JPH0337559A - アンモニアセンサー - Google Patents
アンモニアセンサーInfo
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- JPH0337559A JPH0337559A JP17116889A JP17116889A JPH0337559A JP H0337559 A JPH0337559 A JP H0337559A JP 17116889 A JP17116889 A JP 17116889A JP 17116889 A JP17116889 A JP 17116889A JP H0337559 A JPH0337559 A JP H0337559A
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアンモニアセンサーに関し、さらに詳しくはポ
リアニリンをガス感知部とするアンモニアセンサーに関
する。
リアニリンをガス感知部とするアンモニアセンサーに関
する。
アンモニアカスを検出するためのセンサーとして従来、
■アンモニア透過膜を用いたアンモニアカス電極、■無
機酸化物半導体の抵抗変化を利用した半導体センサー、
■導電性ポリピロールを利用したアンモニアディテクタ
ー等が提案されているか、上記■のアンモニアカス電極
は装置自体か大きく取扱か不便で微小空間での使用がで
きず、電解質液の補充、交換等のメンテナンスが面倒で
あり、また上記の■の半導体センサーは一般にアンモニ
アカスに対する選択性が低く、しかも加熱状態で使用す
ることが必要であるため可燃性カスや粉体か存在する雰
囲気で用いると爆発を生ずる危険性かあり、さらに上記
■のポリピロールを用いたディテクターは特性の経時的
変化が大きいという難点がある。
■アンモニア透過膜を用いたアンモニアカス電極、■無
機酸化物半導体の抵抗変化を利用した半導体センサー、
■導電性ポリピロールを利用したアンモニアディテクタ
ー等が提案されているか、上記■のアンモニアカス電極
は装置自体か大きく取扱か不便で微小空間での使用がで
きず、電解質液の補充、交換等のメンテナンスが面倒で
あり、また上記の■の半導体センサーは一般にアンモニ
アカスに対する選択性が低く、しかも加熱状態で使用す
ることが必要であるため可燃性カスや粉体か存在する雰
囲気で用いると爆発を生ずる危険性かあり、さらに上記
■のポリピロールを用いたディテクターは特性の経時的
変化が大きいという難点がある。
本発明者らは、上記の如き欠点ないし難点を伴わず、常
温で作動可能であり、小型軽量で且つ信頼性か高く、高
感度のアンモニアセンサーヲ提供すべく鋭意研究を行な
った結果、ポリアニリンが空気その他のガス雰囲気中の
アンモニア濃度に応して電気抵抗が変化すること、極め
て高感度でアンモニア濃度を検出しうろことを見い出し
、ポリアニリンがアンモニアセンサーの感知部として極
めて有効であることを究明し、先に提案した(特願平1
−122943号)。
温で作動可能であり、小型軽量で且つ信頼性か高く、高
感度のアンモニアセンサーヲ提供すべく鋭意研究を行な
った結果、ポリアニリンが空気その他のガス雰囲気中の
アンモニア濃度に応して電気抵抗が変化すること、極め
て高感度でアンモニア濃度を検出しうろことを見い出し
、ポリアニリンがアンモニアセンサーの感知部として極
めて有効であることを究明し、先に提案した(特願平1
−122943号)。
ポリアニリンは導電性有機重合体であり、アニリンの化
学的又は電気化学的重合により製造することができるこ
とが報告れている[例えば、A。
学的又は電気化学的重合により製造することができるこ
とが報告れている[例えば、A。
GMacDiarmid、 J、 C,Chian
g and M。
g and M。
Halpern、 Polym、 Prepr、
(1984)248; B、Wang、 J 、
Tang and F、Wangs 5y
nthetic Metals、 l 3
(1986)329334等参照]。本発明者らはさら
に研究をすすめた結果、一対の電極を有する絶縁性基板
上に導電性高分子物質の薄膜を形成せしめ、次いでこの
導電性高分子物質の薄膜を陽極として該薄膜中でアニリ
ンの電解重合を行なうようにすれば、ポリアニリンを感
知素子部とするアンモニアセンサーが極めて容易に製造
しうろことを見い出し、本発明を完成するに至った。
(1984)248; B、Wang、 J 、
Tang and F、Wangs 5y
nthetic Metals、 l 3
(1986)329334等参照]。本発明者らはさら
に研究をすすめた結果、一対の電極を有する絶縁性基板
上に導電性高分子物質の薄膜を形成せしめ、次いでこの
導電性高分子物質の薄膜を陽極として該薄膜中でアニリ
ンの電解重合を行なうようにすれば、ポリアニリンを感
知素子部とするアンモニアセンサーが極めて容易に製造
しうろことを見い出し、本発明を完成するに至った。
かくして、本発明は、導電性高分子物質のマトリックス
中に分散したポリアニリンよりなるアンモニアセンサー
を提供するものである。
中に分散したポリアニリンよりなるアンモニアセンサー
を提供するものである。
本発明のアンモニアセンサーの感知部のマトリックスを
構成する導電性高分子物質は、電場を印加したときに少
くとも成る程度以上の電気伝導電性を示す(例えば10
−5mho以上)皮膜形成性の高分子物質であれば、特
に制限はなく、それ自体で導電性を示すものであっても
、或いは電解質と混合したものであってもよい。そのよ
うな導電性高分子物質の具体例を挙げれは以下のとおり
である。
構成する導電性高分子物質は、電場を印加したときに少
くとも成る程度以上の電気伝導電性を示す(例えば10
−5mho以上)皮膜形成性の高分子物質であれば、特
に制限はなく、それ自体で導電性を示すものであっても
、或いは電解質と混合したものであってもよい。そのよ
うな導電性高分子物質の具体例を挙げれは以下のとおり
である。
(a) 側鎖にスルホン酸基、カルボン酸基、リン酸
基、第二級、第三級もしくは第四級アミノ基等のイオン
性基を有する高分子物質: 例えば、スチレンスルホン酸、アクリ ルアミドメチルプロパンスルホン酸、ヒニルスルホン酸
、アクリル酸、メタクリル酸、エチレンイミン、ビニル
ピリジン等のイオン性基含有モノマーを用いた (共)重合体又はグラフi・重合体、カルバモイルセル
ロース、硫酸化セルロース等。或いは適当な高分子基体
に上記の如きイオン性基を化学的に導入したもの。
基、第二級、第三級もしくは第四級アミノ基等のイオン
性基を有する高分子物質: 例えば、スチレンスルホン酸、アクリ ルアミドメチルプロパンスルホン酸、ヒニルスルホン酸
、アクリル酸、メタクリル酸、エチレンイミン、ビニル
ピリジン等のイオン性基含有モノマーを用いた (共)重合体又はグラフi・重合体、カルバモイルセル
ロース、硫酸化セルロース等。或いは適当な高分子基体
に上記の如きイオン性基を化学的に導入したもの。
(b)
或いはそれらのさらに架橋させたもの。
電解質を配合することにより導電性が付与された高分子
物質: 例えば、ポリエチレンオキシド、ポリ プロピレンオキシド等のポリアルキレンオキシドとアル
カリ金属塩との混合物;アクリロニトリル系高分子物質
とロダン塩、塩化亜鉛との混合物:セルロース又はその
誘導体とアルカリ金属又はアルカリ土類金属との塩:ア
ニオン系又はカチオン系界面活性剤を配合した高分子物
質:ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール等の
水溶性高分子物質とアルカリ金属塩又はアルカリ土類金
属塩との混合物:アミン類を配合分散した高分子物質な
ど。これらの高分子物質、特に水溶性のものは薄膜形成
後、化学的又は物理的手段により架橋させることが望ま
しい。
物質: 例えば、ポリエチレンオキシド、ポリ プロピレンオキシド等のポリアルキレンオキシドとアル
カリ金属塩との混合物;アクリロニトリル系高分子物質
とロダン塩、塩化亜鉛との混合物:セルロース又はその
誘導体とアルカリ金属又はアルカリ土類金属との塩:ア
ニオン系又はカチオン系界面活性剤を配合した高分子物
質:ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール等の
水溶性高分子物質とアルカリ金属塩又はアルカリ土類金
属塩との混合物:アミン類を配合分散した高分子物質な
ど。これらの高分子物質、特に水溶性のものは薄膜形成
後、化学的又は物理的手段により架橋させることが望ま
しい。
本発明のアンモニアセンサーは、例えば、上記の如き導
電性高分子物質と予め製造したポリアニリンとを両者の
共通溶媒に溶解し、その溶液を後述する如き一対の電極
を有する絶縁性基板に塗布することによっても形成しう
るが、好適には、対の電極を設けた絶縁性基板に予め上
記の如き導電性高分子物質の薄膜を形威し、次いでこの
導電性高分子物質の薄膜を陽極とし且つ白金、パラジウ
ム等を陰極として用い、電解槽中でアニリン及び適当な
支持電解質を含む重合浴を電解することにより製造する
ことができる。
電性高分子物質と予め製造したポリアニリンとを両者の
共通溶媒に溶解し、その溶液を後述する如き一対の電極
を有する絶縁性基板に塗布することによっても形成しう
るが、好適には、対の電極を設けた絶縁性基板に予め上
記の如き導電性高分子物質の薄膜を形威し、次いでこの
導電性高分子物質の薄膜を陽極とし且つ白金、パラジウ
ム等を陰極として用い、電解槽中でアニリン及び適当な
支持電解質を含む重合浴を電解することにより製造する
ことができる。
本発明のアンモニアセンサーに使用しうる一対の電極を
有する絶縁性基板としては、例えば、添付の第1図に示
すような櫛形電極を設けた絶縁性基板が挙げられる。櫛
形電極の材料としては白金、金、パラジウム等の耐食性
に優れた導電性の金属が好ましく、また、絶縁性基板材
料としては通常、ガラス、アルミナ等のセラミックスが
用いられる。
有する絶縁性基板としては、例えば、添付の第1図に示
すような櫛形電極を設けた絶縁性基板が挙げられる。櫛
形電極の材料としては白金、金、パラジウム等の耐食性
に優れた導電性の金属が好ましく、また、絶縁性基板材
料としては通常、ガラス、アルミナ等のセラミックスが
用いられる。
かかる一対の電極を有する絶縁性基板上に前述した如き
導電性高分子物質の薄膜を形成するには、それ自体既知
の任意の方法を用いることができ、例えば、導電性高分
子物質の溶液を調製し、その溶液を例えはスピンコーテ
ィング、ディッピング、ナイフコーティング、ロールコ
ーティング等によ地コーティングする方法の他、真空蒸
着等の蒸着法やプラズマ重合法等によっても導電性高分
子物質の薄膜を形成することができる。導電性高分子物
質の薄膜の厚さは、その種類等に依存し変えることかで
きるが、一般には0.1−100ミクロン、好ましくは
■〜20ミクロンの範囲内が適当である。
導電性高分子物質の薄膜を形成するには、それ自体既知
の任意の方法を用いることができ、例えば、導電性高分
子物質の溶液を調製し、その溶液を例えはスピンコーテ
ィング、ディッピング、ナイフコーティング、ロールコ
ーティング等によ地コーティングする方法の他、真空蒸
着等の蒸着法やプラズマ重合法等によっても導電性高分
子物質の薄膜を形成することができる。導電性高分子物
質の薄膜の厚さは、その種類等に依存し変えることかで
きるが、一般には0.1−100ミクロン、好ましくは
■〜20ミクロンの範囲内が適当である。
このようにして導電性高分子薄膜を形成した絶縁性基板
は、これえを陽極とし且つ白金、パラジウム等を陰極と
する電解槽中で、アニリン及び適当な支持電解質を含む
重合浴を電解することにより、陽極としての導電性高分
子薄膜においてアニリンの電解重合を行なわせる。その
際の電解電圧は通常0.3〜2V(対標準カロメル・ア
ルメル電極)とすることができ、また、電流密度は1〜
100mA/cm2の範囲内が適当である。用いうる支
持電解質としては、例えば、塩酸、硫酸等の鉱酸、HC
1○いNaC10いKC10゜等の過塩素酸(塩);リ
ン酸緩衝液、テトラエチルアンモニウムフルオロポレー
ト:トルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸等の有
機スルホン酸などが挙げられ、これらは重合浴中一般に
0.01〜5M、好ましくは0.03〜4Mの範囲内の
濃度で用いることができる。
は、これえを陽極とし且つ白金、パラジウム等を陰極と
する電解槽中で、アニリン及び適当な支持電解質を含む
重合浴を電解することにより、陽極としての導電性高分
子薄膜においてアニリンの電解重合を行なわせる。その
際の電解電圧は通常0.3〜2V(対標準カロメル・ア
ルメル電極)とすることができ、また、電流密度は1〜
100mA/cm2の範囲内が適当である。用いうる支
持電解質としては、例えば、塩酸、硫酸等の鉱酸、HC
1○いNaC10いKC10゜等の過塩素酸(塩);リ
ン酸緩衝液、テトラエチルアンモニウムフルオロポレー
ト:トルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸等の有
機スルホン酸などが挙げられ、これらは重合浴中一般に
0.01〜5M、好ましくは0.03〜4Mの範囲内の
濃度で用いることができる。
また、アニリンは重合浴中一般に0.01〜5M1好ま
しくは0.03〜4Mの濃度で用いることができる。さ
らに、重合浴に用いることのできる溶媒としては、例え
は水、エタノール、アセトニトリル、炭酸プロピレン、
ニトロベンゼン又はそれらの混合物等が挙げられる。
しくは0.03〜4Mの濃度で用いることができる。さ
らに、重合浴に用いることのできる溶媒としては、例え
は水、エタノール、アセトニトリル、炭酸プロピレン、
ニトロベンゼン又はそれらの混合物等が挙げられる。
このようにして電解重合を行なった陽極は電解槽から取
り出し、洗液がほぼ中性になるまで水洗した後、乾燥す
る。
り出し、洗液がほぼ中性になるまで水洗した後、乾燥す
る。
本発明により提供される導電性高分子物質のマトリック
ス中に分散したポリアニリンよりなるアンモニアセンサ
ーは、ポリアニリンの電気抵抗がアンモニアガス濃度に
より変化し、その変化は常温でも鋭敏であり、センサ一
部を加熱しなくても室温でも作動するという優れた効果
がある。また、本発明のアンモニアセンサーは、第1図
に示すように、電極を設けた基板上にコーティングした
だけのもので、製造が簡単で、小型軽量かつ薄くするこ
とかでき、しかも電極からの剥離などのトラブルもなく
、取扱に便利で管理も容易である。しかも、本発明のア
ンモニアセンサーはアンモニアガス濃度の変化に対する
直線性に優れており、高感度であり、電子回路等に組み
込む場合に設計が容易となる等の種々の優れた利点があ
る。
ス中に分散したポリアニリンよりなるアンモニアセンサ
ーは、ポリアニリンの電気抵抗がアンモニアガス濃度に
より変化し、その変化は常温でも鋭敏であり、センサ一
部を加熱しなくても室温でも作動するという優れた効果
がある。また、本発明のアンモニアセンサーは、第1図
に示すように、電極を設けた基板上にコーティングした
だけのもので、製造が簡単で、小型軽量かつ薄くするこ
とかでき、しかも電極からの剥離などのトラブルもなく
、取扱に便利で管理も容易である。しかも、本発明のア
ンモニアセンサーはアンモニアガス濃度の変化に対する
直線性に優れており、高感度であり、電子回路等に組み
込む場合に設計が容易となる等の種々の優れた利点があ
る。
かくして、本発明のアンモニアセンサーは、各種プラン
トのアンモニア濃度の制御、漏洩検知、警報、停止対策
の自動化、タン白質やアミノ酸等の代謝としてアンモニ
アガスを産生ずる酵素、微生物との組合せによるタン白
質やアミノ酸の検出、その他各種反応において発生する
アンモニアガスの見出及びこれに基づく反応制御等にお
いて有効に使用することができる。
トのアンモニア濃度の制御、漏洩検知、警報、停止対策
の自動化、タン白質やアミノ酸等の代謝としてアンモニ
アガスを産生ずる酵素、微生物との組合せによるタン白
質やアミノ酸の検出、その他各種反応において発生する
アンモニアガスの見出及びこれに基づく反応制御等にお
いて有効に使用することができる。
次に実施例を揚げて本発明を更に具体的に説明する。
実施例 1
電極幅、電極間隔が共に150pmの櫛形金電極を設け
た96%アルミナ基板(1cmX1.5cm)上に、ポ
リアクリロニトリル10重量部、チオシアン酸ナトリウ
ム10重量部及びN、N’ジメチルホルムアミド80重
量部からなる溶液をスピンコードし乾燥して膜厚5μm
の導電性高分子物質の薄膜を形成した。
た96%アルミナ基板(1cmX1.5cm)上に、ポ
リアクリロニトリル10重量部、チオシアン酸ナトリウ
ム10重量部及びN、N’ジメチルホルムアミド80重
量部からなる溶液をスピンコードし乾燥して膜厚5μm
の導電性高分子物質の薄膜を形成した。
次に上記薄膜を設けた基板を陽極、白金板を陰極として
電解槽(電極間距離:2.Ocm)中で以下の条件下に
アニリンの電解重合を行なった。
電解槽(電極間距離:2.Ocm)中で以下の条件下に
アニリンの電解重合を行なった。
重合浴組成ニアセトニトリル1.8モル、炭酸プロピレ
ン1モル、HCl0゜ 0.5モル及びアニリン0.25モ ル 電 圧: 0.8V (対カロメル、アルメル電極) 電流密度:20mA/cm2の定電流電解時 間:1
0分間 電解終了後、陽極を取り出し、洗浄水のpHかはほ7に
なるまで水洗し、500Cで乾燥した。
ン1モル、HCl0゜ 0.5モル及びアニリン0.25モ ル 電 圧: 0.8V (対カロメル、アルメル電極) 電流密度:20mA/cm2の定電流電解時 間:1
0分間 電解終了後、陽極を取り出し、洗浄水のpHかはほ7に
なるまで水洗し、500Cで乾燥した。
得られたアンモニアセンサーを直径24mm(7)ガラ
ス管中にセットし、該カラス管の一端からlQ/分の速
度で空気を流し、該空気流中に断続的に所定量のアンモ
ニアを注入し、センサーの電気抵抗を測定した。その結
果を第2図に示す。
ス管中にセットし、該カラス管の一端からlQ/分の速
度で空気を流し、該空気流中に断続的に所定量のアンモ
ニアを注入し、センサーの電気抵抗を測定した。その結
果を第2図に示す。
実施例 2
導電性高分子物質の薄膜形成のための溶液を、次の組成
、すなわち、ポリエチレンオキサイド(分列n: l
O,000)7重量部、過塩素酸リチウム3重量部及び
水90重量部からなるものに変更する以外、実施例1と
全く同様にしてアンモニアセンサーをつくり、実施例1
におけると同様にしてその特性を測定した。その結果を
第3図に示す。
、すなわち、ポリエチレンオキサイド(分列n: l
O,000)7重量部、過塩素酸リチウム3重量部及び
水90重量部からなるものに変更する以外、実施例1と
全く同様にしてアンモニアセンサーをつくり、実施例1
におけると同様にしてその特性を測定した。その結果を
第3図に示す。
実施例 3
電解重合浴組成におけるアセトニトリル1.8モルの代
りに水2.0モルを用いる以外、実施例2と同様にして
アンモニアセンサーをつくった。
りに水2.0モルを用いる以外、実施例2と同様にして
アンモニアセンサーをつくった。
そのアンモニアセンサーは実施例2でつくったものとほ
ぼ同し性能のものであった。
ぼ同し性能のものであった。
実施例 4
実施例1で用いたと同し櫛形電極を設けたアルミナ基板
に、アクリルアミi・メチルプロパンスルホン酸ポリマ
ー6重量部、ボリヒニルアルコール2重量部及び水92
重量部からなる溶液をデインピング法により塗布し13
0°Cにて乾燥して膜厚10μmの導電性高分子物質の
薄膜を形成した。
に、アクリルアミi・メチルプロパンスルホン酸ポリマ
ー6重量部、ボリヒニルアルコール2重量部及び水92
重量部からなる溶液をデインピング法により塗布し13
0°Cにて乾燥して膜厚10μmの導電性高分子物質の
薄膜を形成した。
この薄膜を設けた基板を陽極に用いて、実施例1と同様
にしてアニリンの電解重合を行ないアンモニアセンサー
を得た。このアンモニアセンサの特性を実施例1におけ
ると同様にして測定した。
にしてアニリンの電解重合を行ないアンモニアセンサー
を得た。このアンモニアセンサの特性を実施例1におけ
ると同様にして測定した。
その結果を第4図に示す。
第1図は本発明のアンモニアセンサーの一例の概略図で
あり、図中1はポリアニリン膜、2は絶縁性基板、3は
櫛形電極、4はリート線である。 第2〜4図は本発明のアンモニアセンサーのアンモニア
濃度と電気抵抗の関係を示すグラフである。
あり、図中1はポリアニリン膜、2は絶縁性基板、3は
櫛形電極、4はリート線である。 第2〜4図は本発明のアンモニアセンサーのアンモニア
濃度と電気抵抗の関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、導電性高分子物質のマトリックス中に分散したポリ
アニリンよりなるアンモニアセンサー。 2、一対の電極を有する絶縁性基板上に導電性高分子物
質の薄膜を形成せしめ、次いでこの導電性高分子物質の
薄膜を陽極としてアニリンの電解重合を行なうことを特
徴とするアンモニアセンサーの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17116889A JPH0337559A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | アンモニアセンサー |
EP19900109233 EP0398286A3 (en) | 1989-05-18 | 1990-05-16 | Ammonia sensor |
US07/524,562 US5252292A (en) | 1989-05-18 | 1990-05-17 | Ammonia sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17116889A JPH0337559A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | アンモニアセンサー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0337559A true JPH0337559A (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=15918260
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17116889A Pending JPH0337559A (ja) | 1989-05-18 | 1989-07-04 | アンモニアセンサー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0337559A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001281192A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサ |
KR100386304B1 (ko) * | 2000-10-19 | 2003-06-02 | 주식회사 아이센스 | 전위차법 암모니아 가스 센서 및 이의 제조방법 |
JP2010096747A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-30 | Nitto Denko Corp | センサ基板およびその製造方法 |
US11073492B2 (en) | 2017-11-08 | 2021-07-27 | Fujitsu Limited | Sensor device, method for producing same, and gas sensor |
-
1989
- 1989-07-04 JP JP17116889A patent/JPH0337559A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001281192A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサ |
JP4513161B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2010-07-28 | 東亞合成株式会社 | ガスセンサの製造方法及びガスセンサ |
KR100386304B1 (ko) * | 2000-10-19 | 2003-06-02 | 주식회사 아이센스 | 전위차법 암모니아 가스 센서 및 이의 제조방법 |
JP2010096747A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-30 | Nitto Denko Corp | センサ基板およびその製造方法 |
US8522428B2 (en) | 2008-09-19 | 2013-09-03 | Nitto Denko Corporation | Method for producing a sensor board |
US11073492B2 (en) | 2017-11-08 | 2021-07-27 | Fujitsu Limited | Sensor device, method for producing same, and gas sensor |
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