JPH03285316A - 円筒形チップコンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
円筒形チップコンデンサおよびその製造方法Info
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- JPH03285316A JPH03285316A JP2083017A JP8301790A JPH03285316A JP H03285316 A JPH03285316 A JP H03285316A JP 2083017 A JP2083017 A JP 2083017A JP 8301790 A JP8301790 A JP 8301790A JP H03285316 A JPH03285316 A JP H03285316A
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、突き合わせ電極を外表面に備えた円筒形チッ
プコンデンサおよびその製造方法に関するものである。
プコンデンサおよびその製造方法に関するものである。
第３図および第４図（イ）、（ロ）を参照しつつ従来例
における円筒形チップコンデンサを説明する。第３図は
従来例における円筒形チップコンデンサ製造工程図、第
４図（イ）および（ロ）は従来例における円筒形チップ
コンデンサ説明図である。
における円筒形チップコンデンサを説明する。第３図は
従来例における円筒形チップコンデンサ製造工程図、第
４図（イ）および（ロ）は従来例における円筒形チップ
コンデンサ説明図である。
第３図および第４図において、誘電体材料が周知の方法
により押出成形されて、円筒形成形体が成形される（第
３図図示円筒形成形体成形工程２１）。
により押出成形されて、円筒形成形体が成形される（第
３図図示円筒形成形体成形工程２１）。
前記押出成形された円筒形成形体は、コンデンサの長さ
に切断される（第３図図示分割工程２２）。
に切断される（第３図図示分割工程２２）。
その後、上記分割された円筒形成形体は、焼成されて円
筒形磁器素体３１となる（第３図図示焼成工程２３）。
筒形磁器素体３１となる（第３図図示焼成工程２３）。
また、上記円筒形磁器素体３１の表面には、第４図（イ
）図示のごとく、間隙３４を設けて容量電極３２および
３３が塗布される（第３図図示容量電極形成工程２４）
。
）図示のごとく、間隙３４を設けて容量電極３２および
３３が塗布される（第３図図示容量電極形成工程２４）
。
そして、上記容量電極３２および３３の表面で、外部端
子電極３６および３７が形成されない部分の上には、第
４図（ロ）図示のごとく、外部絶縁保護膜３５が形成さ
れる（第３図図示外部絶縁保護膜形成工程２５）。
子電極３６および３７が形成されない部分の上には、第
４図（ロ）図示のごとく、外部絶縁保護膜３５が形成さ
れる（第３図図示外部絶縁保護膜形成工程２５）。
その後、当該外部絶縁保護膜３５は、乾燥される（第３
図図示焼成工程２３）。
図図示焼成工程２３）。
そして、外部端子電極３６および３７の部分に外部端子
電極３６および３７がメツキ等により形成される（第３
図図示外部端子電極形成工程２７）。
電極３６および３７がメツキ等により形成される（第３
図図示外部端子電極形成工程２７）。
このようにして作られた円筒形チップコンデンサは、間
隙３４における突き合わせ面積により容量が決定される
。したがって、容量を増加するためには、突き合わせ面
積が多くなるように、間隙３４を曲線にしたりあるいは
ジグザグにする。
隙３４における突き合わせ面積により容量が決定される
。したがって、容量を増加するためには、突き合わせ面
積が多くなるように、間隙３４を曲線にしたりあるいは
ジグザグにする。
しかし、第４図（イ）および（ロ）図示のような円筒形
チップコンデンサにおいて、異なる微小容量のコンデン
サを製造する度に、容量電極の突き合わせ面積あるいは
間隙幅を正確に変える必要がある。
チップコンデンサにおいて、異なる微小容量のコンデン
サを製造する度に、容量電極の突き合わせ面積あるいは
間隙幅を正確に変える必要がある。
また、コンデンサの製造においては、たとえば、焼成工
程、印刷工程、塗布工程、メツキ工程等異なる工程の種
類が多く生産性を悪くしている。
程、印刷工程、塗布工程、メツキ工程等異なる工程の種
類が多く生産性を悪くしている。
また、円筒形チップコンデンサは、中空で軽いため、そ
の搬送速度を上げることができない。さらに、前記円筒
形チップコンデンサの軽さと円筒であるた約に、円筒形
チップコンデンサが回路基板の正しい位置に配置された
後にも、何等かの原因によりリフローソルダリングを行
う前にズしてしまう恐れがある。
の搬送速度を上げることができない。さらに、前記円筒
形チップコンデンサの軽さと円筒であるた約に、円筒形
チップコンデンサが回路基板の正しい位置に配置された
後にも、何等かの原因によりリフローソルダリングを行
う前にズしてしまう恐れがある。
本発明は、息子のような問題を解決するために、容量調
整が容易で、かつ円筒形チップコンデンサ止して、取り
付は上の安定性を良くすると共に、円筒の中にも絶縁塗
料を挿入して重さを増加した円筒形チップコンデンサ、
および生産性を向上した円筒形チップコンデン勺の製造
方法を提供することを目的とする。
整が容易で、かつ円筒形チップコンデンサ止して、取り
付は上の安定性を良くすると共に、円筒の中にも絶縁塗
料を挿入して重さを増加した円筒形チップコンデンサ、
および生産性を向上した円筒形チップコンデン勺の製造
方法を提供することを目的とする。
〔課題を解決するだめの手段］
前記目的を達成するために、本発明の円筒形チップコン
デンザは、円筒形磁器素体の上に間隙を介して容量電極
を備え、当該容量電極の両端部以外の外表面を覆うと共
に、円筒形磁器素体の内部に充填される絶縁部材と、容
量電極の両端部をはんだ被膜で被覆した外部端子電極と
から構成されている。
デンザは、円筒形磁器素体の上に間隙を介して容量電極
を備え、当該容量電極の両端部以外の外表面を覆うと共
に、円筒形磁器素体の内部に充填される絶縁部材と、容
量電極の両端部をはんだ被膜で被覆した外部端子電極と
から構成されている。
また、本発明の円筒形チップコンデンサは、前記間隙を
被覆する絶縁部材に誘電体材料を混入するものである。
被覆する絶縁部材に誘電体材料を混入するものである。
さらに、本発明の円筒形チップコンデンサの製造方法は
、誘電体材料からなる円筒形成形体を成形する第１工程
と、当該円筒形成形体を１個のコンデンサの大きさに分
割する第２工程と、前記分割された円筒形成形体を焼成
して円筒形磁器素体とする第３工程と、前記工程により
得られた円筒形磁器素体を回転しながら導電塗料を塗布
して、その表面に容量電極となる導電膜を形成する第４
工程と、導電膜を２分するように間隙を設け、容量電極
を形成する第５工程と、絶縁塗料に浸漬して、絶縁部材
で間隙および容量電極を覆い、かつ円筒形磁器素体の内
部に充填する第６工程と、前記絶縁部材を半乾燥状態に
乾燥する第７工程と、前記絶縁部材の半乾燥状態で容量
電極を被覆する前記絶縁部材の一部を除去して容量電極
の端部を露出する第８工程と、容量電極の露出部分をは
んだ被膜で被覆して外部端子電極を形成する第９工程と
から構成される。
、誘電体材料からなる円筒形成形体を成形する第１工程
と、当該円筒形成形体を１個のコンデンサの大きさに分
割する第２工程と、前記分割された円筒形成形体を焼成
して円筒形磁器素体とする第３工程と、前記工程により
得られた円筒形磁器素体を回転しながら導電塗料を塗布
して、その表面に容量電極となる導電膜を形成する第４
工程と、導電膜を２分するように間隙を設け、容量電極
を形成する第５工程と、絶縁塗料に浸漬して、絶縁部材
で間隙および容量電極を覆い、かつ円筒形磁器素体の内
部に充填する第６工程と、前記絶縁部材を半乾燥状態に
乾燥する第７工程と、前記絶縁部材の半乾燥状態で容量
電極を被覆する前記絶縁部材の一部を除去して容量電極
の端部を露出する第８工程と、容量電極の露出部分をは
んだ被膜で被覆して外部端子電極を形成する第９工程と
から構成される。
誘電体粉末材を押出成形した円筒形成形体は、１個のコ
ンデンサ単位に分割される。そして、個々の円筒形成形
体は、焼成されて円筒形磁器素体となる。当該円筒形磁
器素体を回転しながらその表面に導電塗料を塗布して導
電膜を形成する。
ンデンサ単位に分割される。そして、個々の円筒形成形
体は、焼成されて円筒形磁器素体となる。当該円筒形磁
器素体を回転しながらその表面に導電塗料を塗布して導
電膜を形成する。
その後、前記導電膜に間隙を設けて容量電極が形成され
る。さらに、容量電極が形成された円筒形磁器素体を絶
縁塗料に浸漬して、円筒形磁器素体の内外に上記絶縁部
材が形成あるいは充填される。そして、上記絶縁部材を
半乾燥の状態にした後、容量電極を被覆する絶縁部材の
一部を除去し、さらに、その部分をはんだで被覆して外
部端子電極となる。
る。さらに、容量電極が形成された円筒形磁器素体を絶
縁塗料に浸漬して、円筒形磁器素体の内外に上記絶縁部
材が形成あるいは充填される。そして、上記絶縁部材を
半乾燥の状態にした後、容量電極を被覆する絶縁部材の
一部を除去し、さらに、その部分をはんだで被覆して外
部端子電極となる。
以上のようにして得られた円筒形チップコンデンサは、
導電膜を分割する間隙の長さおよび幅、右よび／または
容量を絶縁部材に入れる誘電体材料の混入率で決めるこ
とができるので、異なる容量のコンデンサを多品種生産
する場合の設計変更が容易である。
導電膜を分割する間隙の長さおよび幅、右よび／または
容量を絶縁部材に入れる誘電体材料の混入率で決めるこ
とができるので、異なる容量のコンデンサを多品種生産
する場合の設計変更が容易である。
また、円筒形磁器素体の中に上記絶縁部材が充填されて
いるので、円筒形チップコンデンサの重量は重くなる。
いるので、円筒形チップコンデンサの重量は重くなる。
したがって、円筒形チップコンデンサは、その搬送速度
が上るだけでなく、回路基板に配置された後に位置ズレ
しない。
が上るだけでなく、回路基板に配置された後に位置ズレ
しない。
第１図および第２図（イ）ないしくへ）を参照しつつ本
発明の円筒形チップコンデンサを説明する。
発明の円筒形チップコンデンサを説明する。
第１図は本発明における円筒形チップコンデンザ製造工
程図、第２図（イ）ないしくへ）は本発明における円筒
形チップコンデンサ説明図である。
程図、第２図（イ）ないしくへ）は本発明における円筒
形チップコンデンサ説明図である。
第１図および第２図において、チタン酸バリウム、チタ
ン酸ストロンチウムを主成分とした誘電体材料を混合し
た後、仮焼成したものを粉砕し、これにバインダーを入
れ、長い円筒形成形体が押出加工される（第１図図示円
筒形成形体成形工程ｌ）。
ン酸ストロンチウムを主成分とした誘電体材料を混合し
た後、仮焼成したものを粉砕し、これにバインダーを入
れ、長い円筒形成形体が押出加工される（第１図図示円
筒形成形体成形工程ｌ）。
押出成形された円筒形成形体は、１個のコンデンサを形
成する長さに分割される（第１図図示分割工程２）。
成する長さに分割される（第１図図示分割工程２）。
その後、分割された前記円筒形成形体は、たとえば、１
３００〜１５００°Ｃの温度により焼成され、第２図（
イ）図示のごとく、円筒形磁器素体１１となる（第１図
図示焼成工程３）。
３００〜１５００°Ｃの温度により焼成され、第２図（
イ）図示のごとく、円筒形磁器素体１１となる（第１図
図示焼成工程３）。
円筒形磁器素体１１の外周面には、たとえば、銅、アル
ミ、またはニッケル等からなる導電塗料が塗布されて、
たとえば、第２図（ロ）図示のごとく、導電膜１２が形
成される。導電膜１２の形成は、次のようにして行われ
る。すなわち、前記円筒形磁器素体１１の一方から回転
する治具（図示されていない）を差し込むことにより円
筒形磁器素体１１は回転支持される。そして、前記円筒
形磁器素体１１は、回転しながら図示されていない導電
塗料の入った槽に浸漬される（第１図図示導電塗料塗布
工程４）。
ミ、またはニッケル等からなる導電塗料が塗布されて、
たとえば、第２図（ロ）図示のごとく、導電膜１２が形
成される。導電膜１２の形成は、次のようにして行われ
る。すなわち、前記円筒形磁器素体１１の一方から回転
する治具（図示されていない）を差し込むことにより円
筒形磁器素体１１は回転支持される。そして、前記円筒
形磁器素体１１は、回転しながら図示されていない導電
塗料の入った槽に浸漬される（第１図図示導電塗料塗布
工程４）。
次に、図示されていないレーザー加工装置により第２図
（ハ）図示のごとく、間隙１４を形成する（第１図図示
間隙形成工程５）。
（ハ）図示のごとく、間隙１４を形成する（第１図図示
間隙形成工程５）。
容量電極１５および１６が形成されている円筒形磁器素
体１１を絶縁塗料が入っている槽に浸漬して、第２図（
ニ）図示のごとく、前記円筒形磁器素体１１の内外を絶
縁塗料で覆う（第１図図示絶縁塗料浸漬工程６）。そし
て、前記絶縁塗料中には、必要により、たとえば、チタ
ン酸バリウムのような誘電体材料の粉末を混入させる。
体１１を絶縁塗料が入っている槽に浸漬して、第２図（
ニ）図示のごとく、前記円筒形磁器素体１１の内外を絶
縁塗料で覆う（第１図図示絶縁塗料浸漬工程６）。そし
て、前記絶縁塗料中には、必要により、たとえば、チタ
ン酸バリウムのような誘電体材料の粉末を混入させる。
したがって、前記絶縁塗料に誘電体材料を混入する割合
を変えることによってコンデンサの容量が制御される。
を変えることによってコンデンサの容量が制御される。
外部端子電極１８および１９を第２図（ホ）図示のごと
く、形成するために、前記充填塗布された絶縁塗料が溶
剤で除去し易い状態に半乾燥する（第１図図示半乾燥工
程７）。
く、形成するために、前記充填塗布された絶縁塗料が溶
剤で除去し易い状態に半乾燥する（第１図図示半乾燥工
程７）。
外部端子電極部分に形成されている絶縁塗料は、半乾燥
になったところで第２図（ホ）図示のごとく、溶剤によ
り除去される（外部端子電極部分の絶縁膜除去工程８）
。絶縁塗料の除去は、絶縁塗料が半乾燥状態の時、一番
良く、しかも早く除去できた。次に、前記絶縁塗料を除
去した部分をはんだ槽あるいははんだメツキ槽に浸漬し
、はんだ被膜を形成して、第２図（へ）図示のごとく、
はんだ被膜を有する外部端子電極１８および１９が形成
される。
になったところで第２図（ホ）図示のごとく、溶剤によ
り除去される（外部端子電極部分の絶縁膜除去工程８）
。絶縁塗料の除去は、絶縁塗料が半乾燥状態の時、一番
良く、しかも早く除去できた。次に、前記絶縁塗料を除
去した部分をはんだ槽あるいははんだメツキ槽に浸漬し
、はんだ被膜を形成して、第２図（へ）図示のごとく、
はんだ被膜を有する外部端子電極１８および１９が形成
される。
さらに、外部端子電極１８および１９には、図示されて
いないキャップ電極を嵌合して形成することも可能であ
る。
いないキャップ電極を嵌合して形成することも可能であ
る。
以上、本発明の実施例を詳述したが、本発明は、前記実
施例に限定されるものではない。そして、特許請求の範
囲に記載された本発明を逸脱することがなければ、種々
の設計変更を行うことが可能である。
施例に限定されるものではない。そして、特許請求の範
囲に記載された本発明を逸脱することがなければ、種々
の設計変更を行うことが可能である。
たとえば、容量電極を形成する間隙の形状は、直線以外
に斜線あるいはその他の周知の曲線形状を取ることがで
きる。
に斜線あるいはその他の周知の曲線形状を取ることがで
きる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、導電膜を分割する間隙の幅および長さ
の調整および／または絶縁部材に混入する誘電体材料の
混入割合によりコンデンサの容量を決められるため、コ
ンデンサの容量変更が容易であるため、安価な円筒形チ
ップコンデンサを製造することができる。
の調整および／または絶縁部材に混入する誘電体材料の
混入割合によりコンデンサの容量を決められるため、コ
ンデンサの容量変更が容易であるため、安価な円筒形チ
ップコンデンサを製造することができる。
また、本発明によれば、円筒形磁器素体の内部に絶縁部
材が充填されているので、中空のものに比べて重いので
、搬送速度を上げることが可能であるだけでなく、回路
基板に配置された後にも位置ズレしない。
材が充填されているので、中空のものに比べて重いので
、搬送速度を上げることが可能であるだけでなく、回路
基板に配置された後にも位置ズレしない。
さらに、本発明によれば、絶縁部材の形成は、浸漬とい
う簡単な手段で行うので生産性が向上した。
う簡単な手段で行うので生産性が向上した。
工程図、第４図（イ）および（ロ）は従来例における円
筒形チップコンデンサ説明図である。
筒形チップコンデンサ説明図である。
１１・・・円筒形磁器素体
２・・・導電膜
３・・・はんだ被膜
４・・・間隙
５・・・容量電極
６・・・容量電極
７・・・絶縁部材
８・・・外部端子電極
９・・・外部端子電極
Claims (3)
- （１）円筒形磁器素体１１の上に間隙１４を介して容量
電極１５、１６を備え、 当該容量電極１５、１６の両端部以外の外表面を覆うと
共に、円筒形磁器素体１１の内部に充填される絶縁部材
１７と、 容量電極１５、１６の両端部をはんだ被膜１３で被覆し
た外部端子電極１８、１９と、 から構成されていることを特徴とする円筒形チップコン
デンサ。 - （２）前記間隙１４を被覆する絶縁部材１７に誘電体材
料を混入したことを特徴とする請求項（１）記載の円筒
形チップコンデンサ。 - （３）誘電体材料からなる円筒形成形体を成形する第１
工程と、 当該円筒形成形体を１個のコンデンサの大きさに分割す
る第２工程と、 前記分割された円筒形成形体を焼成して円筒形磁器素体
１１とする第３工程と、 前記工程により得られた円筒形磁器素体１１を回転しな
がら導電塗料を塗布して、その表面に容量電極１５、１
６となる導電膜１２を形成する第４工程と、 導電膜１２を２分するように間隙１４を設け、容量電極
１５、１６を形成する第５工程と、絶縁塗料に浸漬して
、絶縁部材１７で間隙１４および容量電極１５、１６を
覆い、かつ円筒形磁器素体１１の内部に充填する第６工
程と、 前記絶縁部材１７を半乾燥状態に乾燥する第７工程と、 前記絶縁部材１７の半乾燥状態で容量電極１５、１６を
被覆する前記絶縁部材１７の一部を除去して容量電極１
５、１６の端部を露出する第８工程と、 容量電極１５、１６の露出部分をはんだ被膜１３で被覆
して外部端子電極１８、１９を形成する第９工程と、 からなることを特徴とする円筒形チップコンデンサの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2083017A JPH03285316A (ja) | 1990-03-31 | 1990-03-31 | 円筒形チップコンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2083017A JPH03285316A (ja) | 1990-03-31 | 1990-03-31 | 円筒形チップコンデンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03285316A true JPH03285316A (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=13790476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2083017A Pending JPH03285316A (ja) | 1990-03-31 | 1990-03-31 | 円筒形チップコンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03285316A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2064715B1 (en) | 2006-08-28 | 2017-10-04 | ABB Schweiz AG | High voltage transformer with a shield ring, a shield ring and a method of manufacture same |
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1990
- 1990-03-31 JP JP2083017A patent/JPH03285316A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2064715B1 (en) | 2006-08-28 | 2017-10-04 | ABB Schweiz AG | High voltage transformer with a shield ring, a shield ring and a method of manufacture same |
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