JPH0331676B2 - - Google Patents
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- JPH0331676B2 JPH0331676B2 JP14136682A JP14136682A JPH0331676B2 JP H0331676 B2 JPH0331676 B2 JP H0331676B2 JP 14136682 A JP14136682 A JP 14136682A JP 14136682 A JP14136682 A JP 14136682A JP H0331676 B2 JPH0331676 B2 JP H0331676B2
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- slit
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/063—Sliding boat system
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
本発明は液相成長装置に関し、更に詳しくは、
スライド方式の液相成長法の為の装置に関する。 一般に、液相エピタキシヤル成長をスライド方
式によつて形成する場合、カーボン製のスライド
ボードに設けられた融液溜内にエピタキシヤル成
長用の融液を入れ、これを基板を保持する固定台
に対してスライドさせて、その基板と表面にエピ
タキシヤル層を成長させる。このとき、融液溜内
に入れられた融液は、成長系に残留した水分や酸
素との反応により表面に酸化膜を形成したり、ま
た成長中の温度降下によつて表面に多結晶の殻皮
を形成する。このような酸化膜や殻皮は、基板表
面での成長に際して不成長領域（ピンホール）の
核となつて鏡面で均質な成長を阻害したり、成長
表面に汚染物として残留し、このような表面状態
の上の引き続いてエピタキシヤル成長を施すと成
長異常部分は増々拡大されて、素子製作工程の歩
留低下の原因となつている。 以上のような不具合を解消する為に、従来次に
示すような種々の対策が講じられてきたが、いず
れも満足し得るものではない。例えば、第１図に
断面図で示す従来例装置では、スライダ１に設け
られた融液溜２内の融液Ｌが固定板３上の基板Ｓ
配設位置にスライドする途中において、固定板３
に設けられたスリツト４によつて融液Ｌ底部を引
つかけ固定台５に設けた排液溜６に落し込むよう
構成したが、この方式では融液Ｌの底部のみ清浄
化されるにとどまり、鏡面成長に対する再現性が
悪く、また同一のスリツト４をスライダ１に設け
られた全融液溜２…２内の各融液が通過する為、
各融液が他と混合する欠点を持つている。第２図
ａに平面図、同ｂに断面図で示す従来例装置は、
いわゆる注入方式と呼ばれ、この方式では融液溜
１１…１１が設けられた上部スライダ１２と、そ
れに同期してスライドし各融液溜１１に対応して
その下方に成長融液溜１３…１３を備えた下部ス
ライダ１４を設け、その上部および下部スライダ
１２および１４の間に、スリツト１５を形成した
固定板１６を配設し、融液溜１１および成長融液
溜１３がスリツト１５の配設位置に停止した時荷
重１７によつて融液Ｌをスリツト１５を介して成
長融液溜１３内に注入し、その成長融液溜１３内
に注入された融液Ｌを固定台１８に保持された基
板Ｓ表面に成長させる。この装置によれば、融液
Ｌが成長融液溜１３内に注入される際に酸化膜や
殻皮が上の融液溜１１に残留して清浄化され、鏡
面で均質な成長層が得られる反面、融液混合の問
題点は上述の第１図に示す装置よりも悪化する傾
向にある。 そこで、本発明者らは上述の第２図の従来装置
を改良して、第３図に平面図を示すような装置を
考案した（未公知）。すなわち、注入の為のスリ
ツト２１を２個設け（２１Ａ，２１Ｂ）、ある融
液溜２２Ａ（２２Ｂ）内の融液は一方のスリツト
２１Ａ（２１Ｂ）を介してのみ対応する成長融液
溜２３Ａ（２３Ｂ）内に注入されるよう構成した。
この装置によれば、例えばｐ型ドーパントとｎ型
ドーパントによつて使用するスリツトを区別する
こと、あるいはGaAsとGaAlAsによつて使用す
るスリツトと区別することができる。しかしこの
方式によれば最大２種類しか区別できず、レーザ
素子のような多層成長の場合には対応できない。
また、この方式によつて多層成長を試みても0.1μ
ｍ以下の薄層の場合にはAl混晶比分布や伝導型
の均一性と再現性に問題があつて、融液混合の影
響を取除くことは難しい。 本発明は上記に鑑みなされたもので、多層成長
の場合における融液混合をなくし、かつ、成長層
全面に鏡面を得ることのできる液相成長装置の提
供を目的とする。 以下、図面に基づいて本発明実施例を説明す
る。第４図ａは本発明実施例の平面図、同ｂはそ
のｂ−ｂ断面図、同ｃ，ｄ，ｅはそれぞれのｃ−
ｃ，ｄ−ｄ，ｅ−ｅ断面図である。 第１、第２、第３…の融液溜３１ａ，３１ｂ，
３１ｃ…を備えた上部スライダ３２と第１、第
２、第３…の成長融液溜３３ａ，３３ｂ，３３ｃ
…を備えた下部スライダ３４は同期してスライド
し、各融液溜３１ａ，３１ｂ，３１ｃ…は各成長
融液溜３３ａ，３３ｂ，３３ｃ…とそれぞれ対応
するようそれぞれの真上に設けられている。各融
液溜３１ａ，３１ｂ，３１ｃ…にはそれぞれ底部
に開口部３１′ａ，３１′ｂ，３１′ｃ…が形成さ
れ、この各開口部３１′ａ，３１′ｂ，３１′ｃ…
はそれぞれ上部および下部スライダ３２および３
４のスライド方向に直交する方向に対して配置位
置をずらせて形成されており、スライド時におい
て互いの軌跡が他の軌跡と接しないよう構成され
ている。また、各成長融液溜３３ａ，３３ｂ，３
３ｃ…の上部にはそれぞれ開口部３３′ａ，３
３′ｂ，３３′ｃ…が形成されており、これらの配
設位置もそれぞれ対応する各融液溜３１ａ，３１
ｂ，３１ｃ…の底部開口部３１′ａ，３１′ｂ，３
１′ｃ…の直下にくるよう同様なる関係を有して
いる。上部スライダ３２と下部スライダ３４との
間には固定板３５が設けられ、この固定板３５の
上部および下部スライダ３２および３４スライド
時における各融液溜３１ａ，３１ｂ，３１ｃ…進
路上には、融液溜３１ａ，３１ｂ，３１ｃ…配設
数と同数の第１、第２、第３…のスリツト３６
ａ，３６ｂ，３６ｃ…が形成されており、この各
スリツト３６ａ，３６ｂ，３６ｃ…の配設位置
は、上述の融液溜底部開口部３１′ａ，３１′ｂ，
３１′ｃ…および成長融液溜上部開口部３３′ａ，
３３′ｂ，３３′ｃ…にそれぞれ対応する関係を有
し、すなわち、例えば第１の融液溜３１ａおよび
第１の成長融液溜３３ａがスリツト上に到来した
とき、第１のスリツト３６ａのみを介して底部開
口部３１′ａと上部開口部３３′ａが連通するよう
構成されている。なお、下部スライド３４の各成
長融液溜３３ａ，３３ｂ，３３ｃ…の底部は全面
にわたつて開口しており、下部スライド３４下方
に設けられた固定台３７の上面に保持された基板
Ｓ上において、融液がその基板Ｓ表面と接するよ
う構成されている。また、各融液溜３１ａ，３１
ｂ，３１ｃ…がスリツト上に停止したときに、各
融液溜３１ａ，３１ｂ，３１ｃ…内の各融液L1，
L2，L3…が対応する各成長融液溜３３ａ，３３
ｂ，３３ｃ…内に注入されるよう、各融液L1，
L2，L3…に対して荷重３８が加わるよう構成さ
れている。 次に作用を述べる。上部および下部スライド３
２および３４がスライドして第１の融液溜および
成長融液溜３１ａおよび３３ａがスリツト上に停
止すると、荷重３８の作用によつて第１の融液
L1が第１のスリツト３６ａを介して第１の成長
融液溜３３ａ内に注入される。このとき第１の融
液L1は、その酸化膜および殻皮が第１の融液溜
３１ａ内に残留する為清浄化される。更にスライ
ドして基板Ｓ上に第１の成長融液溜３３ａが到来
してここで第１層目の成長層が形成さる。次に第
２の融液溜および成長融液溜３１ｂおよび３３ｂ
がスリツト上に停止すると同様に第２の融液L2
が第２のスリツト３６ｂを介して第２の成長融液
溜３３ｂ内に注入され、同様に基板Ｓ上に第２層
目の成長層が形成される。以下同様にして多層の
成長層が基板Ｓ上に形成されていく。各融液溜３
１ａ，３１ｂ，３１ｃ…内の各融液L1，L2，L3
…が各スリツト３６ａ，３６ｂ，３６ｃ…を介し
て各成長融液溜３３ａ，３３ｂ，３３ｃ…内に注
入されるとき、それぞれ対応するスリツト以外の
スリツトは融液溜の底部と成長融液溜の天井部に
より隠されている為、各融液L1，L2，L3…は互
いに接しないので混合することはない。 次に、上述の本発明実施例を用いて、DH構造
のInGaPAs／GaAlAs系可視レーザ素子の成長を
実施した例を記す。なお、この素子の成長はGa
融液とIn融液を含む為、液相法によつては最も因
難とされている。 上部スライド上の各融液溜の寸法を14mm×14mm
とし、スリツト寸法を下記第１表の如く構成し
た。
スライド方式の液相成長法の為の装置に関する。 一般に、液相エピタキシヤル成長をスライド方
式によつて形成する場合、カーボン製のスライド
ボードに設けられた融液溜内にエピタキシヤル成
長用の融液を入れ、これを基板を保持する固定台
に対してスライドさせて、その基板と表面にエピ
タキシヤル層を成長させる。このとき、融液溜内
に入れられた融液は、成長系に残留した水分や酸
素との反応により表面に酸化膜を形成したり、ま
た成長中の温度降下によつて表面に多結晶の殻皮
を形成する。このような酸化膜や殻皮は、基板表
面での成長に際して不成長領域（ピンホール）の
核となつて鏡面で均質な成長を阻害したり、成長
表面に汚染物として残留し、このような表面状態
の上の引き続いてエピタキシヤル成長を施すと成
長異常部分は増々拡大されて、素子製作工程の歩
留低下の原因となつている。 以上のような不具合を解消する為に、従来次に
示すような種々の対策が講じられてきたが、いず
れも満足し得るものではない。例えば、第１図に
断面図で示す従来例装置では、スライダ１に設け
られた融液溜２内の融液Ｌが固定板３上の基板Ｓ
配設位置にスライドする途中において、固定板３
に設けられたスリツト４によつて融液Ｌ底部を引
つかけ固定台５に設けた排液溜６に落し込むよう
構成したが、この方式では融液Ｌの底部のみ清浄
化されるにとどまり、鏡面成長に対する再現性が
悪く、また同一のスリツト４をスライダ１に設け
られた全融液溜２…２内の各融液が通過する為、
各融液が他と混合する欠点を持つている。第２図
ａに平面図、同ｂに断面図で示す従来例装置は、
いわゆる注入方式と呼ばれ、この方式では融液溜
１１…１１が設けられた上部スライダ１２と、そ
れに同期してスライドし各融液溜１１に対応して
その下方に成長融液溜１３…１３を備えた下部ス
ライダ１４を設け、その上部および下部スライダ
１２および１４の間に、スリツト１５を形成した
固定板１６を配設し、融液溜１１および成長融液
溜１３がスリツト１５の配設位置に停止した時荷
重１７によつて融液Ｌをスリツト１５を介して成
長融液溜１３内に注入し、その成長融液溜１３内
に注入された融液Ｌを固定台１８に保持された基
板Ｓ表面に成長させる。この装置によれば、融液
Ｌが成長融液溜１３内に注入される際に酸化膜や
殻皮が上の融液溜１１に残留して清浄化され、鏡
面で均質な成長層が得られる反面、融液混合の問
題点は上述の第１図に示す装置よりも悪化する傾
向にある。 そこで、本発明者らは上述の第２図の従来装置
を改良して、第３図に平面図を示すような装置を
考案した（未公知）。すなわち、注入の為のスリ
ツト２１を２個設け（２１Ａ，２１Ｂ）、ある融
液溜２２Ａ（２２Ｂ）内の融液は一方のスリツト
２１Ａ（２１Ｂ）を介してのみ対応する成長融液
溜２３Ａ（２３Ｂ）内に注入されるよう構成した。
この装置によれば、例えばｐ型ドーパントとｎ型
ドーパントによつて使用するスリツトを区別する
こと、あるいはGaAsとGaAlAsによつて使用す
るスリツトと区別することができる。しかしこの
方式によれば最大２種類しか区別できず、レーザ
素子のような多層成長の場合には対応できない。
また、この方式によつて多層成長を試みても0.1μ
ｍ以下の薄層の場合にはAl混晶比分布や伝導型
の均一性と再現性に問題があつて、融液混合の影
響を取除くことは難しい。 本発明は上記に鑑みなされたもので、多層成長
の場合における融液混合をなくし、かつ、成長層
全面に鏡面を得ることのできる液相成長装置の提
供を目的とする。 以下、図面に基づいて本発明実施例を説明す
る。第４図ａは本発明実施例の平面図、同ｂはそ
のｂ−ｂ断面図、同ｃ，ｄ，ｅはそれぞれのｃ−
ｃ，ｄ−ｄ，ｅ−ｅ断面図である。 第１、第２、第３…の融液溜３１ａ，３１ｂ，
３１ｃ…を備えた上部スライダ３２と第１、第
２、第３…の成長融液溜３３ａ，３３ｂ，３３ｃ
…を備えた下部スライダ３４は同期してスライド
し、各融液溜３１ａ，３１ｂ，３１ｃ…は各成長
融液溜３３ａ，３３ｂ，３３ｃ…とそれぞれ対応
するようそれぞれの真上に設けられている。各融
液溜３１ａ，３１ｂ，３１ｃ…にはそれぞれ底部
に開口部３１′ａ，３１′ｂ，３１′ｃ…が形成さ
れ、この各開口部３１′ａ，３１′ｂ，３１′ｃ…
はそれぞれ上部および下部スライダ３２および３
４のスライド方向に直交する方向に対して配置位
置をずらせて形成されており、スライド時におい
て互いの軌跡が他の軌跡と接しないよう構成され
ている。また、各成長融液溜３３ａ，３３ｂ，３
３ｃ…の上部にはそれぞれ開口部３３′ａ，３
３′ｂ，３３′ｃ…が形成されており、これらの配
設位置もそれぞれ対応する各融液溜３１ａ，３１
ｂ，３１ｃ…の底部開口部３１′ａ，３１′ｂ，３
１′ｃ…の直下にくるよう同様なる関係を有して
いる。上部スライダ３２と下部スライダ３４との
間には固定板３５が設けられ、この固定板３５の
上部および下部スライダ３２および３４スライド
時における各融液溜３１ａ，３１ｂ，３１ｃ…進
路上には、融液溜３１ａ，３１ｂ，３１ｃ…配設
数と同数の第１、第２、第３…のスリツト３６
ａ，３６ｂ，３６ｃ…が形成されており、この各
スリツト３６ａ，３６ｂ，３６ｃ…の配設位置
は、上述の融液溜底部開口部３１′ａ，３１′ｂ，
３１′ｃ…および成長融液溜上部開口部３３′ａ，
３３′ｂ，３３′ｃ…にそれぞれ対応する関係を有
し、すなわち、例えば第１の融液溜３１ａおよび
第１の成長融液溜３３ａがスリツト上に到来した
とき、第１のスリツト３６ａのみを介して底部開
口部３１′ａと上部開口部３３′ａが連通するよう
構成されている。なお、下部スライド３４の各成
長融液溜３３ａ，３３ｂ，３３ｃ…の底部は全面
にわたつて開口しており、下部スライド３４下方
に設けられた固定台３７の上面に保持された基板
Ｓ上において、融液がその基板Ｓ表面と接するよ
う構成されている。また、各融液溜３１ａ，３１
ｂ，３１ｃ…がスリツト上に停止したときに、各
融液溜３１ａ，３１ｂ，３１ｃ…内の各融液L1，
L2，L3…が対応する各成長融液溜３３ａ，３３
ｂ，３３ｃ…内に注入されるよう、各融液L1，
L2，L3…に対して荷重３８が加わるよう構成さ
れている。 次に作用を述べる。上部および下部スライド３
２および３４がスライドして第１の融液溜および
成長融液溜３１ａおよび３３ａがスリツト上に停
止すると、荷重３８の作用によつて第１の融液
L1が第１のスリツト３６ａを介して第１の成長
融液溜３３ａ内に注入される。このとき第１の融
液L1は、その酸化膜および殻皮が第１の融液溜
３１ａ内に残留する為清浄化される。更にスライ
ドして基板Ｓ上に第１の成長融液溜３３ａが到来
してここで第１層目の成長層が形成さる。次に第
２の融液溜および成長融液溜３１ｂおよび３３ｂ
がスリツト上に停止すると同様に第２の融液L2
が第２のスリツト３６ｂを介して第２の成長融液
溜３３ｂ内に注入され、同様に基板Ｓ上に第２層
目の成長層が形成される。以下同様にして多層の
成長層が基板Ｓ上に形成されていく。各融液溜３
１ａ，３１ｂ，３１ｃ…内の各融液L1，L2，L3
…が各スリツト３６ａ，３６ｂ，３６ｃ…を介し
て各成長融液溜３３ａ，３３ｂ，３３ｃ…内に注
入されるとき、それぞれ対応するスリツト以外の
スリツトは融液溜の底部と成長融液溜の天井部に
より隠されている為、各融液L1，L2，L3…は互
いに接しないので混合することはない。 次に、上述の本発明実施例を用いて、DH構造
のInGaPAs／GaAlAs系可視レーザ素子の成長を
実施した例を記す。なお、この素子の成長はGa
融液とIn融液を含む為、液相法によつては最も因
難とされている。 上部スライド上の各融液溜の寸法を14mm×14mm
とし、スリツト寸法を下記第１表の如く構成し
た。
【表】
なお、荷重は5grとし、第３スリツトおよび第
４スリツトはそれぞれ活性層の成長時間が短かい
為およびGaAsのポリの殻皮が硬い為、注入され
にくいので他よりも広くスリツト寸法を取つた。 この結果、ｎ−GaAs基板上へのエピタキシヤ
ル層は700℃において次の第２表に示す如くであ
つた。成長したDHウエハ表面はエツジグロース
部分を除いて完全に鏡面であり、Ga融液とIn融
液の混合は全く見られなかつた。
４スリツトはそれぞれ活性層の成長時間が短かい
為およびGaAsのポリの殻皮が硬い為、注入され
にくいので他よりも広くスリツト寸法を取つた。 この結果、ｎ−GaAs基板上へのエピタキシヤ
ル層は700℃において次の第２表に示す如くであ
つた。成長したDHウエハ表面はエツジグロース
部分を除いて完全に鏡面であり、Ga融液とIn融
液の混合は全く見られなかつた。
【表】
またホトルミネセンスにおける評価結果も
In0.38Ga0.62P0.78As0.22の組成が全面で均一で
あることを示した。 一方、従来法によつて成長したDHウエハ表面
では、各所に成長異常が観察されたり、融液を引
きずつたような連続的な欠陥が観察され、融液の
残留や混合が生じていることを示していた。また
ホトルミネセンスの評価でも非発光領域の存在や
発光波長のバラツキが観察された。 以上説明したように、本発明によれば、融液の
残留や混合がなく。全面が鏡面でかつ均質な成長
層を得ることができる。
In0.38Ga0.62P0.78As0.22の組成が全面で均一で
あることを示した。 一方、従来法によつて成長したDHウエハ表面
では、各所に成長異常が観察されたり、融液を引
きずつたような連続的な欠陥が観察され、融液の
残留や混合が生じていることを示していた。また
ホトルミネセンスの評価でも非発光領域の存在や
発光波長のバラツキが観察された。 以上説明したように、本発明によれば、融液の
残留や混合がなく。全面が鏡面でかつ均質な成長
層を得ることができる。
第１図は従来例装置の断面図、第２図ａ，ｂは
従来の注入方式装置の平面図および断面図、第３
図は同様に他の従来の注入方式装置の平面図、第
４図ａは本発明実施例の平面図、ｂはそのｂ−ｂ
断面図、ｃ，ｄ，ｅはそれぞれのｃ−ｃ，ｄ−
ｄ，ｅ−ｅ断面図である。 ３１ａ，３１ｂ，３１ｃ……第１、第２および
第３の融液溜、３１ａ，３１ｂ，３１ｃ……底部
開口部、３２……上部スライダ、３３ａ，３３
ｂ，３３ｃ……第１、第２および第３の成長融液
溜、３３ａ，３３ｂ，３３ｃ……上部開口部、３
４……下部スライダ、３５……固定板、３６ａ，
３６ｂ，３６ｃ……第１、第２および第３のスリ
ツト、３７……固定台、３８……荷重、L1，L2，
L3……第１、第２および第３の融液、Ｓ……基
板。
従来の注入方式装置の平面図および断面図、第３
図は同様に他の従来の注入方式装置の平面図、第
４図ａは本発明実施例の平面図、ｂはそのｂ−ｂ
断面図、ｃ，ｄ，ｅはそれぞれのｃ−ｃ，ｄ−
ｄ，ｅ−ｅ断面図である。 ３１ａ，３１ｂ，３１ｃ……第１、第２および
第３の融液溜、３１ａ，３１ｂ，３１ｃ……底部
開口部、３２……上部スライダ、３３ａ，３３
ｂ，３３ｃ……第１、第２および第３の成長融液
溜、３３ａ，３３ｂ，３３ｃ……上部開口部、３
４……下部スライダ、３５……固定板、３６ａ，
３６ｂ，３６ｃ……第１、第２および第３のスリ
ツト、３７……固定台、３８……荷重、L1，L2，
L3……第１、第２および第３の融液、Ｓ……基
板。
Claims (1)
- １ エピタキシヤル層を形成すべき基板を上面に
保持する固定台と、その固定台の上方に摺動自在
に設けられエピタキシヤル成長用融液を溜める融
液溜を摺動方向に沿つて複数個有し、かつ、その
各融液溜の底部に開口部が形成された上部スライ
ダと、その上部スライダと上記固定台との間に上
記上部スライダと同期して摺動するよう設けられ
上記各融液溜に対応してそれらの下方に設けられ
た複数個の成長融液溜を有し、かつ、その各成長
融液溜の上部および底部に開口部が形成された下
部スライダと、上記上部および下部スライダの間
に介在し上記融液溜および成長融液溜の進路上に
スリツトを形成してなる固定板と、上記各融液溜
内の融液に圧力を付加する手段を備え、上記上部
および下部スライダの摺動変位により、上記スリ
ツト配設位置において上記圧力付加によつて上記
各融液溜内の融液を上記スリツトを介してそれぞ
れ対応する上記各成長融液溜内に注入し、上記基
板配設位置において上記各成長融液溜内の融液を
上記基板上に順次成長させて多層エピタキシヤル
成長層を形成する装置において、上記固定板の上
記スリツトを上記各融液溜に対応して複数個設
け、上記各融液溜内の融液がそれぞれ対応する上
記各スリツトを介して対応する上記各成長融液溜
内に注入され、それぞれの融液が他と混合しない
ような位置関係で上記各融液溜の底部開口部、上
記各成長融液溜の上部開口部および上記各スリツ
トを配設したことを特徴とする液相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14136682A JPS5930796A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | 液相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14136682A JPS5930796A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | 液相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5930796A JPS5930796A (ja) | 1984-02-18 |
| JPH0331676B2 true JPH0331676B2 (ja) | 1991-05-08 |
Family
ID=15290308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14136682A Granted JPS5930796A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | 液相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5930796A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60246296A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | Sharp Corp | 半導体素子の製造装置 |
| JP4649809B2 (ja) * | 2001-09-25 | 2011-03-16 | パナソニック株式会社 | 液相エピタキシャル成長装置 |
-
1982
- 1982-08-13 JP JP14136682A patent/JPS5930796A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5930796A (ja) | 1984-02-18 |
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