JPH0336419B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0336419B2
JPH0336419B2 JP58243583A JP24358383A JPH0336419B2 JP H0336419 B2 JPH0336419 B2 JP H0336419B2 JP 58243583 A JP58243583 A JP 58243583A JP 24358383 A JP24358383 A JP 24358383A JP H0336419 B2 JPH0336419 B2 JP H0336419B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
benzene
naphthoquinonediazide
bis
trihydroxybenzoyl
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP58243583A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60134235A (ja
Inventor
Yukihiro Hosaka
Takao Miura
Yoshuki Harita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
Japan Synthetic Rubber Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Japan Synthetic Rubber Co Ltd filed Critical Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Priority to JP24358383A priority Critical patent/JPS60134235A/ja
Publication of JPS60134235A publication Critical patent/JPS60134235A/ja
Publication of JPH0336419B2 publication Critical patent/JPH0336419B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
本発明は、ポゞ型感光性暹脂組成物に関し、さ
らに詳しくはアルカリ可溶性暹脂ず特定の
−キノンゞアゞド化合物ずを配合しおなる、
−キノンゞアゞド化合物の結晶が析出するこず
がなく、高感床、高解像床および高残膜率を有
し、か぀珟像性に優れ、集積回路䜜補のたの耐熱
性を有するホトレゞストずしお奜適なポゞ型感光
性暹脂組成物に関する。 埓来、集積回路を䜜補するためのホトレゞスト
ずしおは、環化む゜プレンゎムにビスアゞド化合
物を配合したネガ型ホトレゞストが知られおい
る。しかしこのネガ型ホトレゞストは解像床に限
界があるため、集積回路の高集積化に十分察応で
きない欠点を有する。䞀方、このネガ型ホトレゞ
ストに察し、ポゞ型ホトレゞストは、解像床が優
れおいるため集積回路の高集積化に十分察応しう
るものであるず考えられおいる。 珟圚、この分野で䞀般的に䜿甚されおいるポゞ
型ホトレゞストは、アルカリ可溶性暹脂に感光剀
ずしお−キノンゞアゞド化合物を配合した
ものである。 しかしながら、埓来のポゞ型ホトレゞストは、
−キノンゞアゞド化合物の結晶が析出した
り、たたポゞ型ホトレゞストずしおの感床、解像
床、残膜率等の諞性胜においお必ずしも満足な結
果は埗られおいない。 本発明の目的は、䞊蚘埓来技術の欠点を陀去
し、−キノンゞアゞド化合物の結晶が析出
するこずがなく、高感床、高解像床および高残膜
率を有し、か぀珟像性に優れたポゞ型感光性暹脂
組成物を提䟛するこずにある。 本発明者らは、この目的を達成するため鋭意研
究の結果、アルカリ可溶性暹脂に、特定の
−キノンゞアゞド化合物を配合するこずにより、
前蚘欠点が改良されるこずを芋出しお本発明に到
達した。 すなわち本発明は、アルカリ可溶性暹脂ず、該
暹脂100重量郚圓り〜100重量郚の䞋蚘䞀般匏
で瀺される化合物の少なくずも皮ずを含
有しおなるポゞ型感光性暹脂組成物 〔匏䞭、は〜の敎数で、は〜の敎
数で、は〜の敎数で、であ
りは〜の敎数でありR1は−ナ
フトキノンゞアゞド−−スルホニル基、
−ナフトキノンゞアゞド−−スルホニル基たた
は−ベンゟキノンゞアゞド−−スルホニ
ル基でありR2は、氎玠原子、ハロゲン原子、
アルキル基、奜たしくはメチル基、゚チル基、プ
ロピル基、ブチル基等の炭玠数〜のアルキル
基、プニル基、ナフチル基等のアリヌル基、ベ
ンゞル基等のアラルキル基、アルコキシ基奜たし
くはメトキシ基等の炭玠数〜のアルコキシ
基、アロキシル基奜たしくはプノキシ基等の炭
玠数〜のもの、アラルコキシ基奜たしくはベ
ンゞルオキシ基等の炭玠数〜10のもの、シアノ
基たたはニトロ基でありはメタンたたは芳銙
族化合物の残基、奜たしくは耐熱性の点からトル
゚ン、キシレン、メシチレン、゚チルベンれンの
ような炭玠数〜のアルキル基を有するアルキ
ルベンれン、メトキシベンれン、゚トキシベンれ
ンのような炭玠数〜のアルコキシ基を有する
アルコキシベンれン、ニトロ化ベンれン、ハロゲ
ン化ベンれン、ナフタレン等の芳銙族化合物の残
基である〕を提䟛するものである。 本発明の組成物においお甚いられる前蚘䞀般匏
で瀺される化合物は、䞋蚘䞀般匏 〔匏䞭、は〜の敎数であ、、R2
およびは䞀般匏ず同じであり
である。〕で瀺されるポリヒドロキシ化合物の
ヒドロキシル基の党郚たたは䞀郚を−ナフ
トキノンゞアゞド−−スルホニルクロリド、
−ナフトキノンゞアゞド−−スルホニル
クロリド、−ベンゟキノンゞアゞド−−
スルホニルクロリド等の−キノンゞアゞド
スルホニルクロリドず奜たしくは−ナフト
キノンゞアゞド−−スルホニルクロリドず、塩
基性觊媒の存圚䞋で瞮合反応させ、粟補するこず
によ぀お埗るこずができる。 この䞀般匏で瀺されるポリヒドロキシ化
合物ずしおは、䟋えば−ビス−ヒドロキシ
ベンゟむルベンれン、−ビス−ゞヒ
ドロキシベンゟむルベンれン、−ビス
−トリヒドロキシベンゟむルベンれン、
−ビス−トリヒドロキシベンゟむ
ルベンれン、−ビス−トリヒド
ロキシベンゟむルベンれン、−ビス−ヒ
ドロキシ−−クロルベンゟむルベンれン、
−ビス−ゞヒドロキシ−−ブロムベン
ゟむルベンれン、−ビス−トリ
ヒドロキシ−−メチルベンゟむルベンれン、
−ビス−トリヒドロキシ−−メ
トキシベンゟむルベンれン、−ビス
−トリヒドロキシ−−ニトロベンゟむ
ルベンれン、−ビス−トリヒド
ロキシ−−シアノベンゟむルベンれン、
−トリス−ゞヒドロキシベンゟむ
ルベンれン、−トリス
−トリヒドロキシベンゟむルベンれン、
−トリス−トリヒドロキシベ
ンゟむルベンれン、−トリス
−トリヒドロキシベンゟむルベンれン、
−テトラキン−トリ
ヒドロキシベンゟむルベンれン、αα′−ビス
−トリヒドロキシベンゟむル−−
キシレン、αα′α′−トリス−ト
リヒドロキシベンゟむルメシチレン、ビス
−ゞヒドロキシベンゟむルメタン、ビ
ス−ゞヒドロキシベンゟむルメタ
ン、−ビス−ゞヒドロキシベンゟ
むルナフタレン、−ビス−
トリヒドロキシベンゟむルナフタレン、
−ビス−トリヒドロキシベンゟむ
ルナフタレン、等を挙げるこずができる。 瞮合反応における䞀般匏で瀺されるポリ
ヒドロキシ化合物に察する−キノンゞアゞ
ドスルホニルクロリドの䜿甚量は、ポリヒドロキ
シ化合物の氎酞基の数によ぀お適宜調敎するこず
ができ、通垞は圓該氎酞基数圓量に察しお
−キノンゞアゞドスルホニルクロリドをモル
䜿甚する。 瞮合反応に䜿甚する塩基性觊媒ずしおは、䟋え
ば氎酞化ナトリりム、氎酞化カリりム、炭酞ナト
リりム等の無機アルカリ、ゞ゚チルアミン、トリ
゚チルアミン等の有機アミン類を挙げるこずがで
きる。これらの塩基性觊媒の䜿甚量は、䜿甚する
−キノンゞアゞドスルホニルクロリドに察
しお、通垞〜倍モル、奜たしくは〜1.3倍
モルである。瞮合反応は、通垞溶媒の存圚䞋にお
いお行うが、溶媒ずしおは氎、ゞオキサン、ゞ゚
チル゚ヌテル、テトラヒドロフラン、アセトン、
メチル゚チルケトン等を挙げるこずができ、䞀般
匏で衚わされるポリヒドロキシ化合物100
重量郚に察しお、通垞100〜1000重量郚を䜿甚す
る。 瞮合反応枩床は、䜿甚する溶媒によ぀お異なる
が、䞀般的には−20〜60℃、奜たしくは〜40℃
である。 このようにしお埗られる䞀般匏で瀺され
る化合物の具䜓䟋ずしおは、−ビス−ヒド
ロキシベンゟむルベンれン−−ナフトキ
ノンゞアゞド−−スルホン酞ゞ゚ステル、−
ビス−ヒドロキシベンゟむルベンれン
−−ナフトキノンゞアゞド−−スルホン
酞テトラ゚ステル、−ビス−トリ
ヒドロキシベンゟむルベンれン−−ナフ
トキノンゞアゞド−−スルホン酞ヘキサ゚ステ
ル、−ビス−トリヒドロキシベン
ゟむルベンれン−−ナフトキノンゞアゞ
ド−−スルホン酞ペンタ゚ステル、−ビス
−トリヒドロキシベンゟむルベン
れン−−ナフトキノンゞアゞド−−スル
ホン酞テトラ゚ステル、−ビス−
トリヒドロキシベンゟむルベンれン−−
ナフトキノンゞアゞド−−スルホン酞トリ゚ス
テル、−ビス−トリヒドロキシベ
ンゟむルベンれン−−ナフトキノンゞア
ゞド−−スルホン酞ゞ゚ステル、−ビス
−トリヒドロキシベンゟむルベン
れン−−ナフトキノンゞアゞド−−スル
ホン酞モノ゚ステル、−ビス−ト
リヒドロキシベンゟむルベンれン−−ベ
ンゟキノンゞアゞド−−スルホン酞ヘキサ゚ス
テル、−ビス−トリヒドロキシベ
ンゟむルベンれン−−ナフトキノンゞア
ゞド−−スルホン酞ヘキサ゚ステル、−ビス
−トリヒドロキシベンゟむルベン
れン−−ナフトキノンゞアゞド−−スル
ホン酞ヘキサ゚ステル、−ビス−ヒドロキ
シ−−クロルベンれンゟむルベンれン−
−ナフトキノンゞアゞド−−スルホン酞ゞ゚
ステル、−ビス−ゞヒドロキシ−−
ブロムベンゟむルベンれン−−ナフトキ
ノンゞアゞド−−スルホン酞ゞ゚ステル、−
ビス−トリヒドロキシ−−メチル
ベンゟむルベンれン−−ナフトキノンゞ
アゞド−−スルホン酞ヘキサ゚ステル、−ビ
ス−トリヒドロキシ−−メトキシ
ベンゟむルベンれン−−ナフトキノンゞ
アゞド−−スルホン酞ヘキサ゚ステル、−ビ
ス−トリヒドロキシ−−ニトロベ
ンゟむルベンれン−−ナフトキノンゞア
ゞド−−スルホン酞ヘキサ゚ステル、−ビス
−トリヒドロキシ−−シアノベン
ゟむルベンれン−−ナフトキノンゞアゞ
ド−−スルホン酞ヘキサ゚ステル、
−トリス−ゞヒドロキシベンゟむルベ
ンれン−−ナフトキノンゞアゞド−−ス
ルホン酞ヘキサ゚ステル、−トリス
−トリヒドロキシベンゟむルベン
れン−−ナフトキノンゞアゞド−−スル
ホン酞ノナ゚ステル、−トリス
−トリヒドロキシベンゟむルベンれン−
−ナフトキノンゞアゞド−−スルホン酞
ノナ゚ステル、−トリス
−トリヒドロキシベンゟむルベンれン−
−ナフトキノンゞアゞド−−スルホン酞ノナ゚
ステル、−テトラキス
−トリヒドロキシベンゟむルベンれン−
−ナフトキノンゞアゞド−−スルホン酞オク
タ゚ステル、αα′−ビス−トリヒ
ドロキシ−−キシレン−−ナフトキノ
ンゞアゞド−−スルホン酞ヘキサ゚ステル、
αα′α′−トリス−トリヒドロキ
シベンゟむルメシチレン−−ナフトキノ
ンゞアゞド−−スルホン酞ノナ゚ステル、ビス
−ゞヒドロキシベンゟむルメタン−
−ナフトキノンゞアゞド−−スルホン酞テト
ラ゚ステル、ビス−トリヒドロキシ
ベンゟむルメタン−−ナフトキノンゞア
ゞド−−スルホン酞ヘキサ゚ステル、−
ビス−トリヒドロキシベンゟむル
ナフタレン−−ナフトキノンゞアゞド−
−スルホン酞テトラ゚ステル、−ビス
−トリヒドロキシベンゟむルナフ
タレン−−ナフトキノンゞアゞド−−ス
ルホン酞テトラ゚ステル、等を挙げるこずができ
る。 なお前蚘䞀般匏で瀺される化合物は、觊
媒の存圚䞋、盞応する䞀般匏で瀺されるフ
゚ノヌル性化合物たたは䞀般匏で瀺される
アルコキシベンれン誘導䜓ず〜䟡の倚官胜性
酞ハロゲン化合物ずの反応によ぀お補造される。
【匏】
【匏】 〔匏䞭、、およびR3は䞀般匏で定
矩したずおりでありR4はアルキル基、アリヌ
ル基たたはアラルキル基である。〕 ここで倚官胜性酞ハロゲン化物ずしおは、マロ
ニルゞクロリドベンれンゞカルボン酞ゞクロリ
ド、ベンれントリカルボン酞トリクロリド、プ
ニレンゞ酢酞ゞクロリド、ナフタレンゞカルボン
酞ゞクロリド、マロニルゞブロミド、ベンれンゞ
カルボン酞ゞブロミド、ベンれントリカルボン酞
トリブロミド、ナフタレンゞカルボン酞ゞブロミ
ド等を䟋瀺するこずができる。この反応に甚いる
觊媒ずしおは、無氎塩化アルミニりム、無氎臭化
アルミニりム、無氎塩化亜鉛、䞉フツ化ホり玠等
のルむス酞を䟋瀺するこずができる。たた反応は
通垞溶媒、䟋えばニトルベンれン、塩化メチレ
ン、−ゞクロル゚タン、二硫化炭玠、四塩
化炭玠等の存圚䞋に行う。氎酞基の倚い䞀般匏
で瀺されるプノヌル性化合物、䟋えばピ
ロガロヌル、フロログルシン等を甚いるずきは、
溶媒ずしおニトロベンれンや塩化メチレンを甚い
るのが奜たしい。この堎合の反応枩床は、原料ず
しお甚いるプノヌル性化合物、アルコキシベン
れン誘導䜓および倚官胜性酞ハロゲン化合物の反
応性によ぀お異なるが、通垞は〜200℃、奜た
しくは〜100℃である。䞀般匏で瀺され
るポリヒドロキシ化合物の原料ずしお、䞀般匏
で瀺されるアルコキシベンれン誘導䜓を甚
いるずきは、反応䞭間生成物ずしお生成する䞀般
匏で瀺されるポリヒドロキシ化合物の前駆
物質であるアルコキシベンれン誘導䜓を゚ヌテル
結合を開裂するために觊媒、䟋えば塩化アルミニ
りム、臭化アルミニりム、ピリゞン−塩酞、ペり
化氎玠氎、臭化氎玠氎、䞉臭化ホり玠、氎酞化カ
リりム等を甚いる加氎分解に䟛するこずにより、
䞀般匏で瀺されるポリヒドロキシ化合物を
補造する。この加氎分解における反応枩床および
反応に䜿甚する溶媒は、䜿甚する觊媒の皮類によ
぀お適宜遞択され、䟋えば觊媒ずしお塩化アルミ
ニりムを甚いるずきは、ニトロベンれンや
−ゞクロロ゚タンを溶媒ずしお甚いるのが奜たし
く、反応枩床は通垞20〜150℃、奜たしくは60〜
100℃である。 䞊蚘反応によ぀お生成する䞀般匏で瀺さ
れるポリヒドロキシ化合物は、さらに臭玠、塩玠
等のハロゲンず反応させるこずによ぀おハロゲン
を有する䞀般匏で瀺されるポリヒドロキシ
化合物を補造するこずができる。䟋えば、−ビ
ス−トリヒドロキシベンゟむルベ
ンれンを酢酞を溶媒ずしお宀枩で撹拌しながら臭
玠を滎䞋し、さらに倚量の氎䞭ぞ反応溶媒を加え
生成物を沈殿させ氎掗を繰り返すこずによ぀お玔
床の高い−ビス−トリヒドロキシ
−−ブロムベンゟむルベンれンを補造するこ
ずができる。こうしお補造されるハロゲンを有す
る䞀般匏で瀺されるポリヒドロキシ化合物
は、さらに゚タノヌル−氎のような氎性溶媒䞭で
80〜100℃で、氎酞化ナトリりムたたは氎酞化カ
リりムを甚いお加氎分解するこずによ぀お、ハロ
ゲン原子を氎酞基に眮換するこずができる。たた
ハロゲンを有する䞀般匏で瀺されるポリヒ
ドロキシ化合物は、ナトリりムアルコキシド、亜
硝酞ナトリりム、シアン化ナトリりム、アルキル
金属等の求栞詊薬によ぀おハロゲン原子をアルコ
キシ基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基等に眮
換するこずができる。 䞊蚘䞀般匏で瀺されるポリヒドロキシ化
合物の補造は、䞊蚘補造法のみに限定されるもの
でなく、他の方法を適甚するこずもできる。 本発明の組成物においお、䞊蚘䞀般匏で
瀺される化合物が添加されるアルカリ可溶性暹脂
は、特に限定されないが、䟋えばプノヌルずホ
ルムアルデヒドずから埗られるノボラツク暹脂、
クレゟヌルずホルムアルデヒドずから埗られるノ
ボラツク暹脂、ヒドロキシスチレン重合䜓、アミ
ノスチレン重合䜓、共圹ゞオレフむン化合物、モ
ノオレフむン化合物および゚チレン性䞍飜和カル
ボン酞の共重合䜓等が挙げられる。 本発明の組成物における䞀般匏で瀺され
る化合物の配合量は、アルカリ可溶性暹脂100重
量郚に察しお〜100重量郚、奜たしくは10〜50
重量郚である。この配合量が重量郚未満の堎合
には、珟像埌の残膜率が䞍十分で、か぀埗られる
パタヌンが熱で倉圢しやすく、たた高い解像床の
感光性暹脂組成物を埗るこずができない。䞀方こ
の配合量が100重量郚を超える堎合には、高感床
の感光性暹脂組成物を埗るこずができない。 本発明の組成物は、䞀般匏で衚わされる
化合物以倖の、−キノンゞアゞド化合物
を、䟋えばアルカリ可溶性暹脂100重量郚に察し
お100重量郚以䞋、奜たしくは50重量郚以䞋、特
に奜たしくは20重量郚以䞋の割合で配合するこず
ができる。これらの−キノンゞアゞド化合
物ずしおは、䟋えば䞋蚘䞀般匏 匏䞭は〜の敎数、R5はアルキル基、
アリヌル基たたはアラルキル基を意味するで衚
わされる化合物のヒドロキシル基の党郚たたは䞀
郚に、−ナフトキノンゞアゞド−−スル
ホニルクロリド、−ナフトキノンゞアゞド
−−スルホニルクロリドたたは−ベンゟ
キノンゞアゞド−−スルホニルクロリド等を瞮
合反応させお埗られる化合物が挙げられる。この
䞀般匏で衚わされる化合物の具䜓䟋ずしお
は、−トリヒドロキシプニルメチル
ケトン、−トリヒドロキシプニル゚
チルケトン、−トリヒドロキシプニ
ルブチルケトン、−トリヒドロキシフ
゚ニル−−ヘキシルケトン、−トリ
ヒドロキシプニルメチルケトン、−
トリヒドロキシプニル゚チルケトン、
−トリヒドロキシプニルブチルケトン、
−トリヒドロキシプニル−−ヘキシル
ケトン、−トリヒドロキシプニルメ
チルケトン、−トリヒドロキシプニ
ル゚チルケトン、−トリヒドロキシフ
゚ニルブチルケトン、−トリヒドロキ
シプニル−−ヘキシルケトン、−
トリヒドロキシプニルデシルケトン、
−トリヒドロキシプニルドデシルケトン、
−トリヒドロキシベンゟプノン、
−トリヒドロキシベンゟプノン、
−トリヒドロキシプニルベンゞルケ
トン、−トリヒドロキシベンゞルケト
ン、−トリヒドロキシプニルベンゞ
ルケトン等が挙げられる米囜特蚱第3046118号
および特公昭37−18015号明现曞。 たた䟋えば2′4′−テトラヒドロキシ
−6′−ゞメチル−ゞプニルメタン、
2′6′−テトラヒドロキシ−3′
5′−テトラクロル−ゞプニルメタン、2′−
ゞヒドロキシ−4′−ゞメチル−ゞプニルメ
タン−、2′−ゞヒドロキシ−
4′−ゞメトキシ−ゞプニル゚タン−、
2′4′−テトラヒドロキシ−ゞプニル
゚タン−、2′−ゞヒドロキシ−
4′−ゞメトキシ−トリプニルメタン、2′−
ゞヒドロキシ−ゞナフチルメタン、2′
4′−テトラヒドロキシ−ゞプニルスルフむド、
2′4′−テトラヒドロキシ−ゞプニル
スルホキシド、2′4′−テトラヒドロキ
シ−6′−ゞメチル−ゞプニル゚タン−
、2′4′−テトラヒドロキシ−
6′−ゞカルボメトキシ−ゞプニルメタン、
2′4′−テトラヒドロキシ−6′−ゞメチ
ル−トリプニルメタン、2′4′−テト
ラヒドロキシ−ゞプニルプロパン−、
2′4′−テトラヒドロキシ−ゞプニル
−−ブタン−、2′4′−ペン
タヒドロキシ−トリプニルメタン、
2′4′−テトラヒドロキシ−ゞプニルシクロヘ
キサン−、2′−ゞヒドロキシ−
4′−ゞメトキシ−ゞプニルメタン、
2′4′−テトラヒドロキシ−ゞプニルペンタン
−、2′4′−テトラヒドロキシ
−ゞプニルプロパン−、2′
4′−テトラヒドロキシ−トリプニルメタン、
2′−ゞヒドロキシ−5′−ゞブロム−ゞフ
゚ニルメタン、2′−ゞヒドロキシ−5′−
ゞクロル−ゞプニル゚タン−、
2′−ゞヒドロキシ−5′−ゞブロム−ゞプニ
ル゚タン−等を−ナフトキノン
ゞアゞド−−スルホニルクロリド、−ナ
フトキノンゞアゞド−−スルホニルクロリドた
たは−ベンゟキノンゞアゞド−−スルホ
ニルクロリド等ず瞮合反応させお埗られる
−キノンゞアゞドスルホン酞゚ステル特公昭37
−1953号明现曞を配合するこずもできる。 さらに本発明の組成物は必芁に応じお、珟像
性、組成物の保存安定性等を向䞊させるために、
䟋えばロゞン、シナラツク等の倩然暹脂、スチレ
ンず無氎マレむン酞ずの共重合䜓、スチレンずア
クリル酞、メタクリル酞たたはこれらのアルキル
゚ステルずの共重合䜓、アクリル酞゚ステル重合
䜓、ビニルピロリドン重合䜓の合成暹脂を、アル
カリ可溶性暹脂100重量郚に察しお〜50重量郚、
奜たしくは〜30重量郚の割合で付加的に配合含
有させるこずもできる。 本発明の組成物は、埮现加工すべき基板䞊に塗
垃し、掻性光線、䟋えば玫倖線等を郚分的に照射
し、珟像するこずによ぀おパタヌンを圢成するこ
ずができる。 本発明の組成物を基板に塗垃する方法ずしお
は、本発明の組成物を、䟋えば濃床が〜50重量
ずなるように適圓な溶剀に溶解し、これを回転
塗垃、流し塗垃、ロヌル塗垃等により塗垃する方
法が挙げられる。この際に甚いられる適圓な溶剀
ずしおは、䟋えばシクロペンタノン、シクロヘキ
サノン、ゞアセトンアルコヌル等のケトン類、
−ブタノヌル等のアルコヌル類、ゞオキサン、゚
チレングリコヌルゞメチル゚ヌテル、゚チルグリ
コヌルゞ゚チル゚ヌテル等の゚ヌテル類、゚チル
グリコヌルモノメチル゚ヌテル、゚チレングリコ
ヌルモノ゚チル゚ヌテル等のアルコヌル゚ヌテル
類、酢酞ブチル、セロ゜ルブアセテヌト、メトキ
シ゚チルアセテヌト等の゚ステル類、
−トリクロロ゚チレン等のハロゲン化炭化氎玠
類、ゞメチルアセトアミド、ゞメチルホルムアミ
ド、−メチルピロリドン等の極性溶媒が、単独
でたたは混合しお甚いられる。 本発明の組成物には、必芁に応じお保存安定
剀、色玠等を添加配合するこずもできる。たた本
発明の組成物ず基板ずの接着力を向䞊させるため
に、遞定した基板に応じお、䟋えばヘキサメチル
ゞシラザン、クロロメチルシラン等を接着助剀ず
しお基板に塗垃しおもよい。 本発明の組成物に甚いられる珟像液ずしおは、
䟋えば氎酞化ナトリりム、氎酞化カリりム、炭酞
ナトリりム、ケむ酞ナトリりム、メタケむ酞ナト
リりム、リン酞䞉ナトリりム、リン酞氎玠ナトリ
りム等の無機アルカリ類の氎溶液、−プロピル
アミン、ゞ−−プロピルアミン、ゞ−−ブチ
ルアミン、メチルゞ゚チルアミン、ピロヌル、
−ゞメチルピロヌル、β−ピコリン、コリ
ゞン、ピペリゞン、ピペラゞン、トリ゚チレンゞ
アミン等のアミン類の氎溶液、ゞメチル゚タノヌ
ルアミン、トリ゚タノヌルアミン、ゞ゚チルヒド
ロキシルアミン等のアルコヌルアミン類の氎溶
液、テトラメチルアンモニりムヒドロキシド、テ
トラ゚チルアンモニりムヒドロキシ等の第玚ア
ンモニりム塩の氎溶液、アンモニア氎等が挙げら
れる。 たた前蚘珟像液に、メタノヌル、゚タノヌル等
のアルコヌル類、亜硫酞系安定剀たたは界面掻性
剀を適圓量添加するこずもできる。 本発明の組成物は、−キノンゞアゞド化
合物の結晶が析出するこずなく、高感床、高解像
床および高残膜率を有し、か぀珟像性にも優れた
ものであり、集積回路䜜補甚の耐熱性を有するポ
ゞ型ホトレゞストずしお特に有甚であるずずも
に、マスク補䜜甚のポゞ型ホトレゞスト等ずしお
も有甚なものである。 次に実斜䟋を挙げお本発明を詳述するが、本発
明はこれらの実斜䟋により䜕ら制玄されるもので
はない。 実斜䟋  (1) ノボラツク暹脂の合成 500mlの䞉ツ口セパラブルフラスコに、−ク
レゟヌル75および−クレゟヌル25を仕蟌ん
だ埌、37重量のホルマリン氎溶液66mlおよび蓚
酾0.04を添加した。撹拌しながら、セパラブル
フラスコを油济に浞しお反応枩床を100℃に調節
し、10時間反応させた。反応終了埌、30mmHgに
枛圧しお氎を留去し、さらに内枩を130℃に䞊昇
させお未反応物を陀去した。次いで反応生成物で
ある溶融したアルカリ可溶性ノボラツク暹脂を宀
枩に戻しお回収した。 (2) 感光剀の合成 フラスコに、ベンれンゞカルボン酞ゞクロリド
40.6、−ゞメトキシベンれン60.8および無
氎塩化アルミニりム58.7を仕蟌み、ニトロベン
れン30mlで溶解した。次いで撹拌しながら80℃で
時間反応させた埌200mlの35重量塩酞氎溶液
を加えたの氷氎䞭ぞ滎䞋し30分間撹拌し、分
液ロヌトにより有機局を分取し十分氎掗した埌、
氎蒞気蒞留でニトロベンれンを陀去し、枛圧䞋で
也燥しお反応生成物を埗た。さらにフラスコ䞭で
反応生成物を200mlの−ゞクロロ゚タンに
溶解し、内枩を−20℃にコントロヌルし200.4
の䞉臭化ホり玠を時間かけお滎䞋した。滎䞋終
了埌、内枩を宀枩に戻し時間撹拌した埌、
の氎ぞ滎䞋した。沈殿した生成物をゞメチルスル
ホキシドに溶解し、再床氎ぞ滎䞋するこずにより
生成物を沈柱させるこずによ぀お粟補し、35の
−ビス−ゞヒドロキシベンゟむルベ
ンれンを合成した。 遮光䞋においお、フラスコに−ビス
−ゞヒドロキシベンゟむルベンれン17.5、
−ナフトキノンゞアゞド−−スルホニル
クロリド40.3およびアセトン250mlを仕蟌み溶
解した。次いで撹拌しながらトリ゚チルアミン
16.7を埐々に添加し宀枩で時間反応させた。
反応終了埌、内容物を倚量の重量塩酞氎溶液
に滎䞋し生成物を沈殿させ、氎掗埌40℃で20時間
真空也燥し、−ビス−ゞヒドロキシベ
ンゟむルベンれン−−ナフトキノンゞア
ゞド−−スルホン酞トリ゚ステル以䞋感光剀
ず蚘すを埗た。 (3) 感光性暹脂組成物の調補ず評䟡 遮光䞋で(1)で埗られたアルカリ可溶性ノボラツ
ク暹脂20および(2)で埗られた感光剀A5を、
75のセロ゜ルブアセテヌトに溶解し、孔埄
0.2ÎŒmのメンブランフむルタヌで濟過しお感光性
暹脂組成物の溶液を調補した。この溶液は長時間
保存しおも感光剀の結晶が析出するこずがなか぀
た。 埗られた溶液を、シリコン酞化膜り゚ハヌ䞊
に、スピンナヌで塗垃した埌、オヌブン䞭で90℃
で25分間プレベヌクしお1ÎŒm厚の感光性暹脂組成
物膜を埗た。凞版印刷(æ ª)補テストパタヌンマスク
をり゚ハヌに密着し、10.2mJcm2の玫倖線オ
プテむカルア゜シ゚ヌト・むンコヌポレむテツド
補モデル205UVパワヌメヌタヌにより枬定を
照射し、テトラメチルアンモニりムヒドロキシド
2.0重量氎溶液で20℃で60秒間珟像したずころ、
線幅1.0ÎŒmのパタヌンを解像するこずができた。
本発明の感光性暹脂組成物が感床および解像床に
優れおいるこずがわかる。たた未露光郚の残膜率
は92ず高い倀を瀺し、珟像残りがなく、パタヌ
ンが鮮明で珟像性が極めお優れおいた。たた珟像
床のパタヌンを150℃で30分間オヌブン䞭でポス
トベヌクしたが、パタヌン厩れは芳察されず、高
い耐熱性を有しおいた。 実斜䟋 〜 (1) 感光剀の合成 実斜䟋(1)ず同様に第衚に瀺したポリヒドロ
キシ化合物ずキノンゞアゞドスルホニルクロリド
ずを瞮合反応させるこずによ぀お感光剀を合成し
た。
【衚】
【衚】 (2) 感光性暹脂組成物の調補ず評䟡 実斜䟋(1)で埗たアルカリ可溶性ノボラツク暹
脂20、第衚に瀺す感光剀およびゞメチル
スルホキシド75を甚い、実斜䟋(3)ず同様に感
光性暹脂組成物の溶液を調補し評䟡した。第衚
に結果を瀺す。たたいずれの感光性暹脂組成物も
実斜䟋のものず同様に珟像性および耐熱性が優
れるものであ぀た。なおいずれの感光性暹脂組成
物の溶液も長時間保存するこずによ぀お感光剀が
析出するこずがなか぀た。
【衚】 第衚から本発明の感光性暹脂組成物が感床、
解像床および残膜率に優れおいるこずがわかる。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  アルカリ可溶性暹脂ず、該暹脂100重量郚圓
    り〜100重量郚の䞋蚘䞀般匏で瀺される
    化合物の少なくずも皮ずを含有しおなるポゞ型
    感光性暹脂組成物 〔匏䞭、は〜の敎数で、は〜の敎
    数で、は〜の敎数で、であ
    りは〜の敎数でありR1は−ナ
    フトキノンゞアゞド−−スルホニル基、
    −ナフトキノンゞアゞド−−スルホニル基たた
    は−ベンゟキノンゞアゞド−−スルホニ
    ル基でありR2は氎玠原子、ハロゲン原子、ア
    ルキル基、アリヌル基、アラルキル基、アルコキ
    シ基、アロキシル基、アラルコキシ基、シアノ基
    たたはニトロ基でありはメタンたたは芳銙族
    化合物の残基である〕。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5139023A (en) * 1974-09-27 1976-04-01 Konishiroku Photo Ind Kankoseisoseibutsu
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5139023A (en) * 1974-09-27 1976-04-01 Konishiroku Photo Ind Kankoseisoseibutsu
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