JPH03280382A - 赤外線ヒータ - Google Patents
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- JPH03280382A JPH03280382A JP7970390A JP7970390A JPH03280382A JP H03280382 A JPH03280382 A JP H03280382A JP 7970390 A JP7970390 A JP 7970390A JP 7970390 A JP7970390 A JP 7970390A JP H03280382 A JPH03280382 A JP H03280382A
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Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、絶縁性基体の表面に導電膜からなる発熱体を
付設して構成した赤外線ヒータに関する。
付設して構成した赤外線ヒータに関する。
(従来の技術)
例えば、食品の乾燥や工業用各種部品の乾燥に赤外線ヒ
ータが使用されている。
ータが使用されている。
このような分野で使用される従来の赤外線ヒータとして
は、第3図および第4図に示すような構造のヒータが知
られている。このものは、アルミナなどのような絶縁性
セラミックスからなる円筒形の基体1と、この基体1の
表面に形成された例えばグラファイトなどのようなカー
ボン系の導電性被膜からなる発熱体2と、上記円筒形基
体1の端部に取り付けられた受電端子3.3とで構成さ
れている。
は、第3図および第4図に示すような構造のヒータが知
られている。このものは、アルミナなどのような絶縁性
セラミックスからなる円筒形の基体1と、この基体1の
表面に形成された例えばグラファイトなどのようなカー
ボン系の導電性被膜からなる発熱体2と、上記円筒形基
体1の端部に取り付けられた受電端子3.3とで構成さ
れている。
上記円筒形基体1は、加圧成形により円筒形状に成形さ
れて焼成されたものであり、がっ導電性被膜からなる発
熱体2はこの円筒形基体1の外表面に、スパッターリン
グまたは塗布方法により付着されている。
れて焼成されたものであり、がっ導電性被膜からなる発
熱体2はこの円筒形基体1の外表面に、スパッターリン
グまたは塗布方法により付着されている。
上記導電性被膜からなる発熱体2はこの円筒形基体1の
外表面に蛇行形の帯状に形成され、この蛇行形帯状をな
す発熱体2の両端部が上記円筒形基体1の端部に取り付
けられた受電端子3.3に接続されている。
外表面に蛇行形の帯状に形成され、この蛇行形帯状をな
す発熱体2の両端部が上記円筒形基体1の端部に取り付
けられた受電端子3.3に接続されている。
したがって、受電端子3.3を電源に接続すれば発熱体
2に電流が流れ、この発熱体2が発熱して赤外線を放出
する。
2に電流が流れ、この発熱体2が発熱して赤外線を放出
する。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記従来の構造の場合、グラファイトな
どのような導電性被膜からなる発熱体2はアルミナなど
のような絶縁性セラミックスからなる円筒形の基体1の
表面に、単にスパッターリングまたは塗布方法により付
着されているだけであるから被膜2の付着強度が低く、
つまり導電外被II2の基体1に対する結着力が弱い不
具合がある。
どのような導電性被膜からなる発熱体2はアルミナなど
のような絶縁性セラミックスからなる円筒形の基体1の
表面に、単にスパッターリングまたは塗布方法により付
着されているだけであるから被膜2の付着強度が低く、
つまり導電外被II2の基体1に対する結着力が弱い不
具合がある。
このため、機械的な衝撃や急激な温度変化等のような熱
的衝撃が加えられると導電性被膜2が剥離し易い。
的衝撃が加えられると導電性被膜2が剥離し易い。
このような剥離部分は局部的に高温度になって温度むら
を生じたり、この剥離部分が高温のために蒸発して時間
経過に伴って抵抗が大きくなったり、入力に対する発熱
特性が低下したり、さらには断線する等の不具合もある
。
を生じたり、この剥離部分が高温のために蒸発して時間
経過に伴って抵抗が大きくなったり、入力に対する発熱
特性が低下したり、さらには断線する等の不具合もある
。
また、従来の場合は導電性被膜2が直接剥き出して大気
に露出されており、このため被膜2の表面に塵や埃が付
着堆積してこれら塵や埃が赤外線の放射効率を低下させ
たり、被膜2が酸素と反応して抵抗値が増大して温度が
低下したり、被膜2が破損する等の不具合を招く。
に露出されており、このため被膜2の表面に塵や埃が付
着堆積してこれら塵や埃が赤外線の放射効率を低下させ
たり、被膜2が酸素と反応して抵抗値が増大して温度が
低下したり、被膜2が破損する等の不具合を招く。
さらに、導電性被膜2が直接剥き出しであると、取り扱
い中に導電性被膜2に傷を付けたり、表面を汚し、温度
むらを発生させる不具合もある。
い中に導電性被膜2に傷を付けたり、表面を汚し、温度
むらを発生させる不具合もある。
本発明はこのような事情にもとづきなされたもので、そ
の目的とするところは、導電性被膜の基体に対する結着
力を強くして剥離を防止するとともに、この導電性被膜
の表面に汚れや傷が付くのを防止することができる赤外
線ヒータを提供しようとするものである。
の目的とするところは、導電性被膜の基体に対する結着
力を強くして剥離を防止するとともに、この導電性被膜
の表面に汚れや傷が付くのを防止することができる赤外
線ヒータを提供しようとするものである。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明は、絶縁性基体の表面に導電膜からなる発熱体を
付設してなる赤外線ヒータにおいて、上記基体の表面に
上記導電膜を気相成長法により形成し、かっこの基体を
赤外線透過性の密封容器に収容し、この密封容器の内部
を真空または不活性ガス雰囲気にしたことを特徴とする
。
付設してなる赤外線ヒータにおいて、上記基体の表面に
上記導電膜を気相成長法により形成し、かっこの基体を
赤外線透過性の密封容器に収容し、この密封容器の内部
を真空または不活性ガス雰囲気にしたことを特徴とする
。
(作 用)
本発明によれば、導電膜を基体の表面に気相成長法によ
り形成したので、導電性被膜の基体に対する結着力が強
くなり、剥離を防止することができる。また、上記基体
を赤外線透過性の密封容器に収容したので、導電膜が直
接大気に露出されなくなり、導電膜の表面の汚や傷付き
を防止することができる。
り形成したので、導電性被膜の基体に対する結着力が強
くなり、剥離を防止することができる。また、上記基体
を赤外線透過性の密封容器に収容したので、導電膜が直
接大気に露出されなくなり、導電膜の表面の汚や傷付き
を防止することができる。
【実施例)
以下本発明について、第1図および第2図に示す一実施
例にもとづき説明する。
例にもとづき説明する。
図において11は絶縁性円筒形の基体、12はこの基体
11の表面に形成された導電性被膜からなる発熱体、1
3.13は上記円筒形基体11の端部に取り付けられた
ホルダー兼用の受電端子である。
11の表面に形成された導電性被膜からなる発熱体、1
3.13は上記円筒形基体11の端部に取り付けられた
ホルダー兼用の受電端子である。
14は上記円筒形基体11を覆う密封容器であり、赤外
線透過材料、例えば円筒形のアルミナにて形成されてい
る。この密封容器14の両端部はキャップ15.15に
より気密に閉塞されており、これらキャップ15.15
の中央部には封止チューブ16.16が接合されている
。これら封止チューブ16.16には、上記円筒形基体
11の端部に取り付けられたホルダー兼用の受電端子1
3.13が貫通して外部に導出されており、このため円
筒形基体11は密封容器14の中心位置に同心状に保持
されている。なお、受電端子13.13と封止チューブ
コロ、16は気密に接合されている。
線透過材料、例えば円筒形のアルミナにて形成されてい
る。この密封容器14の両端部はキャップ15.15に
より気密に閉塞されており、これらキャップ15.15
の中央部には封止チューブ16.16が接合されている
。これら封止チューブ16.16には、上記円筒形基体
11の端部に取り付けられたホルダー兼用の受電端子1
3.13が貫通して外部に導出されており、このため円
筒形基体11は密封容器14の中心位置に同心状に保持
されている。なお、受電端子13.13と封止チューブ
コロ、16は気密に接合されている。
上記密封容器14内部は、例えば10−’T orr程
度の高真空に保たれている。
度の高真空に保たれている。
さらに詳シ、<説明すると、本実施例の円筒形基体11
は、ボロンナイトライドなどのような絶縁性セラミック
スにより形成されており、この基体11は気相成長法に
より製造されている。
は、ボロンナイトライドなどのような絶縁性セラミック
スにより形成されており、この基体11は気相成長法に
より製造されている。
上記ボロンナイトライドの気相成長法c構成された基体
11は、例えば内径1211%外径1411、長さ25
0mmの真円の円筒形になっている。
11は、例えば内径1211%外径1411、長さ25
0mmの真円の円筒形になっている。
二の基体11の表面に形成された導電性被膜からなる発
熱体12は、グラファイトなどのようなカーボン系材料
からなり、この基体11の表面に気相成長法により形成
されている。上記導電性被膜からなる発熱体12は円筒
形基体11の外表面に軸方向に長い蛇行形をなす帯状に
形成されている。この場合、膜厚は0.1mm、帯の幅
は5■、隣接する帯間の間隔は0,6■に形成されてい
る。
熱体12は、グラファイトなどのようなカーボン系材料
からなり、この基体11の表面に気相成長法により形成
されている。上記導電性被膜からなる発熱体12は円筒
形基体11の外表面に軸方向に長い蛇行形をなす帯状に
形成されている。この場合、膜厚は0.1mm、帯の幅
は5■、隣接する帯間の間隔は0,6■に形成されてい
る。
このような蛇行形厚電性被膜1−3の端部は、基体11
の端部に固定された受電端子13.13に接続されてい
る。なお、受電端子13.13は基体11に対して導電
性耐熱接着剤などにより接合されている。
の端部に固定された受電端子13.13に接続されてい
る。なお、受電端子13.13は基体11に対して導電
性耐熱接着剤などにより接合されている。
密封容器14は、外径26+u+、内径24Illal
、管長400■の透光性アルミナチューブで形成されて
おり、上記導電性被膜からなる発熱体12より放射され
た赤外線を透過する。密封容器14の両端を閉塞するキ
ャップ15.15も透光性アルミナにより形成されてお
り、封止チューブ16.16はニオビウムのような耐熱
性金属で形成されている。
、管長400■の透光性アルミナチューブで形成されて
おり、上記導電性被膜からなる発熱体12より放射され
た赤外線を透過する。密封容器14の両端を閉塞するキ
ャップ15.15も透光性アルミナにより形成されてお
り、封止チューブ16.16はニオビウムのような耐熱
性金属で形成されている。
そして、本実施例では、実質的に密封容器14内が10
−5T orr程度の高真空に保たれている。
−5T orr程度の高真空に保たれている。
なお、このようなヒータの製造方法を説明する。
まず、基体11の製造方法から説明すると、直径11.
.5mm、長さ300■のカーボンよりなる芯材を用意
する。この芯材を気相成長作業用容器に収容し、この容
器内を真空に排気する。上記容器内で芯材を例えば約2
000℃に加熱し1、この温度を維持しつつ芯材に回転
を与える。この状態で容器内に、少量の3塩化硼素(B
Cl2)と少量のアンモニア(NH3)のガスを注入す
ると、上記カーボンからなる芯材の表面に化学反応、つ
まり気相成長によってボロンナイトライドが形成される
。これを所定時間継続することにより、例えば芯材の表
面に肉厚が1.25mm程度のボロンナイトライドの円
筒形が形成される。
.5mm、長さ300■のカーボンよりなる芯材を用意
する。この芯材を気相成長作業用容器に収容し、この容
器内を真空に排気する。上記容器内で芯材を例えば約2
000℃に加熱し1、この温度を維持しつつ芯材に回転
を与える。この状態で容器内に、少量の3塩化硼素(B
Cl2)と少量のアンモニア(NH3)のガスを注入す
ると、上記カーボンからなる芯材の表面に化学反応、つ
まり気相成長によってボロンナイトライドが形成される
。これを所定時間継続することにより、例えば芯材の表
面に肉厚が1.25mm程度のボロンナイトライドの円
筒形が形成される。
このような方法により、表面に気相成長によってボロン
ナイトライドを形成した芯材を上記気相成長作業用容器
から取り出し、旋盤加工により上記カーボンよりなる芯
材を削り出す。この場合、芯材の外径が11.5+aI
11.ボロンナイトライド基体11の内径は12mm、
外径が14ma+であるから、上記切削によりカーボン
芯材を削り取って除去し、かつボロンナイトライド層の
内面を若干削ることにより前記した内径が12II11
1外径が1.4111mの円筒形基体11を得ることが
できる。
ナイトライドを形成した芯材を上記気相成長作業用容器
から取り出し、旋盤加工により上記カーボンよりなる芯
材を削り出す。この場合、芯材の外径が11.5+aI
11.ボロンナイトライド基体11の内径は12mm、
外径が14ma+であるから、上記切削によりカーボン
芯材を削り取って除去し、かつボロンナイトライド層の
内面を若干削ることにより前記した内径が12II11
1外径が1.4111mの円筒形基体11を得ることが
できる。
これを、所定長さに切断すれば、ボロンナイトライドか
らなる円筒形基体11が完成する。
らなる円筒形基体11が完成する。
次に、発熱体12としての導電性被膜を作る場合を説明
する。
する。
上記気相成長法で得られたボロンナイトライドからなる
円筒形基体11を気相成長作業用容器に収容し、この容
器内を真空に排気する。上記容器内で円筒形基体11を
例えば約2000℃に加熱し、この温度を維持しつつ円
筒形基体11に回転を与える。この状態で容器内に、少
量のエタンまたはメタンガスを注入する。すると、上記
ボロンナイトライドからなる円筒形基体11の表面に化
学反応、つまり気相成長によってカーボンが形成される
。これを所定時間継続することにより、例えば所定膜厚
、例えば0.1mm程度の導電性発熱被膜が形成される
。
円筒形基体11を気相成長作業用容器に収容し、この容
器内を真空に排気する。上記容器内で円筒形基体11を
例えば約2000℃に加熱し、この温度を維持しつつ円
筒形基体11に回転を与える。この状態で容器内に、少
量のエタンまたはメタンガスを注入する。すると、上記
ボロンナイトライドからなる円筒形基体11の表面に化
学反応、つまり気相成長によってカーボンが形成される
。これを所定時間継続することにより、例えば所定膜厚
、例えば0.1mm程度の導電性発熱被膜が形成される
。
この後、上記導電性発熱被膜を形成した円筒形基体11
を気相成長作業用容器から取り出し、この導電性発熱被
膜を切削手段などにより、蛇行形の帯となるように加工
する。
を気相成長作業用容器から取り出し、この導電性発熱被
膜を切削手段などにより、蛇行形の帯となるように加工
する。
このようにすれば、ヒータの内部構造体が完成され、こ
の内部構造体を前記外管としての密封容器14内に収容
し、封止チューブ16により内部雰囲気を真空にしてこ
れを封止することにより本実施例のヒータが完成される
。
の内部構造体を前記外管としての密封容器14内に収容
し、封止チューブ16により内部雰囲気を真空にしてこ
れを封止することにより本実施例のヒータが完成される
。
このような構成のヒータについて、作用を説明する。
受電端子13.13を電源に接続すると、発熱体12に
電流が流れ、この発熱体12が発熱する。
電流が流れ、この発熱体12が発熱する。
この場合、発熱体12は円筒形基体11の外表面に軸方
向に長い蛇行形をなす帯状に形成され、軸方向に所定長
さを有するとともに周方向に一定間隔をなして配置され
ているので、所定の長さに亘りかつ周方向に均等に赤外
線を放出することかできる。
向に長い蛇行形をなす帯状に形成され、軸方向に所定長
さを有するとともに周方向に一定間隔をなして配置され
ているので、所定の長さに亘りかつ周方向に均等に赤外
線を放出することかできる。
この赤外線は密封容器14を透過して外部に放出される
。
。
このような実施例においては、円筒形基体11が気相成
長によってボロンナイトライドにて形成されているので
、従来の基体1に比べて軽量になる。つまり、従来の円
筒形の基体1はアルミナなどを加圧成形して焼成してい
たので、加圧成形およびその後の焼成工程で破損しない
ように、肉厚がある程度大きく保たれていた。
長によってボロンナイトライドにて形成されているので
、従来の基体1に比べて軽量になる。つまり、従来の円
筒形の基体1はアルミナなどを加圧成形して焼成してい
たので、加圧成形およびその後の焼成工程で破損しない
ように、肉厚がある程度大きく保たれていた。
これに対して、本実施例の円筒形基体11は気相成長に
よってボロンナイトライドで形成されているので、薄肉
に形成することができ、よって軽量になる。
よってボロンナイトライドで形成されているので、薄肉
に形成することができ、よって軽量になる。
円筒形基体11が薄肉、軽量になれば、取扱いが容易で
あり、ヒータとして軽量化が実現する。
あり、ヒータとして軽量化が実現する。
そして、本実施例の導電性被膜発熱体12は、上記ボロ
ンナイトライドからなる円筒形基体11の表面に化学反
応、つまり気相成長によって形成したので、導電性被膜
12の基体11に対する結着力が極めて強くなる。
ンナイトライドからなる円筒形基体11の表面に化学反
応、つまり気相成長によって形成したので、導電性被膜
12の基体11に対する結着力が極めて強くなる。
このため、機械的な衝撃や急激な温度変化等のような熱
的衝撃が加えられても、導電性被膜12の剥離が防止さ
れる。
的衝撃が加えられても、導電性被膜12の剥離が防止さ
れる。
よって、剥離による局部的に発熱が防止され、温度むら
や発熱特性の劣化か軽減されるとともに断線も防止され
る。
や発熱特性の劣化か軽減されるとともに断線も防止され
る。
また、上記導電性被膜12を形成した円筒形基体11は
密封容器14内に収容し、導電性被膜12の周囲は真空
に保たれているので、導電性被膜12が直接大気に剥き
出しにならず、被膜12の表面に塵や埃が付着堆積する
のが防止される。
密封容器14内に収容し、導電性被膜12の周囲は真空
に保たれているので、導電性被膜12が直接大気に剥き
出しにならず、被膜12の表面に塵や埃が付着堆積する
のが防止される。
したがって、これら塵や埃による赤外線の放射を阻害す
るような不具合が防止され、また被膜12が酸素と反応
しないので抵抗値が増大したり、温度が低下したり、被
膜12が破損する等の不具合が解消される。
るような不具合が防止され、また被膜12が酸素と反応
しないので抵抗値が増大したり、温度が低下したり、被
膜12が破損する等の不具合が解消される。
さらにまた、導電性被膜12は密封容器14で覆われる
ので、取り扱い中に導電性被膜12が直接向かに接触し
て傷を受けたり、表面が汚れる等の不具合も防止される
。
ので、取り扱い中に導電性被膜12が直接向かに接触し
て傷を受けたり、表面が汚れる等の不具合も防止される
。
上記実施例に記載したヒータを3本製造し、これらを8
00℃、1000℃、1200℃の温度でそれぞれ50
時間通電発熱させた場合の実験結果について説明する。
00℃、1000℃、1200℃の温度でそれぞれ50
時間通電発熱させた場合の実験結果について説明する。
これらヒータは、いづれの温度領域であっても、導電性
被膜発熱体12の剥離、温度むらおよび溶断は認められ
なかった。
被膜発熱体12の剥離、温度むらおよび溶断は認められ
なかった。
また、導電性被膜発熱体12を大気中に剥き出しで使用
した場合は600℃が使用限界であるが、上記実験によ
るとその2倍の1200℃であっても使用前と比べて抵
抗値の変化は見られず、かつ放射効率の低下も認められ
なかった。
した場合は600℃が使用限界であるが、上記実験によ
るとその2倍の1200℃であっても使用前と比べて抵
抗値の変化は見られず、かつ放射効率の低下も認められ
なかった。
なお、上記実施例の場合、密封容器14の内部を真空雰
囲気に保つようにしたが、これに代わって、密封容器1
4の内部を不活性ガスの雰囲気に維持してもよい。
囲気に保つようにしたが、これに代わって、密封容器1
4の内部を不活性ガスの雰囲気に維持してもよい。
不活性ガスとしては、アルゴン(Ar)キセノン(Xe
)、クリプトン(Kr)、ネオン(Ne)および窒素(
N2)がよい。
)、クリプトン(Kr)、ネオン(Ne)および窒素(
N2)がよい。
他の不活性ガスとして知られているヘリウム(He)を
使用すると、1200℃程度の高温で使用した場合にヘ
リウムガスが密封容器14を構成するアルミナの結晶粒
界を透過して容器外に飛散し、導電性被膜発熱体12間
で放電を発生して抵抗値の変化を招くことが確認されて
おり、したがってヘリウムは好ましくない。
使用すると、1200℃程度の高温で使用した場合にヘ
リウムガスが密封容器14を構成するアルミナの結晶粒
界を透過して容器外に飛散し、導電性被膜発熱体12間
で放電を発生して抵抗値の変化を招くことが確認されて
おり、したがってヘリウムは好ましくない。
ヘリウムを除いて、上記アルゴン、キセノン、クリプト
ン、ネオンおよび窒素であれば、前記実施例の真空の場
合と同様な効果が得られる。なお、窒素は厳密な意味で
不活性ガスではないとされる場合もあるが、本発明では
同様の効果があるので不活性ガスに含めるものとする。
ン、ネオンおよび窒素であれば、前記実施例の真空の場
合と同様な効果が得られる。なお、窒素は厳密な意味で
不活性ガスではないとされる場合もあるが、本発明では
同様の効果があるので不活性ガスに含めるものとする。
但し、これら不活性ガスにおいては、封入ガス圧が50
〜500 T orrの範囲であることが望ましい。
〜500 T orrの範囲であることが望ましい。
すなわち、封入ガス圧が50 T orr未満の場合は
、不活性ガス量が不足し、1000℃や1200℃の高
温で使用した場合に導電性被膜発熱体12間で放電を発
生し、被膜の蒸発を生じたり、抵抗値が25%以上も増
大し、かつ放射効率が15%も低下するのが見られる。
、不活性ガス量が不足し、1000℃や1200℃の高
温で使用した場合に導電性被膜発熱体12間で放電を発
生し、被膜の蒸発を生じたり、抵抗値が25%以上も増
大し、かつ放射効率が15%も低下するのが見られる。
また、封入ガス圧が500Torrを超える場合は、1
200℃の高温で使用した場合に密封容器14内の圧力
が高くなり過ぎ、容器を封止tでいる接合部からガスの
漏れなどが生じ、容器の破損も心配される。
200℃の高温で使用した場合に密封容器14内の圧力
が高くなり過ぎ、容器を封止tでいる接合部からガスの
漏れなどが生じ、容器の破損も心配される。
なお、上記不活性ガスはこれらを単体で使用してもよい
が、2種以上の不活性ガスを混合して使用してもよいこ
とは勿論である。
が、2種以上の不活性ガスを混合して使用してもよいこ
とは勿論である。
また、上記実施例では、円筒形基体11を気相成長によ
るボロンナイトライドにより形成したが、本発明はこれ
に限らず、基体は従来のようにアルミナなどを加圧成形
して焼成したものであっても同様の効果があり、この場
合でも実施可能である。
るボロンナイトライドにより形成したが、本発明はこれ
に限らず、基体は従来のようにアルミナなどを加圧成形
して焼成したものであっても同様の効果があり、この場
合でも実施可能である。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、発熱体となる導電
膜を基体の表面に気相成長法により形成したので、導電
性被膜の基体に対する結着力が強くなり、剥離を防止す
ることができる。このため、機械的な衝撃や急激な温度
変化等のような熱的衝撃が加えられても、導電性被膜の
剥離が防止され、剥離による局部的に発熱が防止され、
温度むらや発熱特性の劣化が軽減されるとともに断線も
防止される。また、上記導電膜を形成した基体を赤外線
透過の密封容器に収容したので、導電膜が直接大気に剥
き出しにならず、この被膜の表面に塵や埃が付着堆積す
るのが防止され、赤外線の放射を阻害することがなくな
るとともに、被膜が酸素と反応するのが防止され、抵抗
値や放射効率が低下するのが防止される。さらに導電性
被膜が容器で保護されるので、取り扱い中に導電性被膜
が傷を受けたり、表面が汚れる等の不具合も防止される
。
膜を基体の表面に気相成長法により形成したので、導電
性被膜の基体に対する結着力が強くなり、剥離を防止す
ることができる。このため、機械的な衝撃や急激な温度
変化等のような熱的衝撃が加えられても、導電性被膜の
剥離が防止され、剥離による局部的に発熱が防止され、
温度むらや発熱特性の劣化が軽減されるとともに断線も
防止される。また、上記導電膜を形成した基体を赤外線
透過の密封容器に収容したので、導電膜が直接大気に剥
き出しにならず、この被膜の表面に塵や埃が付着堆積す
るのが防止され、赤外線の放射を阻害することがなくな
るとともに、被膜が酸素と反応するのが防止され、抵抗
値や放射効率が低下するのが防止される。さらに導電性
被膜が容器で保護されるので、取り扱い中に導電性被膜
が傷を受けたり、表面が汚れる等の不具合も防止される
。
第1図および第2図は本発明の一実施例を示し、第1図
はヒータの側面図、第2図は第1図中■−■線の断面図
、第3図および第4図は従来の構造を示し、第3図はヒ
ータの側面図、第4図は第3図中IV−IV線の断面図
である。 ・・・円筒形基体、 2・・・導電性発熱被膜、 3・・・端子、 4・・・密封容器、 5・・・キャ ツブ。
はヒータの側面図、第2図は第1図中■−■線の断面図
、第3図および第4図は従来の構造を示し、第3図はヒ
ータの側面図、第4図は第3図中IV−IV線の断面図
である。 ・・・円筒形基体、 2・・・導電性発熱被膜、 3・・・端子、 4・・・密封容器、 5・・・キャ ツブ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶縁性基体の表面に導電膜からなる発熱体を付設してな
る赤外線ヒータにおいて、 上記基体の表面に上記導電膜を気相成長法により形成し
、かつこの基体を赤外線透過性の密封容器に収容し、こ
の密封容器内部を真空または不活性ガス雰囲気にしたこ
とを特徴とする赤外線ヒータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7970390A JPH03280382A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 赤外線ヒータ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7970390A JPH03280382A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 赤外線ヒータ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03280382A true JPH03280382A (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=13697570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7970390A Pending JPH03280382A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 赤外線ヒータ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03280382A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040092271A (ko) * | 2003-04-25 | 2004-11-03 | 엘지전자 주식회사 | 방열핀이 구비된 세라믹 튜브 히터 및 그의 제조방법 |
JP2018538660A (ja) * | 2015-10-23 | 2018-12-27 | ナノコンプ テクノロジーズ,インク. | 方向付けられた赤外線放射装置 |
CN110592557A (zh) * | 2019-10-21 | 2019-12-20 | 山东国晶新材料有限公司 | 一种内cvd沉积立体式复合陶瓷加热器 |
JP2021188399A (ja) * | 2020-06-01 | 2021-12-13 | 東芝ライテック株式会社 | 融雪用管状ヒータ及び融雪装置 |
-
1990
- 1990-03-28 JP JP7970390A patent/JPH03280382A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040092271A (ko) * | 2003-04-25 | 2004-11-03 | 엘지전자 주식회사 | 방열핀이 구비된 세라믹 튜브 히터 및 그의 제조방법 |
JP2018538660A (ja) * | 2015-10-23 | 2018-12-27 | ナノコンプ テクノロジーズ,インク. | 方向付けられた赤外線放射装置 |
US11071174B2 (en) | 2015-10-23 | 2021-07-20 | Nanocomp Technologies, Inc. | Directed infrared radiator article |
CN110592557A (zh) * | 2019-10-21 | 2019-12-20 | 山东国晶新材料有限公司 | 一种内cvd沉积立体式复合陶瓷加热器 |
CN110592557B (zh) * | 2019-10-21 | 2020-06-26 | 山东国晶新材料有限公司 | 一种内cvd沉积立体式复合陶瓷加热器 |
JP2021188399A (ja) * | 2020-06-01 | 2021-12-13 | 東芝ライテック株式会社 | 融雪用管状ヒータ及び融雪装置 |
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