JPH03273688A - 発光装置 - Google Patents
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- JPH03273688A JPH03273688A JP2075097A JP7509790A JPH03273688A JP H03273688 A JPH03273688 A JP H03273688A JP 2075097 A JP2075097 A JP 2075097A JP 7509790 A JP7509790 A JP 7509790A JP H03273688 A JPH03273688 A JP H03273688A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
- B41J2/45—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays
- B41J2/451—Special optical means therefor, e.g. lenses, mirrors, focusing means
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は発光装置、特にＰＮ接合発光部を有する発光ダ
イオードやレーザダイオードを用いた発光装置に関する
。
イオードやレーザダイオードを用いた発光装置に関する
。
［従来の技術］
従来より、電子写真方式プリンタやイメージリーダ、あ
るいは光通信機器の光源として発光ダイオードやレーザ
ダイオード等の発光素子が用いられている。
るいは光通信機器の光源として発光ダイオードやレーザ
ダイオード等の発光素子が用いられている。
この種の発光素子は、Ｐ型半導体とＮ型半導体とを接合
し、このＰＮ接合面に順方向バイアス電圧を印加するこ
とにより所定の波長を有する光を発生するものである。
し、このＰＮ接合面に順方向バイアス電圧を印加するこ
とにより所定の波長を有する光を発生するものである。
第１０図はこのような発光素子を電子写真方式プリンタ
の露光光源に用いた場合の概略構成図であり、第１０図
（Ａ）は多数の発光素子をアレイ状に配置して発光素子
アレイ１０とし、これら多数の発光素子を順次電気的に
オン・オフすることにより光の走査を行うものである。
の露光光源に用いた場合の概略構成図であり、第１０図
（Ａ）は多数の発光素子をアレイ状に配置して発光素子
アレイ１０とし、これら多数の発光素子を順次電気的に
オン・オフすることにより光の走査を行うものである。
そして、ロッドレンズがアレイ状に配置されたロッドレ
ンズアレイ１２にて集光され感光体１４上に照射される
。
ンズアレイ１２にて集光され感光体１４上に照射される
。
一方、第１０図（Ｂ）は単体の発光素子１１からの光を
所定回転数で回転するポリゴンミラー１６で反射するこ
とにより光を走査するものであり、更に第１０図（Ｃ）
は単体の発光素子１１を機械的に摺動させる機械走査系
１８を用いて光を走査し、感光体１４上に照射する構成
である。
所定回転数で回転するポリゴンミラー１６で反射するこ
とにより光を走査するものであり、更に第１０図（Ｃ）
は単体の発光素子１１を機械的に摺動させる機械走査系
１８を用いて光を走査し、感光体１４上に照射する構成
である。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、このような電子写真方式プリンタやイメ
ージリーダ、あるいは光通信機器の光源として用いられ
る発光素子のエネルギー効率は低く、注入された電気エ
ネルギーのほとんどはＰＮ接合発光部で熱エネルギーに
変換されてしまう。
ージリーダ、あるいは光通信機器の光源として用いられ
る発光素子のエネルギー効率は低く、注入された電気エ
ネルギーのほとんどはＰＮ接合発光部で熱エネルギーに
変換されてしまう。
そして、この熱により発光部の温度が上昇し、発光の中
心波長が室温時の波長より長波長側にシフトすると共に
発光量が減少してしまう問題があった。このような発光
量の低下は、感光体上に照射される光量の低下となり、
例えば電子写真方式プリンタにおいては画質の低下や階
調表現できない問題があった。
心波長が室温時の波長より長波長側にシフトすると共に
発光量が減少してしまう問題があった。このような発光
量の低下は、感光体上に照射される光量の低下となり、
例えば電子写真方式プリンタにおいては画質の低下や階
調表現できない問題があった。
また、イメージリーグにおいては読取り精度の劣化原因
となり、光通信機器においても信号とノイズの比Ｓ／Ｎ
の低下を招く問題があった。
となり、光通信機器においても信号とノイズの比Ｓ／Ｎ
の低下を招く問題があった。
本発明は上記従来の課題に鑑みなされたものであり、そ
の目的は発光素子からの光量の低下を抑制し、はぼ一定
の光量を得ることができる発光装置を提供することにあ
る。
の目的は発光素子からの光量の低下を抑制し、はぼ一定
の光量を得ることができる発光装置を提供することにあ
る。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために、請求項（１）記載の発光装
置は、ＰＮ接合発光部を有する発光素子と、この発光素
子と感光体との光路上に配設され、前記発光素子からの
光の波長λに対する透過率Ｔの変化がｄＴ／ｄλ≧０を
満たす光学フィルタとを具備し、発光素子の温度変化に
よらずほぼ一定の発光量を射出することを特徴としてい
る。
置は、ＰＮ接合発光部を有する発光素子と、この発光素
子と感光体との光路上に配設され、前記発光素子からの
光の波長λに対する透過率Ｔの変化がｄＴ／ｄλ≧０を
満たす光学フィルタとを具備し、発光素子の温度変化に
よらずほぼ一定の発光量を射出することを特徴としてい
る。
また、上記目的を達成するために、請求項（２）記載の
発光装置は、ＰＮ接合発光部を有する発光素子と、この
発光素子と感光体との光路上に配設され、前記発光素子
からの光の波長λに対する反射率Ｒの変化がｄＲ／ｄλ
≧Ｏを満たす反射鏡とを具備し、発光素子の温度変化に
よらずほぼ一定の発光量を射出することを特徴としてい
る。
発光装置は、ＰＮ接合発光部を有する発光素子と、この
発光素子と感光体との光路上に配設され、前記発光素子
からの光の波長λに対する反射率Ｒの変化がｄＲ／ｄλ
≧Ｏを満たす反射鏡とを具備し、発光素子の温度変化に
よらずほぼ一定の発光量を射出することを特徴としてい
る。
［作用］
ＰＮ接合発光部を有する発光素子は前述したように注入
された電気エネルギーのほとんどが熱エネルギーに変換
されるため、発光部の温度は上昇し、これに伴って発光
の中心波長が長波長側にシフトすると共に発光量が減少
していく。
された電気エネルギーのほとんどが熱エネルギーに変換
されるため、発光部の温度は上昇し、これに伴って発光
の中心波長が長波長側にシフトすると共に発光量が減少
していく。
そこで、短波起倒の光を吸収または反射し、長波長側の
光をより多く透過させる透過特性、すなわち発光素子か
らの発光波長λに対する透過率Ｔ変化ｄＴ／ｄλａ○と
なる光学特性を有する光学フィルタにて発光素子からの
光を強度変調して感光体に照射することにより、発光部
の温度が上昇しても発光波長が長波長側にシフトするこ
とにより温度変化に伴う光量変化が補正されてほぼ一定
の光量を得ることが可能となる。
光をより多く透過させる透過特性、すなわち発光素子か
らの発光波長λに対する透過率Ｔ変化ｄＴ／ｄλａ○と
なる光学特性を有する光学フィルタにて発光素子からの
光を強度変調して感光体に照射することにより、発光部
の温度が上昇しても発光波長が長波長側にシフトするこ
とにより温度変化に伴う光量変化が補正されてほぼ一定
の光量を得ることが可能となる。
また、このような発光素子からの光の波長λに対する反
射率Ｒの変化がｄＲ／ｄλ≧Ｏとなる反射特性を示す反
射鏡を用い、この反射鏡により発光素子からの光を強度
変調して感光体に照射することにより、前記光学フィル
タの場合と同様にほぼ一定の光量を得ることが可能とな
る。
射率Ｒの変化がｄＲ／ｄλ≧Ｏとなる反射特性を示す反
射鏡を用い、この反射鏡により発光素子からの光を強度
変調して感光体に照射することにより、前記光学フィル
タの場合と同様にほぼ一定の光量を得ることが可能とな
る。
［実施例］
以下、図面を用いながら本発明に係る発光装置の好適な
実施例を説明する。
実施例を説明する。
第１図は第１実施例における発光装置の一部斜視図を示
したものであり、第１図（Ａ）は本実施例における光学
フィルタ２０の一部斜視図、そして第１図（Ｂ）はこの
光学フィルタ２０を発光素子アレイ１０と感光体１４と
の光路上に位置するロッドアレイレンズ１２の下面に配
置した場合の一部斜視図である。
したものであり、第１図（Ａ）は本実施例における光学
フィルタ２０の一部斜視図、そして第１図（Ｂ）はこの
光学フィルタ２０を発光素子アレイ１０と感光体１４と
の光路上に位置するロッドアレイレンズ１２の下面に配
置した場合の一部斜視図である。
本実施例における光学フィルタ２０は組成比の異なる化
合物半導体層を順次積層し、更にその上面及び下面に反
射防止膜２０ａを形成して構成される。化合物半導体層
としては、ＧａＰ半導体結晶層２０ｂ、ＧａＰ、−ｘＡ
ｓｘ （Ｘ−０〜０．６１）半導体バッファ層２０Ｃ１
そしてＧ ａ Ｐ ｏ 、 ａ ９Ａ Ｓ ｏ 、 ｅ
□半導体結晶層２０ｄが順次積層されて構成されており
、ＧａＰ半導体結晶層２０ｂＳＧａＰ１−ｘＡｓｘ （
Ｘ−０〜０．６１）半導体バッファ層２０ｃは波長６５
３ｎｍ以上の光に対して高い透過率を有し、一方、Ｇａ
Ｐ０．３９ＡＳＯ，８１半導体結晶層２０ｄはこの化合
物半導体結晶のエネルギーギャップＥＧに対応した波長
６５３ｎｍ以下の光を吸収する特性を示す。従って、こ
の光学フィルタ２０は波長６５３ｎｍ以下の光を吸収し
、それ以上の光に対して高い透過率特性を示し、波長λ
に対する透過率Ｔ変化ｄＴ／ｄλ≧Ｏを満足するもので
ある。
合物半導体層を順次積層し、更にその上面及び下面に反
射防止膜２０ａを形成して構成される。化合物半導体層
としては、ＧａＰ半導体結晶層２０ｂ、ＧａＰ、−ｘＡ
ｓｘ （Ｘ−０〜０．６１）半導体バッファ層２０Ｃ１
そしてＧ ａ Ｐ ｏ 、 ａ ９Ａ Ｓ ｏ 、 ｅ
□半導体結晶層２０ｄが順次積層されて構成されており
、ＧａＰ半導体結晶層２０ｂＳＧａＰ１−ｘＡｓｘ （
Ｘ−０〜０．６１）半導体バッファ層２０ｃは波長６５
３ｎｍ以上の光に対して高い透過率を有し、一方、Ｇａ
Ｐ０．３９ＡＳＯ，８１半導体結晶層２０ｄはこの化合
物半導体結晶のエネルギーギャップＥＧに対応した波長
６５３ｎｍ以下の光を吸収する特性を示す。従って、こ
の光学フィルタ２０は波長６５３ｎｍ以下の光を吸収し
、それ以上の光に対して高い透過率特性を示し、波長λ
に対する透過率Ｔ変化ｄＴ／ｄλ≧Ｏを満足するもので
ある。
また、本実施例においては発光素子としてＴｅをＮ型不
純物としてドープしたＧ ａ Ａ ｓ ｏ、ｅＰＯ，４
の組成比を有する半導体中にＺｎを拡散して作られる発
光ダイオードを多数配列した構造を持つ発光ダイオード
アレイ１０を用いており、室温２５℃においては中心波
長６６０ｐｍの光を射出し、発光部の温度が６０℃に上
昇すると６７２ｎｍ程度まで長波長側にシフトする。従
って、第１図（Ｂ）に示すようにこの光学フィルタ２０
をロッドアレイレンズ１２の下面に配設し、ロッドアレ
イレンズ１２により集光された発光ダイオードアレイ１
０からの光の内、波長６５３ｎｍ以下の光を吸収して透
過せず、波長６５３ｎｍ以上の光をそのまま透過するこ
とにより強度変調して感光体１４に照射することにより
、発光ダイオードアレイ１０のＰＮ接合発光部の温度上
昇に伴う光量低下が生じても、温度上昇による中心波長
の長波長側へのシフトによって光学フィルタ２０を通過
する光量比（通過後の光量／通過前の光量）が増加する
ので、温度上昇による光量低減を抑制することが可能に
なる。
純物としてドープしたＧ ａ Ａ ｓ ｏ、ｅＰＯ，４
の組成比を有する半導体中にＺｎを拡散して作られる発
光ダイオードを多数配列した構造を持つ発光ダイオード
アレイ１０を用いており、室温２５℃においては中心波
長６６０ｐｍの光を射出し、発光部の温度が６０℃に上
昇すると６７２ｎｍ程度まで長波長側にシフトする。従
って、第１図（Ｂ）に示すようにこの光学フィルタ２０
をロッドアレイレンズ１２の下面に配設し、ロッドアレ
イレンズ１２により集光された発光ダイオードアレイ１
０からの光の内、波長６５３ｎｍ以下の光を吸収して透
過せず、波長６５３ｎｍ以上の光をそのまま透過するこ
とにより強度変調して感光体１４に照射することにより
、発光ダイオードアレイ１０のＰＮ接合発光部の温度上
昇に伴う光量低下が生じても、温度上昇による中心波長
の長波長側へのシフトによって光学フィルタ２０を通過
する光量比（通過後の光量／通過前の光量）が増加する
ので、温度上昇による光量低減を抑制することが可能に
なる。
第２図に本実施例における光学フィルタ２０透過後のス
ペクトル分布を、発光ダイオードアレイ１０のＰＮ接合
発光部の温度が２５℃、３０℃、３５℃、４０℃、４５
℃、５０℃、５５℃、６０℃の場合について示す。第２
図において横軸は発光部からの発光波長λ（ｎｍ） 、
縦軸は発光波長λ−６６０ｎｍにおける強度を１，０と
した場合の相対強度を示している。発光部の温度が上昇
するに伴い発光の中心波長が０．３３ｎｍ／℃の割合で
長波長側にシフトし、また強度が０．８２％／℃の割合
で減少していくが、既に述べたように本実施例における
光学フィルタ２０により波長λが６５３ｎｍ以下の光は
遮断され透過されない。
ペクトル分布を、発光ダイオードアレイ１０のＰＮ接合
発光部の温度が２５℃、３０℃、３５℃、４０℃、４５
℃、５０℃、５５℃、６０℃の場合について示す。第２
図において横軸は発光部からの発光波長λ（ｎｍ） 、
縦軸は発光波長λ−６６０ｎｍにおける強度を１，０と
した場合の相対強度を示している。発光部の温度が上昇
するに伴い発光の中心波長が０．３３ｎｍ／℃の割合で
長波長側にシフトし、また強度が０．８２％／℃の割合
で減少していくが、既に述べたように本実施例における
光学フィルタ２０により波長λが６５３ｎｍ以下の光は
遮断され透過されない。
第３図に、このようなスペクトル分布を波長λに対して
積分して得られる相対光量を発光部の温度に対してプロ
ットした結果を示す。なお、同図には比較のため、光学
フィルタ２０を用いない、すなわち波長λが６５３ｎｍ
以下の光をも考慮にいれて積分した場合の相対光量もプ
ロ・ソトしである。従来の光学フィルタ２０を用いない
場合に比べ、本実施例の光学フィルタ２０を用いた場合
には相対強度の大きい短波長側の光が遮断されるため、
従来の相対光量減少（３５℃の温度変化に対して２９％
の減少）に対し、はぼ一定の相対光量（３５℃の温度変
化に対し約７％の減少）が得られていることが理解され
る。
積分して得られる相対光量を発光部の温度に対してプロ
ットした結果を示す。なお、同図には比較のため、光学
フィルタ２０を用いない、すなわち波長λが６５３ｎｍ
以下の光をも考慮にいれて積分した場合の相対光量もプ
ロ・ソトしである。従来の光学フィルタ２０を用いない
場合に比べ、本実施例の光学フィルタ２０を用いた場合
には相対強度の大きい短波長側の光が遮断されるため、
従来の相対光量減少（３５℃の温度変化に対して２９％
の減少）に対し、はぼ一定の相対光量（３５℃の温度変
化に対し約７％の減少）が得られていることが理解され
る。
なお、本実施例においては、光学フィルタ２０として組
成比の異なる半導体層を積層して形成したが、第５図に
示されるように屈折率の異なる誘電体層を積層して形成
することにより、波長λに対する透過率Ｔ変化がｄＴ／
ｄλ≧Ｏなる条件を満足する光学フィルタを実現するこ
ともできる（例えば、酸化シリコン層と酸化チタン層を
交互に重ねた積層構造）。
成比の異なる半導体層を積層して形成したが、第５図に
示されるように屈折率の異なる誘電体層を積層して形成
することにより、波長λに対する透過率Ｔ変化がｄＴ／
ｄλ≧Ｏなる条件を満足する光学フィルタを実現するこ
ともできる（例えば、酸化シリコン層と酸化チタン層を
交互に重ねた積層構造）。
また、特定の波長以下の光を吸収する色素を用い、この
色素を染み込ませたロッドアレイレンズを光学フィルタ
として用いることも可能であり、また、特定の波長の光
を吸収する色素を染み込ませた物体をこの光学フィルタ
として用いることも可能である。第４図にこのような色
素の光学フィルタを用いた場合及び用いない場合の、２
５℃での発光波長が６５５ ｎ ｍ、半値幅２２ｎｍの
発光ダイオードからの相対光量の温度依存性を示す。
色素を染み込ませたロッドアレイレンズを光学フィルタ
として用いることも可能であり、また、特定の波長の光
を吸収する色素を染み込ませた物体をこの光学フィルタ
として用いることも可能である。第４図にこのような色
素の光学フィルタを用いた場合及び用いない場合の、２
５℃での発光波長が６５５ ｎ ｍ、半値幅２２ｎｍの
発光ダイオードからの相対光量の温度依存性を示す。
光学フィルタを用いた場合には２５℃から６５℃の温度
変化に対して一０６２９％／℃程度（用いない場合は−
０，８１％／’Ｃ）の減少に抑えていることがわかる。
変化に対して一０６２９％／℃程度（用いない場合は−
０，８１％／’Ｃ）の減少に抑えていることがわかる。
更に、本実施例においては光学フィルタ２０をロッドレ
ンズアレイ１２の下面に配置したが、光学フィルタ２０
は発光素子の発光部と光が照射される感光体の間の光路
上の任意の位置に配設させればよく、例えば第６図に示
されるように内部にＰＮ接合発光部を有する発光素子の
上面にこの光学フィルタ２０を形成してもよく、あるい
は、第７図に示されるように感光体上に光学フィルタ２
０を配置しても良い。
ンズアレイ１２の下面に配置したが、光学フィルタ２０
は発光素子の発光部と光が照射される感光体の間の光路
上の任意の位置に配設させればよく、例えば第６図に示
されるように内部にＰＮ接合発光部を有する発光素子の
上面にこの光学フィルタ２０を形成してもよく、あるい
は、第７図に示されるように感光体上に光学フィルタ２
０を配置しても良い。
また、本実施例においては発光素子及び光学フィルタと
してＧａＡｓＰ系の化合物半導体を用いたが、ＧａＡｓ
％ＧａＡｌＡｓ％ＧａＰ、ＩｎＧａＰ等の化合物半導体
を発光素子として用いることもできる。
してＧａＡｓＰ系の化合物半導体を用いたが、ＧａＡｓ
％ＧａＡｌＡｓ％ＧａＰ、ＩｎＧａＰ等の化合物半導体
を発光素子として用いることもできる。
第８図は本発明の第２実施例の一部斜視図であり、単体
の発光素子１１は機械走査系１８によって摺動され、感
光体上に光が照射される構成である。そして、本第２実
施例においては第６図に示されたように発光素子１１の
上面に組成比の異なる半導体層が積層された、または屈
折率の異なる誘電体層が積層された、あるいは特定の波
長以下の光を吸収する色素が用いられた光学フィルタ２
０が形成されており、発光素子１１からの光の長波長側
の光を短波長側より多く透過させて強度変調し、感光体
１４上に照射する。従って、本第２実施例においても、
光学フィルタ２０によって発光素子１１の発光部の温度
が上昇してもほぼ一定の光量を得ることができる。
の発光素子１１は機械走査系１８によって摺動され、感
光体上に光が照射される構成である。そして、本第２実
施例においては第６図に示されたように発光素子１１の
上面に組成比の異なる半導体層が積層された、または屈
折率の異なる誘電体層が積層された、あるいは特定の波
長以下の光を吸収する色素が用いられた光学フィルタ２
０が形成されており、発光素子１１からの光の長波長側
の光を短波長側より多く透過させて強度変調し、感光体
１４上に照射する。従って、本第２実施例においても、
光学フィルタ２０によって発光素子１１の発光部の温度
が上昇してもほぼ一定の光量を得ることができる。
第９図は本発明の第３実施例の一部斜視図であり、本第
３実施例においては、所定回転数で回転するポリゴンミ
ラー１６により発光素子１１からの光を反射して感光体
１４上に走査照射する構成である。そして、本第３実施
例においては、発光素子１１からの波長λの光に対する
反射率Ｒ変化がｄＲ／ｄλ≧０なる条件を満たす反射鏡
２２をこのポリゴンミラー１６の表面に形成している。
３実施例においては、所定回転数で回転するポリゴンミ
ラー１６により発光素子１１からの光を反射して感光体
１４上に走査照射する構成である。そして、本第３実施
例においては、発光素子１１からの波長λの光に対する
反射率Ｒ変化がｄＲ／ｄλ≧０なる条件を満たす反射鏡
２２をこのポリゴンミラー１６の表面に形成している。
このような反射特性を示す反射鏡は前記第１、第２実施
例における光学フィルタ２０と同様に組成比の異なる化
合物半導体や特定の波長以下の光を吸収する色素を染み
込ませた物体や屈折率の異なる誘電体層を積層形成した
膜により実現することができる。
例における光学フィルタ２０と同様に組成比の異なる化
合物半導体や特定の波長以下の光を吸収する色素を染み
込ませた物体や屈折率の異なる誘電体層を積層形成した
膜により実現することができる。
そして、本第３実施例においても発光素子１１の発光部
の温度が上昇し、中心波長が長波長側にシフトすると共
に相対強度が低下しても、短波長側の光はほとんど反射
せず、長波長側の光のみ反射させるため、はぼ一定の光
量を得ることができる。
の温度が上昇し、中心波長が長波長側にシフトすると共
に相対強度が低下しても、短波長側の光はほとんど反射
せず、長波長側の光のみ反射させるため、はぼ一定の光
量を得ることができる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明に係る発光装置によればＰ
Ｎ接合発光部を有する発光素子の温度が上昇して波長が
長波長側にシフトしてもほぼ一定の光量を得ることがで
きる。
Ｎ接合発光部を有する発光素子の温度が上昇して波長が
長波長側にシフトしてもほぼ一定の光量を得ることがで
きる。
従って、例えば本発明の発光装置を電子写真方式プリン
タの露光光源として用いた場合には、高画質のプリント
出力を得ることができ、またイメージリーダの光源とし
て用いた場合には高読取り率を得ることができる効果が
ある。
タの露光光源として用いた場合には、高画質のプリント
出力を得ることができ、またイメージリーダの光源とし
て用いた場合には高読取り率を得ることができる効果が
ある。
更に、本発明の発光装置を光通信機器の光源として用い
た場合には高Ｓ／Ｎを得ることができる効果がある。
た場合には高Ｓ／Ｎを得ることができる効果がある。
第１図は本発明に係る発光装置の第１実施例の一部斜視
図、 第２図は同実施例におけるスペクトル分布を説明するグ
ラフ図、 第３図乃至第４図は同実施例における発光部の温度と相
対光量の関係を示すグラフ図、第５図は同実施例におけ
る光学フィルタの一部斜視図、 第６図乃至第７図は同実施例における光学フィルタの配
設位置説明図、 第８図は本発明に係る発光装置の第２実施例の一部斜視
図、 第９図は本発明に係る発光装置の第３実施例の一部斜視
図、 第１０図は従来の発光装置の一部斜視図である。 １１ ・・・ 発光素子 １２ ・・・ ロッドアレイレンズ １４ ・・・ 感光体 １６ ・・・ ポリゴンミラー １８ ・・・ 機械走査系 ２０ ・・・ 光学フィルタ ２２ 反射鏡
図、 第２図は同実施例におけるスペクトル分布を説明するグ
ラフ図、 第３図乃至第４図は同実施例における発光部の温度と相
対光量の関係を示すグラフ図、第５図は同実施例におけ
る光学フィルタの一部斜視図、 第６図乃至第７図は同実施例における光学フィルタの配
設位置説明図、 第８図は本発明に係る発光装置の第２実施例の一部斜視
図、 第９図は本発明に係る発光装置の第３実施例の一部斜視
図、 第１０図は従来の発光装置の一部斜視図である。 １１ ・・・ 発光素子 １２ ・・・ ロッドアレイレンズ １４ ・・・ 感光体 １６ ・・・ ポリゴンミラー １８ ・・・ 機械走査系 ２０ ・・・ 光学フィルタ ２２ 反射鏡
Claims (2)
- （１）ＰＮ接合発光部を有する発光素子と、この発光素
子と感光体との光路上に配設され、前記発光素子からの
光の波長λに対する透過率Ｔの変化がｄＴ／ｄλ≧０を
満たす光学フィルタと、を具備し、発光素子の温度変化
によらずほぼ一定の発光量を射出することを特徴とする
発光装置。 - （２）ＰＮ接合発光部を有する発光素子と、この発光素
子と感光体との光路上に配設され、前記発光素子からの
光の波長λに対する反射率Ｒの変化がｄＲ／ｄλ≧０を
満たす反射鏡と、を具備し、発光素子の温度変化によら
ずほぼ一定の発光量を射出することを特徴とする発光装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2075097A JPH03273688A (ja) | 1990-03-22 | 1990-03-22 | 発光装置 |
| US07/576,873 US5051788A (en) | 1990-03-22 | 1990-09-04 | Light-emitting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2075097A JPH03273688A (ja) | 1990-03-22 | 1990-03-22 | 発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03273688A true JPH03273688A (ja) | 1991-12-04 |
Family
ID=13566327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2075097A Pending JPH03273688A (ja) | 1990-03-22 | 1990-03-22 | 発光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5051788A (ja) |
| JP (1) | JPH03273688A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013041959A (ja) * | 2011-08-15 | 2013-02-28 | Hitachi Cable Ltd | 光モジュール |
| JP2013042323A (ja) * | 2011-08-15 | 2013-02-28 | Hitachi Cable Ltd | 光モジュール |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04132274A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Eastman Kodak Japan Kk | 発光ダイオード |
| CA2070708C (en) * | 1991-08-08 | 1997-04-29 | Ichiro Kasai | Visible and infrared indium antimonide (insb) photodetector with non-flashing light receiving surface |
| JPH05283735A (ja) * | 1992-04-03 | 1993-10-29 | Eastman Kodak Japan Kk | 発光素子 |
| US5841931A (en) * | 1996-11-26 | 1998-11-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods of forming polycrystalline semiconductor waveguides for optoelectronic integrated circuits, and devices formed thereby |
| TWI280673B (en) * | 2004-09-22 | 2007-05-01 | Sharp Kk | Optical semiconductor device, optical communication device, and electronic equipment |
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| JPS611858B2 (ja) * | 1979-08-31 | 1986-01-21 | Matsushita Electric Works Ltd | |
| JPS63204670A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-24 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| GB1465526A (en) * | 1973-02-08 | 1977-02-23 | Quantel Sa | Process for filtering and amplifying laser beams |
| US4208667A (en) * | 1978-06-09 | 1980-06-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Controlled absorption in heterojunction structures |
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| JPH0766994B2 (ja) * | 1985-02-19 | 1995-07-19 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
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-
1990
- 1990-03-22 JP JP2075097A patent/JPH03273688A/ja active Pending
- 1990-09-04 US US07/576,873 patent/US5051788A/en not_active Expired - Fee Related
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| JP2013041959A (ja) * | 2011-08-15 | 2013-02-28 | Hitachi Cable Ltd | 光モジュール |
| JP2013042323A (ja) * | 2011-08-15 | 2013-02-28 | Hitachi Cable Ltd | 光モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5051788A (en) | 1991-09-24 |
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