JPH03294484A - 無電解金めっき液 - Google Patents
無電解金めっき液Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ等の不純物金属イオン特に
Ｃｕイオンの混入に対しても安定な無電解金めっき液に
関する。
Ｃｕイオンの混入に対しても安定な無電解金めっき液に
関する。
従来の無電解金めっき液としては、例えば特公昭５６−
２０３５３号に記載されている次のような組成の液が知
られている。
２０３５３号に記載されている次のような組成の液が知
られている。
ＫＡ ｕ ＣＱ４＝−３，０ｇ／４２
ＣＨ３０ＣＨ２ＣＨ，Ｎ （ＣＨ，） ２ＢＨ３・・
・２．０ｇ／ ＱＮａＯＨ・・・金めつき液のＰＨを１
２．５にするのに必要な量。
・２．０ｇ／ ＱＮａＯＨ・・・金めつき液のＰＨを１
２．５にするのに必要な量。
上記従来技術による無電解金めっき液は、Ｃｕ。
Ｎｉ、Ｆｅ等の不純物金属イオンに対する配慮がなされ
ていない。このためこれらの不純物イオンがめつき液に
混入すると還元剤Ｒと１例えばＣｕ”＋Ｒ−＋Ｃｕ＋Ｒ
’ なる反応により還元される。ここで生成したＣｕ、
Ｎｉ、Ｆｅ等の金属微粒子とＡｕイオンは、例えばＣｕ
＋ ２ Ａ ｕ＋→Ｃｕ”＋２Ａｕなる反応により、
より酸化還元電位の高いＡｕが固体として析出し、電位
の低いＣＵ等の金員微粒子がイオンとして溶出する。こ
のようにしてめっき液中に固体のＡｕが析出すると、そ
れを核としたＡｕの析出が液中で開始され、めっき液が
短時間で分解するという問題点を有していた。
ていない。このためこれらの不純物イオンがめつき液に
混入すると還元剤Ｒと１例えばＣｕ”＋Ｒ−＋Ｃｕ＋Ｒ
’ なる反応により還元される。ここで生成したＣｕ、
Ｎｉ、Ｆｅ等の金属微粒子とＡｕイオンは、例えばＣｕ
＋ ２ Ａ ｕ＋→Ｃｕ”＋２Ａｕなる反応により、
より酸化還元電位の高いＡｕが固体として析出し、電位
の低いＣＵ等の金員微粒子がイオンとして溶出する。こ
のようにしてめっき液中に固体のＡｕが析出すると、そ
れを核としたＡｕの析出が液中で開始され、めっき液が
短時間で分解するという問題点を有していた。
さらに被めっき物が、例えば第４図に示すようにセラミ
ック基板１の上にＣｕから成る配線２を形成した配線基
板である場合において、Ｃｕ配線２の上にＮｉめっき膜
３および触媒となるＡｕめっき膜４をＮｉとの置換反応
で形成した後、無電解金めっき液中に浸漬して、Ａｕめ
つき膜５をさらに形成するとき、Ｎｉめっき膜３および
Ａｕめっき膜４にピンホール６が存在すると、このピン
ホール６を介してＣｕとめっき液中のＡｕイオンとがＣ
ｕ ＋ ２ Ａ ｕ”−＋Ｃｕ”＋ ２ Ａｕのとラリ
反応し、Ｃｕ２＋イオンを溶出し、Ａｕが析出する。こ
のＣｕ”＋イオンはピンホール６付近に高濃度に存在す
ることになり、前記の不純物イオンの混入の場合と同様
の反応により、ピンホール６付近の無電解金めっき液を
局部的に分解させ、それにより生じたＡｕ微粒子がピン
ホール付近のセラミック基板上に付着し、それを核とし
てＡｕめっき膜７が成長して、隣接する配線間を短絡す
るという問題点を有していた。
ック基板１の上にＣｕから成る配線２を形成した配線基
板である場合において、Ｃｕ配線２の上にＮｉめっき膜
３および触媒となるＡｕめっき膜４をＮｉとの置換反応
で形成した後、無電解金めっき液中に浸漬して、Ａｕめ
つき膜５をさらに形成するとき、Ｎｉめっき膜３および
Ａｕめっき膜４にピンホール６が存在すると、このピン
ホール６を介してＣｕとめっき液中のＡｕイオンとがＣ
ｕ ＋ ２ Ａ ｕ”−＋Ｃｕ”＋ ２ Ａｕのとラリ
反応し、Ｃｕ２＋イオンを溶出し、Ａｕが析出する。こ
のＣｕ”＋イオンはピンホール６付近に高濃度に存在す
ることになり、前記の不純物イオンの混入の場合と同様
の反応により、ピンホール６付近の無電解金めっき液を
局部的に分解させ、それにより生じたＡｕ微粒子がピン
ホール付近のセラミック基板上に付着し、それを核とし
てＡｕめっき膜７が成長して、隣接する配線間を短絡す
るという問題点を有していた。
本発明の目的はＣｕ、Ｎｉ、Ｆｅ等の不純物金属イオン
等にＣｕイオンの混入によっても長時間にわたりめっき
液の分解が生ぜず、またＣｕ等の配線材料との反応に起
因するめっき液の局部的分解による基板上へのＡｕの析
出を生じない安定性に優れた無電解金めっき液を提供す
ることにある。
等にＣｕイオンの混入によっても長時間にわたりめっき
液の分解が生ぜず、またＣｕ等の配線材料との反応に起
因するめっき液の局部的分解による基板上へのＡｕの析
出を生じない安定性に優れた無電解金めっき液を提供す
ることにある。
本発明は、Ａｕイオン、Ａｕイオンの錯化剤および還元
剤を含む無電解金めっき液に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ等の不
純物金属イオン特にＣｕイオンと強い錯体を形成する錯
化剤を添加することにより、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ等の不純
物金属イオンの錯体を形成せしめ、前述のようにめっき
液中の還元剤によりこれら不純物イオンが還元され、め
っき液分解の核となることを防止しようとするものであ
る。
剤を含む無電解金めっき液に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ等の不
純物金属イオン特にＣｕイオンと強い錯体を形成する錯
化剤を添加することにより、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ等の不純
物金属イオンの錯体を形成せしめ、前述のようにめっき
液中の還元剤によりこれら不純物イオンが還元され、め
っき液分解の核となることを防止しようとするものであ
る。
上記不純物イオンの錯化剤としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ
等のイオンに対する安定度指数（ｐ Ｋ）８以上のアミ
ノホスホン酸類、イミノホスホン酸類またはそれらのナ
トリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩が使用される
。このうち、アミノホスホン酸類としては、アミノメチ
ルホスホン酸。
等のイオンに対する安定度指数（ｐ Ｋ）８以上のアミ
ノホスホン酸類、イミノホスホン酸類またはそれらのナ
トリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩が使用される
。このうち、アミノホスホン酸類としては、アミノメチ
ルホスホン酸。
アミノジメチレンホスホン酸、アミノトリメチレンホス
ホン酸、アミノエチルホスホン酸、アミノペンチルホス
ホン酸、アミノフェニルメチレンホスホン酸、アミノメ
チルプロピルホスホン酸、アミノプロパンホスホン酸、
エチレンジアミン−Ｎメチレンホスホン酸、エチレンジ
アミンビスメチレンホスホン酸、エチレンジアミントリ
メチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラメチレン
ホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホス
ホン酸が適している。またイミノホスホン酸類としては
、エチレンジイミノビスイソプロピルホスホン酸、エチ
レンビスイミノヒドロキシフェニルメチレンホスホン酸
、エチレンビスイミノヒドロキシフェニルメチレンメチ
ルホスホン酸。
ホン酸、アミノエチルホスホン酸、アミノペンチルホス
ホン酸、アミノフェニルメチレンホスホン酸、アミノメ
チルプロピルホスホン酸、アミノプロパンホスホン酸、
エチレンジアミン−Ｎメチレンホスホン酸、エチレンジ
アミンビスメチレンホスホン酸、エチレンジアミントリ
メチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラメチレン
ホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホス
ホン酸が適している。またイミノホスホン酸類としては
、エチレンジイミノビスイソプロピルホスホン酸、エチ
レンビスイミノヒドロキシフェニルメチレンホスホン酸
、エチレンビスイミノヒドロキシフェニルメチレンメチ
ルホスホン酸。
エチレンビスイミノフェニルメチレンホスホン酸。
エチレンビスイミノメチレンホスホン酸が適している。
なお、上記の錯化剤は単独で用いてもよいし、２種類以
上混合して用いてもよい。これらの錯化剤の濃度は、第
１図に示すように、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ等の不純物金属イ
オンに対してモル比で１倍から２０倍の範囲が適してい
る。１倍未満では、錯体形成が十分行なわれず、不純物
イオンの隠蔽効果が小さい。また、２０倍より大きくし
ても錯体形成の効果が向上しないばかりでなく、第２図
に示すように、めっき反応速度（析出速度）を低下させ
る原因にもなる。
上混合して用いてもよい。これらの錯化剤の濃度は、第
１図に示すように、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ等の不純物金属イ
オンに対してモル比で１倍から２０倍の範囲が適してい
る。１倍未満では、錯体形成が十分行なわれず、不純物
イオンの隠蔽効果が小さい。また、２０倍より大きくし
ても錯体形成の効果が向上しないばかりでなく、第２図
に示すように、めっき反応速度（析出速度）を低下させ
る原因にもなる。
無電解金めっき液中のＡｕイオンは、塩化金酸、亜硫酸
金またはそれらのナトリウム塩、カリウム塩、アンモニ
ウム塩より供給される。Ａｕイオンの錯化剤は、チオ硫
酸、亜硫酸またはそれらのナトリウム塩、カリウム塩、
アンモニウム塩より供給される。還元剤としては、次亜
リン酸ナトリウム、次亜リン酸カリウム、水素化ホウ素
カリウム、水素化ホウ素カリウム、チオ尿素、ジメチル
アミンボラン、ホルムアルデヒド等が適している。また
、めっき液のｐＨ緩衝剤として、四ホウ酸、ホウ酸、リ
ン酸のナトリウム塩、カリウム塩を添加することは、め
っき液ｐＨの安定性向上に効果が大きい。
金またはそれらのナトリウム塩、カリウム塩、アンモニ
ウム塩より供給される。Ａｕイオンの錯化剤は、チオ硫
酸、亜硫酸またはそれらのナトリウム塩、カリウム塩、
アンモニウム塩より供給される。還元剤としては、次亜
リン酸ナトリウム、次亜リン酸カリウム、水素化ホウ素
カリウム、水素化ホウ素カリウム、チオ尿素、ジメチル
アミンボラン、ホルムアルデヒド等が適している。また
、めっき液のｐＨ緩衝剤として、四ホウ酸、ホウ酸、リ
ン酸のナトリウム塩、カリウム塩を添加することは、め
っき液ｐＨの安定性向上に効果が大きい。
前述のアミノホスホン酸類、イミノホスホン酸類等の錯
化剤Ｈ２Ｌ”−はめつき液に混入したＣｕ。
化剤Ｈ２Ｌ”−はめつき液に混入したＣｕ。
Ｎｉ、Ｆｅ等の不純物金属イオン、特にＣｕイオンと強
力な錯体ＣｕＬ”−をＣｕ”＋Ｈ，Ｌ”−→ＣｕＬ”＋
２Ｈ＋なる反応により形成し、これらの不純物イオンを
隠蔽する。これにより、不純物イオンが例えばＣｕ ”
＋ Ｒ−＋ Ｃｕ ＋ Ｒ’なる反応で還元剤によっ
て還元され、Ｃｕ等の金属微粒子となることが防止され
る。従って、前記のＣｕ等の金属微粒子とＡｕイオンと
の反応Ｃｕ ＋ ２ Ａ ｕ＋→Ｃｕ ” ＋ ２ Ａ
ｕも防止され、めっき液中でのＡｕの析出反応、すな
わちめっき液の分解が生じなくなる。
力な錯体ＣｕＬ”−をＣｕ”＋Ｈ，Ｌ”−→ＣｕＬ”＋
２Ｈ＋なる反応により形成し、これらの不純物イオンを
隠蔽する。これにより、不純物イオンが例えばＣｕ ”
＋ Ｒ−＋ Ｃｕ ＋ Ｒ’なる反応で還元剤によっ
て還元され、Ｃｕ等の金属微粒子となることが防止され
る。従って、前記のＣｕ等の金属微粒子とＡｕイオンと
の反応Ｃｕ ＋ ２ Ａ ｕ＋→Ｃｕ ” ＋ ２ Ａ
ｕも防止され、めっき液中でのＡｕの析出反応、すな
わちめっき液の分解が生じなくなる。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例１〜３
本発明による第１表に示す組成の無電解金めつき液を用
いて、セラミック配線板に金めつきを行なった。第３図
に示すようにＣｕ配線２をセラミック基板１の上に形成
した配線板に活性化処理を行なった後、Ｎ１−Ｂめっき
膜３を無電解めっき法により約３μｍの厚さに形成した
第３図（ａ）。
いて、セラミック配線板に金めつきを行なった。第３図
に示すようにＣｕ配線２をセラミック基板１の上に形成
した配線板に活性化処理を行なった後、Ｎ１−Ｂめっき
膜３を無電解めっき法により約３μｍの厚さに形成した
第３図（ａ）。
めっき液温は６０℃、めっき時間は約３０分である。
次に置換金めっき液に浸漬しＮ１−Ｂめっき膜上に触媒
となるＡｕめっき膜４を約０．１μｍの厚さに形成する
第３図（ｂ）。液温９０℃９時間１０分である。次に本
発明の無電解金めっき液に浸漬しＡｕめっき膜５を２．
５μｍの厚さに形成した第３図（ｃ）。
となるＡｕめっき膜４を約０．１μｍの厚さに形成する
第３図（ｂ）。液温９０℃９時間１０分である。次に本
発明の無電解金めっき液に浸漬しＡｕめっき膜５を２．
５μｍの厚さに形成した第３図（ｃ）。
Ｃｕイオンの錯化剤としてはアミノトリメチレンホスホ
ン酸を用い、Ｃｕイオン濃度を１０ｐｐｍとした。
ン酸を用い、Ｃｕイオン濃度を１０ｐｐｍとした。
めっき液温は８０℃９時間／６０分、ｐＨ９，０である
。
。
以下余白
第 １ 表
第１表に示すように、アミノトリメチレンホスホン酸を
Ｃｕイオンに対し、モル比で１．５．２０倍添加した液
では、液の分解時間は無添加の３０分。
Ｃｕイオンに対し、モル比で１．５．２０倍添加した液
では、液の分解時間は無添加の３０分。
１倍添加の１時間にくらべて８〜１５時間へと大幅に改
善された。Ａｕの析出速度も無添加の場合の１．２μｍ
／ｈに比べてほとんど低下しなかった。
善された。Ａｕの析出速度も無添加の場合の１．２μｍ
／ｈに比べてほとんど低下しなかった。
また４０倍添加した液では分解時間は１６ｈで２０倍添
加とほとんど変わらないだけでなく、析出速度は０．１
μｍ ／ ｈに低下した。
加とほとんど変わらないだけでなく、析出速度は０．１
μｍ ／ ｈに低下した。
また、Ｎｉめっき膜、置換Ａｕめっき膜に存在するピン
ホールを通してＣｕと金めっき液とが反応して高濃度の
Ｃｕイオンを溶出し、その付近の金めつき液が分解して
、それにより生じたＡｕが配線側面から成長することは
なく、従って隣接する配線との短絡、外観不良を起こす
こともながった。
ホールを通してＣｕと金めっき液とが反応して高濃度の
Ｃｕイオンを溶出し、その付近の金めつき液が分解して
、それにより生じたＡｕが配線側面から成長することは
なく、従って隣接する配線との短絡、外観不良を起こす
こともながった。
実施例４〜６
本発明による第２表に示す組成の無電解金めっ−き液を
用いて、実施例１と同様の方法によりセラミック配線板
に金めつきを行なった。Ｃｕイオンの錯化剤としてはエ
チレンジアミンテトラメチレンホスホン酸を用い、Ｃｕ
イオン濃度は２０ｐｐｍとした。それ以外の条件は、実
施例１〜３と同様である。
用いて、実施例１と同様の方法によりセラミック配線板
に金めつきを行なった。Ｃｕイオンの錯化剤としてはエ
チレンジアミンテトラメチレンホスホン酸を用い、Ｃｕ
イオン濃度は２０ｐｐｍとした。それ以外の条件は、実
施例１〜３と同様である。
以下余白
第２表
第２表に示すように、エチレンジアミンテトラメチレン
ホスホン酸をＣｕイオンに対し、モル比で１．５．２０
倍添加した液では、液の分解時間は無添加の３０分、１
倍添加の１時間にくらべて１０〜１７時間へと大幅に改
善された。Ａｕの析出速度も無添加の場合の１．２μｍ
／ｈにくらべてほとんど低下しなかった。また４０倍添
加した液では分解時間は１７ｈであり、２０倍添加と変
わらないだけでなく、析出速度は０．１μｍ／ｈに低下
してしまった。またＮｉめっき膜等のピンホールを通し
て、Ｃｕと金めっき液とが反応してＡｕを析出すること
はなく、従って隣接する配線との短絡等を起こすことも
なかった。
ホスホン酸をＣｕイオンに対し、モル比で１．５．２０
倍添加した液では、液の分解時間は無添加の３０分、１
倍添加の１時間にくらべて１０〜１７時間へと大幅に改
善された。Ａｕの析出速度も無添加の場合の１．２μｍ
／ｈにくらべてほとんど低下しなかった。また４０倍添
加した液では分解時間は１７ｈであり、２０倍添加と変
わらないだけでなく、析出速度は０．１μｍ／ｈに低下
してしまった。またＮｉめっき膜等のピンホールを通し
て、Ｃｕと金めっき液とが反応してＡｕを析出すること
はなく、従って隣接する配線との短絡等を起こすことも
なかった。
実施例７〜
塩化金酸ナトリウム４ｇ／Ｑ、チオ硫酸ナトリウム２０
ｇＩＱ、亜硫酸ナトリウム４５ｇ／Ｍ、チオ尿素３ｇ／
Ｑ、四ホウ酸カリウム４０ｇｚｌに、第３表に示す錯化
剤を添加してなる無電解金めっき液を用いて、実施例１
と同様の方法でセラミック配線板に金めつきを行なった
。不純物イオンとしてＣｕイオンを１５ｐｐｍ加えた。
ｇＩＱ、亜硫酸ナトリウム４５ｇ／Ｍ、チオ尿素３ｇ／
Ｑ、四ホウ酸カリウム４０ｇｚｌに、第３表に示す錯化
剤を添加してなる無電解金めっき液を用いて、実施例１
と同様の方法でセラミック配線板に金めつきを行なった
。不純物イオンとしてＣｕイオンを１５ｐｐｍ加えた。
それ以外の条件は。
実施例１〜６と同様である。
以下余白
第 ３ 表
第３表に示すように、いずれの錯化剤を添加した場合に
も、無添加の場合の３０分にくらべて、分解時間が大幅
に改善され、析出速度の低下もほとんど認められなかっ
た。またＮｉめっき膜等のピンホールを通して、Ｃｕと
金めっき液とが反応してＡｕを析出することはなく、従
って隣接する配線との短絡等を起こすこともなかった。
も、無添加の場合の３０分にくらべて、分解時間が大幅
に改善され、析出速度の低下もほとんど認められなかっ
た。またＮｉめっき膜等のピンホールを通して、Ｃｕと
金めっき液とが反応してＡｕを析出することはなく、従
って隣接する配線との短絡等を起こすこともなかった。
本発明によれば、上記の錯化剤を無電解金めっき液に添
加することにより、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ等の不純物金属イ
オン、特にＣｕイオンの混入によるめっき液の分解が防
止され、めっき液の安定性を著しく向上させることがで
きた。また、Ｃｕ等の配線材料との反応によりめっき液
の局部的分解し、それにより生じたＡｕが配線側面から
成長して、隣接する配線との短絡、外観不良となる問題
を防止することができた。これにより高価な金めつき液
の利用効率が向上し、製品のコストを低下させることが
可能となると共に基板上へのＡｕ析出防止により歩留を
向上させることも可能となった。
加することにより、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ等の不純物金属イ
オン、特にＣｕイオンの混入によるめっき液の分解が防
止され、めっき液の安定性を著しく向上させることがで
きた。また、Ｃｕ等の配線材料との反応によりめっき液
の局部的分解し、それにより生じたＡｕが配線側面から
成長して、隣接する配線との短絡、外観不良となる問題
を防止することができた。これにより高価な金めつき液
の利用効率が向上し、製品のコストを低下させることが
可能となると共に基板上へのＡｕ析出防止により歩留を
向上させることも可能となった。
第１図は不純物イオンに対する錯化剤の添加量とめっき
液の分解時間との関係を示す図、第２図は不純物イオン
に対する錯化剤の添加量とＡｕ析比速度との関係を示す
図、第３図は本発明による無電解金めっき液を用いため
っき方法を示す工程図、第４図は従来法による欠点を示
す図である。 １・・・セラミック基板、 ２・・・Ｃｕ配線、 ３・・・Ｎｉめっき膜、 ５・・・無電解金めっき膜。 婦化ｉ）’］才〃ｎ！（七２はり
液の分解時間との関係を示す図、第２図は不純物イオン
に対する錯化剤の添加量とＡｕ析比速度との関係を示す
図、第３図は本発明による無電解金めっき液を用いため
っき方法を示す工程図、第４図は従来法による欠点を示
す図である。 １・・・セラミック基板、 ２・・・Ｃｕ配線、 ３・・・Ｎｉめっき膜、 ５・・・無電解金めっき膜。 婦化ｉ）’］才〃ｎ！（七２はり
Claims (1)
- １．Ａｕイオン，Ａｕイオンの錯化剤および還元剤を含
む無電解金めっき液において、アミノホスホン酸類，イ
ミノホスホン酸類またはそれらのナトリウム塩，カリウ
ム塩，アンモニウム塩の少なくとも１種類を含有するこ
とを特徴とする無電解金めっき液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9646190A JPH03294484A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 無電解金めっき液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9646190A JPH03294484A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 無電解金めっき液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03294484A true JPH03294484A (ja) | 1991-12-25 |
Family
ID=14165672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9646190A Pending JPH03294484A (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 無電解金めっき液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03294484A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7022169B2 (en) | 2002-12-10 | 2006-04-04 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Electroless gold plating solution |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS503742A (ja) * | 1973-05-15 | 1975-01-16 | ||
| JPS63137178A (ja) * | 1986-11-24 | 1988-06-09 | ヴェ−・ツェ−・ヘレウス・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクタ−・ハフツング | 金層無電流析出用水性浴 |
-
1990
- 1990-04-13 JP JP9646190A patent/JPH03294484A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS503742A (ja) * | 1973-05-15 | 1975-01-16 | ||
| JPS63137178A (ja) * | 1986-11-24 | 1988-06-09 | ヴェ−・ツェ−・ヘレウス・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクタ−・ハフツング | 金層無電流析出用水性浴 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7022169B2 (en) | 2002-12-10 | 2006-04-04 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Electroless gold plating solution |
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