JPH033506A - 温度補償発振器 - Google Patents
温度補償発振器Info
- Publication number
- JPH033506A JPH033506A JP13809089A JP13809089A JPH033506A JP H033506 A JPH033506 A JP H033506A JP 13809089 A JP13809089 A JP 13809089A JP 13809089 A JP13809089 A JP 13809089A JP H033506 A JPH033506 A JP H033506A
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- JP
- Japan
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- temperature
- compensation
- compensation circuit
- oscillator
- extreme value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 8
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は憤圧可変容歌素子を使用した所謂間接補償型の
温度補償発振器（以下、間接補償発振器とする）を利用
分野とし、特に電圧可変容量素子への電圧供給源となる
温度補償回路に関する。
温度補償発振器（以下、間接補償発振器とする）を利用
分野とし、特に電圧可変容量素子への電圧供給源となる
温度補償回路に関する。
（発明の背景）
間接補償発振器は、例えばサーミスタとコンデンサから
なる所謂直接補償型のものに比し、補償特性に浸れて自
動車電話（国内用）等の比較的高級な用途に利用されろ
。近年では、このような通信機器を含めた電子機器の小
型化指向から、この間接補償発振器においても更に小型
で性能を維持したものが望まれている。
なる所謂直接補償型のものに比し、補償特性に浸れて自
動車電話（国内用）等の比較的高級な用途に利用されろ
。近年では、このような通信機器を含めた電子機器の小
型化指向から、この間接補償発振器においても更に小型
で性能を維持したものが望まれている。
（従来技術）
第４図は従来の間接型の温度ｍ償発振器の一例を説明す
る図である。
る図である。
間接補償発振器は、例えばＡＴ力ｙ）、の水晶振動子１
を発振子とした発振回路２と、水晶１７ｉ！動子１に接
続してその負荷容量となる可変容量ダイオード３と、可
変容量ダイオード３に補償電圧を印加する温度？Ｉ？Ｉ
償回路４とから構成されろ。なお、発振回路２自体は水
晶振動子１を主因として常温付近に変曲点をもった三次
曲線状の周波数温度特性（以下、温度特性とする）とな
る（第５図）。
を発振子とした発振回路２と、水晶１７ｉ！動子１に接
続してその負荷容量となる可変容量ダイオード３と、可
変容量ダイオード３に補償電圧を印加する温度？Ｉ？Ｉ
償回路４とから構成されろ。なお、発振回路２自体は水
晶振動子１を主因として常温付近に変曲点をもった三次
曲線状の周波数温度特性（以下、温度特性とする）とな
る（第５図）。
このようなものでは、温度補償回路４は、周囲温度に感
応して発振回路２の温度特性とは逆特性とする補償電圧
を発生する。基本的には、第６図の回路図に示したよう
に温度特性の低ン晶領域ｌ、中温領域ｍ及び高温領域り
に対応した三つの補償部り、ＭＳＨからなり、それぞれ
各領域’％”％ｈにて概ね支配的な補償電圧を発生する
。但し、各補償部１６、Ｍ、ＨはそれぞれサーミスタＴ
ｈ １Ｔｈ、、Ｔｈ、、とその温度抵抗特性を補正する
固定抵抗Ａ１Ｂ、Ｃとの感温抵抗網からなる。通常で（
よ、更に中高漏領域中の極小値部分での補償電圧を制御
する抵抗りからなる極値制御部ＭＨが接続されろ。
応して発振回路２の温度特性とは逆特性とする補償電圧
を発生する。基本的には、第６図の回路図に示したよう
に温度特性の低ン晶領域ｌ、中温領域ｍ及び高温領域り
に対応した三つの補償部り、ＭＳＨからなり、それぞれ
各領域’％”％ｈにて概ね支配的な補償電圧を発生する
。但し、各補償部１６、Ｍ、ＨはそれぞれサーミスタＴ
ｈ １Ｔｈ、、Ｔｈ、、とその温度抵抗特性を補正する
固定抵抗Ａ１Ｂ、Ｃとの感温抵抗網からなる。通常で（
よ、更に中高漏領域中の極小値部分での補償電圧を制御
する抵抗りからなる極値制御部ＭＨが接続されろ。
このようなことにより、周囲温度に応じた補償電圧が可
変容量ダイオード３に印加されて水晶振動子１の０荷容
量を変化するので、発振回路２の温度特性卆補償して平
坦な補償湿度特性を得ろ。
変容量ダイオード３に印加されて水晶振動子１の０荷容
量を変化するので、発振回路２の温度特性卆補償して平
坦な補償湿度特性を得ろ。
（従来技術の問題点）
しか１７ながら、このような間接補償発振器では、温度
補償回路４の各補償部り、Ｍ、Ｈとも感温抵抗網から形
成されろ。そして、感温抵抗網の温度抵抗特性は厳密さ
が要求されることから、サーミスタの温度抵抗特性を補
正する抵抗Ａ、Ｂ、Ｃ及び極値制御部の抵抗りばそれら
の値を厳格に選定されろ。一般には、各抵抗Ａ−Ｄは三
つの固定抵抗＆＋、’ａ ＊、ｈ＋’ｂｓ、ｆ！１−ｅ
３．ｄｌ’ｄ３により所定の値に設定していた。例えば
低温側での抵抗Ａ９！数１０にΩとする場合には、第１
低抗ａ、を１ＯＫ単位、第２抵抗ａ、ＱＩＫ単位を満足
して必要抵抗値に最も近いものとし、第３抵抗ａ、によ
り誤差分を修止するようにしていた。
補償回路４の各補償部り、Ｍ、Ｈとも感温抵抗網から形
成されろ。そして、感温抵抗網の温度抵抗特性は厳密さ
が要求されることから、サーミスタの温度抵抗特性を補
正する抵抗Ａ、Ｂ、Ｃ及び極値制御部の抵抗りばそれら
の値を厳格に選定されろ。一般には、各抵抗Ａ−Ｄは三
つの固定抵抗＆＋、’ａ ＊、ｈ＋’ｂｓ、ｆ！１−ｅ
３．ｄｌ’ｄ３により所定の値に設定していた。例えば
低温側での抵抗Ａ９！数１０にΩとする場合には、第１
低抗ａ、を１ＯＫ単位、第２抵抗ａ、ＱＩＫ単位を満足
して必要抵抗値に最も近いものとし、第３抵抗ａ、によ
り誤差分を修止するようにしていた。
なお、市販の固定抵抗は、その抵抗値が例えば１．１０
．２０にΩと規格化されているために必要抵抗値の為の
はない。また、特注したとしても各温度補償回路４毎に
必要抵抗値は異なるので現実的には不可能である。
．２０にΩと規格化されているために必要抵抗値の為の
はない。また、特注したとしても各温度補償回路４毎に
必要抵抗値は異なるので現実的には不可能である。
したがって、このようなものでは、本来１個で済むべき
とこるの固定抵抗を複数本必要とするので、経済効果が
失われるばかりでなく、温度補償発振器の小型化を阻害
する結果となっていた。具体的には、各補償部り、Ｍ、
Ｈ及び極値制御部ＭＨに３木づつの計１２本の固定抵抗
を必要とし、その結果例えば第７図に示したようにｘｙ
寸法が１８ＸＩＲｒｎＩＴ＋の基板５に発振回路２と１
易度補償回路４とを別個に「同図（ａ）、１、あるいは
基板の両面に搭載する「同図（ｂ）」構成とし、その小
型化が達成できない問題点があった。なお、図中の６は
ケース板である。
とこるの固定抵抗を複数本必要とするので、経済効果が
失われるばかりでなく、温度補償発振器の小型化を阻害
する結果となっていた。具体的には、各補償部り、Ｍ、
Ｈ及び極値制御部ＭＨに３木づつの計１２本の固定抵抗
を必要とし、その結果例えば第７図に示したようにｘｙ
寸法が１８ＸＩＲｒｎＩＴ＋の基板５に発振回路２と１
易度補償回路４とを別個に「同図（ａ）、１、あるいは
基板の両面に搭載する「同図（ｂ）」構成とし、その小
型化が達成できない問題点があった。なお、図中の６は
ケース板である。
〈発明の目的）
本発明は特にン品度補償回路の占めるスペースを少なく
して経済的でしかも小型化した間接補償発振器器を櫂供
することを目的とする。
して経済的でしかも小型化した間接補償発振器器を櫂供
することを目的とする。
（解決手段）
本発明（ま、湿度補償回路（サーミスタ）の温度抵抗特
性を補正する抵抗を単一素子から形成したことを解決手
段とする。以下、本発明の一実施例小説明する。
性を補正する抵抗を単一素子から形成したことを解決手
段とする。以下、本発明の一実施例小説明する。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を説明する間接補償発振器の
図である。なお、前実施例図と同一部分には同番号を付
与してその説明は簡略する。
図である。なお、前実施例図と同一部分には同番号を付
与してその説明は簡略する。
間接補償発振器は、前述したように、温度特性娶三次曲
線と１７た発振回路２の水晶振動子１に可変容量ゲイオ
ード３を接続し、この可変容量ダイオード３にｍ償電圧
を印加する温度補償回路４とからなる（前第４図参照）
。そして、温度？ｌｌ′ｌ償回路４は、温度特性の低温
部ｌ、中温部ｍ及び高温部りの各温度領域に対応する補
償部■４、Ｍ、Ｈと、巾高澗の極値部に対応した極値制
御部Ｍ）（とからなる（ｉｔ第６図参照）、、そして、
本実施例では、サーミスタＴｈ＋、Ｔｈ−，Ｔｈｈを有
する各補償部り、、Ｍ。
線と１７た発振回路２の水晶振動子１に可変容量ゲイオ
ード３を接続し、この可変容量ダイオード３にｍ償電圧
を印加する温度補償回路４とからなる（前第４図参照）
。そして、温度？ｌｌ′ｌ償回路４は、温度特性の低温
部ｌ、中温部ｍ及び高温部りの各温度領域に対応する補
償部■４、Ｍ、Ｈと、巾高澗の極値部に対応した極値制
御部Ｍ）（とからなる（ｉｔ第６図参照）、、そして、
本実施例では、サーミスタＴｈ＋、Ｔｈ−，Ｔｈｈを有
する各補償部り、、Ｍ。
Ｈと極値制御部ＭＨの各抵抗ＡＳＩ（、Ｃ，Ｄはそれぞ
れ単一の抵抗素子から形成される。具体的には、セラミ
ック板７の片面に印刷抵抗８の形成されて両端側に電極
９を付与された市販のチ・ツブ抵抗１０を所定の抵抗値
に調整して使用する（第２図）。例えばレーザトリミン
グやサンドブラストにより抵抗膜８を切削してその幅を
小さくし、予め小さめに設定された抵抗値を大きくして
調整する５、そして、このような単一の抵抗素子１０
（Ａ〜Ｄ）とサーミスタＴｈ ＋ 、 Ｔｈヨ、Ｔｈｈ
からなる温度補償回路４を基板５の一方の主面に、また
両主面に発振回路２を主として搭載するようにする。
れ単一の抵抗素子から形成される。具体的には、セラミ
ック板７の片面に印刷抵抗８の形成されて両端側に電極
９を付与された市販のチ・ツブ抵抗１０を所定の抵抗値
に調整して使用する（第２図）。例えばレーザトリミン
グやサンドブラストにより抵抗膜８を切削してその幅を
小さくし、予め小さめに設定された抵抗値を大きくして
調整する５、そして、このような単一の抵抗素子１０
（Ａ〜Ｄ）とサーミスタＴｈ ＋ 、 Ｔｈヨ、Ｔｈｈ
からなる温度補償回路４を基板５の一方の主面に、また
両主面に発振回路２を主として搭載するようにする。
したがって、このようなものでは、前実施例と同様の性
能を維持してしかも温度補償回路の占めろスペースを小
さくし、小型な間接補償発振器を得ろことができる。ち
なみに、第３図に示したように基板５はｘｙ寸法を１６
Ｘ９ｍｍとすることができ、実施例に比しその大きさを
面積比で半分以下とする１、なお、基板５ばケース板６
−ヒに保持される。
能を維持してしかも温度補償回路の占めろスペースを小
さくし、小型な間接補償発振器を得ろことができる。ち
なみに、第３図に示したように基板５はｘｙ寸法を１６
Ｘ９ｍｍとすることができ、実施例に比しその大きさを
面積比で半分以下とする１、なお、基板５ばケース板６
−ヒに保持される。
（他の事項）
なお、木実施例では、温度補償回路４は低温部、中温部
、高温部の各補償部し、Ｍ、Ｈ及び極値制御部ＭＨから
形成１７たが、例えば低温部等のみと１７でもよい。ま
た、間接型補償発振器を構成する各素子を基板の両主面
に配置したものを一例として示１７たか、２枚の基板に
配置してもよいことは勿論である。そして、基板５はケ
ース板６上に保持したが、例えば基板５の一面側をモー
ルドするようにしてケース板６除去し、高さ寸法をも小
さくして炉に小型化を計るようにしてもよシ）、。
、高温部の各補償部し、Ｍ、Ｈ及び極値制御部ＭＨから
形成１７たが、例えば低温部等のみと１７でもよい。ま
た、間接型補償発振器を構成する各素子を基板の両主面
に配置したものを一例として示１７たか、２枚の基板に
配置してもよいことは勿論である。そして、基板５はケ
ース板６上に保持したが、例えば基板５の一面側をモー
ルドするようにしてケース板６除去し、高さ寸法をも小
さくして炉に小型化を計るようにしてもよシ）、。
（発明の効果）
本発明は、サーミスタの温度抵抗特性を補正する１氏抗
を単一素子としたので、特に温度補償回路の占めろスペ
ースを少なくして小型化した間接補償発振器器を提供で
き、実際的な価値は非常に顕著である。
を単一素子としたので、特に温度補償回路の占めろスペ
ースを少なくして小型化した間接補償発振器器を提供で
き、実際的な価値は非常に顕著である。
第１図は本発明の一実施例を説明する温度補償回路の図
、第２図は同チップ抵抗の図、第３図は間接補償発振器
の図である。 第４図は従来例を説明する間接補償発振器の概略回路図
、第５図は同温度特性図、第６図は同温度？１ｆ１４′
ｆｔ回路図、第７図（ａ）（ｂ）は間接補償発振器の図
である。 第５ｒｇ
、第２図は同チップ抵抗の図、第３図は間接補償発振器
の図である。 第４図は従来例を説明する間接補償発振器の概略回路図
、第５図は同温度特性図、第６図は同温度？１ｆ１４′
ｆｔ回路図、第７図（ａ）（ｂ）は間接補償発振器の図
である。 第５ｒｇ
Claims (1)
- 温度感応素子と抵抗とから温度補償回路を形成するとと
もに、周囲温度に応答した補償電圧を電圧可変容量素子
に供給し、水晶発振器の周波数温度特性を補償するよう
にした温度補償水晶発振器において、前記抵抗を単一素
子から形成して小型化したことを特徴とする温度補償発
振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13809089A JPH033506A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 温度補償発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13809089A JPH033506A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 温度補償発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH033506A true JPH033506A (ja) | 1991-01-09 |
Family
ID=15213719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13809089A Pending JPH033506A (ja) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | 温度補償発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH033506A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006024900A (ja) * | 2004-06-09 | 2006-01-26 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 複数の基板を備える構造、その構造の製造方法、および、その構造を用いた水晶発振器 |
| JP2007049254A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶発振器 |
-
1989
- 1989-05-31 JP JP13809089A patent/JPH033506A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006024900A (ja) * | 2004-06-09 | 2006-01-26 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 複数の基板を備える構造、その構造の製造方法、および、その構造を用いた水晶発振器 |
| US7276840B2 (en) | 2004-06-09 | 2007-10-02 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Structure with a plurality of substrates, its manufacturing method and crystal oscillator with the structure |
| JP2007049254A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶発振器 |
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