JPH0330090B2 - - Google Patents
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- JPH0330090B2 JPH0330090B2 JP58113977A JP11397783A JPH0330090B2 JP H0330090 B2 JPH0330090 B2 JP H0330090B2 JP 58113977 A JP58113977 A JP 58113977A JP 11397783 A JP11397783 A JP 11397783A JP H0330090 B2 JPH0330090 B2 JP H0330090B2
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 44
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 20
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 claims description 4
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F5/00—Measuring a proportion of the volume flow
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- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
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- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
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- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/688—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element
- G01F1/69—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element of resistive type
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- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/688—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element
- G01F1/69—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element of resistive type
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- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
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- G01F1/696—Circuits therefor, e.g. constant-current flow meters
- G01F1/698—Feedback or rebalancing circuits, e.g. self heated constant temperature flowmeters
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えばエンジンの吸入空気流量を
測定するものとして有利な熱式流量装置に関す
る。
測定するものとして有利な熱式流量装置に関す
る。
従来、トーマスメータあるいは熱線式流量計の
ように白金抵抗線を用いた流量計が公知である
が、流体にさらされ流量測定体が線（ワイヤー）
であるために振動、衝撃等により断線しやすいと
いう問題がある。
ように白金抵抗線を用いた流量計が公知である
が、流体にさらされ流量測定体が線（ワイヤー）
であるために振動、衝撃等により断線しやすいと
いう問題がある。
また、セラミツク基板のような絶縁体上に抵抗
体膜を蒸着あるいは印刷する構造の流量計も提案
されている。これは流量測定体が膜体であるため
振動等に対しては強いが、通常の方法で固定保持
すれば、保持部より熱が逃げてセンサ部の熱容量
が大きくなり、応答性が低下する。これは、セン
サ部を半導体チツプで構成しても同様である。
体膜を蒸着あるいは印刷する構造の流量計も提案
されている。これは流量測定体が膜体であるため
振動等に対しては強いが、通常の方法で固定保持
すれば、保持部より熱が逃げてセンサ部の熱容量
が大きくなり、応答性が低下する。これは、セン
サ部を半導体チツプで構成しても同様である。
この発明は、上記の欠点を解消するためになさ
れたもので、振動等に対する耐久性が十分でかつ
応答性のすぐれた流量検出装置を提供することを
目的とする。
れたもので、振動等に対する耐久性が十分でかつ
応答性のすぐれた流量検出装置を提供することを
目的とする。
上記目的を達成するために本発明においては、
流路内に設置され、耐熱性かつ電気絶縁性の物質
より成る、板厚の薄い支持部を持つ第１の基板
と、 該基板の前記支持部に接触して設けられ、前記
第１の基板より熱伝導性のよい第２の基板と、 該第２の基板に接して設けられたヒータと、 前記第２の基板に接して設けられた流量測定体
と を備える構成としている。
流路内に設置され、耐熱性かつ電気絶縁性の物質
より成る、板厚の薄い支持部を持つ第１の基板
と、 該基板の前記支持部に接触して設けられ、前記
第１の基板より熱伝導性のよい第２の基板と、 該第２の基板に接して設けられたヒータと、 前記第２の基板に接して設けられた流量測定体
と を備える構成としている。
更には、前記支持部の一部が幅の狭い狭部を含
むようにしてもよい。
むようにしてもよい。
また、前記支持部が補強用リブを備えるように
してもよい。
してもよい。
以下、この発明を図に示す実施例について説明
する。
する。
第１図は、この発明になる熱式流量検出装置を
備えた燃料噴射火花式エンジンの一例を示す。エ
ンジン１は、燃料用空気をエアクリーナ２および
吸入導管３を経て吸気弁の開弁時に燃焼室へ吸入
する。燃料は吸入導管３に設置された電磁式燃料
噴射弁６から噴射供給される。吸入空気流量は吸
入導管３に設けられたスロツトル弁７を開閉操作
することにより制御され、燃料噴射量は電子制御
ユニツト８によつて噴射弁６の開弁時間を変える
ことにより、基本的には吸入空気流量に見合つた
量、必要に応じてこれに補正を加えた量に制御さ
れる。
備えた燃料噴射火花式エンジンの一例を示す。エ
ンジン１は、燃料用空気をエアクリーナ２および
吸入導管３を経て吸気弁の開弁時に燃焼室へ吸入
する。燃料は吸入導管３に設置された電磁式燃料
噴射弁６から噴射供給される。吸入空気流量は吸
入導管３に設けられたスロツトル弁７を開閉操作
することにより制御され、燃料噴射量は電子制御
ユニツト８によつて噴射弁６の開弁時間を変える
ことにより、基本的には吸入空気流量に見合つた
量、必要に応じてこれに補正を加えた量に制御さ
れる。
上記エアクリーナ２の直下流には整流格子９が
設けられる。この格子９は、吸入空気の流れを整
流し、流量検出装置による流量測定の測定精度を
向上させる役目をなす。
設けられる。この格子９は、吸入空気の流れを整
流し、流量検出装置による流量測定の測定精度を
向上させる役目をなす。
このようなエンジン１の吸気系において、熱式
流量検出装置１０はスロツトル弁と整流格子９と
の間で吸入導管３に設置されている。この装置１
０はエンジン１の吸入空気流量を測定し、それに
応じた電気信号を制御ユニツト８に入力するもの
で、センサ部１１と回路部１２よりなり、センサ
部１１は吸入導管３内に配置されている。
流量検出装置１０はスロツトル弁と整流格子９と
の間で吸入導管３に設置されている。この装置１
０はエンジン１の吸入空気流量を測定し、それに
応じた電気信号を制御ユニツト８に入力するもの
で、センサ部１１と回路部１２よりなり、センサ
部１１は吸入導管３内に配置されている。
次に、この検出装置１０を吸入導管２に取り付
けた状態を示す第２図により説明する。センサ部
１１と回路部１２よりなる熱式流量検出装置１０
はネジにより吸入導管３に固定される。
けた状態を示す第２図により説明する。センサ部
１１と回路部１２よりなる熱式流量検出装置１０
はネジにより吸入導管３に固定される。
センサ部１１はセラミツク又は合成樹脂製のケ
ーシング支持板２１及びケーシング２２を有して
いる。ケーシング２２には流路２３が形成されて
おり、ケーシング２２は流路２３が吸気管３内で
流速の最も大きい中央部に平行に位置するよう支
持板２１に支持される。
ーシング支持板２１及びケーシング２２を有して
いる。ケーシング２２には流路２３が形成されて
おり、ケーシング２２は流路２３が吸気管３内で
流速の最も大きい中央部に平行に位置するよう支
持板２１に支持される。
センサ部１１は２列のピン２４を有するデユア
ルインラインパツケージ形式のもので、ICテス
ト等により評価選別された後、基板２１の孔に挿
入され、接着固定される。支持板２１は、絶縁体
の板の上に配線が印刷されていて、センサ部１１
の信号を回路部１２に伝達する。２５は回路部１
２のハウジングの一部をなし、吸入導管３に取り
付けるための板で、支持板２１をしつかりと固定
するために一部分が吸入導管３側へ突出してい
る。
ルインラインパツケージ形式のもので、ICテス
ト等により評価選別された後、基板２１の孔に挿
入され、接着固定される。支持板２１は、絶縁体
の板の上に配線が印刷されていて、センサ部１１
の信号を回路部１２に伝達する。２５は回路部１
２のハウジングの一部をなし、吸入導管３に取り
付けるための板で、支持板２１をしつかりと固定
するために一部分が吸入導管３側へ突出してい
る。
回路部１２は半導体チツプの出力信号を処理し
て、流量を表す信号をコネクタ２６より出力す
る。
て、流量を表す信号をコネクタ２６より出力す
る。
センサ部１１の構造を示す第３図において、３
１はシリコン基板上に温度検出素子が作られてい
る、上流側に設置された第１の半導体チツプ、３
２はシリコン基板上にヒータ素子、温度検出素子
が作られている、下流側に第１のチツプ３１と近
接して設置された第２の半導体チツプである。
１はシリコン基板上に温度検出素子が作られてい
る、上流側に設置された第１の半導体チツプ、３
２はシリコン基板上にヒータ素子、温度検出素子
が作られている、下流側に第１のチツプ３１と近
接して設置された第２の半導体チツプである。
３３は第１の基板としてのセラミツク基板であ
り、リードピン２４とチツプ３１，３２を電気的
に接続するよう導体ペーストが印刷焼成されてい
て、チツプ３１，３２をフリツプチツプハンブ法
により固定した後、ケーシング２２Ｂに固定され
ているピン２４にハンダ付けされている。
り、リードピン２４とチツプ３１，３２を電気的
に接続するよう導体ペーストが印刷焼成されてい
て、チツプ３１，３２をフリツプチツプハンブ法
により固定した後、ケーシング２２Ｂに固定され
ているピン２４にハンダ付けされている。
ケーシング２２は、第１ケーシング２２Ａ、第
２ケーシング２２Ｂ及びステンレス製のカバー２
３Ｃからなり、セラミツク基板３３はケーシング
２２Ａと２２Ｂの間でサンドイツチ状に固定され
ている。
２ケーシング２２Ｂ及びステンレス製のカバー２
３Ｃからなり、セラミツク基板３３はケーシング
２２Ａと２２Ｂの間でサンドイツチ状に固定され
ている。
ケーシング２２Ｂは、例えばPPS等の樹脂でピ
ン２４と一体成形されたもの、又はセラミツクで
成形しピン２４を通し固定したもの、又はハーメ
チツク形式となつているものである。ケーシング
２２Ａはケーシング２２ａと同様な材質のもの
で、接着剤により基板３３に固定される。
ン２４と一体成形されたもの、又はセラミツクで
成形しピン２４を通し固定したもの、又はハーメ
チツク形式となつているものである。ケーシング
２２Ａはケーシング２２ａと同様な材質のもの
で、接着剤により基板３３に固定される。
ケーシング２２の流入口は、流路２３内へ流れ
が乱れることなく流入するようベルマウス形状と
なつている。
が乱れることなく流入するようベルマウス形状と
なつている。
第４図及び第５図は半導体チツプ３１，３２と
セラミツク基板３３のみを示した図で、コ字形状
の基板３３の切欠き部分に４個の枝状に突出した
支持部３４，３５，３６，３７が形成され、その
部分の板厚がコ字形状の外周部３８より薄くなつ
ている。このような構造によりすることにより、
全面同じ薄さにした場合と比べ、強度的に強いた
め取扱いが容易で、かつ熱的には第２の半導体チ
ツプ３２のヒータの熱のセラミツク基板３３に奪
われる量と、セラミツク基板３３から気体へ熱伝
達される量を小さくし、熱容量を小さくしてい
る。
セラミツク基板３３のみを示した図で、コ字形状
の基板３３の切欠き部分に４個の枝状に突出した
支持部３４，３５，３６，３７が形成され、その
部分の板厚がコ字形状の外周部３８より薄くなつ
ている。このような構造によりすることにより、
全面同じ薄さにした場合と比べ、強度的に強いた
め取扱いが容易で、かつ熱的には第２の半導体チ
ツプ３２のヒータの熱のセラミツク基板３３に奪
われる量と、セラミツク基板３３から気体へ熱伝
達される量を小さくし、熱容量を小さくしてい
る。
なお、基板３３において、外周部３８の部分
は、シートの作成が容易で組み付け時に要求され
る強度として十分な0.6〜0.8mm程度の厚さが好ま
しい。また、支持部３４〜３７の厚さは、振動に
よつて折れることなく、フリツプチツプバンプの
部分に、突き出した部分の変位による力のかから
ないような厚さとして0.1〜0.2mmが好ましい。
は、シートの作成が容易で組み付け時に要求され
る強度として十分な0.6〜0.8mm程度の厚さが好ま
しい。また、支持部３４〜３７の厚さは、振動に
よつて折れることなく、フリツプチツプバンプの
部分に、突き出した部分の変位による力のかから
ないような厚さとして0.1〜0.2mmが好ましい。
次に、半導体チツプ３１，３２の構成について
説明する。流量測定体４１，４６としては、ダイ
オードまたはトランジスタを形成し、その順方向
電圧が温度に対し2.0〜2.5ｍＶ／℃のリニアな特
性を持つことを利用して温度検出するものと、拡
散法により形成した拡散抵抗の抵抗値が温度によ
り変化することを利用して温度検出するものと２
通りの方法が考えられるが、この実施例ではダイ
オードにより流量測定をなす温度検出素子を形成
している。
説明する。流量測定体４１，４６としては、ダイ
オードまたはトランジスタを形成し、その順方向
電圧が温度に対し2.0〜2.5ｍＶ／℃のリニアな特
性を持つことを利用して温度検出するものと、拡
散法により形成した拡散抵抗の抵抗値が温度によ
り変化することを利用して温度検出するものと２
通りの方法が考えられるが、この実施例ではダイ
オードにより流量測定をなす温度検出素子を形成
している。
半導体チツプ３１はダイオードのみで良いが、
本実施例では第６図に示すように同一パターンの
半導体チツプを上流側、下流側の両方に使用して
一種類のパターンのみですむようにしている。図
中の斜線部分はアルミ電極の部分で、４１は第１
温度検出素子、４６は第２温度検出素子、４７は
拡散抵抗からなるヒータである。温度検出素子４
１，４６はそれぞれ第１の基板よりも熱伝導性の
よい、第２の基板としてのシリコン基板４０，４
５にＰ型不純物、Ｎ型不純物を拡散した後、アル
ミ電極を蒸着して形成したダイオードを５個直列
に接続したもので、10〜12.5ｍＶ／℃と温度に対
する感度を上げている。
本実施例では第６図に示すように同一パターンの
半導体チツプを上流側、下流側の両方に使用して
一種類のパターンのみですむようにしている。図
中の斜線部分はアルミ電極の部分で、４１は第１
温度検出素子、４６は第２温度検出素子、４７は
拡散抵抗からなるヒータである。温度検出素子４
１，４６はそれぞれ第１の基板よりも熱伝導性の
よい、第２の基板としてのシリコン基板４０，４
５にＰ型不純物、Ｎ型不純物を拡散した後、アル
ミ電極を蒸着して形成したダイオードを５個直列
に接続したもので、10〜12.5ｍＶ／℃と温度に対
する感度を上げている。
４３，４８は、フリツプチツプバンプの部分で
ハンダにより盛り上がつており、セラミツク基板
３３と４点で接触固定するものである。なお、こ
のフリツプチツプ法によるチツプ固定法は４点の
点接触となるため、通常半導体で使用される合金
法に比べ、チツプの熱容量を小さくすることがで
きる。
ハンダにより盛り上がつており、セラミツク基板
３３と４点で接触固定するものである。なお、こ
のフリツプチツプ法によるチツプ固定法は４点の
点接触となるため、通常半導体で使用される合金
法に比べ、チツプの熱容量を小さくすることがで
きる。
次に、第７図により回路部１２の詳細回路につ
いて説明する。回路部１２はセンサ部１１の検出
信号を処理し、流量を表す出力信号を出力するも
ので、バツフア回路１２Ａ、電源回路１２Ｂ、差
動増幅回路１２Ｃ、出力回路１２Ｄ、及びオフセ
ツト回路１２Ｅからなる。
いて説明する。回路部１２はセンサ部１１の検出
信号を処理し、流量を表す出力信号を出力するも
ので、バツフア回路１２Ａ、電源回路１２Ｂ、差
動増幅回路１２Ｃ、出力回路１２Ｄ、及びオフセ
ツト回路１２Ｅからなる。
バツフア回路１２Ａ、温度検出素子４１，４６
の温度計数のバラツキを調整するための可変抵抗
器５１，５２及び素子４１，４６の電位を検出す
るためのボルテージフオロワの演算増幅器（以下
OPアンプという）５３，５４からなる。
の温度計数のバラツキを調整するための可変抵抗
器５１，５２及び素子４１，４６の電位を検出す
るためのボルテージフオロワの演算増幅器（以下
OPアンプという）５３，５４からなる。
電源折回路１２Ｂは、バツテリ電圧VBから安
定化電圧を発生するもので、レギユレータ５６、
及びコンデンサ５７，５８からなる。
定化電圧を発生するもので、レギユレータ５６、
及びコンデンサ５７，５８からなる。
差動増幅回路１２Ｃは、抵抗６１〜６４、コン
デンサ６５，６６、OPアンプ６７及びパワート
ランジスタ６８，６９からなり、空気の温度に依
存するダイオード４１，４６の電位を差動増幅
し、それに応じてトランジスタ６８，６９を駆動
してヒータ４７へ印加する電圧（電流）を制御す
る。なお、コンデンサ６５はフイードバツク系に
所定の時定数を持たせるために設けてある。
デンサ６５，６６、OPアンプ６７及びパワート
ランジスタ６８，６９からなり、空気の温度に依
存するダイオード４１，４６の電位を差動増幅
し、それに応じてトランジスタ６８，６９を駆動
してヒータ４７へ印加する電圧（電流）を制御す
る。なお、コンデンサ６５はフイードバツク系に
所定の時定数を持たせるために設けてある。
出力回路１２Ｄは、電流検出抵抗７０、抵抗７
１、出力レベル調節用可変抵抗７２、ボルテージ
フオロワのOPアンプ７３からなり、ヒータ４２
を流れる電流に応じた電圧をOUT端子から出力
する。
１、出力レベル調節用可変抵抗７２、ボルテージ
フオロワのOPアンプ７３からなり、ヒータ４２
を流れる電流に応じた電圧をOUT端子から出力
する。
オフセツト回路１２Ｅは抵抗７５，７６、可変
抵抗器７７、OPアンプ７８、及びトランジスタ
７９からなり、抵抗７５，７７により設定される
オフセツト電圧を抵抗６１と抵抗６２の接続点に
与える。即ち、オフセツト電圧分だけOPアンプ
６７の反転入力端子に入力される電圧を低下させ
る。
抵抗器７７、OPアンプ７８、及びトランジスタ
７９からなり、抵抗７５，７７により設定される
オフセツト電圧を抵抗６１と抵抗６２の接続点に
与える。即ち、オフセツト電圧分だけOPアンプ
６７の反転入力端子に入力される電圧を低下させ
る。
上記構成において、下流側の第２半導体チツプ
３２のヒータ４７で電力を消費させると、その熱
はケーシング２２の流路２３内を流れる気体へ伝
達され、同時に第２半導体チツプ３２のシリコン
器板４０，４５、セラミツク基板３３へ伝達され
る。
３２のヒータ４７で電力を消費させると、その熱
はケーシング２２の流路２３内を流れる気体へ伝
達され、同時に第２半導体チツプ３２のシリコン
器板４０，４５、セラミツク基板３３へ伝達され
る。
ここで、熱伝導の良いシリコン基板４０，４５
は短時間で安定するが、熱伝導の悪いセラミツク
基板３３へ熱伝達された熱は、定常状態になるの
に時間がかかり、応答性を悪化させるが、本実施
例ではチツプを固定するために枝状にのびた部分
の板厚を薄くしてあるため、応答性に影響を与え
る部分の体積が小さく、短時間で定常状態にな
る。
は短時間で安定するが、熱伝導の悪いセラミツク
基板３３へ熱伝達された熱は、定常状態になるの
に時間がかかり、応答性を悪化させるが、本実施
例ではチツプを固定するために枝状にのびた部分
の板厚を薄くしてあるため、応答性に影響を与え
る部分の体積が小さく、短時間で定常状態にな
る。
しかして、ダオード４１，４６のＡ点とＢ点の
電位差がオフセツト電圧に等しくなるように回路
部１２によりヒータ４２の発熱量が制御され、ダ
イオード４１と４６の温度差が所定値に制御され
る。このように制御されると、ヒータ４７で消費
される電力は、流量と所定の関数関係になり、流
量に対してある曲線に従つて増加する。一方、ヒ
ータ４７の消費電力はＣ点の電圧として出力され
るので、OUT端子からは流量に応じた信号が出
力される。
電位差がオフセツト電圧に等しくなるように回路
部１２によりヒータ４２の発熱量が制御され、ダ
イオード４１と４６の温度差が所定値に制御され
る。このように制御されると、ヒータ４７で消費
される電力は、流量と所定の関数関係になり、流
量に対してある曲線に従つて増加する。一方、ヒ
ータ４７の消費電力はＣ点の電圧として出力され
るので、OUT端子からは流量に応じた信号が出
力される。
次に、本発明の第２実施例を第８図により説明
する。第２実施例では枝状に突き出ている板厚が
薄い部分の３４〜３７の中間部分に狭部３４ａ〜
３７ａがあり、さらに効率良く断熱されていて、
応答性が向上する。
する。第２実施例では枝状に突き出ている板厚が
薄い部分の３４〜３７の中間部分に狭部３４ａ〜
３７ａがあり、さらに効率良く断熱されていて、
応答性が向上する。
第９図は、第３実施例を説明する図で、セラミ
ツク基板２３の突出している部分３４〜３７の部
分にリブ３４ｂ〜３７ｂが設けてある。このよう
な構造にすることにより、さらに板厚が薄くする
ことが可能で、かつ振動に強いものになり、セラ
ミツク基板へ逃げる熱量を減らすことができる。
ツク基板２３の突出している部分３４〜３７の部
分にリブ３４ｂ〜３７ｂが設けてある。このよう
な構造にすることにより、さらに板厚が薄くする
ことが可能で、かつ振動に強いものになり、セラ
ミツク基板へ逃げる熱量を減らすことができる。
以上説明したように、本発明によれば、ヒータ
の熱は耐熱性かつ電気絶縁性の物質より成る第１
の基板へ伝達される前に、第一の基板より熱伝導
性のよい第２の基板に伝達されるため、第１の基
板へ伝達される熱量は減少し、流路内を流れる気
体へ伝達される熱量は増加して応答性が向上する
という優れた効果を奏する。
の熱は耐熱性かつ電気絶縁性の物質より成る第１
の基板へ伝達される前に、第一の基板より熱伝導
性のよい第２の基板に伝達されるため、第１の基
板へ伝達される熱量は減少し、流路内を流れる気
体へ伝達される熱量は増加して応答性が向上する
という優れた効果を奏する。
また、耐熱性かつ電気絶縁性の物質より成る第
１の基板は、板厚の薄い支持部を持つため、第２
の基板から伝達される熱が定常状態になる時間が
短くなり、応答性が向上するとともに、振動等に
対する耐久性が十分であるという効果をも奏す
る。
１の基板は、板厚の薄い支持部を持つため、第２
の基板から伝達される熱が定常状態になる時間が
短くなり、応答性が向上するとともに、振動等に
対する耐久性が十分であるという効果をも奏す
る。
第１図はこの発明になる装置を備えたエンジン
の構成図、第２図は第１図に図示した装置の要部
の断面斜視図、第３図は第２図に図示したセンサ
部の部分断面斜視図、第４図及び第５図はそれぞ
れセラミツク基板を示す平面図及び断面図、第６
図は半導体チツプを示す平面図、第７図はこの発
明で用いられる回路部を示す電気回路図、第８図
はこの発明の第２実施例を示す斜視図、第９図は
この発明の第３実施例を示す正面図である。 ２３……流路、３３……第１の基板、３４，３
５，３６，３７……支持部、４０，４５……第２
の基板、４１，４６……流量測定体、４７……ヒ
ータ。
の構成図、第２図は第１図に図示した装置の要部
の断面斜視図、第３図は第２図に図示したセンサ
部の部分断面斜視図、第４図及び第５図はそれぞ
れセラミツク基板を示す平面図及び断面図、第６
図は半導体チツプを示す平面図、第７図はこの発
明で用いられる回路部を示す電気回路図、第８図
はこの発明の第２実施例を示す斜視図、第９図は
この発明の第３実施例を示す正面図である。 ２３……流路、３３……第１の基板、３４，３
５，３６，３７……支持部、４０，４５……第２
の基板、４１，４６……流量測定体、４７……ヒ
ータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 流路内に配置され、耐熱性かつ電気絶縁性の
物質より成る、板厚の薄い支持部を持つ第１の基
板と、 該基板の前記支持部に接触して設けられ、前記
第１の基板より熱伝導性のよい第２の基板と、 該第２の基板に接して設けられたヒータと、 前記第２の基板に接して設けられた流量測定体
と を備えることを特徴とする熱式流量検出装置。 ２ 前記支持部の一部が幅の狭い狭部を含む特許
請求の範囲第１項記載の熱式流量検出装置。 ３ 前記支持部が補強用リブを備える特許請求の
範囲第１項に記載の熱式流量検出装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113977A JPS604814A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 熱式流量検出装置 |
| US06/843,922 US4677850A (en) | 1983-02-11 | 1986-03-21 | Semiconductor-type flow rate detecting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113977A JPS604814A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 熱式流量検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604814A JPS604814A (ja) | 1985-01-11 |
| JPH0330090B2 true JPH0330090B2 (ja) | 1991-04-26 |
Family
ID=14625952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58113977A Granted JPS604814A (ja) | 1983-02-11 | 1983-06-23 | 熱式流量検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604814A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61189416A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-23 | Nippon Soken Inc | 直熱式流量センサ |
| JPH1068645A (ja) * | 1996-08-27 | 1998-03-10 | Yazaki Corp | センサ取付板、センサユニット及び流速センサモジュール |
| JP2021139861A (ja) * | 2020-03-10 | 2021-09-16 | オムロン株式会社 | パッケージ型フローセンサ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5618381A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-21 | Ricoh Kk | Electric heater |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP58113977A patent/JPS604814A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5618381A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-21 | Ricoh Kk | Electric heater |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS604814A (ja) | 1985-01-11 |
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