JPH0334212B2 - - Google Patents
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- JPH0334212B2 JPH0334212B2 JP27132486A JP27132486A JPH0334212B2 JP H0334212 B2 JPH0334212 B2 JP H0334212B2 JP 27132486 A JP27132486 A JP 27132486A JP 27132486 A JP27132486 A JP 27132486A JP H0334212 B2 JPH0334212 B2 JP H0334212B2
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Classifications
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/26—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22, H01L29/24, e.g. alloys
- H01L29/267—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22, H01L29/24, e.g. alloys in different semiconductor regions, e.g. heterojunctions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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- H01L29/7782—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はゲルマニウムを能動層とするｐチヤン
ネル電界効果トランジスタに関する。
ネル電界効果トランジスタに関する。
砒化ガリウムはシリコンに比べ電子移動度が４
〜５倍大きいため、砒化ガリウムを能動層とする
種々の電界効果トランジスタが高速および高周波
数トランジスタとして使用されている。この中に
は例えばシヨツトキ・ゲート構造電界効果トラン
ジスタ（MESFET）、選択ドープ構造電界効果ト
ランジスタ（HEMT）、絶縁ゲート構造電界効果
トランジスタ（STSFET）等があげられる。
〜５倍大きいため、砒化ガリウムを能動層とする
種々の電界効果トランジスタが高速および高周波
数トランジスタとして使用されている。この中に
は例えばシヨツトキ・ゲート構造電界効果トラン
ジスタ（MESFET）、選択ドープ構造電界効果ト
ランジスタ（HEMT）、絶縁ゲート構造電界効果
トランジスタ（STSFET）等があげられる。
このような電界効果トランジスタを用いて大規
模集積回路を実現するには、消費電力、動作余裕
等の観点からコンプリメンタリな回路で構成する
ことが最も望ましい。シリコンを材料とする集積
回路ではこのような回路はCMOS回路と呼ばれ
ている。
模集積回路を実現するには、消費電力、動作余裕
等の観点からコンプリメンタリな回路で構成する
ことが最も望ましい。シリコンを材料とする集積
回路ではこのような回路はCMOS回路と呼ばれ
ている。
一方、砒化ガリウムは電子の移動度μe（＝8500
cm2／Ｖ・sec）は大きいが正孔の移動度μh（＝400
cm2／Ｖ・sec）は小さく、コンプリメンタリな回
路を実現したとき、ｐチヤンネル電界効果トラン
ジスタのドレイン飽和電流あるいは相互コンダク
タンスgmの値が小さくなる。このため、ｎチヤ
ンネルおよびｐチヤンネル電界効果トランジスタ
からなるコンプリメンタリ回路全体のスイツチチ
ング時間あるいは集積度といつた特性が、ｐチヤ
ンネル・トランジスタの特性で制限され、高速
化、集積化といつた面で大きな障害となつてく
る。これを避けるためには、ｐチヤンネル・トラ
ンジスタのゲート幅を広くして、gmを大きく取
る設計が必要になるが、これは回路のチツプ占有
面積が大きくなり、大規模集積化が困難となる、
あるいはこれに付随して、配線長も長くなるた
め、配線による負荷が増大し、スイツチング時間
が長くなり、回路の高速化を図る上で障害となる
といつた欠点が生じる。
cm2／Ｖ・sec）は大きいが正孔の移動度μh（＝400
cm2／Ｖ・sec）は小さく、コンプリメンタリな回
路を実現したとき、ｐチヤンネル電界効果トラン
ジスタのドレイン飽和電流あるいは相互コンダク
タンスgmの値が小さくなる。このため、ｎチヤ
ンネルおよびｐチヤンネル電界効果トランジスタ
からなるコンプリメンタリ回路全体のスイツチチ
ング時間あるいは集積度といつた特性が、ｐチヤ
ンネル・トランジスタの特性で制限され、高速
化、集積化といつた面で大きな障害となつてく
る。これを避けるためには、ｐチヤンネル・トラ
ンジスタのゲート幅を広くして、gmを大きく取
る設計が必要になるが、これは回路のチツプ占有
面積が大きくなり、大規模集積化が困難となる、
あるいはこれに付随して、配線長も長くなるた
め、配線による負荷が増大し、スイツチング時間
が長くなり、回路の高速化を図る上で障害となる
といつた欠点が生じる。
事実、文献アイ・イー・デイー・エム
（IEDM）85、ダイジエスト オブ テクニカル
ペーパーズ（digest of Technical Papers）
317頁記載のデータによると、同一砒化ガリウム
ウエハー上に実現されたコンプリメンタリ絶縁ゲ
ート構造電界効果トランジスタ回路において、ｎ
チヤンネルトランジスタのgmは218ｍＳ／mm、ｐ
チヤンネルトランジスタのgmは28ｍＳ／mmの値
を有し、gmの違いは８倍近くに及ぶことがわか
る。第３図は従来例のｐチヤンネル電界効果トラ
ンジスタの断面を模式化したものである。図にお
いて、砒化ガリウム基板１の上に真性の砒化ガリ
ウム層２、ｐ型に高濃度ドーピングされた砒化ア
ルミニウム・ガリウム層４がエピタキシヤル成長
され、該砒化アルミニウム・ガリウム層４上には
シヨツトキ接合するゲート電極５が、またゲート
電極４の左右にはイオン注入法により形成された
ｐ型高濃度領域６，６′，７，７′が前記砒化アル
ミニウム・ガリウム層４、砒化ガリウム層２中に
設けられ、さらにｐ型高濃度領域６，７の上には
ソース電極８、ドレイン電極９が設けられてい
る。前記砒化ガリウム層２中の、前記砒化アルミ
ニウム・ガリウム層４とのヘテロ接合界面には縮
退した正孔ガス３が形成され、砒化ガリウム層２
を能動層とするｐチヤンネル電界効果トランジス
タが実現されている。
（IEDM）85、ダイジエスト オブ テクニカル
ペーパーズ（digest of Technical Papers）
317頁記載のデータによると、同一砒化ガリウム
ウエハー上に実現されたコンプリメンタリ絶縁ゲ
ート構造電界効果トランジスタ回路において、ｎ
チヤンネルトランジスタのgmは218ｍＳ／mm、ｐ
チヤンネルトランジスタのgmは28ｍＳ／mmの値
を有し、gmの違いは８倍近くに及ぶことがわか
る。第３図は従来例のｐチヤンネル電界効果トラ
ンジスタの断面を模式化したものである。図にお
いて、砒化ガリウム基板１の上に真性の砒化ガリ
ウム層２、ｐ型に高濃度ドーピングされた砒化ア
ルミニウム・ガリウム層４がエピタキシヤル成長
され、該砒化アルミニウム・ガリウム層４上には
シヨツトキ接合するゲート電極５が、またゲート
電極４の左右にはイオン注入法により形成された
ｐ型高濃度領域６，６′，７，７′が前記砒化アル
ミニウム・ガリウム層４、砒化ガリウム層２中に
設けられ、さらにｐ型高濃度領域６，７の上には
ソース電極８、ドレイン電極９が設けられてい
る。前記砒化ガリウム層２中の、前記砒化アルミ
ニウム・ガリウム層４とのヘテロ接合界面には縮
退した正孔ガス３が形成され、砒化ガリウム層２
を能動層とするｐチヤンネル電界効果トランジス
タが実現されている。
このような回路でｐチヤンネルトランジスタの
特性が回路全体の特性を制限し、砒化ガリウムに
おけるシリコンに対する電子移動度の優位性は、
ほとんど発揮されないことになる。
特性が回路全体の特性を制限し、砒化ガリウムに
おけるシリコンに対する電子移動度の優位性は、
ほとんど発揮されないことになる。
以上の如く、砒化ガリウムウエハー上に大規模
集積回路を実現するため、コンプリメンタリ電界
効果トランジスタ回路を用いると、ｎチヤンネル
トランジスタもｐチヤンネルトランジスタも能動
層が砒化ガリウムであるため、砒化ガリウム中の
正孔の移動度が小さく、回路全体の特性がｐチヤ
ンネルトランジスタの特性によつて制限され、高
速化、高集積化にとり重大な障害となるといつた
欠点があつた。
集積回路を実現するため、コンプリメンタリ電界
効果トランジスタ回路を用いると、ｎチヤンネル
トランジスタもｐチヤンネルトランジスタも能動
層が砒化ガリウムであるため、砒化ガリウム中の
正孔の移動度が小さく、回路全体の特性がｐチヤ
ンネルトランジスタの特性によつて制限され、高
速化、高集積化にとり重大な障害となるといつた
欠点があつた。
本発明の目的はこれら従来の砒化ガリウムを基
板とするｐチヤンネル電界効果トランジスタの有
する欠点を除去し、新規なｐチヤンネル電界効果
トランジスタを提供することにある。
板とするｐチヤンネル電界効果トランジスタの有
する欠点を除去し、新規なｐチヤンネル電界効果
トランジスタを提供することにある。
本発明は砒化ガリウム基板上に、真性あるいは
ｎ型にドープされたゲルマニウム層、ｐ型にドー
プされたシリコンとゲルマニウムの混晶層または
ｐ型にドープされたシリコン層からなる積層構造
を有し、前記積層構造に、垂直方向から電界を印
加するゲート電極と、前記積層構造の面内方向に
正孔を注入、排出するソース電極とドレイン電極
とを形成したことを特徴とするヘテロ構造電界効
果トランジスタである。
ｎ型にドープされたゲルマニウム層、ｐ型にドー
プされたシリコンとゲルマニウムの混晶層または
ｐ型にドープされたシリコン層からなる積層構造
を有し、前記積層構造に、垂直方向から電界を印
加するゲート電極と、前記積層構造の面内方向に
正孔を注入、排出するソース電極とドレイン電極
とを形成したことを特徴とするヘテロ構造電界効
果トランジスタである。
エー・ジー・ミルネル（A.G.Milnes）とデ
ー・エレ・フオイヒト（D.L.Feucht）の著によ
る文献「ヘテロジヤンクシヨンズ・アンド・メタ
ル−セミコンダクタ・ジヤンクシヨンズ」の９頁
に記述されるゲルマニウムとシリコンの混晶、例
えばGe0.9Si0.1は0.77eVとゲルマニウムの0.66eV
に比べ、広いバンド・ギヤツプをもつことが知ら
れている。一方シリコンとゲルマニウムは格子間
隔のずれが４％あり、格子整合系ではないが、文
献「プロスイーデイング・フアースト・インター
ナシヨナル・シンポズイアム・オン・シリコン・
エム・ビー・イー」（proceeding 1st
International Symposium on Si MBE）の337
頁〜348頁によればシリコンとゲルマニウムの混
晶は、シリコンあるいはゲルマニウムの上にある
臨界膜厚まで、格子欠陥が入らず、エピタキシヤ
ル成長することが知られている。また、エル・チ
ヤング（L.Chang）とクラウス・プルーグ
（Klaus ploog）著による文献「モレキユラー・
ビーム・エピタキシー・アンド・ヘテロストラク
チヤーズ（Molecular Beam Epitaxy and
Heterostructures）」の293頁〜331頁に記載され
ている如く、砒化ガリウムとゲルマニウムはほと
んど格子間隔が等しく、砒化ガリウム上にゲルマ
ニウムがエピタキシヤル成長する。エピタキシヤ
ル成長したゲルマニウムは、砒化ガリウム中の砒
素が内部拡散するため、通常ｎ型にドープされ
る。
ー・エレ・フオイヒト（D.L.Feucht）の著によ
る文献「ヘテロジヤンクシヨンズ・アンド・メタ
ル−セミコンダクタ・ジヤンクシヨンズ」の９頁
に記述されるゲルマニウムとシリコンの混晶、例
えばGe0.9Si0.1は0.77eVとゲルマニウムの0.66eV
に比べ、広いバンド・ギヤツプをもつことが知ら
れている。一方シリコンとゲルマニウムは格子間
隔のずれが４％あり、格子整合系ではないが、文
献「プロスイーデイング・フアースト・インター
ナシヨナル・シンポズイアム・オン・シリコン・
エム・ビー・イー」（proceeding 1st
International Symposium on Si MBE）の337
頁〜348頁によればシリコンとゲルマニウムの混
晶は、シリコンあるいはゲルマニウムの上にある
臨界膜厚まで、格子欠陥が入らず、エピタキシヤ
ル成長することが知られている。また、エル・チ
ヤング（L.Chang）とクラウス・プルーグ
（Klaus ploog）著による文献「モレキユラー・
ビーム・エピタキシー・アンド・ヘテロストラク
チヤーズ（Molecular Beam Epitaxy and
Heterostructures）」の293頁〜331頁に記載され
ている如く、砒化ガリウムとゲルマニウムはほと
んど格子間隔が等しく、砒化ガリウム上にゲルマ
ニウムがエピタキシヤル成長する。エピタキシヤ
ル成長したゲルマニウムは、砒化ガリウム中の砒
素が内部拡散するため、通常ｎ型にドープされ
る。
上記ゲルマニウム上に高濃度のｐ型にドープさ
れたシリコンとゲルマニムウの混晶を前記臨界膜
厚以下にエピタキシヤル成長させ、その上にシヨ
ツトキ接合する金属をつけることで、前記ゲルマ
ニウム層中の、前記シリコンとゲルマニウムの
混、晶との界面部分に縮退した正孔ガスが蓄積す
る。したがつて該正孔ガスと電気的にコンタクト
するソース電極とドレイン電極を設ければｐチヤ
ンネル電界効果トランジスタが実現できる。ゲル
マニウムの正孔は移動度が室温で1900cm2／Ｖ・
secと砒化ガリウムの正孔移動の５倍近くあり、
この移動度の差により砒化ガリウムを能動層とす
るｐチヤンネル電界効果トランジスタと比べて約
５倍近くの大きさのgmを有するｐチヤンネル電
界効果トランジスタが得られる。
れたシリコンとゲルマニムウの混晶を前記臨界膜
厚以下にエピタキシヤル成長させ、その上にシヨ
ツトキ接合する金属をつけることで、前記ゲルマ
ニウム層中の、前記シリコンとゲルマニウムの
混、晶との界面部分に縮退した正孔ガスが蓄積す
る。したがつて該正孔ガスと電気的にコンタクト
するソース電極とドレイン電極を設ければｐチヤ
ンネル電界効果トランジスタが実現できる。ゲル
マニウムの正孔は移動度が室温で1900cm2／Ｖ・
secと砒化ガリウムの正孔移動の５倍近くあり、
この移動度の差により砒化ガリウムを能動層とす
るｐチヤンネル電界効果トランジスタと比べて約
５倍近くの大きさのgmを有するｐチヤンネル電
界効果トランジスタが得られる。
以下本発明の実施例を図によつて説明する。
第１図は本発明によるヘテロ構造ｐチヤンネル
電界効果トランジスタの断面模式図である。図に
おいて、砒化ガリウム基板１の上に砒化ガリウム
層２、ゲルマニウム層１０，１１、続いて高濃度
のｐ型にドープされたゲルマニウムとシリコンの
混晶層１２をMBE法により順にエピタキシヤル
成長させ、前記ゲルマニウムとシリコンの混晶層
１２上にはチタンを材料とするゲート電極５を設
ける。該ゲルマニウム層１０は砒化ガリウム１と
の界面付近に砒化ガリウム中の砒素が拡散するこ
とでｎ型にドープされるが、上方のゲルマニウム
層１１は真性半導体となる。前記シリコンとゲル
マニウムの混晶層１２はゲート電極５とシヨツト
キ接合を形成し、またゲルマニウム層１１とは電
子親和力に差のあるヘテロ接合を形成する。この
結果、第２図のエネルギー・ダイアグラムに示さ
れる如く、前記高濃度のｐ型にドープされたシリ
コンとゲルマニウムの混晶層１２はキヤリアが空
乏化し、シリコンとゲルマニウムの混晶層１２に
比べ、電子親和力の大きなゲルマニウム層１１中
のヘテロ接合界面付近に縮退した正孔ガス３が形
成される。前記混晶層１２の混晶比として50％を
選べば混晶層１２とゲルマニウム層１１の充満帯
のオフセツト量として0.15eV程度が期待される。
この正孔ガス３と電気的にコンタクトを取るた
め、前記ゲート電極５の左右にボロンをイオン注
入しアニールすることで形成されるｐ型高濃度領
域１３，１３′，１４，１４′を、さらにそれぞれ
の層１３，１４上にアルミニウムを材料とするソ
ース電極８、ドレイン電極９を設ける。ｐ型高濃
度領域１３，１３′，１４，１４′は正孔ガス３と
電気的接触を図るため、ｐ型高濃度シリコン・ゲ
ルマニウム混晶層１２を越え、ゲルマニウム層１
１にまでボロンが拡がるようにイオン注入され
る。ソース電極８、ドレイン電極９はｐ型濃度領
域１３，１４とオーミツク接触をする。従つて、
シヨツトキ接合を形成するゲート電極５の下のシ
リコン・ゲルマニウム混晶層１２は正孔が空乏化
しているが、ソース電極８、ドレイン電極９の下
のイオン注入されたシリコン・ゲルマニウム層１
２からなるｐ型高濃度領域１３，１４、ゲルマニ
ウム層１１からなるｐ型高濃度領域１３′，１
４′は正孔が空乏化しておらず、ソース電極８、
ドレイン電極９と正孔ガス３はそれぞれｐ型高濃
度領域１３，１３′および１４，１４′を介して正
孔が自由に流れ得る。一方ゲート電極５の電位を
変化させると、ゲート電極下にできる正孔ガスの
面密度が変化し、ソース電極８、ドレイン電極９
間を流れる正孔電流を変化させることが可能とな
り、ゲルマニウムを能動層とする選択ドープ構造
ｐチヤンネル電界効果トランジスタが得られる。
電界効果トランジスタの断面模式図である。図に
おいて、砒化ガリウム基板１の上に砒化ガリウム
層２、ゲルマニウム層１０，１１、続いて高濃度
のｐ型にドープされたゲルマニウムとシリコンの
混晶層１２をMBE法により順にエピタキシヤル
成長させ、前記ゲルマニウムとシリコンの混晶層
１２上にはチタンを材料とするゲート電極５を設
ける。該ゲルマニウム層１０は砒化ガリウム１と
の界面付近に砒化ガリウム中の砒素が拡散するこ
とでｎ型にドープされるが、上方のゲルマニウム
層１１は真性半導体となる。前記シリコンとゲル
マニウムの混晶層１２はゲート電極５とシヨツト
キ接合を形成し、またゲルマニウム層１１とは電
子親和力に差のあるヘテロ接合を形成する。この
結果、第２図のエネルギー・ダイアグラムに示さ
れる如く、前記高濃度のｐ型にドープされたシリ
コンとゲルマニウムの混晶層１２はキヤリアが空
乏化し、シリコンとゲルマニウムの混晶層１２に
比べ、電子親和力の大きなゲルマニウム層１１中
のヘテロ接合界面付近に縮退した正孔ガス３が形
成される。前記混晶層１２の混晶比として50％を
選べば混晶層１２とゲルマニウム層１１の充満帯
のオフセツト量として0.15eV程度が期待される。
この正孔ガス３と電気的にコンタクトを取るた
め、前記ゲート電極５の左右にボロンをイオン注
入しアニールすることで形成されるｐ型高濃度領
域１３，１３′，１４，１４′を、さらにそれぞれ
の層１３，１４上にアルミニウムを材料とするソ
ース電極８、ドレイン電極９を設ける。ｐ型高濃
度領域１３，１３′，１４，１４′は正孔ガス３と
電気的接触を図るため、ｐ型高濃度シリコン・ゲ
ルマニウム混晶層１２を越え、ゲルマニウム層１
１にまでボロンが拡がるようにイオン注入され
る。ソース電極８、ドレイン電極９はｐ型濃度領
域１３，１４とオーミツク接触をする。従つて、
シヨツトキ接合を形成するゲート電極５の下のシ
リコン・ゲルマニウム混晶層１２は正孔が空乏化
しているが、ソース電極８、ドレイン電極９の下
のイオン注入されたシリコン・ゲルマニウム層１
２からなるｐ型高濃度領域１３，１４、ゲルマニ
ウム層１１からなるｐ型高濃度領域１３′，１
４′は正孔が空乏化しておらず、ソース電極８、
ドレイン電極９と正孔ガス３はそれぞれｐ型高濃
度領域１３，１３′および１４，１４′を介して正
孔が自由に流れ得る。一方ゲート電極５の電位を
変化させると、ゲート電極下にできる正孔ガスの
面密度が変化し、ソース電極８、ドレイン電極９
間を流れる正孔電流を変化させることが可能とな
り、ゲルマニウムを能動層とする選択ドープ構造
ｐチヤンネル電界効果トランジスタが得られる。
以上実施例においてはｐ型高濃度層としてゲル
マニウムとシリコンの混晶層１２を用いたが、混
晶比は空間的に一様としても、また積層方向に混
晶比を変化させてもよい。またゲルマニウムとシ
リコンの混晶層１２の変わりにシリコン層でも良
い。
マニウムとシリコンの混晶層１２を用いたが、混
晶比は空間的に一様としても、また積層方向に混
晶比を変化させてもよい。またゲルマニウムとシ
リコンの混晶層１２の変わりにシリコン層でも良
い。
本発明のｐチヤンネル電界効果トランジスタに
よれば、正孔移動度の大きなゲルマニウムを能動
層とするため、砒化ガリウムを能動層とするｐチ
ヤンネル電界効果トランジスタに比べ、gmが約
５倍近く増大する。この結果、砒化ガリウム基板
上に集積化されるｐチヤンネル電界効果トランジ
スタのgmがおよそ140ｍＳ／mm程度に増大するこ
とが予想され、同じく、砒化ガリウム基板上に形
成されるｎチヤンネル電界効果トランジスタの
gm＝218ｍＳ／mmと同程度となり、高速、高集積
化が可能なコンプリメンタリ電界効果トランジス
タ回路を実現できる効果を有するものである。
よれば、正孔移動度の大きなゲルマニウムを能動
層とするため、砒化ガリウムを能動層とするｐチ
ヤンネル電界効果トランジスタに比べ、gmが約
５倍近く増大する。この結果、砒化ガリウム基板
上に集積化されるｐチヤンネル電界効果トランジ
スタのgmがおよそ140ｍＳ／mm程度に増大するこ
とが予想され、同じく、砒化ガリウム基板上に形
成されるｎチヤンネル電界効果トランジスタの
gm＝218ｍＳ／mmと同程度となり、高速、高集積
化が可能なコンプリメンタリ電界効果トランジス
タ回路を実現できる効果を有するものである。
第１図は本発明の実施例である砒化ガリウムを
基板とするヘテロ構造電界効果トランジスタの断
面模式図、第２図は第１図の実施例を説明するた
めのエネルギー・ダイアグラム、第３図は従来例
の砒化ガリウムを基板とするｐチヤンネル電界効
果トランジスタの断面模式図である。 １……砒化ガリウム基板、２……砒化ガリウム
層、３……正孔ガス、４……ｐ型高濃度砒化アル
ミニウム・ガリウム層、５……ゲート電極、６，
６′，７，７′，１３，１３′，１４，１４′……ｐ
型高濃度領域、８……ソース電極、９……ドレイ
ン電極、１０，１１……ゲルマニウム層、１２…
…ｐ型高濃度シリコン・ゲルマニウム混晶層。
基板とするヘテロ構造電界効果トランジスタの断
面模式図、第２図は第１図の実施例を説明するた
めのエネルギー・ダイアグラム、第３図は従来例
の砒化ガリウムを基板とするｐチヤンネル電界効
果トランジスタの断面模式図である。 １……砒化ガリウム基板、２……砒化ガリウム
層、３……正孔ガス、４……ｐ型高濃度砒化アル
ミニウム・ガリウム層、５……ゲート電極、６，
６′，７，７′，１３，１３′，１４，１４′……ｐ
型高濃度領域、８……ソース電極、９……ドレイ
ン電極、１０，１１……ゲルマニウム層、１２…
…ｐ型高濃度シリコン・ゲルマニウム混晶層。
Claims (1)
- １ 砒化ガリウム基板上に、真性あるいはｎ型に
ドープされたゲルマニウム層、ｐ型にドープされ
たシリコンとゲルマニウムの混晶層またはｐ型に
ドープされたシリコン層からなる積層構造を有
し、前記積層構造に、垂直方向から電界を印加す
るゲート電極と、前記積層構造の面内方向に正孔
を注入、排出するソース電極とドレイン電極とを
形成したことを特徴とするヘテロ構造電界効果ト
ランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27132486A JPS63124473A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | ヘテロ構造電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27132486A JPS63124473A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | ヘテロ構造電界効果トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63124473A JPS63124473A (ja) | 1988-05-27 |
| JPH0334212B2 true JPH0334212B2 (ja) | 1991-05-21 |
Family
ID=17498465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27132486A Granted JPS63124473A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | ヘテロ構造電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63124473A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1936697B1 (en) * | 2006-12-22 | 2016-03-09 | Imec | A field effect transistor device, and methods of production thereof |
-
1986
- 1986-11-13 JP JP27132486A patent/JPS63124473A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63124473A (ja) | 1988-05-27 |
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