JPH03283435A - Resin discharge device - Google Patents

Resin discharge device

Info

Publication number
JPH03283435A
JPH03283435A JP8101490A JP8101490A JPH03283435A JP H03283435 A JPH03283435 A JP H03283435A JP 8101490 A JP8101490 A JP 8101490A JP 8101490 A JP8101490 A JP 8101490A JP H03283435 A JPH03283435 A JP H03283435A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
nozzles
chip
bonding
center
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8101490A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiaki Sugizaki
吉昭 杉崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP8101490A priority Critical patent/JPH03283435A/en
Publication of JPH03283435A publication Critical patent/JPH03283435A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/743Apparatus for manufacturing layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L2224/743Apparatus for manufacturing layer connectors

Abstract

PURPOSE:To obtain a liquid resin discharge device, by which bubbles are never formed in a bonding agent layer, by a method wherein the sectional form of the arrangement of a plurality of nozzles to discharge a liquid resin, which is used for a resin bonding agent to bond a semiconductor device, is formed radially from the center of the sectional form toward the outside. CONSTITUTION:This device is one pertaining to a liquid resin discharge device to discharge a bonding agent resin for die bonding use in the manufacturing process of a semiconductor device and a plurality of nozzles which are used for this device are arranged in such a way that the sectional form of the arrangement of the nozzles is a radial form with the center of the sectional form as its center. In this constitution, wherein the nozzles are radially arranged, it is not always necessary that the nozzles are arranged linearly and a constitution such that the section form is helically distored is also included. The diameters of the nozzles can be different from one another.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体装置のダンボンディング用接着剤樹脂
を吐出する樹脂吐出装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a resin discharging device for discharging adhesive resin for dumb bonding of semiconductor devices.

(従来の技術) IC,LSIなどの半導体装置の組立工程は、1枚の半
導体ウェハ上に形成された多数のチップ(半導体素子)
を個々に分割しくダイシング工程)。
(Prior Art) The assembly process of semiconductor devices such as ICs and LSIs consists of a large number of chips (semiconductor elements) formed on one semiconductor wafer.
dicing process).

各チップをそれぞれのパッケージやり−ドフレームに搭
載しくダイボンディング工程)、チップ上の電極パッド
とパッケージ上の外部リードもしくはリードフレームと
を金(A u )  やアルミニウム(Al1)細線を
用いて結線しくワイヤボンディング工程)、最後にチッ
プおよびそれに付随するリードの1部を封止する(シー
リング工程)までをいう。
Each chip is mounted on its own package and frame (die bonding process), and the electrode pads on the chip and the external leads or lead frame on the package are connected using thin gold (Au) or aluminum (Al1) wires. (wire bonding process) and finally sealing a part of the chip and its accompanying leads (sealing process).

ダイボンディングは、ワイヤボンディング工程に先立っ
てセラミックパッケージやり−トフレームのダイパッド
の位置にチップを取付ける技術をいうが、この技術によ
り、チップとパッケージとの機械的および電気的接続と
熱放散を容易に行うことができる。一般に、ダイボンデ
ィングにおいて要求されることは、接合部に導電性があ
り熱抵抗が低いこと、物理的、化学的に安定な結合が得
られることにあり、これらの条件を考慮したダイボンデ
ィングを実行するために、 これまでAu−5i共晶合
金法、はんだ接着法および樹脂接着法の3通りの方法が
知られていた。
Die bonding is a technique for attaching a chip to the die pad of a ceramic package frame prior to the wire bonding process, which facilitates the mechanical and electrical connection between the chip and the package as well as heat dissipation. It can be carried out. In general, die bonding requires that the joint be electrically conductive and have low thermal resistance, and that a physically and chemically stable bond be obtained, and die bonding must be performed with these conditions in mind. To date, three methods have been known: Au-5i eutectic alloy method, solder bonding method, and resin bonding method.

A u −S i共晶合金は融点が370℃と比較的低
く、ダイボンディングには広く用いられている。酸化防
止のためのN2やN2+H2雰囲気中で400℃前後に
加熱しながら、Auメツキされたダイパッドにチップ裏
面を押し付け、Au−8i共晶反応を行わせて接合する
。この方法は、チップとパッケージとの機械的・電気的
な接続状態が良いので一般に多用されている。はんだ接
着法は、Au−5i共晶合金の代りにPb−8n系はん
だを用いる方法であり、作業温度が200〜300℃程
度でがなり低い。この方法は、あらかじめチップの裏面
にはんだのなじみ易イNi −Au、 Ti −Ni 
−A u膜などのメタライズ層を形成し、Pb−5n系
のはんだの小片をチップと Agメツキ層などのダイパ
ッド上の下地金属との間にはさみ、 N2あるいはN、
+H2雰囲気中で加熱して接着する。この方法の長所は
、基板とシリコン(Si)  との熱膨脹係数の違いに
よる熱ひずみをはんだ層で吸収するので、たとえばLS
Iのチップが大面積になってもチップ破損が生じくい。
Au-Si eutectic alloy has a relatively low melting point of 370° C. and is widely used in die bonding. While heating to around 400° C. in an N2 or N2+H2 atmosphere to prevent oxidation, the back surface of the chip is pressed against the Au-plated die pad to perform an Au-8i eutectic reaction and bond. This method is commonly used because it provides good mechanical and electrical connection between the chip and the package. The solder bonding method uses a Pb-8n solder instead of the Au-5i eutectic alloy, and the working temperature is about 200 to 300°C, which is relatively low. This method allows the solder to be easily applied to the backside of the chip in advance for Ni-Au, Ti-Ni
- Form a metallized layer such as an Au film, sandwich a small piece of Pb-5n solder between the chip and the base metal on the die pad such as an Ag plating layer, and then apply N2 or N,
Bond by heating in +H2 atmosphere. The advantage of this method is that the solder layer absorbs the thermal strain caused by the difference in thermal expansion coefficients between the substrate and silicon (Si).
Chip breakage is less likely to occur even if the chip of I has a large area.

3番目は、樹脂接着剤を用いる方法である。標準的な接
着剤としては、Ag粉末やAu粉末が入ったエポキシ樹
脂が用いられるが、硬化時に素子に悪影響を及ぼすガス
が発生しないこと、熱や電気伝導度の高いことなどが接
着剤として要求される条件である。接着するためにダイ
パッドに電気的接触抵抗を低くすることを目的としてA
gメツキやAuメツキ等を施すのが普通である。
The third method is to use a resin adhesive. Epoxy resin containing Ag powder or Au powder is used as a standard adhesive, but adhesives must not emit gas that has a negative effect on the device during curing, and must have high thermal and electrical conductivity. This is the condition for A for the purpose of lowering the electrical contact resistance to the die pad for bonding.
It is common to apply G plating, Au plating, etc.

樹脂の硬化温度が150〜200℃程度と前の2方法よ
りさらに低温で作業ができるので、樹脂層において熱膨
脹係数の差から生ずる熱ひずみが吸収でき、大きなチッ
プを取付けることが可能である。しかし、樹脂の硬化時
間が長いので生産性に劣る傾向にある。
Since the curing temperature of the resin is about 150 to 200°C, which is lower than the previous two methods, the resin layer can absorb the thermal strain caused by the difference in coefficient of thermal expansion, and it is possible to attach large chips. However, since the curing time of the resin is long, productivity tends to be low.

この樹脂接着剤を使用する場合は、第6図(a)。When using this resin adhesive, Fig. 6(a).

(b)に示すように、スクリーン印刷で接着剤をリード
フレーム3やセラミックパッケージなどに塗布したり、
あるいは、ディペンサといわれる液状樹脂吐出装置(図
示せず)から接着剤2をリードフレームなどに吐出する
。そして、その上にダイボンドツールでチップ1を押し
付け、仮止めしたあと加熱して接着剤を硬化させてダイ
ボンディングを完了させる。
As shown in (b), adhesive is applied to the lead frame 3, ceramic package, etc. by screen printing,
Alternatively, the adhesive 2 is discharged onto a lead frame or the like from a liquid resin discharge device (not shown) called a dispenser. Then, the chip 1 is pressed onto it using a die bonding tool, temporarily fixed, and then heated to harden the adhesive to complete die bonding.

この液状樹脂吐出装置を用いるには、複数のノズルを有
する装置を利用していた。一つのノズルから樹脂を吐出
するよりも複数のまとまったノズルから多数の点として
リードフレーム3などに吐出した方が、チップ1を押し
付けた際に樹脂の層2が均一に広がり、ボンディング強
度が向上するからである。ノズルの断面形状は通常は円
形である。楕円形や多角形でも差し支えないが、これら
の形状にするメリットは格別認められない。そしで、複
数のノズルを1つにまとめたときの全体の断面形状は、
チップ1の形状が角形であるので、普通は角形になって
いる。すなわち、各ノズルは、断面形状が格子状に配置
されることになり、このノズル群から吐出した円形の樹
脂は、第5図(a)に示されるように同じく格子状に配
置される。この図では、9個のノズルを用いているが、
個数は、これに限らず、16個でも良いし、4個あるい
は25個でも可能である。また、12個、15個、20
個・・・をそれぞれ配置した長方形でもよい。さらに、
たとえば、13個を配置した千鳥格子状にすることもで
きる。このような複数のノズルを備えた装置は、各ノズ
ルから出る樹脂を点と見做して、多点型液状樹脂吐出装
置(以下、多点装置という)と称している。ノズルの配
置は、全体の断面形状が正確な格子状である必要はなく
、多少のずれあっても作用効果には格別差異は認められ
ない。樹脂が9点の格子状にリードフレーム3に吐出さ
れ(第5図(a)、第6図(a))、ダイボンドツール
がチップ1をこの上に運び、かつ、押しつけると、点状
の樹脂はたがいにくっつき合った状態を経て(第5図(
b))、方形の接着剤層2(第5図(C))となり、最
終的に樹脂が硬化して、チップ1とリードフレーム3を
固く結合する(第6図(b))。
In order to use this liquid resin discharging device, a device having a plurality of nozzles has been used. Rather than discharging the resin from a single nozzle, it is better to discharge the resin from multiple nozzles onto the lead frame 3 as a large number of points, so that when the chip 1 is pressed, the resin layer 2 will spread evenly, improving the bonding strength. Because it does. The cross-sectional shape of the nozzle is usually circular. It may be oval or polygonal, but there is no particular merit in using these shapes. So, when multiple nozzles are combined into one, the overall cross-sectional shape is
Since the shape of the chip 1 is square, it is usually square. That is, each nozzle is arranged in a lattice-like cross-sectional shape, and the circular resin discharged from this nozzle group is also arranged in a lattice-like shape, as shown in FIG. 5(a). In this figure, nine nozzles are used,
The number is not limited to this, and may be 16, 4, or 25. Also, 12, 15, 20
It may also be a rectangle in which each piece is arranged. moreover,
For example, it is also possible to form a houndstooth check pattern with 13 pieces arranged. A device including such a plurality of nozzles is called a multipoint liquid resin discharging device (hereinafter referred to as a multipoint device), considering the resin discharged from each nozzle as a point. The arrangement of the nozzles does not need to have an exact grid-like cross-sectional shape as a whole, and even if there is some deviation, no particular difference in operation and effect will be observed. Resin is discharged onto the lead frame 3 in a grid pattern of nine points (Fig. 5 (a), Fig. 6 (a)), and when the die bonding tool carries the chip 1 onto this and presses it, dots of resin are discharged. After passing through a state where they are stuck together (Fig. 5)
b)) A rectangular adhesive layer 2 (FIG. 5(C)) is formed, and the resin is finally cured to firmly bond the chip 1 and lead frame 3 (FIG. 6(b)).

(発明が解決しようとする課題) しかしながら、前述のように、断面形状が格子状に配置
されたノズルを備えた前記多点装置からリードフレーム
などの上に吐出された液状樹脂は、最初、独立した樹脂
点を有している(第5図(a))が、チップをのせ、少
しづつ力を加えていくと、樹脂がくっつき合い、1つに
まとまっていく(第5図(b))。そのとき各点間に気
泡を巻き込んでしまう。そして最終的に樹脂が一体化し
て樹脂層、すなわち、接着剤層2が形成されたときに気
泡はこの層に取り込まれてしまう(第5図(C)、第6
図(b))。その後、樹脂硬化のために行われる加熱工
程においてしばしばこの気泡は巨大な空孔に成長し、接
着不良や製品の特性不良を招いていた。
(Problem to be Solved by the Invention) However, as described above, the liquid resin discharged onto a lead frame or the like from the multi-point device equipped with nozzles whose cross-sectional shape is arranged in a grid pattern is initially However, when a chip is placed on the chip and pressure is applied little by little, the resin sticks together and becomes a single piece (Fig. 5 (b)). . At that time, air bubbles are trapped between each point. Then, when the resin is finally integrated to form the resin layer, that is, the adhesive layer 2, the air bubbles are taken into this layer (Fig. 5 (C), 6
Figure (b)). Thereafter, during the heating process performed to cure the resin, these bubbles often grow into huge pores, leading to poor adhesion and poor product properties.

本発明は、上記事情に考慮してなされたものであり、ノ
ズルの配置を改善することによって、接着剤層に気泡の
形成されることがない液状樹脂吐出装置を提供すること
を目的としている。
The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a liquid resin discharging device in which bubbles are not formed in the adhesive layer by improving the nozzle arrangement.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(課題を解決するための手段) 本発明は、半導体装置の製造工程におけるダイボンディ
ング用接着剤樹脂を吐出する液状樹脂吐出装置に関する
ものであり、この装置に用いられる複数のノズルは、断
面形状が中央を中心とした放射状であるように配置され
ていることを特徴としている。このノズルが放射状に配
置された構成は、必ずしも直線状である必要はなく、ラ
セン状に歪ませた状態も含まれる。また、ノズルの口径
がそれぞれ異なっていても良い。たとえば、ノズルの口
径を放射状配置の中心にいくに従って小さくすることも
できる。中央部の中心を二点以上にしても良いし、放射
状に配置されたノズルの組を二つ以上台せた形状にする
ことも可能である。
(Means for Solving the Problems) The present invention relates to a liquid resin discharging device for discharging adhesive resin for die bonding in the manufacturing process of semiconductor devices, and a plurality of nozzles used in this device have a cross-sectional shape. They are characterized by being arranged in a radial pattern centered on the center. The configuration in which the nozzles are arranged radially does not necessarily have to be linear, but also includes a configuration in which the nozzles are distorted in a spiral shape. Further, the diameters of the nozzles may be different from each other. For example, the diameter of the nozzle may be reduced toward the center of the radial arrangement. The center of the central portion may be set at two or more points, or it may be configured to have two or more sets of radially arranged nozzles.

(作用) 本発明のような構成をとることにより、チップマウント
時の気泡の巻き込みがなく、また、液状樹脂が全面に広
がる様になる。
(Function) By adopting the configuration of the present invention, air bubbles are not trapped during chip mounting, and the liquid resin can be spread over the entire surface.

(実施例1) 本発明の一実施例を図を用いて説明する。(Example 1) An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図(a)〜(c)は、実施例1の多点装置によって
液状樹脂がたとえば、CuやN1(42%)−Fe合金
のような材料からなるリードフレーム上に吐出された状
態を示す図である。第1図(a)は、たとえば、 Ag
粉末が含むエポキシ樹脂のような液状樹脂が吐出された
直後の状態であって、中央部の中心から四方に放射状に
樹脂が配置されてし)る。
Figures 1 (a) to (c) show the state in which liquid resin is discharged onto a lead frame made of a material such as Cu or N1 (42%)-Fe alloy by the multi-point device of Example 1. FIG. FIG. 1(a) shows, for example, Ag
This is a state immediately after a liquid resin such as an epoxy resin contained in powder is discharged, and the resin is arranged radially in all directions from the center.

この状態によってここで使われた多点装置のノズルの数
および配置がわかる。すなわち1口径が同一の9個のノ
ズルが放射状に配置されたものを使用している。この液
状樹脂の上に半導体チップをのせ加圧していくと従来例
と同じように樹脂の点同志が結合して一体化し接着剤層
2が形成される(第1図(c))−点状の樹脂は、第1
図(b)に示すように、はじめはクロス状に結合してい
くが、結合が進むにつれて、この結合部分が、矢印に示
すように1周辺に向って拡大していく。つまり、このよ
うな結合の仕方であると、点状樹脂間の空気は、気泡と
ならずに周辺部に押し出されていき、第1図(c)のよ
うに気泡のない接着剤層2が形成される。
This condition reveals the number and arrangement of nozzles in the multipoint device used here. In other words, nine nozzles having the same diameter are used and are arranged radially. When a semiconductor chip is placed on top of this liquid resin and pressure is applied, the dots of the resin are combined and integrated to form an adhesive layer 2 (Fig. 1(c)) - dots as in the conventional example. The resin is the first
As shown in Figure (b), at first they are joined in a cross shape, but as the joining progresses, this joined part expands toward one periphery as shown by the arrow. In other words, with this type of bonding, the air between the resin dots is pushed out to the periphery without forming bubbles, and the adhesive layer 2 without bubbles is formed as shown in FIG. 1(c). It is formed.

(実施例2) つぎに、第2図(a)〜(c)を参照して実施例2を説
明する。
(Example 2) Next, Example 2 will be described with reference to FIGS. 2(a) to (c).

第1図(c)に示されている接着剤層2は、はぼ正方形
であるが、各辺がいく分向側にへこんでいる。これは、
この部分の周辺にはノズルが配置されておらず、したが
って樹脂が最初は吐出されない比較的広い部分があるの
が原因である。実施例1ではノズルの配置が直線的な放
射状であるので前記のようなへこみが生ずるのは当然な
のであり、このため、この接着剤層2には比較的小型の
チップの使用が適している。
The adhesive layer 2 shown in FIG. 1(c) has a substantially square shape, but each side is recessed in some direction. this is,
This is because no nozzles are arranged around this area, and therefore there is a relatively wide area where resin is not initially discharged. In Example 1, since the nozzles are arranged in a straight radial manner, it is natural that the above-mentioned dents occur, and for this reason, it is suitable to use a relatively small chip for this adhesive layer 2.

このように、放射状態が直線的では、樹脂の吐出されな
い比較的広い部分ができてしまい、その結果、良好な接
着剤層の形成が期待できなくなってしまう。実施例2は
、このような点を改善したもので、放射状の直線を、幾
分ひずませて、一定の曲率を持つ曲線にする。第2図(
a)の示す樹脂の配置は、実施例1に使用のノズルを、
放射状の直線を幾分ひずませた状態の配置にし、多点装
置に使用して得たものである。このように樹脂が配置さ
れると、樹脂のない部分が少なくなり、第2図(b)に
示されるように樹脂間の空気は、矢印に示すように、外
方に押し出されることにはなるが、これらの4つの矢印
は、反時計方向に回転するように外方を向いている。そ
の結果、樹脂は均一に拡がり、形成される接着剤層2に
は、前記のような辺のへこみがなくなり、より正方形に
近くなる。
In this way, if the radiation state is linear, a relatively wide area is created where the resin is not discharged, and as a result, formation of a good adhesive layer cannot be expected. Embodiment 2 is an improvement on this point, in which the radial straight line is slightly distorted to form a curved line with a constant curvature. Figure 2 (
The resin arrangement shown in a) is the same as the nozzle used in Example 1.
This was obtained by arranging the radial straight lines with some distortion and using them in a multi-point device. When the resin is arranged in this way, the area without resin is reduced, and the air between the resins is pushed outward as shown by the arrow, as shown in Figure 2 (b). However, these four arrows point outward in a counterclockwise rotation. As a result, the resin spreads uniformly, and the formed adhesive layer 2 has no dents on the sides as described above and becomes more square.

(実施例3) つぎに、第3図(a)〜(c)を参照して実施例3を説
明する。
(Example 3) Next, Example 3 will be described with reference to FIGS. 3(a) to (c).

半導体チップの形状は、正方形ばかりでなく長方形の場
合もある。このような形状では、ノズルの放射状配置を
維持することは難しいので、第2図(a)に示される形
状の樹脂が形成されるノズル群を二つ重ねて使用するか
、もしくは、前記二つのうち1つを部分的に使用する。
The shape of a semiconductor chip is not only square but also rectangular. With such a shape, it is difficult to maintain the radial arrangement of the nozzles, so two groups of nozzles that form resin in the shape shown in FIG. 2(a) may be stacked or used. Partially use one of them.

その結果、第3図(a)に示すような樹脂配置のものが
得られる。
As a result, a resin arrangement as shown in FIG. 3(a) is obtained.

この場合複雑な形状はしているが、基本的には放射形状
がちとになっているものであるから、樹脂同志の結合が
進んでいくときは、第3図(b)に示すように樹脂間の
空気は矢印に示すように周辺に向って追い出されるので
、完成した接着剤層2には、気泡がなく、かつ、予定し
た通りの長方形のものが得られる。
In this case, although the shape is complicated, it is basically a radial shape, so as the bonding between the resins progresses, the resin Since the air in between is expelled toward the periphery as shown by the arrow, the completed adhesive layer 2 is free of air bubbles and has the intended rectangular shape.

(実施例4) つぎに、第4図(a)〜(c)を参照して実施例4を説
明する。
(Example 4) Next, Example 4 will be described with reference to FIGS. 4(a) to (c).

実施例2,3では、実施例1のような樹脂のない比較的
広い部分を解消することを目的として、ノズルを放射状
の直線を幾分ひずませた状態の配置にしているが、実施
例4では、ノズルの口径の大小によって樹脂のない比較
的広い部分の解消を図る。すなわち、第4図(a)に示
されるような樹脂配置になるようにノズルを組合せる。
In Examples 2 and 3, the nozzles are arranged so that the radial straight lines are somewhat distorted in order to eliminate the relatively wide area where there is no resin as in Example 1. In No. 4, a relatively large area without resin is eliminated by changing the diameter of the nozzle. That is, the nozzles are combined so that the resin arrangement is as shown in FIG. 4(a).

中心に口径の1番小さいノズルを配置し、外方へ行くに
従ってノズルの口径が大きくなるようにノズルを配置す
る。外方へ行く程樹脂間の距離は大きくなるので、樹脂
を大きくしてその間の距離を小さくすることができる(
第4図(a))。この樹脂によって形成される接着剤層
2は、各辺にへこみはなく、かつ、気泡の存在しない良
好な層になる。
The nozzles are arranged such that the nozzle with the smallest diameter is placed in the center and the diameter of the nozzle increases as it goes outward. The distance between the resins increases as you go outward, so you can make the resins larger and reduce the distance between them (
Figure 4(a)). The adhesive layer 2 formed from this resin has no dents on each side and is a good layer free of bubbles.

また、縦横比が1に近い長方形の接着剤層を形成するに
は、第1図(、a)あるいは第2図(a)に示されてい
るノズル配置の縦横比を適宜変えれば容易になし得るこ
とである。極端に夏平な長方形の接着剤層を形成するに
は、実施例3に示すように、放射形状の断面を有するノ
ズル群をいくつか組合せれば良い。
In addition, forming a rectangular adhesive layer with an aspect ratio close to 1 can be easily done by appropriately changing the aspect ratio of the nozzle arrangement shown in Figure 1 (a) or Figure 2 (a). It's about getting. In order to form an extremely flat rectangular adhesive layer, several nozzle groups having radial cross sections may be combined, as shown in Example 3.

さらに、今までの例はすべてノズルは1点を中心に放射
状に配置しているが、中心を2点にして各点からノズル
が放射状になるように配置することも本発明に含まれる
。ただ、そのときは、中心の2点問およびその他の樹脂
間の長さがありすぎないように注意する必要がある。以
上の実施例では、ノズルの数が9個、即ち、9点式が基
本であったが1本発明は、この数に限定されるものでは
なく13点式、17点式あるいはそれ以上を基本とする
ことも可能である。尚、樹脂接着剤としてAg粉末含有
エポキシ樹脂を用いたが、これは−例であって、たとえ
ば、金属粉末ならAuからなるものでも良いし、樹脂と
してシリコン樹脂やポリイミドを用いても良い。また、
実施例では、リードフレームへのダイボンディングにつ
いて述べたが、アルミナ基板や他のセラミック基板を対
象とすることも可能である。
Further, in all the examples so far, the nozzles are arranged radially around one point, but the present invention also includes two points at the center and the nozzles arranged radially from each point. However, at that time, care must be taken to ensure that the length between the two center points and other resins is not too long. In the above embodiments, the number of nozzles was nine, that is, a nine-point type was basically used; however, the present invention is not limited to this number, and is basically a 13-point type, a 17-point type, or more. It is also possible to do this. Although an epoxy resin containing Ag powder was used as the resin adhesive, this is just an example; for example, metal powder may be made of Au, or silicone resin or polyimide may be used as the resin. Also,
In the embodiment, die bonding to a lead frame has been described, but it is also possible to target an alumina substrate or other ceramic substrate.

更に、本発明は半導体素子の接着に限らず、気泡の巻き
込みを回避しつつ、均一な拡がりを要求する様なあらゆ
る接着剤の吐出に応用できることも勿論である。
Furthermore, it goes without saying that the present invention is applicable not only to the bonding of semiconductor elements but also to the dispensing of any adhesive that requires uniform spreading while avoiding the inclusion of air bubbles.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明は、以上述べたような構成を有することによって
、チップをダイボンディングする樹脂接着剤層に気泡の
巻き込みおよび樹脂の拡がり不良がなくなるので、接着
面積が広くなり、接着強度が高まる。チップ下の隙間に
よるワイヤボンディング時の衝撃あるいはパッケージ封
入時の周囲からの応力によるチップの割れがなくなる、
気泡部分への水分の捕捉などによって製品不良が生ずる
のを防止することができる等の顕著な効果が認められる
By having the above-described structure, the present invention eliminates air bubbles from being trapped in the resin adhesive layer for die-bonding chips and the resin does not spread properly, thereby increasing the bonding area and increasing the bonding strength. Eliminates chip cracking due to impact during wire bonding due to the gap under the chip or stress from surroundings during package encapsulation.
Remarkable effects such as being able to prevent product defects due to the trapping of moisture in air bubbles, etc., have been observed.

【図面の簡単な説明】 第1図(a)は本発明の実施例1で用いた多点細波状樹
脂吐出装置が吐出した樹脂の平面図、同図(b)は前記
樹脂が結合していく状態の説明図、同図(c)は前記樹
脂からなる接着剤層の平面図、第2図(a)は実施例2
の装置が吐出した樹脂の平面図、同図(b)は前記樹脂
が結合していく状態の説明図、同図(c)は前記樹脂か
らなる接着剤層の平面図、第3図(a)は実施例3の装
置が吐出した樹脂の平面図、同図(b)は前記樹脂が結
合していく状態の説明図、同図(c)は前記樹脂からな
る接着剤層の平面図、第4図(a)は実施例4の装置が
吐出した樹脂の平面図、同図(b)は前記樹脂が結合し
ていく状態の説明図、同図(c)は前記樹脂からなる接
着剤層の平面図、第5図(a)は従来例の装置が吐出し
た樹脂の平面図、同図(b)は前記樹脂が結合していく
状態の説明図、同図(c)は前記樹脂からなる接着剤層
の平面図、第6図(a)は従来例の装置にてリードフレ
ームに吐出した樹脂を載せた断面図、同図(b)は前記
樹脂上にチップを載置した状態の断面図を示す。 1・・・半導体素子(チップ)、2・・・接着剤層、3
・・・リードフレーム、4・・・気泡。
[Brief Description of the Drawings] Figure 1 (a) is a plan view of the resin discharged by the multi-point fine wave resin discharge device used in Example 1 of the present invention, and Figure 1 (b) is a plan view of the resin that has been bonded together. Figure 2(c) is a plan view of the adhesive layer made of the resin, and Figure 2(a) is Example 2.
Figure 3(b) is an explanatory diagram of the state in which the resin is bonded; Figure 3(c) is a plan view of the adhesive layer made of the resin; Figure 3(a) ) is a plan view of the resin discharged by the apparatus of Example 3, FIG. FIG. 4(a) is a plan view of the resin discharged by the device of Example 4, FIG. 4(b) is an explanatory diagram of the state in which the resin is bonded, and FIG. 4(c) is an adhesive made of the resin. FIG. 5(a) is a plan view of the resin discharged by the conventional device, FIG. 5(b) is an explanatory diagram of the state in which the resin is bonded, and FIG. FIG. 6(a) is a cross-sectional view of the resin discharged onto a lead frame using a conventional device, and FIG. 6(b) is a plan view of the adhesive layer made of the resin. A cross-sectional view is shown. 1... Semiconductor element (chip), 2... Adhesive layer, 3
...Lead frame, 4...Bubble.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  半導体素子を接合する樹脂接着剤に用いられる液状の
樹脂を吐出する複数のノズルを具備した樹脂吐出装置に
おいて、前記複数のノズルの配置の断面形状が中心から
外に向かって放射状に形成されていることを特徴とする
樹脂吐出装置。
In a resin discharging device equipped with a plurality of nozzles for discharging liquid resin used for a resin adhesive for bonding semiconductor elements, the cross-sectional shape of the arrangement of the plurality of nozzles is formed radially outward from the center. A resin discharging device characterized by the following.
JP8101490A 1990-03-30 1990-03-30 Resin discharge device Pending JPH03283435A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8101490A JPH03283435A (en) 1990-03-30 1990-03-30 Resin discharge device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8101490A JPH03283435A (en) 1990-03-30 1990-03-30 Resin discharge device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03283435A true JPH03283435A (en) 1991-12-13

Family

ID=13734645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8101490A Pending JPH03283435A (en) 1990-03-30 1990-03-30 Resin discharge device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03283435A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009048214A (en) * 2005-11-29 2009-03-05 Seiko Instruments Inc Method for producing display arrangement, and lamination method
JP2011176321A (en) * 2000-07-17 2011-09-08 Board Of Regents The Univ Of Texas System Method and system of automatic liquid dispensing for imprint lithography process

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011176321A (en) * 2000-07-17 2011-09-08 Board Of Regents The Univ Of Texas System Method and system of automatic liquid dispensing for imprint lithography process
JP2009048214A (en) * 2005-11-29 2009-03-05 Seiko Instruments Inc Method for producing display arrangement, and lamination method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6316822B1 (en) Multichip assembly semiconductor
US5888847A (en) Technique for mounting a semiconductor die
US6388336B1 (en) Multichip semiconductor assembly
JP3207738B2 (en) Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same
WO2003083956A2 (en) Enhanced thermal dissipation integrated circuit package and method of manufacturing enhanced thermal dissipation integrated circuit package
JP2002319647A (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2002033411A (en) Semiconductor device with heat spreader and its manufacturing method
TW201921518A (en) Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device
US20080265393A1 (en) Stack package with releasing layer and method for forming the same
JP3561209B2 (en) Flip chip mounting binder and method of manufacturing semiconductor device using the same
JP2000150560A (en) Bump forming method, bump forming bonding tool, semiconductor wafer, semiconductor chip, semiconductor device, manufacture thereof, circuit substrate and electronic machine
US10128130B2 (en) Method for manufacturing a semiconductor device
JP4057875B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JPH03283435A (en) Resin discharge device
JP2585830B2 (en) Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same
WO2000008685A1 (en) Wiring substrate, method of manufacture thereof, and semiconductor device
JPH06132442A (en) Semiconductor device and its manufacture
JPH08250628A (en) Semiconductor integrated circuit device and its manufacture
JP4207696B2 (en) Manufacturing method of semiconductor package
JPS6313337A (en) Process of mounting semiconductor element
TW518732B (en) A semiconductor packaging process for ball grid array (BGA)
KR100499328B1 (en) Flip Chip Packaging Method using Dam
JP2001015669A (en) Lead frame, resin sealed semiconductor device using the same, and its manufacture
JP2785441B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3287233B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device