JPH0330989Y2 - - Google Patents
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- JPH0330989Y2 JPH0330989Y2 JP2529184U JP2529184U JPH0330989Y2 JP H0330989 Y2 JPH0330989 Y2 JP H0330989Y2 JP 2529184 U JP2529184 U JP 2529184U JP 2529184 U JP2529184 U JP 2529184U JP H0330989 Y2 JPH0330989 Y2 JP H0330989Y2
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- cathode
- end disk
- cathode end
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Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はマグネトロンタイプマイクロ波管の陰
極構造、特にカソードエンドデイスク及びその支
持体の構造に関するものである。
極構造、特にカソードエンドデイスク及びその支
持体の構造に関するものである。
マグネトロンやCFA（クロスドフイールド増幅
管）等のマグネトロンタイプマイクロ波管におい
てカソードエンドデイスクは、カソードと陽極で
区切られた、いわゆる相互作用空間以外の空間に
電子が飛び出すのを制限する働きをし、この種マ
イクロ波管の安定な動作と効率を向上させる役割
を果す。
管）等のマグネトロンタイプマイクロ波管におい
てカソードエンドデイスクは、カソードと陽極で
区切られた、いわゆる相互作用空間以外の空間に
電子が飛び出すのを制限する働きをし、この種マ
イクロ波管の安定な動作と効率を向上させる役割
を果す。
ところがカソードエンドデイスクが管球動作中
に高温になると、カソードから蒸発してこのカソ
ードエンドデイスクに附着した附着物のために二
次電子が出やすくなり、陽極電流一定の条件で管
球を動作させる場合この二次電子電流の分だけ実
際のカソード電流レベルが低い条件で管球を使用
することになるので管球の能率は下る。
に高温になると、カソードから蒸発してこのカソ
ードエンドデイスクに附着した附着物のために二
次電子が出やすくなり、陽極電流一定の条件で管
球を動作させる場合この二次電子電流の分だけ実
際のカソード電流レベルが低い条件で管球を使用
することになるので管球の能率は下る。
又この二次電子の影響で管球の動作が不安定に
なつたり、電気的特性が劣化したりする。これを
改善するため従来カソードエンドデイスクをジル
コンで構成したり、モリブデン材料で作られたカ
ソードデイスク表面に炭化処理又はジルコン吹付
を施したりする例が見られる。
なつたり、電気的特性が劣化したりする。これを
改善するため従来カソードエンドデイスクをジル
コンで構成したり、モリブデン材料で作られたカ
ソードデイスク表面に炭化処理又はジルコン吹付
を施したりする例が見られる。
本考案は前述の不具合に対する他の改善手段を
提供するもので、カソードエンドデイスクの温度
を下げることによりカソードエンドデイスクから
の二次電子放出を防止し、管球の動作の安定と効
率の維持を図ろうとするものである。
提供するもので、カソードエンドデイスクの温度
を下げることによりカソードエンドデイスクから
の二次電子放出を防止し、管球の動作の安定と効
率の維持を図ろうとするものである。
本考案はカソード、カソードを支えるカソード
支持体、カソードを加熱するヒータ、管球軸方向
への電子の漏洩を防止するためにカソード端部に
配置されたカソードエンドデイスク及びこのカソ
ードエンドデイスクを支持するカソードエンドデ
イスク支持体を有するマグネトロンタイプのマイ
クロ波管陰極構造において、カソードエンドデイ
スクおよびカソードエンドデイスク支持体は、外
表面の一部に酸化クロムが形成されていることを
特徴とする。
支持体、カソードを加熱するヒータ、管球軸方向
への電子の漏洩を防止するためにカソード端部に
配置されたカソードエンドデイスク及びこのカソ
ードエンドデイスクを支持するカソードエンドデ
イスク支持体を有するマグネトロンタイプのマイ
クロ波管陰極構造において、カソードエンドデイ
スクおよびカソードエンドデイスク支持体は、外
表面の一部に酸化クロムが形成されていることを
特徴とする。
この考案について図面により説明する。
第１図は従来技術のマグネトロンタイプマイク
ロ波管の陰極構造を示す一例であり、陰極構造２
０はカソード３をカソード支持体２で支え、カソ
ード支持体２の内側にカソード３を加熱するため
のヒータ１が組み込まれておりヒータ１の一端は
８で示すようにカソード支持体２の先端にアーク
溶接されている。カソードから出た電子が相互作
用空間から飛び出すのを制限する働きをするカソ
ードエンドデイスク４は、１０に示すようにカソ
ードエンドデイスク支持体５とアーク溶接で固着
された後９で示すようにカソードエンドデイスク
支持体５がカソード支持体２に溶接固着されてカ
ソード３の上下両側に位置固着される。なおカソ
ードエンドデイスク４とカソードエンドデイスク
支持体５は一体化されてもよい。高温に耐えるた
めに、材質はたとえばカソード支持体２はタング
ステン、カソードエンドデイスク４とカソードエ
ンドデイスク支持体５はモリブデンで形成されて
いる。又カソード３の主材はタングステンであ
る。カソード３の表面、上下のカソードエンドデ
イスク及び陽極ベーン６に囲まれている部分がい
わゆる相互作用空間であり、マイクロ波管を動作
させる場合この空間７に磁極片（図示せず）等を
介して永久磁石等（図示せず）によりカソード３
の軸に平行に磁界が加えられる。
ロ波管の陰極構造を示す一例であり、陰極構造２
０はカソード３をカソード支持体２で支え、カソ
ード支持体２の内側にカソード３を加熱するため
のヒータ１が組み込まれておりヒータ１の一端は
８で示すようにカソード支持体２の先端にアーク
溶接されている。カソードから出た電子が相互作
用空間から飛び出すのを制限する働きをするカソ
ードエンドデイスク４は、１０に示すようにカソ
ードエンドデイスク支持体５とアーク溶接で固着
された後９で示すようにカソードエンドデイスク
支持体５がカソード支持体２に溶接固着されてカ
ソード３の上下両側に位置固着される。なおカソ
ードエンドデイスク４とカソードエンドデイスク
支持体５は一体化されてもよい。高温に耐えるた
めに、材質はたとえばカソード支持体２はタング
ステン、カソードエンドデイスク４とカソードエ
ンドデイスク支持体５はモリブデンで形成されて
いる。又カソード３の主材はタングステンであ
る。カソード３の表面、上下のカソードエンドデ
イスク及び陽極ベーン６に囲まれている部分がい
わゆる相互作用空間であり、マイクロ波管を動作
させる場合この空間７に磁極片（図示せず）等を
介して永久磁石等（図示せず）によりカソード３
の軸に平行に磁界が加えられる。
第２図は本考案の一実施例を示す図で、マイク
ロ波管の動作中にカソードエンドデイスクから二
次電子が放出されるのを防止するためカソードエ
ンドデイスク４及びカソードエンドデイスク支持
体５の一部に酸化クロム１２が形式されている。
酸化クロムの形成は、水に酸化クロムの粉末をま
ぜて懸濁液を作り、これをカソードエンドデイス
クおよびカソードエンドデイスク支持体の外表面
に塗布し、その後水素雰囲気の炉の中で800℃程
度に加熱して焼結することによつてなされる。
ロ波管の動作中にカソードエンドデイスクから二
次電子が放出されるのを防止するためカソードエ
ンドデイスク４及びカソードエンドデイスク支持
体５の一部に酸化クロム１２が形式されている。
酸化クロムの形成は、水に酸化クロムの粉末をま
ぜて懸濁液を作り、これをカソードエンドデイス
クおよびカソードエンドデイスク支持体の外表面
に塗布し、その後水素雰囲気の炉の中で800℃程
度に加熱して焼結することによつてなされる。
カソードエンドデイスクから二次電子が放出さ
れるメカニズムは次のように説明できる。カソー
ドからの蒸発物がカソードエンドデイスクにに附
着し、附着した部分の仕事函数を下げる。仕事函
数が下がるとその部分に漂遊電子等が衝突した場
合に二次電子が放出され易くなる。この二次電子
の放出量は、放出部の温度によつて大幅に影響を
受ける。
れるメカニズムは次のように説明できる。カソー
ドからの蒸発物がカソードエンドデイスクにに附
着し、附着した部分の仕事函数を下げる。仕事函
数が下がるとその部分に漂遊電子等が衝突した場
合に二次電子が放出され易くなる。この二次電子
の放出量は、放出部の温度によつて大幅に影響を
受ける。
従つて二次電子放出を防止する手段としては、
この放出部の温度を下げることも有効である。
この放出部の温度を下げることも有効である。
本考案は今述べた考え方に基づいたものでカソ
ードエンドデイスク４の温度を下げるためカソー
ドエンドデイスク及びカソードエンドデイスク支
持体に暗緑色をした酸化クロムを塗布シンター
し、酸化クロムが形成された部分の熱輻射率を大
きくしてこの部分から熱を逃がすようにしたもの
である。
ードエンドデイスク４の温度を下げるためカソー
ドエンドデイスク及びカソードエンドデイスク支
持体に暗緑色をした酸化クロムを塗布シンター
し、酸化クロムが形成された部分の熱輻射率を大
きくしてこの部分から熱を逃がすようにしたもの
である。
以上述べたように本考案によれば簡単な構造で
カソードエンドデイスクの温度を下げることがで
き、ここからの二次電子放出を防止できる結果、
マイクロ波管の効率低下を防ぎ、管の安定動作を
保つことができる。
カソードエンドデイスクの温度を下げることがで
き、ここからの二次電子放出を防止できる結果、
マイクロ波管の効率低下を防ぎ、管の安定動作を
保つことができる。
第１図は従来のマグネトロンタイプマイクロ波
管の陰極構造を示す断面図、第２図は本考案の一
実施例を示す陰極構造断面図である。 １……ヒータ、２……カソード支持体、３……
カソード、４……カソードエンドデイスク、５…
…カソードエンドデイスク支持体、６……陽極ベ
ーン、７……相互作用空間、１２……カソードエ
ンドデイスク又はカソードエンドデイスク支持体
の酸化クロムが塗布シンターされた部分。
管の陰極構造を示す断面図、第２図は本考案の一
実施例を示す陰極構造断面図である。 １……ヒータ、２……カソード支持体、３……
カソード、４……カソードエンドデイスク、５…
…カソードエンドデイスク支持体、６……陽極ベ
ーン、７……相互作用空間、１２……カソードエ
ンドデイスク又はカソードエンドデイスク支持体
の酸化クロムが塗布シンターされた部分。
Claims (1)
- カソードと、カソードを支えるためのカソード
支持体と、前記カソードを加熱するためのヒータ
と、前記カソードの端部に配置され管球軸方向へ
の電子の漏洩を防止するためのカソードエンドデ
イスクと、カソードエンドデイスク支持体とを少
くとも具備したマグネトロンタイプのマイクロ波
管において、前記カソードエンドデイスクおよび
カソードエンドデイスク支持体は、外表面の一部
に酸化クロムが形成されていることを特徴とする
マイクロ波管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2529184U JPS60138246U (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | マイクロ波管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2529184U JPS60138246U (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | マイクロ波管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60138246U JPS60138246U (ja) | 1985-09-12 |
| JPH0330989Y2 true JPH0330989Y2 (ja) | 1991-07-01 |
Family
ID=30520228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2529184U Granted JPS60138246U (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | マイクロ波管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60138246U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7129311B2 (ja) * | 2018-10-19 | 2022-09-01 | 日清紡マイクロデバイス株式会社 | マグネトロン |
| JP7240247B2 (ja) * | 2019-05-16 | 2023-03-15 | 日清紡マイクロデバイス株式会社 | マグネトロン |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP2529184U patent/JPS60138246U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60138246U (ja) | 1985-09-12 |
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