JPH03277927A - 光―周波数変換装置 - Google Patents
光―周波数変換装置Info
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- JPH03277927A JPH03277927A JP7684590A JP7684590A JPH03277927A JP H03277927 A JPH03277927 A JP H03277927A JP 7684590 A JP7684590 A JP 7684590A JP 7684590 A JP7684590 A JP 7684590A JP H03277927 A JPH03277927 A JP H03277927A
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- circuit
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- integrating
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- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、入力光の強度に応じた周波数信号を発生する
光−周波数変換装置に関する。
光−周波数変換装置に関する。
一般に、印刷用版板やプリント回路基板などの製作工程
では、感光材を塗布した版材に原稿フィルムを重ね合せ
、その上から紫外線を照射して焼付を行う。その際、照
射される光量は光源の電源電圧の変動や光源の劣化など
に対して常に一定であることが望まれる。そこで、従来
では光量を制御するために光−周波数変換装置を使用し
ている。
では、感光材を塗布した版材に原稿フィルムを重ね合せ
、その上から紫外線を照射して焼付を行う。その際、照
射される光量は光源の電源電圧の変動や光源の劣化など
に対して常に一定であることが望まれる。そこで、従来
では光量を制御するために光−周波数変換装置を使用し
ている。
この種の従来の光−周波数変換装置は、第3図に示すよ
うに、受光素子1により入力光強度に比例した電流信号
を発生させ、これを演算増幅器3と帰還抵抗5より成る
I/V変換回路7に加えて電圧信号に変換し、この電圧
信号をV/F変換回路9に通して、上記入力光強度に比
例した周波数信号を得るものである。
うに、受光素子1により入力光強度に比例した電流信号
を発生させ、これを演算増幅器3と帰還抵抗5より成る
I/V変換回路7に加えて電圧信号に変換し、この電圧
信号をV/F変換回路9に通して、上記入力光強度に比
例した周波数信号を得るものである。
しかしながら、この種の従来の装置では、受光素子のダ
イナミックレンジは通常106程度であるのに対し、I
/V変換回路7を構成する演算増幅器3のダイナミック
レンジは実用上103程度と低い。そのため、結果とし
て103程度の強度比の測定しかできないという問題が
ある。
イナミックレンジは通常106程度であるのに対し、I
/V変換回路7を構成する演算増幅器3のダイナミック
レンジは実用上103程度と低い。そのため、結果とし
て103程度の強度比の測定しかできないという問題が
ある。
また、光源が例えばパルス状の発光をしているとき、I
/V変換回路7の出力がピークで飽和領域に達してしま
うことがあり、そうした場合は正確な光量測定ができな
いという問題がある。
/V変換回路7の出力がピークで飽和領域に達してしま
うことがあり、そうした場合は正確な光量測定ができな
いという問題がある。
そこで、本発明の目的は、ダイナミックレンジの広い測
光が可能で、かつパルス状の発光光量を正確に測定でき
る光−周波数変換装置を提供することにある。
光が可能で、かつパルス状の発光光量を正確に測定でき
る光−周波数変換装置を提供することにある。
本発明は、入力光の強度に応じたレベルの電気信号を発
生する受光手段と、この受光手段の出力信号を積分する
積分手段と、この積分手段の出力信号のレベルを所定の
基準レベルと比較する比較手段と、この比較手段からの
比較結果の切換わりに応答して積分手段の出力信号レベ
ルを所定の初期レベルにリセットするリセット手段とを
備え、入力光の強度を積分手段の出力信号の周波数に変
換するようにしたものである。
生する受光手段と、この受光手段の出力信号を積分する
積分手段と、この積分手段の出力信号のレベルを所定の
基準レベルと比較する比較手段と、この比較手段からの
比較結果の切換わりに応答して積分手段の出力信号レベ
ルを所定の初期レベルにリセットするリセット手段とを
備え、入力光の強度を積分手段の出力信号の周波数に変
換するようにしたものである。
受光手段の出力信号の積分が所定の基準レベルに達する
毎に積分がリセットされ、結果として、周期的に積分が
繰り返されて周波数信号が得られる。入力光の強度が大
きい程、積分が基準レベルに達する時間が短かくなるた
め、高い周波数の信号が得られる。
毎に積分がリセットされ、結果として、周期的に積分が
繰り返されて周波数信号が得られる。入力光の強度が大
きい程、積分が基準レベルに達する時間が短かくなるた
め、高い周波数の信号が得られる。
以下、本発明による光−周波数変換装置の一実施例を第
1図及び第2図を参照して説明する。
1図及び第2図を参照して説明する。
第1図において、11は受光素子を示し、この受光素子
11は入力光強度にほぼ比例する大きさの電流(光電流
)を発生する。この光電流は、演算増幅器13と帰還コ
ンデンサ15より成る積分回路17に加えられ、この積
分回路17の出力端子aには上記光電流の積分値に対応
したレベルの電圧信号が得られる。この電圧信号はコン
パレータ19の反転入力端子に加えられ、非反転入力端
子の基準電圧VIIEFと比較される。このコンパレー
タ19の出力電圧はワンショットマルチバイブレータ2
1にトリガ信号として加えられ、このワンショットマル
チバイブレータ21はコンパレータ19の出力電圧の立
上がりに応答して一定幅のパルス信号を発生する。この
パルス信号の発生している間は、FETスイッチ23が
オンされる。
11は入力光強度にほぼ比例する大きさの電流(光電流
)を発生する。この光電流は、演算増幅器13と帰還コ
ンデンサ15より成る積分回路17に加えられ、この積
分回路17の出力端子aには上記光電流の積分値に対応
したレベルの電圧信号が得られる。この電圧信号はコン
パレータ19の反転入力端子に加えられ、非反転入力端
子の基準電圧VIIEFと比較される。このコンパレー
タ19の出力電圧はワンショットマルチバイブレータ2
1にトリガ信号として加えられ、このワンショットマル
チバイブレータ21はコンパレータ19の出力電圧の立
上がりに応答して一定幅のパルス信号を発生する。この
パルス信号の発生している間は、FETスイッチ23が
オンされる。
このFETスイッチ23は可変抵抗25を介して積分回
路17のコンデンサ15に接続され、このコンデンサ1
5の放電回路を構成している。
路17のコンデンサ15に接続され、このコンデンサ1
5の放電回路を構成している。
このFETスイッチ23が上記パルス信号によってオン
となっている間、コンデンサ15が放電され、結果とし
て積分回路17の出力レベルは成る初期レベルにリセッ
トされる。この初期レベルは、上記パルス信号の幅と放
電の時定数とに依存する。しかしてリセットと積分動作
が周期的に繰り返され、結果として入力光強度にほぼ比
例した周波数信号が積分回路17の出力に得られる。
となっている間、コンデンサ15が放電され、結果とし
て積分回路17の出力レベルは成る初期レベルにリセッ
トされる。この初期レベルは、上記パルス信号の幅と放
電の時定数とに依存する。しかしてリセットと積分動作
が周期的に繰り返され、結果として入力光強度にほぼ比
例した周波数信号が積分回路17の出力に得られる。
第2図は積分回路17の出力端子aの電圧波形を示して
いる。この積分電圧が−VIEFに達する度にリセット
が行われ、積分が繰り返されて結果として図示のような
のこぎり波形の周波数信号が得られる。入力光強度が強
い程、積分による波形の傾斜が急になるので、この信号
の周波数は高くなる。また、本実施例では、ワンショッ
トマルチバイブレータ21の動作時間設定と放電回路内
の可変抵抗25の抵抗値の設定とにより、光電流層波数
の変換比を変えることができ、これによれば105程度
の広いダイナミックレンジを得ることもできる。
いる。この積分電圧が−VIEFに達する度にリセット
が行われ、積分が繰り返されて結果として図示のような
のこぎり波形の周波数信号が得られる。入力光強度が強
い程、積分による波形の傾斜が急になるので、この信号
の周波数は高くなる。また、本実施例では、ワンショッ
トマルチバイブレータ21の動作時間設定と放電回路内
の可変抵抗25の抵抗値の設定とにより、光電流層波数
の変換比を変えることができ、これによれば105程度
の広いダイナミックレンジを得ることもできる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、受光
手段の出力を積分し、その積分が基準レベルに達する毎
にこれをリセットして積分を繰り返すようにしたため、
ダイナミックレンジの広い動作が可能になり、しかも飽
和状態が生じないためにパルス状の発光光量を正確に測
定することができる。
手段の出力を積分し、その積分が基準レベルに達する毎
にこれをリセットして積分を繰り返すようにしたため、
ダイナミックレンジの広い動作が可能になり、しかも飽
和状態が生じないためにパルス状の発光光量を正確に測
定することができる。
第1図は本発明による光−周波数変換装置の一実施例を
示す回路図、第2図は第1図の実施例の積分回路の出力
電圧波形を示す図、第3図は従来の光−周波数変換装置
を示す回路図である。 11・・・受光素子、13・・・演算増幅器、15・・
・コンデンサ、17・・・積分回路、19・・・コンパ
レータ、21・・・ワンショットマルチバイブレータ、
23・・・FETスイッチ、25・・・可変抵抗。
示す回路図、第2図は第1図の実施例の積分回路の出力
電圧波形を示す図、第3図は従来の光−周波数変換装置
を示す回路図である。 11・・・受光素子、13・・・演算増幅器、15・・
・コンデンサ、17・・・積分回路、19・・・コンパ
レータ、21・・・ワンショットマルチバイブレータ、
23・・・FETスイッチ、25・・・可変抵抗。
Claims (1)
- 入力光の強度に応じたレベルの電気信号を発生する受光
手段と、この受光手段の出力信号を積分する積分手段と
、この積分手段の出力信号のレベルを所定の基準レベル
と比較する比較手段と、この比較手段からの比較結果の
切換わりに応答して前記積分手段の出力信号レベルを所
定の初期レベルにリセットするリセット手段とを備え、
前記入力光の強度を前記積分手段の出力信号の周波数に
変換するようにした光−周波数変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7684590A JPH03277927A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 光―周波数変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7684590A JPH03277927A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 光―周波数変換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03277927A true JPH03277927A (ja) | 1991-12-09 |
Family
ID=13616996
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7684590A Pending JPH03277927A (ja) | 1990-03-28 | 1990-03-28 | 光―周波数変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03277927A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5366933A (en) * | 1993-10-13 | 1994-11-22 | Intel Corporation | Method for constructing a dual sided, wire bonded integrated circuit chip package |
US5527740A (en) * | 1994-06-28 | 1996-06-18 | Intel Corporation | Manufacturing dual sided wire bonded integrated circuit chip packages using offset wire bonds and support block cavities |
JP2008275602A (ja) * | 2007-04-04 | 2008-11-13 | Nagano Prefecture | 電気量制御装置、電気量制御型電源装置及び電気回路 |
JP2009519463A (ja) * | 2005-12-15 | 2009-05-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電流測定回路及び方法 |
-
1990
- 1990-03-28 JP JP7684590A patent/JPH03277927A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5366933A (en) * | 1993-10-13 | 1994-11-22 | Intel Corporation | Method for constructing a dual sided, wire bonded integrated circuit chip package |
US5527740A (en) * | 1994-06-28 | 1996-06-18 | Intel Corporation | Manufacturing dual sided wire bonded integrated circuit chip packages using offset wire bonds and support block cavities |
JP2009519463A (ja) * | 2005-12-15 | 2009-05-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電流測定回路及び方法 |
JP2008275602A (ja) * | 2007-04-04 | 2008-11-13 | Nagano Prefecture | 電気量制御装置、電気量制御型電源装置及び電気回路 |
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