JPH0328162A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0328162A JPH0328162A JP1163038A JP16303889A JPH0328162A JP H0328162 A JPH0328162 A JP H0328162A JP 1163038 A JP1163038 A JP 1163038A JP 16303889 A JP16303889 A JP 16303889A JP H0328162 A JPH0328162 A JP H0328162A
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- Japan
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- nio
- dielectric porcelain
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Links
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- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title abstract 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 11
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電体共振器および高周波電子機器の基板など
の材料として使用ざれる誘電体磁器組或物に関するもの
である。
の材料として使用ざれる誘電体磁器組或物に関するもの
である。
従来の技術
従来から高周波領域（１００ＭＨｚ〜１０ＧＨｚ）で使
用されている誘電体磁器組成物としては、ＢａＯ−Ｔｉ
０２系材料を用いたもの（例え４ｆＨ．Ｍ．Ｏ Ｂｒｙ
゜ｎ，Ｊｒ．，Ｊ゜Ｔｈｏｍｓｏｎ，Ｊｒ．ａｎｄ Ｊ
．Ｋ゜Ｐｌｏｕｒ ｌｄｅ：Ｊ．Ａｍ．ｃｅｒａｍ．ｓ
ｏｃ．５７（１９７４）４５０）や、（Ｚｒ．Ｓｎ）Ｔ
ｉＯ＋を用いたもの（例えば特開昭５１−６７９９７号
、特開昭５１−６７９９８号）がある。
用されている誘電体磁器組成物としては、ＢａＯ−Ｔｉ
０２系材料を用いたもの（例え４ｆＨ．Ｍ．Ｏ Ｂｒｙ
゜ｎ，Ｊｒ．，Ｊ゜Ｔｈｏｍｓｏｎ，Ｊｒ．ａｎｄ Ｊ
．Ｋ゜Ｐｌｏｕｒ ｌｄｅ：Ｊ．Ａｍ．ｃｅｒａｍ．ｓ
ｏｃ．５７（１９７４）４５０）や、（Ｚｒ．Ｓｎ）Ｔ
ｉＯ＋を用いたもの（例えば特開昭５１−６７９９７号
、特開昭５１−６７９９８号）がある。
発明が解決しようとする課題
この従来の誘電体磁器組成物は、抗折強度が１５ Ｋｇ
／ａｍ２以下である。ところが、共振器の小型化を実現
したステップド・インピーダンス・レゾネータ及び容量
結合型ＢＰＦ （パンドパスフィルタ）の基板には、更
に高い抗折強度が要望されている。
／ａｍ２以下である。ところが、共振器の小型化を実現
したステップド・インピーダンス・レゾネータ及び容量
結合型ＢＰＦ （パンドパスフィルタ）の基板には、更
に高い抗折強度が要望されている。
そこで、本発明は要求特性が特に厳しい共振器の使用条
件において、抗折強度が２０Ｋｇ／ｃｍ２以上、共振周
波数５ＧＨｚにおける無負荷Ｑが９０００以上、比誘１
１′４εｒが約３７、共振器における共振周波数の温度
待性τｆが−５〜＋１５ｐｐｍ／℃という特性を有し、
高価なランタン族を使用した従来のものに対して安価な
誘電体磁器組成物を提供することを目的としたものであ
る。
件において、抗折強度が２０Ｋｇ／ｃｍ２以上、共振周
波数５ＧＨｚにおける無負荷Ｑが９０００以上、比誘１
１′４εｒが約３７、共振器における共振周波数の温度
待性τｆが−５〜＋１５ｐｐｍ／℃という特性を有し、
高価なランタン族を使用した従来のものに対して安価な
誘電体磁器組成物を提供することを目的としたものであ
る。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するため、本発明の誘電体磁器組成物は
（Ｚ ｒ Ｉ−ｘＳ ｎｘ） Ｔ ｉ ０４で表される
組成式のＸが０．３２〜０．４０の範囲である固溶体を
主成分とし、この主成分１００重量部に対して、Ｚｎ○
を１．０〜３．０重量部、ＮｉＯを０．１〜１．０重量
部、ＭｎＯ２を０．０５〜０．１５重量部の範囲で添加
したものである。
（Ｚ ｒ Ｉ−ｘＳ ｎｘ） Ｔ ｉ ０４で表される
組成式のＸが０．３２〜０．４０の範囲である固溶体を
主成分とし、この主成分１００重量部に対して、Ｚｎ○
を１．０〜３．０重量部、ＮｉＯを０．１〜１．０重量
部、ＭｎＯ２を０．０５〜０．１５重量部の範囲で添加
したものである。
作 用
（Ｚ ｒ １−ｘＳ ｎｘ） Ｔ ｉ○４で表される組
成式のＸが０．３２〜０．４０の範囲である誘電体磁器
組成物を合成することによって、抗折強度が２０κｇ／
ｃＩ１２以上、共振周波数５ＧＨｚにおける無負荷Ｑが
９０００以上、比誘電率εｒが約３７、共振器における
共振周波数の温度特性τｆが−５〜＋１５ｐｐ＋＊／℃
の誘電体磁器組成物を得ることができる。
成式のＸが０．３２〜０．４０の範囲である誘電体磁器
組成物を合成することによって、抗折強度が２０κｇ／
ｃＩ１２以上、共振周波数５ＧＨｚにおける無負荷Ｑが
９０００以上、比誘電率εｒが約３７、共振器における
共振周波数の温度特性τｆが−５〜＋１５ｐｐ＋＊／℃
の誘電体磁器組成物を得ることができる。
実施例
次に、上記組成式に置けるＸの値が０．３６である（Ｚ
ｒｏ．ｓ＋ｓ ｎｏ．３ｓ） Ｔ ｉ ０４成分が１
００重量部に対しＺｎ○が１．５０重量部、ＮｉＯが０
．５重量部、Ｍ ｎ Ｏ ２が０．１重量部からなる誘
電体磁器組成物の製造方法を説明する。
ｒｏ．ｓ＋ｓ ｎｏ．３ｓ） Ｔ ｉ ０４成分が１
００重量部に対しＺｎ○が１．５０重量部、ＮｉＯが０
．５重量部、Ｍ ｎ Ｏ ２が０．１重量部からなる誘
電体磁器組成物の製造方法を説明する。
まず、Ｚｒ○２の粉末３７．０２ｇ （０．６４モル相
当） 、Ｓ ｎ ０２の粉末２５．４７ｇ（０．３６モ
ル相当） 、Ｔ ｉ０２粉末３７．５１ｇ（１．０モル
相当）およびＺｎＯ，ＮｉＯ，Ｍｎ○２をそれぞれ２．
０重量部，０．５重量部，０．１重量部（Ｚｒ○２ １
Ｓ ｎ Ｏ ２ １ Ｔ Ｉ Ｏ ２の総量１００重
量部に対する）を秤量した。
当） 、Ｓ ｎ ０２の粉末２５．４７ｇ（０．３６モ
ル相当） 、Ｔ ｉ０２粉末３７．５１ｇ（１．０モル
相当）およびＺｎＯ，ＮｉＯ，Ｍｎ○２をそれぞれ２．
０重量部，０．５重量部，０．１重量部（Ｚｒ○２ １
Ｓ ｎ Ｏ ２ １ Ｔ Ｉ Ｏ ２の総量１００重
量部に対する）を秤量した。
この秤量粉末を純水と共にボールミルに入れ、２４時間
湿式粉砕混合した。こうして得られた混合物を１５０℃
の温度で６時間乾燥した。この粉砕物にポリビニルアル
コールをバインダーとして加え、１ ｔｏｎ／ｃ＋ａ２
の圧力で円板状に加圧整形し、次いで１３４０℃で焼成
を４時間行い、１０＋ａｍΦ、厚さ５ｎ＋＋ａの円柱形
誘電体Ｍｉ器組成物試料を得た。
湿式粉砕混合した。こうして得られた混合物を１５０℃
の温度で６時間乾燥した。この粉砕物にポリビニルアル
コールをバインダーとして加え、１ ｔｏｎ／ｃ＋ａ２
の圧力で円板状に加圧整形し、次いで１３４０℃で焼成
を４時間行い、１０＋ａｍΦ、厚さ５ｎ＋＋ａの円柱形
誘電体Ｍｉ器組成物試料を得た。
そして、この試料を誘電体共振器法によって測定し、共
振周波数（ｆｏ）における無負荷Ｑおよび比誘電率εｒ
を求めた。共振周波数の温度依存性τｆについては、−
２５℃〜＋５０℃の範囲で測定した。抗折強度は、３ｍ
ｍＸ３旧×２５■形状の試料を用いて測定した。
振周波数（ｆｏ）における無負荷Ｑおよび比誘電率εｒ
を求めた。共振周波数の温度依存性τｆについては、−
２５℃〜＋５０℃の範囲で測定した。抗折強度は、３ｍ
ｍＸ３旧×２５■形状の試料を用いて測定した。
また、他の試料についても前記試料と同様にして作成し
、同じ条件で各特性を測定し、その測定値を第１表に示
した。この実施例と比較するために、本発明の用件を満
たさない誘電体磁器組成物を同時に作成し、これら比較
例について実施例と同じ方法と条件で前記特性を測定し
た。この結果も第１表に併せて示している。
、同じ条件で各特性を測定し、その測定値を第１表に示
した。この実施例と比較するために、本発明の用件を満
たさない誘電体磁器組成物を同時に作成し、これら比較
例について実施例と同じ方法と条件で前記特性を測定し
た。この結果も第１表に併せて示している。
第１表から明らかなように、比較例１〜３ （Ｘ＝０．
３０） および比較例１０ 〜１２ （Ｘ＝０．４２）
では、共振周波数の温度特性τｆの範囲である−５〜＋
１５ｐｐｍ／℃を満足しない。また比較例４〜９におい
ては無負荷Ｑまたは抗折強度の低下が認められた。本発
明による試料１〜９のように添加物であるＺｎ○，Ｎｉ
Ｏ．ＭｎＯ２の範囲が、１．０〜３．０重量部，０４１
〜１．０重量部，０．０５〜０．１５重量部であるよう
な各試料では、抗折強度が２０Ｋｇ／ｍｍ２＋ ｅ ｒ
＃３ ７ ＋ Ｑ＝９０００以上というい良好な特性
値が得られた。
３０） および比較例１０ 〜１２ （Ｘ＝０．４２）
では、共振周波数の温度特性τｆの範囲である−５〜＋
１５ｐｐｍ／℃を満足しない。また比較例４〜９におい
ては無負荷Ｑまたは抗折強度の低下が認められた。本発
明による試料１〜９のように添加物であるＺｎ○，Ｎｉ
Ｏ．ＭｎＯ２の範囲が、１．０〜３．０重量部，０４１
〜１．０重量部，０．０５〜０．１５重量部であるよう
な各試料では、抗折強度が２０Ｋｇ／ｍｍ２＋ ｅ ｒ
＃３ ７ ＋ Ｑ＝９０００以上というい良好な特性
値が得られた。
第１表
発明の効果
本発明によれば、抗折強度が２ ０Ｋｇ／＋ｕ＋２以上
で、５ＧＨｚにおける無負荷Ｑが９０００〜１００００
と高く、比誘電率Ｓｒが３６．６ 〜３６．９．共振周
波数の温度特性τｆが−４．６〜＋１４．８という優れ
た諸特性を有する誘電体磁器組成物が得られた。また、
高価な原料も使用していないので安価で有用な工業的利
用価値の高い誘電体磁ＮＨｉ成物を提供できる。
で、５ＧＨｚにおける無負荷Ｑが９０００〜１００００
と高く、比誘電率Ｓｒが３６．６ 〜３６．９．共振周
波数の温度特性τｆが−４．６〜＋１４．８という優れ
た諸特性を有する誘電体磁器組成物が得られた。また、
高価な原料も使用していないので安価で有用な工業的利
用価値の高い誘電体磁ＮＨｉ成物を提供できる。
Claims (1)
- （Ｚｒ＿１＿−＿ｘＳｎ＿ｘ）ＴｉＯ＿４（但し０．３
２≦ｘ≦０．４０）１００重量部に対し、ＺｎＯを１．
０〜３．０重量部、ＮｉＯを０．１〜１．０重量部、Ｍ
ｎＯ＿２を０．０５〜０．１５重量部添加してなること
を特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1163038A JPH0328162A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1163038A JPH0328162A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0328162A true JPH0328162A (ja) | 1991-02-06 |
Family
ID=15766003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1163038A Pending JPH0328162A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0328162A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7393736B2 (en) | 2005-08-29 | 2008-07-01 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of Zrx Hfy Sn1-x-y O2 films as high k gate dielectrics |
| US7402876B2 (en) * | 2002-12-04 | 2008-07-22 | Micron Technology, Inc. | Zr— Sn—Ti—O films |
| WO2012086740A1 (ja) * | 2010-12-22 | 2012-06-28 | 京セラ株式会社 | 誘電体セラミックスおよびこれを備える誘電体フィルタ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60176968A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-11 | 日揮株式会社 | ＳｎＯ↓２−ΖｒＯ↓２−ＴｉＯ↓２系誘電体磁器の製造法 |
-
1989
- 1989-06-26 JP JP1163038A patent/JPH0328162A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60176968A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-11 | 日揮株式会社 | ＳｎＯ↓２−ΖｒＯ↓２−ＴｉＯ↓２系誘電体磁器の製造法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7402876B2 (en) * | 2002-12-04 | 2008-07-22 | Micron Technology, Inc. | Zr— Sn—Ti—O films |
| US7393736B2 (en) | 2005-08-29 | 2008-07-01 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of Zrx Hfy Sn1-x-y O2 films as high k gate dielectrics |
| WO2012086740A1 (ja) * | 2010-12-22 | 2012-06-28 | 京セラ株式会社 | 誘電体セラミックスおよびこれを備える誘電体フィルタ |
| US9006122B2 (en) | 2010-12-22 | 2015-04-14 | Kyocera Corporation | Dielectric ceramic and dielectric filter having the same |
| JP5726209B2 (ja) * | 2010-12-22 | 2015-05-27 | 京セラ株式会社 | 誘電体セラミックスおよびこれを備える誘電体フィルタ |
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