JPH0338570B2 - - Google Patents
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- JPH0338570B2 JPH0338570B2 JP57034368A JP3436882A JPH0338570B2 JP H0338570 B2 JPH0338570 B2 JP H0338570B2 JP 57034368 A JP57034368 A JP 57034368A JP 3436882 A JP3436882 A JP 3436882A JP H0338570 B2 JPH0338570 B2 JP H0338570B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
- G02B7/28—Systems for automatic generation of focusing signals
- G02B7/34—Systems for automatic generation of focusing signals using different areas in a pupil plane
- G02B7/346—Systems for automatic generation of focusing signals using different areas in a pupil plane using horizontal and vertical areas in the pupil plane, i.e. wide area autofocusing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Focusing (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、カメラや各種計測装置などに用いら
れる光学結像系の焦点検出装置、特にその焦点検
出装置の受光部の改良に関する。
れる光学結像系の焦点検出装置、特にその焦点検
出装置の受光部の改良に関する。
カメラの撮影レンズや顕微鏡その他各種計測
器。光学装置などに用いられる光学系の対物レン
ズを透過した光を測光して焦点検出を行う装置
が、例えば米国特許第4185197号(日本特開昭54
−159259)公報によつて開示されている。この装
置は、第1図に示されているように、対物レンズ
1の結像面近傍に、複数の微小レンズ2と各微小
レンズの後方に設けられた一対の光電変換素子3
a,3b,4a,4b,5a,5b……等から成
る一次元受光素子アレイが配置され、この一次元
受光素子アレイの出力が焦点検出回路6に入り、
焦点検出回路6によつて発生した検出信号が焦点
調節制御回路7を介してモーター8を駆動制御
し、さらにレンズ移動機構9を介して対物レンズ
1を光軸方向に進退させて、物体像が微小レンズ
アレー2と合致したときその移動を停止させ、焦
点調節が完了するように構成されている。ここで
第1A図に示すように各微小レンズ3,4…の後
方に置かれた各一対の光電変換素子の一方の素子
3a,4a…は、対物レンズ1の射出瞳の第1の
部分(対物レンズ光軸10より上方の部分)から
来る光束11,11′…に関する光像を受光し、
また、他方の素子3b,4b,…は対物レンズの
射出瞳の第2の部分(対物レンズ光軸10より下
方の部分)から来る光束12,12′,…に関す
る光像を受光する。なお、第1B図は、第1A図
の各微小レンズ3,4…とその後方に配置された
それぞれ1対の光電変換素子3a,3b,4a,
4b,…とから成るモジユール(以下単に「受光
素子」という。)が一次元的に配列されているこ
とを示している。
器。光学装置などに用いられる光学系の対物レン
ズを透過した光を測光して焦点検出を行う装置
が、例えば米国特許第4185197号(日本特開昭54
−159259)公報によつて開示されている。この装
置は、第1図に示されているように、対物レンズ
1の結像面近傍に、複数の微小レンズ2と各微小
レンズの後方に設けられた一対の光電変換素子3
a,3b,4a,4b,5a,5b……等から成
る一次元受光素子アレイが配置され、この一次元
受光素子アレイの出力が焦点検出回路6に入り、
焦点検出回路6によつて発生した検出信号が焦点
調節制御回路7を介してモーター8を駆動制御
し、さらにレンズ移動機構9を介して対物レンズ
1を光軸方向に進退させて、物体像が微小レンズ
アレー2と合致したときその移動を停止させ、焦
点調節が完了するように構成されている。ここで
第1A図に示すように各微小レンズ3,4…の後
方に置かれた各一対の光電変換素子の一方の素子
3a,4a…は、対物レンズ1の射出瞳の第1の
部分(対物レンズ光軸10より上方の部分)から
来る光束11,11′…に関する光像を受光し、
また、他方の素子3b,4b,…は対物レンズの
射出瞳の第2の部分(対物レンズ光軸10より下
方の部分)から来る光束12,12′,…に関す
る光像を受光する。なお、第1B図は、第1A図
の各微小レンズ3,4…とその後方に配置された
それぞれ1対の光電変換素子3a,3b,4a,
4b,…とから成るモジユール(以下単に「受光
素子」という。)が一次元的に配列されているこ
とを示している。
上記の公知装置によれば、a系列の光電変換素
子3a,4a,5a…およびb系列の光電変換素
子3b,4b,5b…からの両光電出力パターン
の相互のずれを焦点検出回路6で検出することに
よつて、対物レンズが前ピン、合焦、後ピンのい
ずれであるかの判定を行うことができる。
子3a,4a,5a…およびb系列の光電変換素
子3b,4b,5b…からの両光電出力パターン
の相互のずれを焦点検出回路6で検出することに
よつて、対物レンズが前ピン、合焦、後ピンのい
ずれであるかの判定を行うことができる。
第2図は、第1図の一次元受光素子アレイを光
軸方向に見た図であり、第1B図のような円形開
口の微小レンズが長さdのピツチで1列に並んで
いる。このような場合に、受光素子アレーの微小
レンズ上に投影された光像パターンが、この受光
素子アレイの微小レンズにより量子化されて、微
小レンズの後方に置かれた各光電変換素子出力の
出力パターンに変換された時、その変換に際して
のMTF(Modulation Transfer Function)はほ
ぼ第3図の実際Aの如く、上記のピツチdを空間
周期とする空間周波数=1/dをわずかに含む
ものとなる。ところが、このように光像パターン
をピツチdで配列された微小レンズを含む受光素
子で光電変換した場合、ナイキスト限界周波数N
=1/2dを中心にして対称的な空間周波数即ち
(N−)と(N+)、例えば1/4dと3/4dは
互に分離不可能で、同時に抽出される(ただしO
<<N)。
軸方向に見た図であり、第1B図のような円形開
口の微小レンズが長さdのピツチで1列に並んで
いる。このような場合に、受光素子アレーの微小
レンズ上に投影された光像パターンが、この受光
素子アレイの微小レンズにより量子化されて、微
小レンズの後方に置かれた各光電変換素子出力の
出力パターンに変換された時、その変換に際して
のMTF(Modulation Transfer Function)はほ
ぼ第3図の実際Aの如く、上記のピツチdを空間
周期とする空間周波数=1/dをわずかに含む
ものとなる。ところが、このように光像パターン
をピツチdで配列された微小レンズを含む受光素
子で光電変換した場合、ナイキスト限界周波数N
=1/2dを中心にして対称的な空間周波数即ち
(N−)と(N+)、例えば1/4dと3/4dは
互に分離不可能で、同時に抽出される(ただしO
<<N)。
この空間周波数(N−)の空間格子像が第2
図の受光素子アレイ上で右に動いたならば、その
受光素子アレイからの出力パターンも右に動く
が、空間周波数(N+)の空間格子像は第2図
の受光素子アレイ上で右に動くと、その受光素子
アレイからの出力パターンは反対に左に動くよう
に感知される。このことは、光像にナイキスト限
界N以上の空間周波数成分を含む場合には、光像
の変位に基づく焦点検出に著しい障害をもたらす
ことになる。従つて、光像がN以上の空間周波数
成分を相対的に多く含む程、間隔dで並ぶ微小レ
ンズを通して光電変換素子出力として得られる情
報は不適当なものとなり、この情報を用いて前ピ
ン、後ピン、合焦を演算した結果は非常に検出誤
差の大きい、場合によつては全くでたらめなもの
となる。さらにまた、第2図のようにサンプル領
域間即ち隣接する微小レンズ間に間げきが有る場
合において、投影される光像パターンのエツジが
この間げきを通過する時には、その変位を検出で
きないという不都合を生じる。
図の受光素子アレイ上で右に動いたならば、その
受光素子アレイからの出力パターンも右に動く
が、空間周波数(N+)の空間格子像は第2図
の受光素子アレイ上で右に動くと、その受光素子
アレイからの出力パターンは反対に左に動くよう
に感知される。このことは、光像にナイキスト限
界N以上の空間周波数成分を含む場合には、光像
の変位に基づく焦点検出に著しい障害をもたらす
ことになる。従つて、光像がN以上の空間周波数
成分を相対的に多く含む程、間隔dで並ぶ微小レ
ンズを通して光電変換素子出力として得られる情
報は不適当なものとなり、この情報を用いて前ピ
ン、後ピン、合焦を演算した結果は非常に検出誤
差の大きい、場合によつては全くでたらめなもの
となる。さらにまた、第2図のようにサンプル領
域間即ち隣接する微小レンズ間に間げきが有る場
合において、投影される光像パターンのエツジが
この間げきを通過する時には、その変位を検出で
きないという不都合を生じる。
本発明は、上記のような従来公知の焦点検出装
置の受光部の欠点を除き、検出に不都合なナイキ
スト限界以上の空間周波数成分を相対的に抑圧
し、また、上記のように光像パターンのエツジが
サンプル領域の間げきに入る確率を小さくするこ
とにより、より検出精度の高い焦点検出装置を提
供することをその目的とする。
置の受光部の欠点を除き、検出に不都合なナイキ
スト限界以上の空間周波数成分を相対的に抑圧
し、また、上記のように光像パターンのエツジが
サンプル領域の間げきに入る確率を小さくするこ
とにより、より検出精度の高い焦点検出装置を提
供することをその目的とする。
以下、添付の図面および実施例に基づいて本発
明を詳細に述べる。
明を詳細に述べる。
まず第4図乃至第7図によつて本発明の原理を
説明する。第4図および第5図は従来の一次元的
に配列された受光素子アレイ20上に、それぞ
れ、ナイキスト限界N=1/2d以下の空間周波数
1=1/4dの空間格子像およびナイキスト限界N
以上の空間周波数2=3/4dの空間格子像が投影
された場合を示し、第4A図および第5A図は、
それぞれ第4図、第5図の微小レンズの下方に設
けられた光電変換素子の出力i1〜i6の出力パター
ンを示したものである。また第6図および第7図
においては、3列の受光素子アレー21,22,
23が二次元的に配置されたものを示し、各アレ
イ21,22,23の対応する位置の微小レンズ
からの光電出力は加算される。例えばアレイ2
1,22,23の左端に位置する各微小レンズの
光電出力は互に加算される。これ等のアレイ2
1,22,23上に上述と同様にそれぞれ、ナイ
キスト限界N以下の空間周波数1=1/4dの空間
格子像と、ナイキスト限界N以上の空間周波数2
=3/4dの空間格子像が投影されている。第6
A図、第7A図は、それぞれ第6図および第7図
の3列受光素子アレイからの合成出力i1〜i6の出
力パターを示したものである。
説明する。第4図および第5図は従来の一次元的
に配列された受光素子アレイ20上に、それぞ
れ、ナイキスト限界N=1/2d以下の空間周波数
1=1/4dの空間格子像およびナイキスト限界N
以上の空間周波数2=3/4dの空間格子像が投影
された場合を示し、第4A図および第5A図は、
それぞれ第4図、第5図の微小レンズの下方に設
けられた光電変換素子の出力i1〜i6の出力パター
ンを示したものである。また第6図および第7図
においては、3列の受光素子アレー21,22,
23が二次元的に配置されたものを示し、各アレ
イ21,22,23の対応する位置の微小レンズ
からの光電出力は加算される。例えばアレイ2
1,22,23の左端に位置する各微小レンズの
光電出力は互に加算される。これ等のアレイ2
1,22,23上に上述と同様にそれぞれ、ナイ
キスト限界N以下の空間周波数1=1/4dの空間
格子像と、ナイキスト限界N以上の空間周波数2
=3/4dの空間格子像が投影されている。第6
A図、第7A図は、それぞれ第6図および第7図
の3列受光素子アレイからの合成出力i1〜i6の出
力パターを示したものである。
次に、第4図と第6図を、また第5図と第7図
とをそれぞれ比較する。
とをそれぞれ比較する。
ナイキスト限界周波数より小さい周波数1=
1/4dの空間格子像が投影された場合、第6A
図の合成出力の振幅(ピーク、トウー、ピーク)
は第4A図の出力の振幅の約3倍になつている。
これに対して、ナイキスト限界周波数より大きい
周波数2=3/4dの空間格子像が投影された場
合、第1A図の合成出力の振幅と第5A図の出力
の振幅とはほぼ同等である。このことは、第6図
の構成のように、受光素子アレイ21,22,2
3を受光素子の配列方向に垂直な方向に並列に配
置し、各アレイの対応位置の受光素子の出力を加
算することによつて、高い空間周波数成分の抽出
効率は低下し、低い空間周波数成分の抽出効率は
増大することを示している。
1/4dの空間格子像が投影された場合、第6A
図の合成出力の振幅(ピーク、トウー、ピーク)
は第4A図の出力の振幅の約3倍になつている。
これに対して、ナイキスト限界周波数より大きい
周波数2=3/4dの空間格子像が投影された場
合、第1A図の合成出力の振幅と第5A図の出力
の振幅とはほぼ同等である。このことは、第6図
の構成のように、受光素子アレイ21,22,2
3を受光素子の配列方向に垂直な方向に並列に配
置し、各アレイの対応位置の受光素子の出力を加
算することによつて、高い空間周波数成分の抽出
効率は低下し、低い空間周波数成分の抽出効率は
増大することを示している。
一般の被写体を統計的に見た場合、受光素子ア
レイの並びの方向(第2図のx軸方向)の空間周
期が短い被写体パターンは、受光素子アレイの並
びに直角な方向(第2図のy軸方向)の空間周期
も短い場合が多く、x軸方向の空間周期の長いも
のは、y軸方向の変化もゆるやかで、y軸方向の
空間周期も相対的に長い傾向が認められる。その
結果、もし受光素子アレイを複数列用いて、y軸
方向の複数の光電変換素子出力をまとめて1つの
出力とする、つまり、受光部の形状をy軸方向に
長くとることにすれば、比較的に高い空間周波数
成分はy軸方向で相殺される確率が高い為に抑圧
され、低い空間周波数成分は強調されることにな
る。
レイの並びの方向(第2図のx軸方向)の空間周
期が短い被写体パターンは、受光素子アレイの並
びに直角な方向(第2図のy軸方向)の空間周期
も短い場合が多く、x軸方向の空間周期の長いも
のは、y軸方向の変化もゆるやかで、y軸方向の
空間周期も相対的に長い傾向が認められる。その
結果、もし受光素子アレイを複数列用いて、y軸
方向の複数の光電変換素子出力をまとめて1つの
出力とする、つまり、受光部の形状をy軸方向に
長くとることにすれば、比較的に高い空間周波数
成分はy軸方向で相殺される確率が高い為に抑圧
され、低い空間周波数成分は強調されることにな
る。
また、その受光部に関してy軸方向にどの程度
広がりを持たせるのがよいかは、検出される光像
パターンの性質によつて異なるが、例えば比較的
方向性のないパターンが多い場合は、x軸方向に
関して1/4dの空間周波数成分を強調し且
つ1/2dの成分を抑圧するように、y軸方
向の受光部の長さを4dの半分2d程度にするのが
有効である。しかし撮影レンズの場合、写真など
に現われる被写体パターンは縦方向または横方向
に強い方向性を有するものが多いので、y軸方向
の受光部の最適の長さは2d〜4dあるいは6d程度、
即ちy軸方向を複数列にする場合の最適の列の数
Nは2N6程度である。
広がりを持たせるのがよいかは、検出される光像
パターンの性質によつて異なるが、例えば比較的
方向性のないパターンが多い場合は、x軸方向に
関して1/4dの空間周波数成分を強調し且
つ1/2dの成分を抑圧するように、y軸方
向の受光部の長さを4dの半分2d程度にするのが
有効である。しかし撮影レンズの場合、写真など
に現われる被写体パターンは縦方向または横方向
に強い方向性を有するものが多いので、y軸方向
の受光部の最適の長さは2d〜4dあるいは6d程度、
即ちy軸方向を複数列にする場合の最適の列の数
Nは2N6程度である。
以上の説明では特殊な例を用いて説明したが、
一般的な像を考えた場合においても、検出領域を
y方向に長くすることで、統計的には高次の空間
周波数成分は、低次の空間周波数成分に対して抑
圧される確率が大きくなる。その結果、複数の受
光素子アレイを用いた時のMTFは第3図の点線
B,Cに示すように高い周波数について統計的に
大きく低下する。なお、CはBよりアレイの数を
増加した場合である。また第6図のように縦に合
成される光電素子アレイの数が多い程、より有効
に高次成分が相殺されて都合がよい。しかし、あ
まり多すぎると像ずれの検出に有効な低い空間周
波数成分までも相殺してしまう可能性が生じる。
従つて、受光素子アレイの並びと直角の方向(第
2図のy方向)への合成受光域の広がりは、ナイ
キスト限界に対応する空間周期をlNとしてlN〜3lN
程度が適当である。例えば第4図及至第7図の例
ではlN=2dであり、もし、q個目ごとの出力に関
してサンプリングをする、すなわちq×dおきに
サンプリングする場合にはlN=2×q×dであ
る。
一般的な像を考えた場合においても、検出領域を
y方向に長くすることで、統計的には高次の空間
周波数成分は、低次の空間周波数成分に対して抑
圧される確率が大きくなる。その結果、複数の受
光素子アレイを用いた時のMTFは第3図の点線
B,Cに示すように高い周波数について統計的に
大きく低下する。なお、CはBよりアレイの数を
増加した場合である。また第6図のように縦に合
成される光電素子アレイの数が多い程、より有効
に高次成分が相殺されて都合がよい。しかし、あ
まり多すぎると像ずれの検出に有効な低い空間周
波数成分までも相殺してしまう可能性が生じる。
従つて、受光素子アレイの並びと直角の方向(第
2図のy方向)への合成受光域の広がりは、ナイ
キスト限界に対応する空間周期をlNとしてlN〜3lN
程度が適当である。例えば第4図及至第7図の例
ではlN=2dであり、もし、q個目ごとの出力に関
してサンプリングをする、すなわちq×dおきに
サンプリングする場合にはlN=2×q×dであ
る。
第8図は、複数の受光素子アレイを二次元的に
用いる本発明の具体的実施例の1つを示すもの
で、第2図のような受光領域に対応した微小レン
ズアレイを4列すなわち第1列111〜116、
第2列121〜126、第3列131〜136、
第4列141〜146に並べ、各微小レンズの後
方にはそれぞれ1対の光電変換素子を配置したも
のである。微小レンズ111に関しては光電変換
素子111a,111bが置かれ、第2列目、第
3列目および第4列目の微小レンズに関しては、
それぞれ光電変換素子121a,121b,13
1a,131bおよび141a,141bが置か
れている。これら異なる列の同じ縦の並びの微小
レンズに関する光電変換素子は、例えば第8図の
111a,121a,131a,141aのよう
に互いに接続されて出力a1となり、また光電変換
素子111b,121b,131b,141bも
互いに接続されて出力b1となる。他の縦の並びに
関しても同様にしてa2,b2の如く各出力を発生す
る。符号100はフイールドレンズであつて、各
微小レンズによる光電変換素子の像が撮影レンズ
の射出瞳上でほぼ一致するように曲率を持たせて
ある。
用いる本発明の具体的実施例の1つを示すもの
で、第2図のような受光領域に対応した微小レン
ズアレイを4列すなわち第1列111〜116、
第2列121〜126、第3列131〜136、
第4列141〜146に並べ、各微小レンズの後
方にはそれぞれ1対の光電変換素子を配置したも
のである。微小レンズ111に関しては光電変換
素子111a,111bが置かれ、第2列目、第
3列目および第4列目の微小レンズに関しては、
それぞれ光電変換素子121a,121b,13
1a,131bおよび141a,141bが置か
れている。これら異なる列の同じ縦の並びの微小
レンズに関する光電変換素子は、例えば第8図の
111a,121a,131a,141aのよう
に互いに接続されて出力a1となり、また光電変換
素子111b,121b,131b,141bも
互いに接続されて出力b1となる。他の縦の並びに
関しても同様にしてa2,b2の如く各出力を発生す
る。符号100はフイールドレンズであつて、各
微小レンズによる光電変換素子の像が撮影レンズ
の射出瞳上でほぼ一致するように曲率を持たせて
ある。
第9図は、第8図の受光素子アレイの変形例
で、第8図の個々の微小レンズの代りに、互いに
直角に交差する複数の円柱レンズにより構成され
ている点が異なる。円柱軸を縦(y軸方向)にし
て横(x軸方向)に並べた円柱レンズ101〜1
06と円柱軸を横にして縦に並べた円柱レンズ1
01′〜104′は互いに対向して設けられてお
り、各円柱レンズの曲率は、フイールドレンズ部
100′を通して、それぞれの光電変換素子の像
が撮影レンズの射出瞳上でほぼ一致するように決
定される。
で、第8図の個々の微小レンズの代りに、互いに
直角に交差する複数の円柱レンズにより構成され
ている点が異なる。円柱軸を縦(y軸方向)にし
て横(x軸方向)に並べた円柱レンズ101〜1
06と円柱軸を横にして縦に並べた円柱レンズ1
01′〜104′は互いに対向して設けられてお
り、各円柱レンズの曲率は、フイールドレンズ部
100′を通して、それぞれの光電変換素子の像
が撮影レンズの射出瞳上でほぼ一致するように決
定される。
次に、本質的には高次空間周波数成分を抑圧す
ることと等価であるが、複数列の受光素子アレイ
を用いることの別の効果について述べる。
ることと等価であるが、複数列の受光素子アレイ
を用いることの別の効果について述べる。
第10図は、1列に並んだ微小レンズ30によ
る円形の各受光領域に入射した光エネルギーに比
例した量の光電変換素子出力i1〜i4が発生してい
る場合を示し、また第11図は、それぞれ半分の
ピツチだけ横にずれた2列の受光素子アレイ3
1,32において、それぞれ縦に連結された2個
の円形受光領域に入射した光エネルギーに比例し
た量の光電変換素子出力i1′〜i4′が発生している場
合を示す。第10A図および第11A図は、それ
ぞれ第10図および第11図の受光領域形状に対
して、左側が明で右側が暗のエツジ像がaの位置
からb位置、さらにc位置へと移動した場合の出
力i2,i3の変化の様子を示したものである。第1
0図のように受光領域の間に間隙Sのある場合に
は、エツジ像がこの間を動いても、第10A図の
ように出力が変化しない、いわゆるデツドゾーン
(dead zone)が存在するので、像の変位を検出
することは不可能である。また一方、第11図の
如き受光領域を持つ場合には、図のような垂直型
のエツジ像に対しては、エツジ像がどの位置にあ
つても必ずいずれかの受光領域をすぎるので、デ
ツドゾーンの問題は起らず、常にエツジの変位を
検出することができる。ただし第11図の場合に
おいても、以下に述べる如く、ある角度に傾いた
エツジ像に関してはデツドゾーンが僅かに存在す
る。
る円形の各受光領域に入射した光エネルギーに比
例した量の光電変換素子出力i1〜i4が発生してい
る場合を示し、また第11図は、それぞれ半分の
ピツチだけ横にずれた2列の受光素子アレイ3
1,32において、それぞれ縦に連結された2個
の円形受光領域に入射した光エネルギーに比例し
た量の光電変換素子出力i1′〜i4′が発生している場
合を示す。第10A図および第11A図は、それ
ぞれ第10図および第11図の受光領域形状に対
して、左側が明で右側が暗のエツジ像がaの位置
からb位置、さらにc位置へと移動した場合の出
力i2,i3の変化の様子を示したものである。第1
0図のように受光領域の間に間隙Sのある場合に
は、エツジ像がこの間を動いても、第10A図の
ように出力が変化しない、いわゆるデツドゾーン
(dead zone)が存在するので、像の変位を検出
することは不可能である。また一方、第11図の
如き受光領域を持つ場合には、図のような垂直型
のエツジ像に対しては、エツジ像がどの位置にあ
つても必ずいずれかの受光領域をすぎるので、デ
ツドゾーンの問題は起らず、常にエツジの変位を
検出することができる。ただし第11図の場合に
おいても、以下に述べる如く、ある角度に傾いた
エツジ像に関してはデツドゾーンが僅かに存在す
る。
第12図は、エツジ像が傾いている場合のデツ
ドゾーンの様子を示すもので、第12図aは1
列、bおよびcは2列、dは3列の受光素子アレ
イを示し、それぞれ、Θ1,Θ2,Θ3,Θ4の角度の
間に入る傾きを持つたエツジ像が投影された場合
には、前述のデツドゾーンが発生する可能性があ
ることを示している。上記の図から明らかなよう
に、これ等の図の例では、Θ1>Θ2>Θ3>Θ4であ
り、後者ほどデツドゾーンの存在する確率は小さ
く、第12図dにおいては、ほとんど無視し得る
程度である。このように、複数列の受光素子アレ
イにおける光電変換素子出力を合成して用いるこ
とにより、パターンのエツジ像が投影された場合
に生じるデツドゾーンの問題は解消され、より高
い精度の像変位検出が可能となり、従つて、高い
精度の焦点検出が可能となる。
ドゾーンの様子を示すもので、第12図aは1
列、bおよびcは2列、dは3列の受光素子アレ
イを示し、それぞれ、Θ1,Θ2,Θ3,Θ4の角度の
間に入る傾きを持つたエツジ像が投影された場合
には、前述のデツドゾーンが発生する可能性があ
ることを示している。上記の図から明らかなよう
に、これ等の図の例では、Θ1>Θ2>Θ3>Θ4であ
り、後者ほどデツドゾーンの存在する確率は小さ
く、第12図dにおいては、ほとんど無視し得る
程度である。このように、複数列の受光素子アレ
イにおける光電変換素子出力を合成して用いるこ
とにより、パターンのエツジ像が投影された場合
に生じるデツドゾーンの問題は解消され、より高
い精度の像変位検出が可能となり、従つて、高い
精度の焦点検出が可能となる。
第14図及至第20図は、受光素子アレイの二
次元配列の様子を変えた本発明のそれぞれ別の実
施例を示し、微小レンズの位置とその後方に置か
れた光電変換素子の位置およびその接続の仕方を
示したものである。これらの配置は、各列の光電
素子の縦方向の並びを相互に少しくずらすことに
より、1列のみの従来の受光素子アレイを用いて
いる際に生じるデツドゾーンによる検出能力の低
下を防ぐ効果を有する。第13図は、受光素子ア
レイを2列用い、第1列目と第2列目のアレイを
180゜位相をずらした場合、第14図および第15
図は3列用いた場合、第16図及至第18図は4
列の受光素子アレイを用いた場合の例を示してい
る。また、各列を構成する受光素子の大きさは、
第19図に一例を示したように、列ごとに異なつ
ても差支えない。また上記の各図においては、相
互に加算される光電変換素子出力は受光素子を線
で結ぶことによつて示したが、トランスフアーゲ
ート等を用いて、使用する受光領域列の数を可変
にするように構成することも可能である。また上
記のように列の並びを相互に補間するように受光
素子を配置することにより、エツジ像のようなも
のに関しても十分安定した精度の良い検出を行う
ことができる。
次元配列の様子を変えた本発明のそれぞれ別の実
施例を示し、微小レンズの位置とその後方に置か
れた光電変換素子の位置およびその接続の仕方を
示したものである。これらの配置は、各列の光電
素子の縦方向の並びを相互に少しくずらすことに
より、1列のみの従来の受光素子アレイを用いて
いる際に生じるデツドゾーンによる検出能力の低
下を防ぐ効果を有する。第13図は、受光素子ア
レイを2列用い、第1列目と第2列目のアレイを
180゜位相をずらした場合、第14図および第15
図は3列用いた場合、第16図及至第18図は4
列の受光素子アレイを用いた場合の例を示してい
る。また、各列を構成する受光素子の大きさは、
第19図に一例を示したように、列ごとに異なつ
ても差支えない。また上記の各図においては、相
互に加算される光電変換素子出力は受光素子を線
で結ぶことによつて示したが、トランスフアーゲ
ート等を用いて、使用する受光領域列の数を可変
にするように構成することも可能である。また上
記のように列の並びを相互に補間するように受光
素子を配置することにより、エツジ像のようなも
のに関しても十分安定した精度の良い検出を行う
ことができる。
なお、上記ように二次元的受光部を複数列の受
光素子アレイにて構成する代りに、第20図のよ
うな微小円柱レンズアレイ201〜206をもつ
て構成しても同様の効果が得られる。この場合、
円柱のy軸方向の長さをLとするとL≒lN〜3lN
程度にすればよい。ただしlNはナイキスト限界に
対応する空間周期である。なお、各円柱レンズ2
01〜206の後方にそれぞれ設けられた1対の
線状の光電変換素子a1,b1,a2,b2,……a5,b5
はその円柱レンズの円柱軸に平行に長く形成され
る。
光素子アレイにて構成する代りに、第20図のよ
うな微小円柱レンズアレイ201〜206をもつ
て構成しても同様の効果が得られる。この場合、
円柱のy軸方向の長さをLとするとL≒lN〜3lN
程度にすればよい。ただしlNはナイキスト限界に
対応する空間周期である。なお、各円柱レンズ2
01〜206の後方にそれぞれ設けられた1対の
線状の光電変換素子a1,b1,a2,b2,……a5,b5
はその円柱レンズの円柱軸に平行に長く形成され
る。
以上の如く本発明によれば、受光素子アレイを
二次元的に配列することにより、像ずれ検出に悪
影響をおよぼすナイキスト限界以上の高次空間周
波数成分をそれ以下の低次空間周波数成分に対し
て相対的に抑圧することが可能となり、より精度
の良い焦点検出が可能となる。また、列の並びを
相互に補間するように受光素子を配置すれば、エ
ツジ像のようなパターンに対しても安定した精度
で検出を行うことが可能である。
二次元的に配列することにより、像ずれ検出に悪
影響をおよぼすナイキスト限界以上の高次空間周
波数成分をそれ以下の低次空間周波数成分に対し
て相対的に抑圧することが可能となり、より精度
の良い焦点検出が可能となる。また、列の並びを
相互に補間するように受光素子を配置すれば、エ
ツジ像のようなパターンに対しても安定した精度
で検出を行うことが可能である。
このように複数列の受光素子アレイの互に対応
する位置の光電変換素子の出力を合成する為に
は、上述の実施例の如く対応する光電変換素子を
直接に接続する構成の替りに、例えば近代科学社
発行、武石喜幸・香山晋監訳「電荷転送デバイ
ス」の53頁及び54頁に、または特開昭55−29731
公報の第1図に夫々示される様に各光電変換素子
から実際に読出された光電出力を加算する構成と
してもよい。
する位置の光電変換素子の出力を合成する為に
は、上述の実施例の如く対応する光電変換素子を
直接に接続する構成の替りに、例えば近代科学社
発行、武石喜幸・香山晋監訳「電荷転送デバイ
ス」の53頁及び54頁に、または特開昭55−29731
公報の第1図に夫々示される様に各光電変換素子
から実際に読出された光電出力を加算する構成と
してもよい。
更に本発明によれば、検出精度をあげる為に受
光素子アレイのピツチを小さくする時に必然的に
生じる光量不足を、列の二次元的な増加で補い、
検出可能な明るさの限界を下げることなく、検出
精度の向上をはかることができる。
光素子アレイのピツチを小さくする時に必然的に
生じる光量不足を、列の二次元的な増加で補い、
検出可能な明るさの限界を下げることなく、検出
精度の向上をはかることができる。
第1図は従来公知の焦点検出装置の説明図、第
1A図は第1図の受光素子の断面図、第1B図は
第1A図の平面図、第2図は第1図の受光素子の
配置図、第3図は空間周波数−MTF線図、第4
図、第5図は従来公知の1次元受光素子アレイに
それぞれ異なる空間周期像が投影された状態を示
す平面図、第4A図、第5A図はそれぞれ第4
図、第5図の光電変換素子出力を示す出力線図、
第6図、第7図は本発明の原理を示す3列の受光
素子アレーにおけるそれぞれ異なる空間周期像の
投影された状態を示す平面図、第6A図と第7A
図はそれぞれ第6図および第7図の光電変換素子
出力を示す出力線図、第8図および第9図はそれ
ぞれ本発明の一実施例の斜視図、第10図は従来
公知の1次元受光素子アレイにエツジ像が投影さ
れたときの平面図、第11図は本発明の実施例に
エツジ像が投影されたときの平面図、第10A
図、第11A図はそれぞれ第10図および第11
図の光電変換素子出力線図、第12図はデツドゾ
ーンの説明図でaは従来公知の受光素子アレーの
デツドゾーン角、b〜dは本発明実施例のデツド
ゾーン角を示し、第13図及至第19図はそれぞ
れ本発明の受光素子アレイの2次元配列を示す異
なる実施例の平面図、第20図は、本発明の別の
実施例を示す斜視図である。 1……結像レンズ光学系、2,34,111,
112…146……微小レンズ、81,82…,
101,102…106,101′,102′…1
04′……微小円柱レンズ、3a,3b,4a,
4b,5a,5b,81a,81b,…86a,
86b,111a,111b,121a,121
b……141a,141b光電変換素子、10
0,100′……フイールドレンズ。
1A図は第1図の受光素子の断面図、第1B図は
第1A図の平面図、第2図は第1図の受光素子の
配置図、第3図は空間周波数−MTF線図、第4
図、第5図は従来公知の1次元受光素子アレイに
それぞれ異なる空間周期像が投影された状態を示
す平面図、第4A図、第5A図はそれぞれ第4
図、第5図の光電変換素子出力を示す出力線図、
第6図、第7図は本発明の原理を示す3列の受光
素子アレーにおけるそれぞれ異なる空間周期像の
投影された状態を示す平面図、第6A図と第7A
図はそれぞれ第6図および第7図の光電変換素子
出力を示す出力線図、第8図および第9図はそれ
ぞれ本発明の一実施例の斜視図、第10図は従来
公知の1次元受光素子アレイにエツジ像が投影さ
れたときの平面図、第11図は本発明の実施例に
エツジ像が投影されたときの平面図、第10A
図、第11A図はそれぞれ第10図および第11
図の光電変換素子出力線図、第12図はデツドゾ
ーンの説明図でaは従来公知の受光素子アレーの
デツドゾーン角、b〜dは本発明実施例のデツド
ゾーン角を示し、第13図及至第19図はそれぞ
れ本発明の受光素子アレイの2次元配列を示す異
なる実施例の平面図、第20図は、本発明の別の
実施例を示す斜視図である。 1……結像レンズ光学系、2,34,111,
112…146……微小レンズ、81,82…,
101,102…106,101′,102′…1
04′……微小円柱レンズ、3a,3b,4a,
4b,5a,5b,81a,81b,…86a,
86b,111a,111b,121a,121
b……141a,141b光電変換素子、10
0,100′……フイールドレンズ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 結像レンズ光学系の結像面近傍に一方向に配
列された複数の微小レンズと、 各微小レンズの後方に置かれ且つ前記微小レン
ズの配列と同方向に配列された少なくとも一対の
光電変換素子とより成る一次元受光素子アレイを
備え、 前記一次元受光素子アレイによつて、前記結像
光学系の焦点位置を検出する焦点検出装置におい
て、 前記一次元受光素子アレイと同一平面内に並列
して設けられる別の一次元受光素子アレイを備
え、 前記並列に配列された複数の各一次元受光素子
アレイの、それぞれ対応する位置の前記一対の光
電変換素子のうちそれぞれ対応する光電変換素子
の光電出力を合成し、この合成出力によつて前記
結像レンズ光学系の焦点を検出するように構成し
たことを特徴とする焦点検出装置。 2 上記対応する光電変換素子は互いに電気的に
接続されていることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の焦点検出装置。 3 上記複数並列に配置された一次元受光素子ア
レイのうちの隣接する少なくとも1組の一次元受
光素子アレイは、その一方に対して他方が一次元
受光素子アレイの微小レンズの配置方向に所定量
ずれていることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の焦点検出装置。 4 上記複数並列に配置された各一次元受光素子
アレイの位置的に対応した微小レンズは共通の微
小円柱レンズにより構成され、かつ上記対応微小
レンズの光電変換素子も上記円柱レンズの円柱軸
方向に延びた共通の光電変換素子から構成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の焦点検出装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57034368A JPS58150920A (ja) | 1982-03-04 | 1982-03-04 | 焦点検出装置 |
| US06/469,771 US4460260A (en) | 1982-03-04 | 1983-02-25 | Focus detecting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57034368A JPS58150920A (ja) | 1982-03-04 | 1982-03-04 | 焦点検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58150920A JPS58150920A (ja) | 1983-09-07 |
| JPH0338570B2 true JPH0338570B2 (ja) | 1991-06-11 |
Family
ID=12412224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57034368A Granted JPS58150920A (ja) | 1982-03-04 | 1982-03-04 | 焦点検出装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4460260A (ja) |
| JP (1) | JPS58150920A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4947030A (en) * | 1985-05-22 | 1990-08-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Illuminating optical device |
| JPH0756530B2 (ja) * | 1986-03-31 | 1995-06-14 | 株式会社ニコン | 撮影レンズ鏡筒およびカメラ |
| JPS63118112A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-23 | Canon Inc | 焦点検出装置 |
| US4801795A (en) * | 1987-08-31 | 1989-01-31 | Honeywell Inc. | Spatial frequency filter in which frequency components greater than the Niquist frequency are suppressed |
| JPH07113701B2 (ja) * | 1987-11-27 | 1995-12-06 | キヤノン株式会社 | 焦点検出装置 |
| JP2699360B2 (ja) * | 1987-11-27 | 1998-01-19 | キヤノン株式会社 | 焦点検出装置 |
| JPH07117645B2 (ja) * | 1987-12-14 | 1995-12-18 | キヤノン株式会社 | 焦点検出装置 |
| JPH087082B2 (ja) * | 1990-09-05 | 1996-01-29 | 松下電器産業株式会社 | 光学式エンコーダ |
| US5241167A (en) * | 1990-11-07 | 1993-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Photosensor device including means for designating a plurality of pixel blocks of any desired size |
| JP5380782B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2014-01-08 | 株式会社ニコン | 撮像装置 |
| JP5552214B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2014-07-16 | キヤノン株式会社 | 焦点検出装置 |
| JP5451111B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | 焦点検出装置およびそれを有する撮像装置 |
| EP3358618B1 (en) * | 2015-09-29 | 2021-08-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Imaging module and imaging device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4310227A (en) * | 1981-01-05 | 1982-01-12 | Polaroid Corporation | Diffracted energy auto-ranging system for a camera |
-
1982
- 1982-03-04 JP JP57034368A patent/JPS58150920A/ja active Granted
-
1983
- 1983-02-25 US US06/469,771 patent/US4460260A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58150920A (ja) | 1983-09-07 |
| US4460260A (en) | 1984-07-17 |
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