぞれ再蒸発ポジシ
ヨンであり、そして、Dopは不純物添加ポジシヨ
ンである。

５９は真空室１内に配置された基板ホルダであ
り、回転制御部６０により間欠回転せしめられる
ようになつている。そして、回転方向に沿つて等
間隔に基板保持部６１，６１，６１が形成されて
おり、該基板保持部６１，６１，６１にはそこに
保持される基板２４，２４，２４をその上方から
加熱する基板ヒーター６２，６２，６２が配置せ
しめられている。そして、このような基板保持部
６１，６１，６１の各間６３，６３，６３がシヤ
ツター部として機能するようになつている。

成膜ポジシヨンDep１及びDep２においては、
基板ホルダ５９の下にそれぞれ前記第１の実施例
で示した如きHWEルツボ２あるいは第２の実施
例で示したHWEルツボ３０が配置されている。

６４は真空室１内に配置された蒸発ボートであ
り、不純物添加ポジシヨンDopにおいて、基板ホ
ルダ５９の下方に配置されている。この蒸発ボー
ト６４に添加不純物とする材料を載置し、成膜ポ
ジシヨンDepで結晶膜を成長させた基板２４を蒸
発ボート６４の真上まで移動させて、そこで、真
空蒸着によつて蒸発ポート６４上に載置された材
料の結晶を成長させ、これによつて、化合物結晶
膜に不純物を添加することができる。

例えば、成膜ポジシヨンDep１，Dep２で基板
２４上にZnS膜を成長させ、通常の真空蒸着で
Mnを（材料は蒸発ボート６４上に載置する。）
成長させることが可能である。

このような、第６図乃至第８図に示した化合物
結晶膜製造装置においては、基板保持部６１，６
１，６１に基板２４，２４，２４を保持し、各基
板２４，２４，２４を成膜ポジシヨンDep１→再
蒸発ポジシヨンRev→不純物添加ポジシヨンDop
→再蒸発ポジシヨンRev→成膜ポジシヨンDep２
→再蒸発ポジシヨンRevという順に各ポジシヨン
に間欠的に移動せしめるようにし、各成膜ポジシ
ヨンDep１，Dep２では基板２４上に化合物結晶
膜を成長させ、各再蒸発ポジシヨンRev，Rev，
Revでは基板２４，２４，２４を真空中に曝すこ
とによつて不安定分子の再蒸発をせしめ、不純物
添加ポジシヨンDopでは不純物を添加するように
して、基板２４上に所要の化合物結晶膜を得るも
のである。

尚、不純物の添加を必要としない場合には、蒸
発ボート６４の駆動を停止すれば良い。

また、成膜ポジシヨンDep１とDep２とは同じ
化合物結晶膜を生長させるようにしても良いし、
あるいは別個の化合物結晶膜を生長させるように
しても良い。例えば、成膜ポジシヨンDep１で
ZnS膜を、成膜ポジシヨンDep２でZnSe膜を、そ
れぞれ成長させるようにし、これを交互に繰り返
えせば、ZnS／ZnSe超格子膜を形成することが
できる。

発明の効果以上に記載したところから明らかなとおり、本
発明化合物結晶膜製造方法の第１のものは、真空
室内にて、上端開口を密閉した状態の膜形成室の
周壁を加熱すると共に該膜形成室内に複数の蒸気
化された材料を供給し、該膜形成室内の蒸気圧が
高まつたところで、膜形成室の上端開口に加熱し
た基板を配置して該基板上に前記各材料から成る
化合物結晶膜を形成すると共に、化合物結晶膜の
形成途中において少なくとも一回は基板の化合物
結晶膜形成面を真空中に曝すことを特徴とする。

従つて、このような本発明化合物結晶膜製造方
法によれば、きわめて結晶性の良好な化合物結晶
膜が得られるにもかかわらず、従来の他の方法、
例えば、MBE法と比較して、装置が非常に簡単
である、真空蒸着装置に改造を加えるだけで製造
装置が得られる、真空室内の真空度は10^-6Torr
程度で良く超高真空を必要としない、大型基板の
処理が可能である、材料のロスが少ない、等数々
の利点を有する。また、そして、その他にも、不
純物をどの部分にも容易に添加することができ
る、多層構造の結晶膜を容易に製造することがで
きる、結晶膜生成の状態をイソプロセスで観察で
きる、簡単なプロセスモニター（温度コントロー
ル）でコントロールすることができ、再現生が良
好である、熱処理等の後加工を必要としない、真
空装置の汚れが少ない、基板温度が低くても良
い、等数々の利点を有する。更には、応用範囲が
きわめて広く、種々の組み合わせ、例えば、
GaAs、InSb、ZnSe、PbSnTe、HgCdTe等々、
の多元材料による化合物結晶膜を生成することが
できる。

また、本発明化合物結晶膜の製造方法の第２の
ものは、真空室内に複数の膜形成室を同一円周上
にあるように配置し、同じく真空室内に回転自在
に配置された基板ホルダの基板保持部以外の部分
で上記膜形成室の上端開口を閉塞し、該上端開口
が閉塞された膜形成室の周壁を加熱すると共に該
膜形成室内に複数の蒸気化された材料を供給し、
該膜形成室内の蒸気圧が高まつたところで膜形成
室の上端開口に上記基板ホルダに保持されかつ加
熱された基板を位置せしめて該基板上に前記各材
料から成る化合物結晶膜を形成し、次いで上記基
板ホルダを回転せしめて膜形成室の上端開口部に
位置せしめられていた基板を真空雰囲気中に曝す
と共に今まで化合物結晶膜を生成していた膜形成
室の上端開口を閉塞し、その次に、また基板ホル
ダを回転せしめて真空雰囲気中に曝されていた基
板を次の膜形成室の上端開口部に位置せしめると
いう動作を基板ホルダを間欠回転させることによ
つて行なわせ、これによつて基板上に所要の化合
物結晶膜を形成するようにしたことを特徴とし、
その製造装置は、真空室内に上端が開口された膜
形成室を同一円周上に複数配置し、これら膜形成
室内に複数の蒸気化された材料を供給する手段を
設け、更に、上記膜形成室の上端開口を閉塞する
平面内で間欠的に回転せしめられる基板ホルダを
設け、該基板ホルダの間欠回転に応じて上記膜形
成室の上端開口が閉塞された状態と該上端開口に
基板が配置された状態とが選択的に現出せしめら
れるようにされると共に、膜形成室の壁面及び基
板を加熱する加熱手段を設けたことを特徴とする
ものである。

従つて、多層構造の化合物結晶膜をきわめて効
率良く製造することが可能となる。

尚、上記実施例の説明においては、ZnS膜、
ZnSe膜等の２元材料から成る化合物結晶膜を形
成する装置、あるいはその多層膜を形成する装置
について説明したが、３元以上の材料から成る化
合物結晶膜を形成する場合は膜形成室内に蒸着材
料を供給する供給装置（周辺ルツボや蒸着材料供
給管の如きもの）の数を増やすことによつて容易
にその目的を達成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明に係る化合物結晶膜
の製造方法を実施をするための装置の第１の実施
例を示すもので、第１図は全体の縦断面図、第２
図は動作説明図、第３図は作用を説明する縦断面
図、第４図は変形例を示す縦断面図、第５図は本
発明に係る化合物結晶膜の製造方法を実施するた
めの装置の第２の実施例を示す縦断面図、第６図
乃至第８図は本発明に係る化合物結晶膜の製造方
法を実施するための装置の第３の実施例を示すも
ので、第６図は全体の配置関係を平面的に示す概
念図、第７図は第６図の配置関係にある装置を
−線で切断した場合の断面図、第８図は同じく
第６図の配置関係にある装置を−線で切断し
た場合の切断面である。符号の説明、１……真空室、３……膜形成室、
１２……加熱手段、１４……加熱手段、１５……
加熱手段、２４……基板、２５……上端開口、３
１……膜形成室、３２……上端開口、３３……加
熱手段、４０……加熱手段、４７……加熱手段、
５９……基板ホルダ、６１……基板保持部、６２
……加熱手段。

Claims

【特許請求の範囲】１真空室内にて、上端開口を密閉した状態の膜
形成室の周壁を加熱すると共に該膜形成室内に複
数の蒸気化された材料を供給し、該膜形成室内の
蒸気圧が高まつたところで、膜形成室の上端開口
に加熱した基板を配置して該基板上に前記各材料
から成る化合物結晶膜を形成すると共に、化合物
結晶膜の形成途中において少なくとも一回は基板
の化合物結晶膜形成面を真空中に曝すことを特徴
とする化合物結晶膜の製造方法。２真空室内に複数の膜形成室を同一円周上にあ
るように配置し、同じく真空室内に回転自在に配
置された基板ホルダの基板保持部以外の部分で上
記膜形成室の上端開口を閉塞し、該上端開口が閉
塞された膜形成室の周壁を加熱すると共に該膜形
成室内に複数の蒸気化された材料を供給し、該膜
形成室内の蒸気圧が高まつたところで膜形成室の
上端開口に上記基板ホルダに保持されかつ加熱さ
れた基板を位置せしめて該基板上に前記各材料か
ら成る化合物結晶膜を形成し、次いで上記基板ホ
ルダを回転せしめて膜形成室の上端開口部に位置
せしめられていた基板を真空雰囲気中に曝すと共
に今まで化合物結晶膜を生成していた膜形成室の
上端開口を閉塞し、その次に、また基板ホルダを
回転せしめて真空雰囲気中に曝されていた基板を
次の膜形成室の上端開口部に位置せしめる、とい
う動作を基板ホルダを間欠回転させることによつ
て行なわせ、これによつて基板上に所要の化合物
結晶膜を形成するようにしたことを特徴とする化
合物結晶膜の製造方法。３真空室内に上端が開口された膜形成室を同一
円周上に複数配置し、これら膜形成室内に複数の
蒸気化された材料を供給する手段を設け、更に、
上記膜形成室の上端開口を閉塞する平面内で間欠
的に回転せしめられる基板ホルダを設け、該基板
ホルダの間欠回転に応じて上記膜形成室の上端開
口が閉塞された状態と該上端開口に基板が配置さ
れた状態とが選択的に現出せしめられるようにさ
れると共に、膜形成室の壁面及び基板を加熱する
加熱手段を設けたことを特徴とする化合物結晶膜
の製造装置。