JPH03292749A - Inspection device and inspection - Google Patents

Inspection device and inspection

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JPH03292749A
JPH03292749A JP2094804A JP9480490A JPH03292749A JP H03292749 A JPH03292749 A JP H03292749A JP 2094804 A JP2094804 A JP 2094804A JP 9480490 A JP9480490 A JP 9480490A JP H03292749 A JPH03292749 A JP H03292749A
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JP
Japan
Prior art keywords
probes
contact
probe
wafer
state
Prior art date
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Pending
Application number
JP2094804A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Yonebayashi
米林 勉
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2094804A priority Critical patent/JPH03292749A/en
Publication of JPH03292749A publication Critical patent/JPH03292749A/en
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Abstract

PURPOSE:To make it possible to verify immediately whether a probing is performed in a normal state or not by a method wherein a check mechanism for checking the contact of probes with electrodes is provided separately from a semiconductor wafer and in a case a state of fail is continuously generated, a probe card is moved to the check mechanism and the contact of the probes with the electrodes is checked. CONSTITUTION:A wafer 3 placed on a main chuck 1 is sucked and fixed, probes 5 of a probe card 6 are made to correspond to a semiconductor element and after the probes are brought face to face with electrodes made to correspond to the probes, a probing is performed. At this time a state of fail is continuously continued a plurality and in case the state of fail is continued a previously set number, the probes 5 are automatically made to stop the electrical contact with the wafer 3 to be measured on the main chuck 1 by the control of a CPU, a dummy wafer 4 fixed temporarily on a subchuck 2 is automatically moved to a position to oppose to the probes 5, the probes are brought into contact with a dummy chip of the wafer 4 and the state of the contact of the probes with the dummy chip is checked.

Description

【発明の詳細な説明】 主肌立且迫 (産業上の利用分野) 本発明は検査装置及び検査方法に関する。[Detailed description of the invention] main character and immediacy (Industrial application field) The present invention relates to an inspection device and an inspection method.

(従来の技術) 半導体製造工程において、半導体ウェハの完成された素
子にテスタのプローブを接触させ電気的特性の検査を8
こなっている。
(Prior art) In the semiconductor manufacturing process, a tester probe is brought into contact with a completed element on a semiconductor wafer to inspect its electrical characteristics.
It's happening.

この種のプローブ装置は特開昭63−198345号、
特開昭63−207144号公報等多数に記載されてい
るように、半導体ウェハ〔以下ウェハと略記する〕上に
形成された多数の半導体素子の電気的特性を検査する検
査部と、ウェハが収納されているカセ71・よりウェハ
を取り出して前記検査部に供給する供給装置例えばロー
ダとから構成されている。
This type of probe device is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-198345.
As described in many publications such as Japanese Patent Application Laid-open No. 63-207144, there is an inspection section for inspecting the electrical characteristics of a large number of semiconductor elements formed on a semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as wafer), and a section for storing the wafer. The apparatus is comprised of a supply device such as a loader that takes out wafers from a cassette 71 and supplies them to the inspection section.

上記装置のプロービングに於いて、例えば不良晶子ノブ
の選別はチップがフェール(不良品)と判定されるとマ
ーキング装置等でフェールの素子表面に不良を示すマー
キングを行うのが一般的であるが、この作業において、
フェール状態が連続する場合がある。
In the probing of the above device, for example, when a defective crystal knob is selected, if a chip is determined to be a fail (defective product), it is common to use a marking device or the like to mark the surface of the fail element to indicate the defect. In this work,
There may be consecutive failure states.

この連続フェールの原因としては、被検査物自体に欠陥
がある場合、またはプローブカードのプローブ電極、例
えばプローブ針が被検査物例えば素子の電極と正確位置
でコンタクトしてない場合が考えられる。
Possible causes of this continuous failure include a defect in the object to be inspected itself, or a case in which the probe electrodes of the probe card, such as probe needles, are not in contact with the electrodes of the object to be inspected, such as an element, at the correct position.

上記連続フェールが生じた場合、前記2つの原因のうち
、プローブカードのプローブ針と被検査素子の電極等が
位置決めされた位置にあっても接触してない場合には、
針先にゴミが付着しているものとしてプローブの針先を
研磨をして、再びプロービングを再開し、素子の電気的
特性の欠陥の検査をする。
If the above continuous failure occurs, one of the two causes is that the probe needle of the probe card and the electrode of the device under test are not in contact even though they are in the determined position.
Assuming that there is dust attached to the tip of the probe, the tip of the probe is polished, and probing is restarted to inspect the electrical characteristics of the device for defects.

このように研磨した後さらに連続フェールが続いた場合
、従来はウェハ内の良品素子まで戻って、プローブカー
ドのプローブ針が正常であるかを検査をしていた。
If a series of failures continues after polishing in this manner, conventionally, the process returns to the non-defective elements in the wafer and inspects whether the probe needles of the probe card are normal.

(発明が解決しようとする課題) しかしながら、プロービングの当初から連続フェールが
続いた場合には、良品素子がないので、従来のように良
品素子まで戻って再度良品と判断された素子にプローブ
針を接触させて、良品であるという判断をさせることが
できない。その結果プローブ針が正常か否かの判定出来
ない。
(Problem to be solved by the invention) However, if there are continuous failures from the beginning of probing, there are no non-defective elements, so the probe needle is returned to the non-defective elements as in the conventional method and re-inserted the probe needle to the element determined to be non-defective. It is not possible to contact the product and determine that it is a good product. As a result, it is impossible to determine whether the probe needle is normal or not.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、プロー
ブ針が正常な状態でプロービングしているかをただちに
確認できるようにした検査装置を提供することを目的と
している。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an inspection device that can immediately confirm whether a probe needle is probing in a normal state.

光旦■I威 (課題を解決する為の手段) 本発明は半導体ウェハに形成された半導体素子の電極に
プローブ電極を電気的に接触させて特性検査をする検査
装置において上記半導体ウェハとは別にプローブ電極の
コンタクトチェックするチエ、り機構を設けた検査装置
である。
Means for Solving the Problems The present invention provides an inspection apparatus for inspecting characteristics by electrically contacting probe electrodes with electrodes of semiconductor elements formed on a semiconductor wafer, which are separate from the semiconductor wafer. This is an inspection device equipped with a check mechanism to check the contact of the probe electrode.

またプロービング時の複数回連続フェールが生じた場合
に、プローブカードを前記チェック機構に移動させ、プ
ローブ電極のコンタクトチェックを行う検査方法である
Furthermore, in the case where a plurality of consecutive failures occur during probing, the probe card is moved to the checking mechanism and a contact check of the probe electrodes is performed.

(作用) 本発明の検査装置は、半導体ウェハを載置した載置体の
近傍にプローブ針の接触状態を検査接触部例えば、設定
された電流が流れると一定の値を検査する電極を設け、
この電極に上記プローブ針を接触させることにより、プ
ローブカードのプローブ針の接触状態を検査することが
出来る為、プローブ針のコンタクト不良を検査すること
ができる。その結果良品の素子を不良と誤認することを
未然に防止することができる。
(Function) The inspection device of the present invention is provided with an electrode near the mounting body on which the semiconductor wafer is placed, which inspects the contact state of the probe needle, for example, an electrode that inspects a constant value when a set current flows.
By bringing the probe needle into contact with this electrode, the contact state of the probe needle of the probe card can be inspected, so that contact failure of the probe needle can be inspected. As a result, it is possible to prevent a good element from being mistaken as defective.

(実施例) 以下本発明をウェハを検査するプローブ装置に通用した
一実施例を図面で詳述する。
(Embodiment) An embodiment in which the present invention is applied to a probe device for inspecting a wafer will be described in detail with reference to the drawings.

第1図に示すようにプローブ装置は、本体7aと、この
本体に移動可能な載置体、例えば゛メインチャッツク−
ウェハを搬送するローダ部とから構成されている。
As shown in FIG. 1, the probe device includes a main body 7a and a mounting body movable on the main body, such as a main chat rack.
It consists of a loader section that transports wafers.

メインチャック1の上面にはアルミ性のチャフクトフブ
が嵌合されている。このチャ、クトノプの上面にはウェ
ハ3が周知の吸着手段により吸着固定される溝等が設け
られている。
An aluminum chuck is fitted onto the upper surface of the main chuck 1. The upper surface of this chamber is provided with grooves, etc., into which the wafer 3 is suctioned and fixed by well-known suction means.

上記メインチャツク1外周の近傍、例えば外周から1a
程度離れた位置に、プロービングしたあとのプローブ針
を研磨するための針検板等が載置されるごとくサブチャ
ック2が設けている。
Near the outer periphery of the main chuck 1, for example 1a from the outer periphery
A sub-chuck 2 is provided at a certain distance apart so that a needle inspection plate or the like for polishing the probe needle after probing is placed.

前記メインチャック1とサブチャック2は移動可能、例
えばモータ等の回転移動手段でX方向、Y方向、Z方向
或いはθ方向に移動駆動可能になっている。
The main chuck 1 and the sub-chuck 2 are movable, for example, movable in the X direction, Y direction, Z direction, or θ direction by a rotary moving means such as a motor.

また、前記サブチャック2の上面には、例えば第1図、
第2図に示す如くアルミニュム等よりなるダミーウェハ
4が仮固定例えば吸着固定されるように吸着孔が均等に
設けられている。
Further, on the upper surface of the sub-chuck 2, for example, as shown in FIG.
As shown in FIG. 2, suction holes are evenly provided so that a dummy wafer 4 made of aluminum or the like can be temporarily fixed, for example, suctioned.

上記ダミーウェハ4は、プローブ5のコンタクトチェッ
クに使用するものである為、実施例のアルミニュームに
限らず導電性部材であれば特に限定するものではない。
Since the dummy wafer 4 is used for contact checking of the probe 5, it is not limited to the aluminum used in the embodiment, but is not particularly limited as long as it is a conductive material.

上記プローブ針5は、図示しないテスタ等と電気的に接
続され、かつプローブ装置のヘッドブレー1−6a;こ
回転自在に設けられたリングインサート部材6bが上記
プローブカード6を固定している。
The probe needle 5 is electrically connected to a tester (not shown), etc., and the probe card 6 is fixed by a ring insert member 6b rotatably provided in the head brake 1-6a of the probe device.

次ぎに、プローブ針の先端を検査する動作について説明
する。
Next, the operation of inspecting the tip of the probe needle will be explained.

プローブ装置7内で被検査物例えばウェハ3が収納され
ているカセットより、ローダ部のハンドリングアーム(
図示せず)によりとりだしウェハを位置あわせをした後
、メインチャック1上に載置する。この載置されたウェ
ハ3はメインチャック1に有する吸着手段により吸着固
定され、この後メインチャック1は図示しない、モータ
等の公知手段でX方向、Y方向、Z方向或いはθ方向に
移動を開始し、プローブカード6のプローブ針5と予め
定められた半導体素子に対応させる。そしてオペレータ
が視覚手段、例えばCODカメラ等を用いて、プローブ
針、およびこのプローブ針と対応した電極とを針合わせ
したのちプロービングを行う、この際フェール状態が複
数連続して続き予め設定された数続いた場合に、自動的
にCPUの制御によりプローブ針5をメインチャック1
上の被側定ウェハ3との電気的接触を中止し、サブチャ
ック2に仮固定されたダミーウェハ4が上記プローブ針
と対向する位置まで自動的に移動する。
In the probe device 7, the handling arm (
After positioning the taken-out wafer using a wafer (not shown), the wafer is placed on the main chuck 1. The placed wafer 3 is suctioned and fixed by the suction means provided in the main chuck 1, and then the main chuck 1 starts moving in the X direction, Y direction, Z direction, or θ direction by a known means such as a motor (not shown). The probe needles 5 of the probe card 6 are made to correspond to predetermined semiconductor elements. Then, the operator uses a visual means such as a COD camera to align the probe needle and the electrode corresponding to the probe needle, and then performs probing. If this continues, the probe needle 5 is automatically moved to the main chuck 1 under the control of the CPU.
Electrical contact with the upper target wafer 3 is stopped, and the dummy wafer 4 temporarily fixed to the sub-chuck 2 is automatically moved to a position facing the probe needle.

上記プローブ針をダミーウェハ4のダミーチップとコン
タクトさせて、プローブ針の接触状態のチェックを行う
The probe needle is brought into contact with the dummy chip of the dummy wafer 4, and the contact state of the probe needle is checked.

この時、コンタクトチェックの結果が良好な場合には、
プローブ針5を上記ダミーウェハに移動する直前に検査
したウェハ3の素子のフェール結果が確実であり、この
結果に基づいて図示しないマーキング等の作業を行う。
At this time, if the contact check results are positive,
The failure result of the elements on the wafer 3 inspected immediately before moving the probe needle 5 to the dummy wafer is certain, and based on this result, work such as marking (not shown) is performed.

これらの結果はメモリに記憶し、CRTなどに表示する
ことができる。
These results can be stored in memory and displayed on a CRT or the like.

また、ダミーウェハ4とのコンタクトチェックが不良の
場合には、プローブ針5のコンタクト状態が不良である
為、プローブ針5の先端を研磨等の作業を行う。この後
、再度ダミーウェハ\4とのコンタクトチェックを行い
、コンタクトチェックが良好な場合には、再度プローブ
針5を移動する直前の連続した素子の再度のプロービン
グを行い、良品チップの選別を行い、フエールチ・ノブ
のみマーキング等の作業を行う。
Further, if the contact check with the dummy wafer 4 is defective, the contact state of the probe needles 5 is defective, and therefore the tip of the probe needles 5 is polished or the like. After this, the contact check with the dummy wafer \4 is performed again, and if the contact check is good, the consecutive elements are again probed just before moving the probe needle 5, and the good chips are selected.・Work such as marking only the knobs.

このように本実施例によれば、メインチャック1に近接
する位置に有するサブチャック2にダミーウェハ4を設
ける構成でありプローブカードの移動量が少なくてコン
タクトチェックが行うことができる。
As described above, according to this embodiment, the dummy wafer 4 is provided on the sub-chuck 2 located close to the main chuck 1, and the contact check can be performed with a small amount of movement of the probe card.

またプロービングの際に生した連続フェールがプロービ
ングの初期であっても、比較する対象がない場合でもダ
ミーウェハ4と比較が出来、プローブ針5のコンタクト
状態の確実な把握が出来るように作用する。
Further, even if continuous failures occur during probing at the initial stage of probing, comparison can be made with the dummy wafer 4 even when there is no object to compare with, and the contact state of the probe needles 5 can be accurately grasped.

光ユ勿立釆 本発明は、上述のように構成することより、プロービン
グの際に、連続フェールが続いた場合であっち、比較す
る良品のバス状態の被検査物のを無に係わらず探針プロ
ーブのコンタクトチェックが簡易で正確に行うことが出
来る。特にプロービングの初期に連続フェールが続いた
場合により確実な探針プローブのコンタクトチェックが
行える。
The present invention is configured as described above, so that even if continuous failures occur during probing, the probe will not touch the test object that is in good bus condition for comparison. Probe contact checks can be performed easily and accurately. Especially when continuous failures occur in the initial stage of probing, a more reliable probe contact check can be performed.

またバスチップの位置に探針プローブを移動させて、コ
ンタクトチェックを行うものでなく、特定のバスチップ
とは異なりある程度大きなダミーウェハの任!の位置と
コンタクトチェックを行えることより、コンタクトチェ
ックの際の精度を要求されないことより、迅速にコンタ
クトチェックが行える。
In addition, the probe is not moved to the bus chip position to perform a contact check, and unlike a specific bus chip, it is a dummy wafer that is somewhat large. By being able to perform contact checks based on the location of the person, contact checks can be carried out quickly as accuracy is not required during contact checks.

更にこのサブチャック上に4電性物質よりなるダミーウ
ェハを設ける簡易なfi成のテスト用すブチーフクであ
り従来のプローブ装置りこも簡易に通用出来る等優れた
効果を有する。
Furthermore, it is a simple butchik for testing the fi formation, in which a dummy wafer made of a tetraelectric material is provided on the sub-chuck, and has excellent effects such as being easily compatible with conventional probe equipment.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図:=、本発明に係わるプローブ装置の一実施例を
示す概略平面図、第2図は同上の正面図である。 l メインチャック  2 サブチャック3 被検査物 4−ダミーウェハ 5 探針プローブ プローブカード (ミニ
FIG. 1 is a schematic plan view showing an embodiment of a probe device according to the present invention, and FIG. 2 is a front view of the same. l Main chuck 2 Sub chuck 3 Object to be inspected 4 - dummy wafer 5 Tip probe probe card (mini

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)半導体ウェハに形成された半導体素子の電極にプ
ローブ電極を電気的に接触させて特性検査をする検査装
置において上記半導体ウェハとは別に上記プローブ電極
のコンタクトチェックするチェック機構を設けたことを
特徴とする検査装置。
(1) In an inspection device that tests the characteristics by electrically contacting a probe electrode with the electrode of a semiconductor element formed on a semiconductor wafer, a check mechanism is provided to check the contact of the probe electrode separately from the semiconductor wafer. Characteristic inspection equipment.
(2)プロービング時の複数回連続フェールが生した場
合に、プローブカードを請求項1記載のチェック機構に
移動させ、プローブ電極のコンタクトチェックを行うこ
とを特徴とする検査方法。
(2) An inspection method characterized by moving the probe card to the check mechanism according to claim 1 and performing a contact check of the probe electrodes when a plurality of consecutive failures occur during probing.
JP2094804A 1990-04-10 1990-04-10 Inspection device and inspection Pending JPH03292749A (en)

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JP2094804A JPH03292749A (en) 1990-04-10 1990-04-10 Inspection device and inspection

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