JPH033126A - High frequency superimposing circuit for driving laser diode - Google Patents

High frequency superimposing circuit for driving laser diode

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JPH033126A
JPH033126A JP1138638A JP13863889A JPH033126A JP H033126 A JPH033126 A JP H033126A JP 1138638 A JP1138638 A JP 1138638A JP 13863889 A JP13863889 A JP 13863889A JP H033126 A JPH033126 A JP H033126A
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JP
Japan
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high frequency
voltage
laser diode
transistor
circuit
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Application number
JP1138638A
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Japanese (ja)
Inventor
Hisashi Yamamoto
久 山本
Takeshi Arimizu
毅 有水
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Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPH033126A publication Critical patent/JPH033126A/en
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Abstract

PURPOSE:To stabilize an action at the time of the switching of the driving mode of a laser diode in reading and writing by providing a voltage lowering means to lower a power voltage by the degree of a prescribed voltage in parallel to a switching transistor. CONSTITUTION:The voltage impressed to a high frequency generating circuit 3 is changed according to the turn-on and -off of a switching transistor 4. Name ly, at the time of reading, the transistor 4 is turned on, a voltage V-Vcc to be oscillated at normal level and frequency is given to the high frequency gener ating circuit 3, and a high frequency superimposition is applied to a laser diode driving current I. In the write mode, the transistor 4 is in an off-condition, a power voltage V-2Vd lowered by the voltage lowering means composed of diodes 5 and 6 provided in parallel on the transistor 4 is impressed to the high frequency generating circuit 3, and the high frequency oscillating circuit 3 is made into an oscillating condition at a small level. When the switching from the turn-off to the turn-on, the shift to the oscillating condition at a rated level and with a rated frequency can be executed within several mus.

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、光デイスクドライブのレーザダイオード駆動
に係る高周波重畳オンの改良に関し、詳しくは高周波重
畳オン・オフ時の応答改善に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to an improvement in turning on high frequency superimposition related to the laser diode drive of an optical disk drive, and more particularly to improving the response when turning on and off high frequency superposition.

〈従来の技術〉 光デイスクドライブのレーザダイオード駆動においては
、光ディスクからの戻り光の影響を少なくするため−に
、読み出し時にはレーザダイオード駆動電流I (直流
レベル)に高周波重畳をかけ、書き込み時には定格を越
えないようにするためその高周波重畳を切るようにして
いる。
<Prior art> In the laser diode drive of an optical disk drive, in order to reduce the influence of the return light from the optical disk, high frequency superimposition is applied to the laser diode drive current I (DC level) during reading, and the rated voltage is reduced during writing. In order to prevent this from being exceeded, the high frequency superposition is cut off.

高周波重畳のための回路(高周波重畳回路という)は、
700MHz前後の発振回路を持つものであり、その従
来例を第4図に示す。図において、レーザダイオード1
には読み出し時あるいは書き込み時に所定のレーザダイ
オード駆動信号が与えられるが、コンデンサ2を介して
高周波発振回路3より高周波信号か加えられるようにな
っている。
The circuit for high frequency superposition (referred to as high frequency superposition circuit) is
It has an oscillation circuit of around 700 MHz, and a conventional example thereof is shown in FIG. In the figure, laser diode 1
A predetermined laser diode drive signal is applied to the device during reading or writing, but a high frequency signal is also applied from a high frequency oscillation circuit 3 via a capacitor 2.

この高周波発振回路3にはスイッチ4を介して電源電圧
5が供給される。そして、電源電圧を供給(印加)する
か停止する(印加しない)かで重畳のオン・オフを制御
するようになっている。
A power supply voltage 5 is supplied to this high frequency oscillation circuit 3 via a switch 4 . The superimposition is turned on and off by supplying (applying) or stopping (not applying) the power supply voltage.

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、光ディスクから見てこの高周波重畳オン
・オフは数88以内の切り換えが要求されているが、従
来のように電源電圧印加のオン・オフ方式では電圧印加
後の発振回路の動作が周波数および振幅の面で不安定で
あり、読み出しモードに切り変わった直後の動作にその
影響が出るという問題があった。
<Problems to be Solved by the Invention> However, from the perspective of an optical disc, this high frequency superimposition on/off is required to be switched within the number 88, but in the conventional on/off method of applying power supply voltage, There is a problem in that the operation of the oscillation circuit is unstable in terms of frequency and amplitude, and this affects the operation immediately after switching to the read mode.

本発明は、このような点に鑑みてなされたもので、その
目的は、読み出し時と書き込み時におけるレーザダイオ
ードの駆動モード切り換え(高周波重畳オン・オフ)時
の動作が安定な高周波重畳回路を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above points, and its purpose is to provide a high frequency superimposition circuit whose operation is stable when switching the drive mode of the laser diode (high frequency superposition on/off) during reading and writing. It's about doing.

く課題を解決するための手段〉 このような目的を達成するだめの本発明は、電源電圧が
印加されると所定の振幅および周波数で発振し、前記高
周波信号を出力する高周波発振回路と、 電源電圧を受けリードモードではオン、ライトモードで
はオフになり、前記高周波発振回路に電?+W電圧を供
給するスイッチングトランジスタと、このスイッチング
トランジスタと並列に接続され印加される電源電圧を所
定の電圧だけ降下して前記高周波発振回路に印加する電
圧降下手段とを具備したことを特徴とする。
Means for Solving the Problems> To achieve the above object, the present invention comprises: a high frequency oscillation circuit that oscillates with a predetermined amplitude and frequency when a power supply voltage is applied and outputs the high frequency signal; When it receives voltage, it is turned on in read mode and turned off in write mode. The present invention is characterized in that it includes a switching transistor that supplies a +W voltage, and a voltage drop means connected in parallel with the switching transistor to drop the applied power supply voltage by a predetermined voltage and apply it to the high frequency oscillation circuit.

く作用〉 本発明では、ライトモードにおいてはスイッチングトラ
ンジスタがオフ状態であり、高周波発振回路は、電圧降
下手段により降下された電源電圧の印加により、小振幅
で発振が継続された状態にある。またリードモードにお
いてはオン状態のスイッチングトランジスタを介して印
加される電源電圧により所定の振幅および周波数で高周
波発振を行なう。
Effects> In the present invention, in the write mode, the switching transistor is in an off state, and the high frequency oscillation circuit continues to oscillate with a small amplitude due to the application of the power supply voltage lowered by the voltage lowering means. In the read mode, high-frequency oscillation is performed at a predetermined amplitude and frequency by the power supply voltage applied through the switching transistor in the on state.

更に、高周波発振回路に印加される電源電圧は、ライト
モード・リードモードにそれぞれ切り換わるとき急速に
所定の電圧に変わり、モード切り換え直後の動作に悪影
響がでない。
Furthermore, the power supply voltage applied to the high frequency oscillation circuit rapidly changes to a predetermined voltage when switching to the write mode and read mode, respectively, so that the operation immediately after the mode switching is not adversely affected.

〈実施例ン 以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。<Example> The present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図は本発明に係るレーザダイオード駆動用高周波重
畳回路の一実施例を示す構成図である。図において、第
4図と同等部分には同一符号を付しである。4はスイッ
チングトランジスタで、高周波発振回路3へこのスイッ
チングトランジスタ4を介して電源電圧(+V)が印加
される。5および6は順方向に直列接続されたダイオー
ドで、トランジスタ4と並列に接続されていて、所定の
電圧降下を得る電圧降下手段である。7はコンデンサで
、高周波発振回路3に並列に接続されており、トランジ
スタ4のスイッチング時に発生するノイズを防止するた
めに付加されたバイパスコンデンサである。
FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of a high frequency superimposing circuit for driving a laser diode according to the present invention. In the figure, parts equivalent to those in FIG. 4 are given the same reference numerals. 4 is a switching transistor, and a power supply voltage (+V) is applied to the high frequency oscillation circuit 3 via this switching transistor 4. Diodes 5 and 6 are connected in series in the forward direction, and are connected in parallel with the transistor 4, serving as voltage drop means for obtaining a predetermined voltage drop. A capacitor 7 is connected in parallel to the high frequency oscillation circuit 3, and is a bypass capacitor added to prevent noise generated when the transistor 4 is switched.

上記構成により、スイッチングトランジスタ4のオン・
オフに応じて高周波発振回路3に印加される電圧は変わ
ることになる。すなわち、トランジスタ4がオンの時は
、高周波発振回路3には規定のレベル、周波数で発振す
るような電圧、VVce(sat)が加わり(そういう
レベル、周波数になるようにVCCを調整しておく必要
かある。なお、Vce(sat)はトランジスタがオン
となった時のコレクタ・エミッタ間飽和電圧である)、
トランジスタ4がオフの時は、高周波発振回路3には電
圧時F手段により降下された電源電圧すなわちV2Vd
  (Vdはダイオード5,6の順方向電圧で、はぼ0
,7V)か電源電圧として印加される。このV−2Vd
の電源電圧印加では、高周波発振回路3は発振は継続し
ているがその振幅レベルは小さくなっている状態である
With the above configuration, the switching transistor 4 is turned on and off.
The voltage applied to the high frequency oscillation circuit 3 changes depending on the off state. In other words, when the transistor 4 is on, a voltage VVce (sat) is applied to the high frequency oscillation circuit 3 so that it oscillates at a specified level and frequency (VCC must be adjusted to achieve such a level and frequency). Note that Vce (sat) is the collector-emitter saturation voltage when the transistor is turned on).
When the transistor 4 is off, the high frequency oscillation circuit 3 receives the power supply voltage dropped by the voltage F means, that is, V2Vd.
(Vd is the forward voltage of diodes 5 and 6, approximately 0
, 7V) or is applied as the power supply voltage. This V-2Vd
When the power supply voltage is applied, the high frequency oscillation circuit 3 continues to oscillate, but its amplitude level is reduced.

8はインバータで、人力のリード(RE A D)・ラ
イト(WRITE)信号を反転し、その出力はプルアッ
プ抵抗9により電源電圧にプルアップされると共にスイ
ッチングトランジスタ4のベースに導かれている。そし
てリード時にはインバータ8の出力はLOWレベルとな
り、トランジスタ4のベース電位をLOWレベルに一ド
げトランジスタ4のコレクタ・エミッタ間をオンにする
。逆に、ライト時にはインバータ8の出力はHIGHレ
ベルとなり、トランジスタのベース電位を上げオフ状態
にする。
Reference numeral 8 denotes an inverter which inverts the human-powered read (READ) and write (WRITE) signals, and its output is pulled up to the power supply voltage by a pull-up resistor 9 and guided to the base of the switching transistor 4. At the time of reading, the output of the inverter 8 becomes LOW level, and the base potential of the transistor 4 is set to LOW level, thereby turning on the collector-emitter of the transistor 4. Conversely, during writing, the output of the inverter 8 becomes HIGH level, raising the base potential of the transistor and turning it off.

このような構成における動作を第2図の波形図を参照し
て次に説明する。
The operation in such a configuration will be explained next with reference to the waveform diagram in FIG.

(A)リード時(高周波重畳オン時) スイッチングトランジスタ4がオンとなり、高周波発振
回路3には第2図の(b)に示すように電源電圧V −
V ce(sat)が印加され、同図(c)のA部分の
ように規定のレベル、周波数で発振する。
(A) At the time of reading (when high frequency superposition is on) The switching transistor 4 is turned on, and the high frequency oscillation circuit 3 is supplied with the power supply voltage V − as shown in FIG. 2(b).
V ce (sat) is applied, and the device oscillates at a specified level and frequency as shown in part A in FIG.

(B)ライト時(高周波重畳オフ時) スイッチングトランジスタ4がオフとなり、高周波発振
回路3には第2図の(b)に示すように電源電圧V−2
Vdが印加され、同図(c)のB部分に示すようなレベ
ルの小さい発振となる(発振は継続している)。
(B) At the time of writing (when high-frequency superimposition is off) The switching transistor 4 is turned off, and the high-frequency oscillation circuit 3 is connected to the power supply voltage V-2 as shown in FIG. 2(b).
Vd is applied, resulting in a low-level oscillation as shown in part B of FIG. 2(c) (the oscillation continues).

高周波発振回路として例えば電源電圧の定格が+5vで
あるようなICを例にとると、オフ時の電圧としては定
格から約1,5■低下した電圧を与えればよい。そして
そのような条件下でオフからオンに切り換えた時は、約
数88以内に定格レベル、定格周波数での発振状態に移
行することが確認されている。
For example, if we take an IC whose power supply voltage rating is +5V as a high frequency oscillation circuit, it is sufficient to apply a voltage that is approximately 1.5V lower than the rated voltage as the off-state voltage. It has been confirmed that when switching from OFF to ON under such conditions, the state shifts to oscillation at the rated level and rated frequency within about 88 seconds.

なお、従来のようにオフ時に71rI5[圧を完全にゼ
ロにした場合には、第2図の(d)に示すように、オフ
からオンとした時安定状態への遷移状態があり(C部分
)、この間高周波重畳が正しく行なわれないことになり
、ディスクからの読み出し信号に乱れを生じ、レベルも
安定しないという状態が続くことになる。
In addition, if the 71rI5 [pressure is completely zero when off as in the conventional case, there is a transition state from off to on when it is turned on, as shown in Figure 2 (d) (part C). ), during this time the high frequency superimposition is not performed correctly, causing disturbances in the read signal from the disk, and the level continues to be unstable.

第3図は更に改良された実施例図である。第1図の実施
例では、トランジスタ4がオフからオンに切り換わる時
は高速に高周波発振が安定状態に移行できるが、トラン
ジスタがオンからオフに切り換わったときは、バイパス
コンデンサ7に充電された電圧が高周波発振回路3の自
己消費によってV−2Vdに下がるまでにある程度の時
間かかかる場合がある。しかし、このときモードはすで
にライトモードに移行しており、レーザダイオード1が
大きな電流で駆動されていると、減衰中の高周波信号が
その電流に加わり、レーザダイオードの定格電流を越え
てしまうという危険性がある。
FIG. 3 shows a further improved embodiment. In the embodiment shown in FIG. 1, when the transistor 4 switches from off to on, the high frequency oscillation can quickly shift to a stable state, but when the transistor switches from on to off, the bypass capacitor 7 is charged. It may take some time for the voltage to drop to V-2Vd due to self-consumption of the high-frequency oscillation circuit 3. However, at this time, the mode has already shifted to light mode, and if laser diode 1 is driven with a large current, there is a risk that the attenuating high-frequency signal will be added to that current and the rated current of the laser diode will be exceeded. There is sex.

そのためにも、トランジスタがオンからオフに切り換わ
る時も高周波発振回路jこかかる電圧を高速に切り換え
る必要がある。第3図はそのような場合に好適な回路で
ある。第1図と異なるところは、電圧降下手段として、
第1図ρダイオード5,6とコンデンサ7に代えて、オ
ン・オフ駆動回路30を用いた点である。オン・オフ駆
動回路30は次のような構成となっている。インバータ
31を介して与えられるリード・ライト信号に応じてオ
ン・オフするすなわちリード時はオフでライト時にオン
になるスイッチングトランジスタ33のコレクタに、電
源電圧+Vを導く直列接続の抵抗34.35が接続され
、また前記スイッチングトランジスタ4に並列接続され
る可変抵抗36とそれに直列接続されたコンデンサ35
が前記抵抗34に並列接続されている。
For this reason, it is necessary to quickly switch the voltage applied to the high frequency oscillation circuit even when the transistor is switched from on to off. FIG. 3 shows a circuit suitable for such a case. The difference from Figure 1 is that as a voltage drop means,
The difference is that an on/off drive circuit 30 is used in place of the ρ diodes 5, 6 and capacitor 7 shown in FIG. The on/off drive circuit 30 has the following configuration. A series-connected resistor 34, 35 that conducts the power supply voltage +V is connected to the collector of the switching transistor 33, which turns on and off in response to a read/write signal applied via the inverter 31, that is, turns off when reading and turns on when writing. and a variable resistor 36 connected in parallel to the switching transistor 4 and a capacitor 35 connected in series thereto.
is connected in parallel to the resistor 34.

このような構成によれば、ライトモードからリードモー
ドに切り換わるときはスイッチングトランジスタ33が
オフとなって上記実施例と同様の動作となるか、リード
モードからライトモードに切り換わる場合にはスイッチ
ングトランジスタ4がオフになるもののスイッチングト
ランジスタ33かオンになり、高周波発振回路に印加さ
れる電圧Vccを急速に所定の電圧まで下げることがで
きる。なお、この所定の電圧は、可変抵抗36により予
め調節し設定されるものである。
According to such a configuration, when switching from the write mode to the read mode, the switching transistor 33 is turned off and the operation is similar to that of the above embodiment, or when switching from the read mode to the write mode, the switching transistor 33 is turned off. Although the switching transistor 4 is turned off, the switching transistor 33 is turned on, and the voltage Vcc applied to the high frequency oscillation circuit can be rapidly lowered to a predetermined voltage. Note that this predetermined voltage is adjusted and set in advance by the variable resistor 36.

〈発明の効果〉 以上詳細に説明したように、光デイスクドライブのレー
ザダイオード駆動において高周波重畳をオン・オフする
場合、オフ時には高周波発振回路の電源電圧を低くし、
振幅レベルを低下させて(ライト時におけるレーザダイ
オード駆動電流のピーク値がレーザダイオードの定格電
流を越えないレベルまで低下させて)発振状態を継続さ
せておくことにより、オン時への切り換わりときに安定
状態への移行が高速に行なわれる。このように、本発明
によれば、簡単な回路の追加で、安定な高周波重畳をオ
ン・オフできるという効果がある。
<Effects of the Invention> As explained in detail above, when turning on and off the high frequency superimposition in driving the laser diode of an optical disk drive, the power supply voltage of the high frequency oscillation circuit is lowered when turned off.
By lowering the amplitude level (to a level where the peak value of the laser diode drive current during writing does not exceed the rated current of the laser diode) and continuing the oscillation state, when switching to the on state, Transition to a stable state occurs quickly. As described above, according to the present invention, there is an effect that stable high frequency superimposition can be turned on and off by adding a simple circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に係るレーザダイオード駆動用高周波重
畳回路の一実施例を示す構成図、第2図は波形図、第3
図は本発明の他の実施例図、第4図は従来の高周波重畳
回路の一例を示す図である。 1・・・レーザダイオード  2,7・・・コンデンサ
3・・・高周波発振回路 4・・・スイッチングトランジスタ 56・・・ダイオード   8・・・インバータ9・・
・抵抗 特 許 出 願人     横河電機株式会社・Φ−
Fig. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of a high frequency superimposing circuit for driving a laser diode according to the present invention, Fig. 2 is a waveform diagram, and Fig. 3 is a waveform diagram.
This figure is a diagram showing another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a diagram showing an example of a conventional high frequency superimposing circuit. 1... Laser diode 2, 7... Capacitor 3... High frequency oscillation circuit 4... Switching transistor 56... Diode 8... Inverter 9...
・Resistance patent Applicant: Yokogawa Electric Corporation・Φ−

Claims (1)

【特許請求の範囲】 レーザダイオード駆動信号に高周波信号を付加する高周
波重畳回路であって、 電源電圧が印加されると所定の振幅および周波数で発振
し、前記高周波信号を出力する高周波発振回路と、 電源電圧を受けリードモードではオン、ライトモードで
はオフになり、前記高周波発振回路に電源電圧を供給す
るスイッチングトランジスタと、このスイッチングトラ
ンジスタと並列に接続され印加される電源電圧を所定の
電圧だけ降下して前記高周波発振回路に印加する電圧降
下手段とを具備したことを特徴とするレーザダイオード
駆動用高周波重畳回路。
[Scope of Claims] A high-frequency superimposition circuit that adds a high-frequency signal to a laser diode drive signal, a high-frequency oscillation circuit that oscillates with a predetermined amplitude and frequency when a power supply voltage is applied, and outputs the high-frequency signal; A switching transistor that receives a power supply voltage and is turned on in read mode and off in write mode and supplies power supply voltage to the high frequency oscillation circuit, and a switching transistor that is connected in parallel with this switching transistor and reduces the applied power supply voltage by a predetermined voltage. A high-frequency superimposition circuit for driving a laser diode, characterized in that the high-frequency superimposition circuit for driving a laser diode is provided with voltage dropping means for applying the voltage to the high-frequency oscillation circuit.
JP1138638A 1989-05-31 1989-05-31 High frequency superimposing circuit for driving laser diode Pending JPH033126A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7038989B2 (en) 2001-12-20 2006-05-02 Hitachi, Ltd. High-frequency superimposing method and optical disk apparatus using it
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