JPH03293193A - 追記型光記録媒体 - Google Patents
追記型光記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ユーザーが１回に限り情報の記録を行うこと
のできる。いわゆるＤ ＲＡ Ｗ （ＤｉｒｅｃｔＲｅ
ａｄ Ａｆｔｅｒ讐ｒｉｔｅ）タイプと称される追記型
光記録媒体に関するものであり、特に合金化による反射
率変化を利用して情報の記録を行う追記型光記録媒体に
関するものである。
のできる。いわゆるＤ ＲＡ Ｗ （ＤｉｒｅｃｔＲｅ
ａｄ Ａｆｔｅｒ讐ｒｉｔｅ）タイプと称される追記型
光記録媒体に関するものであり、特に合金化による反射
率変化を利用して情報の記録を行う追記型光記録媒体に
関するものである。
本発明は、レーザ光の照射によってＳｂＳｅ層とＢｉＴ
ｅ層とを合金化し、多重繰り返し反射の条件を変えて実
質的な反射率を変化させ情報の記録を行う追記型光記録
媒体において、ＳｂＳｅ層に第３元素を添加することに
より、再生回数を大幅に増大させるものである。
ｅ層とを合金化し、多重繰り返し反射の条件を変えて実
質的な反射率を変化させ情報の記録を行う追記型光記録
媒体において、ＳｂＳｅ層に第３元素を添加することに
より、再生回数を大幅に増大させるものである。
従来より、追記型の光記録媒体としては、レーザ光によ
る局部加熱により記録層を溶融ないしは蒸発させ、形状
変化により記録を行うものや、記録層に光学的特性（例
えば反射率）の変化を生じさせて記録を行うもの等、種
々の方式のものが提案されている。
る局部加熱により記録層を溶融ないしは蒸発させ、形状
変化により記録を行うものや、記録層に光学的特性（例
えば反射率）の変化を生じさせて記録を行うもの等、種
々の方式のものが提案されている。
しかしながら、これら従来の追記型光記録媒体は、記録
パワーや解像度、安定性等の点で一長一短を有しており
、これらの欠点を解消すべく、本願出願人は、特開昭６
（１２８０４５号公報において、記録層をＳｂＳｅ層と
ＢｊＴｅ層とから構成し、これらを合金化することで情
報の記録を行う追記型光記録媒体を提案した。
パワーや解像度、安定性等の点で一長一短を有しており
、これらの欠点を解消すべく、本願出願人は、特開昭６
（１２８０４５号公報において、記録層をＳｂＳｅ層と
ＢｊＴｅ層とから構成し、これらを合金化することで情
報の記録を行う追記型光記録媒体を提案した。
上記追記型光記録媒体の構成並びに記録原理を簡単に説
明すると、この追記型光記録媒体は、基板上に記録層が
設けられ記録情報に応じて強度変調したレーザ光を前記
記録層に集光照射して情報の記録を行うものであって、
該記録層が基板上に順次被着されたＳｂＳｅ層、ＢｉＴ
ｅ層、光透過層及び反射層より構成されてなるものであ
る。
明すると、この追記型光記録媒体は、基板上に記録層が
設けられ記録情報に応じて強度変調したレーザ光を前記
記録層に集光照射して情報の記録を行うものであって、
該記録層が基板上に順次被着されたＳｂＳｅ層、ＢｉＴ
ｅ層、光透過層及び反射層より構成されてなるものであ
る。
ここで、ＳｂＳｅ層は使用レーザ光に対して高い透過率
を有し、一方ＢｉＴｅ層は使用レーザ光に対して高い吸
収率を示し且つＳｂＳｅ層と容易に合金をつくる。
を有し、一方ＢｉＴｅ層は使用レーザ光に対して高い吸
収率を示し且つＳｂＳｅ層と容易に合金をつくる。
また、ＳｂＳｅ層の厚さは、多重繰り返し反射による干
渉効果を利用して基板側から入射されるレーザ光に対し
てその反射率が低くなるように選定されており、光透過
層の厚さはＢｉＴｅ層との界面を透過する光量を減する
ように選定されている。
渉効果を利用して基板側から入射されるレーザ光に対し
てその反射率が低くなるように選定されており、光透過
層の厚さはＢｉＴｅ層との界面を透過する光量を減する
ように選定されている。
このような構成の追記型光記録媒体に対し、情報に応じ
てレーザ光を照射すると、このレーザ光はＢｊＴｅ層に
効率良く吸収されて熱に変換され、この熱によってＳｂ
Ｓｅ層とＢ ｉＴｅ層とが合金化される。その結果、Ｓ
ｂＳｅ層による多重繰り返し反射の条件が変わり、光学
特性、すなわち反射率が大きく変わって情報の記録が行
われる。
てレーザ光を照射すると、このレーザ光はＢｊＴｅ層に
効率良く吸収されて熱に変換され、この熱によってＳｂ
Ｓｅ層とＢ ｉＴｅ層とが合金化される。その結果、Ｓ
ｂＳｅ層による多重繰り返し反射の条件が変わり、光学
特性、すなわち反射率が大きく変わって情報の記録が行
われる。
ところで、追記型の光記録媒体では、長期に亘る信頼性
が商品価値を決める大きな部分を占めており、Ｃ／Ｎが
変わらずに安定に再生できる回数をできる限り多くする
必要がある。
が商品価値を決める大きな部分を占めており、Ｃ／Ｎが
変わらずに安定に再生できる回数をできる限り多くする
必要がある。
上述の合金化による反射率変化を利用した追記型光記録
媒体では、例えばデジタル信号を記録した場合に１０６
回程度と、これまでの追記型光記録媒体を上回る再生回
数が保障されている。
媒体では、例えばデジタル信号を記録した場合に１０６
回程度と、これまでの追記型光記録媒体を上回る再生回
数が保障されている。
しかしながら、今後追記型光記録媒体が使用されていく
であろう分野を考えると、前記再生回数でも十分なもの
とは言えない。例えば映像記録用（アナログ信号記録用
）の追記型光記録媒体では、１０９［１１ｊ７程度が要
求される。
であろう分野を考えると、前記再生回数でも十分なもの
とは言えない。例えば映像記録用（アナログ信号記録用
）の追記型光記録媒体では、１０９［１１ｊ７程度が要
求される。
再生回数を上げるには、再生時のレーザ出力を下げる等
、再生装置側の対応によることも考えられるが、この場
合にはＳ／Ｎ等を犠牲にすることになる。
、再生装置側の対応によることも考えられるが、この場
合にはＳ／Ｎ等を犠牲にすることになる。
したがって、基本的には媒体側の対応で再生回数を上げ
てやるのが好ましい。
てやるのが好ましい。
そこで本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案さ
れたものであって、長期信頼性に優れ、安定に再生可能
な回数を大幅に増加することが可能な追記型光記録媒体
を提供することを目的とする。
れたものであって、長期信頼性に優れ、安定に再生可能
な回数を大幅に増加することが可能な追記型光記録媒体
を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段〕
本発明者等は、上述の目的を達成せんものと長期に亘り
鋭意研究を重ねた結果、ＳｂＳｅ層への第３元素の添加
が安定化に有効で、合金化が妨げられ長時間再生におい
ても未記録部分が未記録のまま保持されるとの知見を得
るに至った。
鋭意研究を重ねた結果、ＳｂＳｅ層への第３元素の添加
が安定化に有効で、合金化が妨げられ長時間再生におい
ても未記録部分が未記録のまま保持されるとの知見を得
るに至った。
本発明は、かかる知見に基づいて完成されたものであっ
て、基板上にＳｂＳｅ層及びＢｉＴｅ層が積層形成され
てなり、上記ＳｂＳｅ層はＧｅ。
て、基板上にＳｂＳｅ層及びＢｉＴｅ層が積層形成され
てなり、上記ＳｂＳｅ層はＧｅ。
Ｍｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｎより選ばれた少なくとも１種を
０．１〜３．０原子％含有することを特徴とするもので
ある。
０．１〜３．０原子％含有することを特徴とするもので
ある。
本発明の追記型光記録媒体においては、基板上には先ず
ＳｂＳｅ層が成膜される。
ＳｂＳｅ層が成膜される。
上記基板は、記録及び読み出しレーザ光に対して高い透
過率を有する材料よりなり、したがって基板＋Ａ料とし
てはポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂やポリ
カーボネート樹脂等が使用される。この基板にはグルー
プ（案内溝）やピント等が形成されていてもよい。
過率を有する材料よりなり、したがって基板＋Ａ料とし
てはポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂やポリ
カーボネート樹脂等が使用される。この基板にはグルー
プ（案内溝）やピント等が形成されていてもよい。
一方、ＳｂＳｅ層は、使用するレーザ光に対して十分に
透明であり、且つＢ ｉＴｅ層と容易に合金化する材料
によって構成され、その基本組成はＳｂＳｅ、（０，５
＜ｘ＜２）で表される。通常は５ｂｚＳｅ３に近い組成
に選ばれる。
透明であり、且つＢ ｉＴｅ層と容易に合金化する材料
によって構成され、その基本組成はＳｂＳｅ、（０，５
＜ｘ＜２）で表される。通常は５ｂｚＳｅ３に近い組成
に選ばれる。
ここで、本発明においては、上記基本組成に加えてＳｂ
Ｓｅ層にＧｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｎのうちの少なく
とも１種を添加し、アモルファス状態のＳｂＳｅ層の安
定化を図ることとする。
Ｓｅ層にＧｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｎのうちの少なく
とも１種を添加し、アモルファス状態のＳｂＳｅ層の安
定化を図ることとする。
本発明者等の実験によれば、これら第３元素の添加は、
ＳｂＳｅ層の結晶化温度の上昇をもたらし、合金化が抑
制されて再生回数の向上につながることが確認された。
ＳｂＳｅ層の結晶化温度の上昇をもたらし、合金化が抑
制されて再生回数の向上につながることが確認された。
このとき、上記Ｇｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、ＡｇまたはＺｎの添
加量は、Ｓ ｂ Ｓ ｅ ｘに対して０．１〜３．０原
子％とすることが好ましい。添加量が０．１原子％未満
であると、再生回数向上の効果がほとんど期待できない
。逆に添加量が３．０原子％を超えると、再生時の安定
性は向上するものの、記録に際して大きなレーザ出力が
必要になる。したがって、レーザ出力の低出力化を考え
たときには十分な記録ができ難くなり、Ｃ／Ｎが劣化す
る等の不都合が生ずる。
加量は、Ｓ ｂ Ｓ ｅ ｘに対して０．１〜３．０原
子％とすることが好ましい。添加量が０．１原子％未満
であると、再生回数向上の効果がほとんど期待できない
。逆に添加量が３．０原子％を超えると、再生時の安定
性は向上するものの、記録に際して大きなレーザ出力が
必要になる。したがって、レーザ出力の低出力化を考え
たときには十分な記録ができ難くなり、Ｃ／Ｎが劣化す
る等の不都合が生ずる。
上述のＳｂＳｅ層の膜厚は、基板との界面及びＢ ｉＴ
ｅ層との界面の間で生ずる繰り返し多重反則の干渉の結
果、基板側からレーザ光を照射した場合に実質的反射率
が低くなり、ＢｉＴｅ層において記録レーザ光が効率良
く吸収されるように設定される。なお、ＢｉＴｅ層にお
ける記録レーザ光の吸収効率を上げるためには前記反射
率はなるべく低い方が有利であるが、記録再生装置にお
けるレーザ光のオートフォーカス機構あるいはオートト
ラッキング機構等の安定動作のためには反射光量がある
程度大きいことが必要であり、この意味から未記録状態
での反射率が１０〜２０％程度になるように設定するこ
とが望ましい。
ｅ層との界面の間で生ずる繰り返し多重反則の干渉の結
果、基板側からレーザ光を照射した場合に実質的反射率
が低くなり、ＢｉＴｅ層において記録レーザ光が効率良
く吸収されるように設定される。なお、ＢｉＴｅ層にお
ける記録レーザ光の吸収効率を上げるためには前記反射
率はなるべく低い方が有利であるが、記録再生装置にお
けるレーザ光のオートフォーカス機構あるいはオートト
ラッキング機構等の安定動作のためには反射光量がある
程度大きいことが必要であり、この意味から未記録状態
での反射率が１０〜２０％程度になるように設定するこ
とが望ましい。
ＳｂＳｅ層の上にはＢｉＴｅ層が隣接して積層形成され
る。このＢｉＴｅ層は、レーザ光を十分に吸収する低融
点の金属（ここではＢｉ、Ｔｅ）より構成され、前記Ｓ
ｂＳｅ層と合金化して当該ＳｂＳｅ層の光学的性質を変
える金属層である。
る。このＢｉＴｅ層は、レーザ光を十分に吸収する低融
点の金属（ここではＢｉ、Ｔｅ）より構成され、前記Ｓ
ｂＳｅ層と合金化して当該ＳｂＳｅ層の光学的性質を変
える金属層である。
このＢ ｉＴｅ層の基本組成はＢ ＋ Ｔ ｅｙ（０，
１＜ｙ〈３）で表され、通常はＢｉ２Ｔｅ！：＋に近い
組成に選ばれる。また、ＢｉＴｅ層の膜厚は、１００〜
５００人の範囲に選ばれることが好ましい。
１＜ｙ〈３）で表され、通常はＢｉ２Ｔｅ！：＋に近い
組成に選ばれる。また、ＢｉＴｅ層の膜厚は、１００〜
５００人の範囲に選ばれることが好ましい。
本発明の追記型光記録媒体においては、前述のＳｂＳｅ
層、ＢｉＴｅ層の他、光透過層や反射層等が設けられて
いてもよい。
層、ＢｉＴｅ層の他、光透過層や反射層等が設けられて
いてもよい。
前記光透過層は、ＢｉＴｅ層をも透過した一部のレーザ
光が後述の反射層で反射されて再びＢｉＴｅ層に戻るよ
うになすものであり、熱伝導度が低いカルコゲナイドガ
ラスによって構成され、例えば５ｂｚＳｅ３のようにＳ
ｂＳｅ層と同様の材料が用いられる。
光が後述の反射層で反射されて再びＢｉＴｅ層に戻るよ
うになすものであり、熱伝導度が低いカルコゲナイドガ
ラスによって構成され、例えば５ｂｚＳｅ３のようにＳ
ｂＳｅ層と同様の材料が用いられる。
この光透過層は、前記ＢｉＴｅ層上に成膜され、基板側
から見たときに上記ＢｉＴｅ層の背面側に配される。光
透過層の膜厚は、ＢｉＴｅ層との界面を透過するレーザ
光量を減するように設定され、ＢｉＴｅ層におけるレー
ザ光の吸収効率を高めるように設定される。したがって
、前記光透過層の膜厚は１２００〜１５００人程度に選
ばれる程度た、反射層は、前記Ｂ ｉＴｅ層あるいは光
透過層の背面側に設けられるものであって、使用レーザ
光に対する反射率が大きくなるようにＡＣ２Ｓｎ、Ａｇ
、Ａｕ等の金属または合金材料によって形成される。あ
るいは、ｐＪ ｉ Ｃｒ、 Ｗ、 Ｍｏ。
から見たときに上記ＢｉＴｅ層の背面側に配される。光
透過層の膜厚は、ＢｉＴｅ層との界面を透過するレーザ
光量を減するように設定され、ＢｉＴｅ層におけるレー
ザ光の吸収効率を高めるように設定される。したがって
、前記光透過層の膜厚は１２００〜１５００人程度に選
ばれる程度た、反射層は、前記Ｂ ｉＴｅ層あるいは光
透過層の背面側に設けられるものであって、使用レーザ
光に対する反射率が大きくなるようにＡＣ２Ｓｎ、Ａｇ
、Ａｕ等の金属または合金材料によって形成される。あ
るいは、ｐＪ ｉ Ｃｒ、 Ｗ、 Ｍｏ。
Ｔｉ等の高融点金属を用い、ＢｉＴｅ層がレーザ光照射
による加熱によって周辺へ飛散あるいは蒸発するのを防
止するようにしてもよい。いずれの場合にも、反射層の
厚さは外部に漏れるレーザ光量が十分小さく無視できる
ような範囲に選ばれるが、特に高融点金属を用いた場合
には、これによってあまり熱容量が変化しないように２
００Å以下程度２例えば６０人程度に設定される。
による加熱によって周辺へ飛散あるいは蒸発するのを防
止するようにしてもよい。いずれの場合にも、反射層の
厚さは外部に漏れるレーザ光量が十分小さく無視できる
ような範囲に選ばれるが、特に高融点金属を用いた場合
には、これによってあまり熱容量が変化しないように２
００Å以下程度２例えば６０人程度に設定される。
以上は片面タイプの光記録媒体の説明であるが、同様の
構成のものを接着剤層を介・して貼り合わせて両面タイ
プとすることも可能である。
構成のものを接着剤層を介・して貼り合わせて両面タイ
プとすることも可能である。
ＳｂＳｅ層にＧｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｎのいずれか
を第３元素として添加すると、ＳｂＳｅ単独の場合に比
べて結晶化温度が高くなる。
を第３元素として添加すると、ＳｂＳｅ単独の場合に比
べて結晶化温度が高くなる。
この結晶化温度の上昇は、アモルファス状態のＳｂＳｅ
層の安定化につながり、Ｂ ｉＴｅ層との合金化が抑制
されることになる。
層の安定化につながり、Ｂ ｉＴｅ層との合金化が抑制
されることになる。
シタがって、再生光が照射されたとしても未記録部分の
状態保持が良好なものとなり、再生可能０ 回数が増加する。
状態保持が良好なものとなり、再生可能０ 回数が増加する。
以下、本発明を適用した具体的な実施例について実験結
果をもとに説明する。
果をもとに説明する。
本実施例の追記型光記録媒体は、第１図に示すように、
基板（１）上にＳｂＳｅ層（２）、ＢｉＴｅ層（３）
、５ｂｚＳｅ３からなる光透過層（４）、Ａ／２Ｔｉ合
金からなる反射層（５）及び保護膜（６）が順次積層形
成されてなるものである。
基板（１）上にＳｂＳｅ層（２）、ＢｉＴｅ層（３）
、５ｂｚＳｅ３からなる光透過層（４）、Ａ／２Ｔｉ合
金からなる反射層（５）及び保護膜（６）が順次積層形
成されてなるものである。
膜厚は、ＳｂＳｅ層（２）が３００人、Ｂ ｉＴｅ層（
３）が１５０人、光透過層（４）が１３００人、反射層
（５）が１０００人である。また、ＳｂＳｅ層（２）と
光透過層（４）はＲＦスパッタにより、ＢｉＴｅ層（３
）と反射層（５）はＤＣスパッタにより成膜した。
３）が１５０人、光透過層（４）が１３００人、反射層
（５）が１０００人である。また、ＳｂＳｅ層（２）と
光透過層（４）はＲＦスパッタにより、ＢｉＴｅ層（３
）と反射層（５）はＤＣスパッタにより成膜した。
このような構成を前提とし、先ず、ＳｂＳｅ層（２）単
独膜にＧｅまたはＭｎを添加し、添加量によりＳｂＳｅ
層（２）の結晶化温度がどのように変化するかを調べた
。
独膜にＧｅまたはＭｎを添加し、添加量によりＳｂＳｅ
層（２）の結晶化温度がどのように変化するかを調べた
。
結果を第２図に示す。なお、ここでは、ＤＳＣによる測
定において、昇温速度３ ｄｅｇ／分としたときの発熱
カーブのピーク温度を結晶化温度Ｔｃと定義した。
定において、昇温速度３ ｄｅｇ／分としたときの発熱
カーブのピーク温度を結晶化温度Ｔｃと定義した。
その結果、Ｇｅを添加した場合（図中線ｉ）、Ｍｎを添
加した場合（図中線１１）のいずれの場合においても、
添加量とともに結晶温度Ｔｃが高くなっていることが確
認された。このことは、ＧｅあるいはＭｎの添加によっ
て、ＳｂＳｅ層のアモルファス相が安定化されているこ
とを示していると言える。
加した場合（図中線１１）のいずれの場合においても、
添加量とともに結晶温度Ｔｃが高くなっていることが確
認された。このことは、ＧｅあるいはＭｎの添加によっ
て、ＳｂＳｅ層のアモルファス相が安定化されているこ
とを示していると言える。
そこで次に、ＳｂＳｅ層（２）にＧｅを２．０原子％添
加したサンプル（構成は第１図に示す通り。
加したサンプル（構成は第１図に示す通り。
以下同じ。）、Ｍｎを１．１原子％添加したサンプル、
第３元素を添加していないサンプル（比較例に相当する
。）を作成し、それぞれのサンプルについてＳｂＳｅ層
の結晶化温度Ｔｃと再生可能回数の関係を調べた。なお
、追記型の光記録媒体においてデジタル信号を再生する
際のレーザダイオードの出力は通常１．９ｍＷ程度に設
定されるが、本測定に際しては、加速試験とするために
再生出力を２．５ｍＷとした。また、各サンプルは、光
学ピックアンプに対して１３．２ｍ／秒の線速で回転し
た。
第３元素を添加していないサンプル（比較例に相当する
。）を作成し、それぞれのサンプルについてＳｂＳｅ層
の結晶化温度Ｔｃと再生可能回数の関係を調べた。なお
、追記型の光記録媒体においてデジタル信号を再生する
際のレーザダイオードの出力は通常１．９ｍＷ程度に設
定されるが、本測定に際しては、加速試験とするために
再生出力を２．５ｍＷとした。また、各サンプルは、光
学ピックアンプに対して１３．２ｍ／秒の線速で回転し
た。
結果を第３図に示す。図中の点ａは第３元素を添加して
いないサンプルに、点すはＭｎを１．１原子％添加した
サンプルに、また点ＣはＧｅを２．０原子％添加したサ
ンプルにそれぞれ対応している。
いないサンプルに、点すはＭｎを１．１原子％添加した
サンプルに、また点ＣはＧｅを２．０原子％添加したサ
ンプルにそれぞれ対応している。
この第３図を見ると、ＳｂＳｅ層の結晶化温度Ｔｃの上
昇に伴って再生可能回数が増大しており、特にＧｅを２
．０原子％添加したサンプルでは、第３元素を添加して
いないサンプルに比べて再生可能回数が１桁以上多くな
っていることがわかる。
昇に伴って再生可能回数が増大しており、特にＧｅを２
．０原子％添加したサンプルでは、第３元素を添加して
いないサンプルに比べて再生可能回数が１桁以上多くな
っていることがわかる。
以上、Ｇｅ及びＭｎを添加した場合についての実験結果
について説明したが、ＣｕやＡｇ、 Ｚｎを添加した
場合にも同様の効果が認められた。
について説明したが、ＣｕやＡｇ、 Ｚｎを添加した
場合にも同様の効果が認められた。
〔発明の効果］
以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
ＳｂＳｅとＢｉＴｅの合金化による反射３− 重度化を利用して情報を記録する追記型光記録媒体のＳ
ｂＳｅ層に第３元素を添加しているので、当該ＳｂＳｅ
層の結晶化温度を上昇して安定化することができ、再生
光が長時間照射されても未記録部分を未記録のままの状
態に保持することができる。
ＳｂＳｅとＢｉＴｅの合金化による反射３− 重度化を利用して情報を記録する追記型光記録媒体のＳ
ｂＳｅ層に第３元素を添加しているので、当該ＳｂＳｅ
層の結晶化温度を上昇して安定化することができ、再生
光が長時間照射されても未記録部分を未記録のままの状
態に保持することができる。
したがって、再生可能回数やスチル可能時間を増大する
ことができ、長期信顛性に優れた追記型光磁気記録媒体
を提供することが可能となる。
ことができ、長期信顛性に優れた追記型光磁気記録媒体
を提供することが可能となる。
第１図は本発明を適用した追記型光記録媒体の構成例を
示す要部概略断面図である。 第２図はＧｅ及びＭｎの添加量とＳｂＳｅ層の結晶化温
度の関係を示す特性図である。 第３図はＧｅまたはＭｎを添加したサンプル及び第３元
素を添加していないサンプルについてＳｂＳｅ層の結晶
化温度と再生可能回数の関係をプロットした特性図であ
る。 】 ４ １ ・基板 ・ＳｂＳｅ層 ・Ｂ ｉＴｅ層
示す要部概略断面図である。 第２図はＧｅ及びＭｎの添加量とＳｂＳｅ層の結晶化温
度の関係を示す特性図である。 第３図はＧｅまたはＭｎを添加したサンプル及び第３元
素を添加していないサンプルについてＳｂＳｅ層の結晶
化温度と再生可能回数の関係をプロットした特性図であ
る。 】 ４ １ ・基板 ・ＳｂＳｅ層 ・Ｂ ｉＴｅ層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上にＳｂＳｅ層及びＢｉＴｅ層が積層形成されてな
り、 上記ＳｂＳｅ層はＧｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｎより選
ばれた少なくとも１種を０．１〜３．０原子％含有する
ことを特徴とする追記型光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2097086A JP2903616B2 (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 追記型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2097086A JP2903616B2 (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 追記型光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03293193A true JPH03293193A (ja) | 1991-12-24 |
| JP2903616B2 JP2903616B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=14182833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2097086A Expired - Fee Related JP2903616B2 (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 追記型光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2903616B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5851729A (en) * | 1995-08-31 | 1998-12-22 | Sony Corporation | Optical disc |
-
1990
- 1990-04-12 JP JP2097086A patent/JP2903616B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5851729A (en) * | 1995-08-31 | 1998-12-22 | Sony Corporation | Optical disc |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2903616B2 (ja) | 1999-06-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |