JPH03262314A - Surface acoustic wave device - Google Patents

Surface acoustic wave device

Info

Publication number
JPH03262314A
JPH03262314A JP6184890A JP6184890A JPH03262314A JP H03262314 A JPH03262314 A JP H03262314A JP 6184890 A JP6184890 A JP 6184890A JP 6184890 A JP6184890 A JP 6184890A JP H03262314 A JPH03262314 A JP H03262314A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
resin package
acoustic wave
surface acoustic
notch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6184890A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukinori Aoki
青木 幸典
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP6184890A priority Critical patent/JPH03262314A/en
Publication of JPH03262314A publication Critical patent/JPH03262314A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent the missing of a resin package due to a folded lead by providing a notch or a narrow width part on a tip of a lead placed to an outside of the resin package while being penetrated through the resin package air-tightly and folding the lead at the notch or the narrow width part. CONSTITUTION:A notch 25 is formed to the prescribed part of a lead 22 and a resin package 20 is formed by the resin molding method and the tip 23b of the lead 22 penetrated air-tightly through the side wall of the resin package 20 is folded at its notch 25 by the press working. Thus, even when the tip 23b of the lead 22 prolonged from its side wall is folded at a position close to the outer side face of the resin package 20, a stress caused by the folding is concentrated to the notch 25 with a low mechanical strength. Thus, the occurrence of chipping due to the folded lead 22 of the thermoplastic resin package 20 is prevented.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、弾性表面波装置に係り、特に樹脂パッケー
ジにより弾性表面波素子を封止してなる弾性表面波装置
に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a surface acoustic wave device, and particularly to a surface acoustic wave device in which a surface acoustic wave element is sealed with a resin package.

(従来の技術) 従来、弾性表面波装置は、第5図に示すように、LiT
aO3などの圧電基板に、少なくとも櫛歯状の入力電極
と櫛歯状の出力電極とが互いに離間して形成されている
弾性表面波素子(1)を有し、この弾性表面波素子(1
)をガラスなどの絶縁体からなるステム(2)に接着し
、そのステム(2)に設けられた複数本のリードピン(
3)に各電極をボンディングワイヤにより接続し、その
弾性表面波素子(1)をステム(2)と金属製シェル(
4)とにより密封された構造に形成されている。
(Prior Art) Conventionally, a surface acoustic wave device uses LiT as shown in FIG.
The surface acoustic wave element (1) has a piezoelectric substrate such as aO3, and has at least a comb-shaped input electrode and a comb-shaped output electrode spaced apart from each other.
) is glued to a stem (2) made of an insulator such as glass, and multiple lead pins (
3), each electrode is connected with a bonding wire, and the surface acoustic wave element (1) is connected to the stem (2) and the metal shell (
4) It is formed into a sealed structure.

しかし、一般に弾性表面波装置は、ユーザーにより仕様
が異なる多品種少量生産であるため、上記構造では、製
造コストが高くなり、かつそのコストダウンが困難であ
る。また、TVやVTRなどの小形化にともない、実装
面積の小さい小形の弾性表面波装置か要望されている。
However, since surface acoustic wave devices are generally produced in small quantities in a wide variety of products with different specifications depending on the user, the above structure increases the manufacturing cost and makes it difficult to reduce the cost. Furthermore, as TVs and VTRs become smaller, there is a demand for smaller surface acoustic wave devices with smaller mounting areas.

そのコストダウンと実装面積の縮小を達成するため、従
来のステム(2)と金属製シェル(4)とによる密封構
造にかえて、中空の熱可塑性樹脂パッケージで弾性表面
波素子を密封する研究開発が進められている。
In order to reduce costs and reduce the mounting area, research and development has been developed to seal the surface acoustic wave element in a hollow thermoplastic resin package instead of the conventional sealing structure consisting of a stem (2) and a metal shell (4). is in progress.

第6図にその熱可塑性樹脂パッケージにより弾性表面波
素子を密封した樹脂パッケージ弾性表面波装置を示す。
FIG. 6 shows a resin-packaged surface acoustic wave device in which a surface acoustic wave element is sealed with the thermoplastic resin package.

この弾性表面波装置は、熱可塑性樹脂パッケージ(6)
の内側底部に弾性表面波素子(図示せず)の搭載された
アイランド部(7)および弾性表面波素子の各電極にボ
ンディングワイヤにより接続されたリード(8)の基端
部(9a)が密着し、そのリード(8)の先端部(9b
)側が樹脂パッケージ(6)の側壁を気密に貫通してい
る。そして、その樹脂パッケージ(6)の上部開口を樹
脂製蓋(10)により気密に覆った構造に形成されてい
る。
This surface acoustic wave device is made of thermoplastic resin package (6)
The island part (7) on which the surface acoustic wave element (not shown) is mounted and the base end (9a) of the lead (8) connected to each electrode of the surface acoustic wave element by bonding wires are in close contact with the inner bottom of the and the tip (9b) of the lead (8)
) side passes through the side wall of the resin package (6) in an airtight manner. The upper opening of the resin package (6) is airtightly covered with a resin lid (10).

特にDIP(Dual Pin Package)型の
弾性表面波装置などでは、その樹脂パッケージ(6)を
貫通しているリード(8)の先端部(9b)側は、樹脂
パッケージ(6)側面に近い位置で折曲げられている。
In particular, in a DIP (Dual Pin Package) type surface acoustic wave device, the tip (9b) side of the lead (8) penetrating the resin package (6) is located close to the side surface of the resin package (6). It is bent.

従来、このような樹脂パッケージ弾性表面波装置は、成
形金型を用いて樹脂成形法により製造され、アイランド
部およびリードが一体成形されたリードフレームのアイ
ランド部(7)に弾性表面波素子を接着し、その各電極
をボンディングワイヤによりリードフレームのリード(
8)に接続したのち、成形金型を用いて中空の熱可塑性
樹脂パッケージ(6)を成形するとき、その樹脂パッケ
ージ(6)の底部にアイランド部(7)およびリード(
8)の基端部(9a)を密着させるとともに、その樹脂
パッケージ(6)の側面からリード(8)の先端部(9
b)を気密に延出させる。その後、この樹脂パッケージ
(6)の上部開口を樹脂製蓋(10)により気密に覆っ
たのち、リードフレームのフレーム部からアイランド部
およびリードを切離しさらに、樹脂パッケージ(6)の
側面から延出しているリード(8)の先端部(9a)側
を折曲げることにより製造されている。
Conventionally, such resin-packaged surface acoustic wave devices are manufactured by a resin molding method using a molding die, and the surface acoustic wave element is bonded to the island portion (7) of a lead frame in which the island portion and the leads are integrally molded. Then, each electrode is connected to the lead frame lead (
8), when molding a hollow thermoplastic resin package (6) using a molding die, an island part (7) and leads (
The base ends (9a) of the leads (8) are brought into close contact with each other, and the tips (9a) of the leads (8) are brought into close contact with each other from the side of the resin package (6).
b) Extend airtightly. After that, the upper opening of this resin package (6) is airtightly covered with a resin lid (10), and then the island part and the leads are separated from the frame part of the lead frame and further extended from the side surface of the resin package (6). It is manufactured by bending the tip end (9a) side of the lead (8).

ところで、樹脂パッケージ弾性表面波装置は、実装面積
を小さくための小形化と同時に、たとえばDIP型の弾
性表面波装置については、実装上、そのビンの形状、大
きさ、配列ピッチなどを第7図に示す半導体装置のDI
P型のピン(11)と同一にした方が便利である。この
場合、樹脂パ・ソケージの側面から延出しているリード
(8)の先端部(9b)の幅は、従来のSIP(Sin
gle In1ine Package)型の弾性表面
波装置より広くなり、かつ前記のように樹脂パッケージ
側面に近い位置で折曲げる必要がある。
By the way, resin-packaged surface acoustic wave devices are becoming more compact to reduce the mounting area, and at the same time, for example, for DIP type surface acoustic wave devices, the shape, size, arrangement pitch, etc. of the bins are changed for mounting reasons. DI of the semiconductor device shown in
It is more convenient to use the same pin as the P-type pin (11). In this case, the width of the tip (9b) of the lead (8) extending from the side surface of the resin package is the same as that of the conventional SIP (Sin
It is wider than the surface acoustic wave device of the GLE Inline Package type, and needs to be bent at a position close to the side surface of the resin package as described above.

この折曲げは、通常プレス加工でおこなわれる。This bending is usually done by press working.

そのため、熱可塑性樹脂パッケージについては、機械的
強度が低いため、その側面の近くでおこなわれる幅広い
リードの折曲げにより発生する応力のために、樹脂パッ
ケージに欠けやクラックが発生し、この欠けか外観を損
なうばかりでなく、樹脂パッケージ内の気密性を損ない
、大気中の水分などが侵入して弾性表面波素子の特性を
劣化するおそれがある。
As a result, thermoplastic resin packages have low mechanical strength, and the stresses generated by the bending of the wide leads near their sides can cause chips and cracks to occur in the resin package. In addition to damaging the airtightness within the resin package, there is a risk that moisture from the atmosphere may enter and deteriorate the characteristics of the surface acoustic wave element.

(発明か解決しようとする課題) 上記のように、弾性表面波装置のコストダウンと実装面
積の縮小のため、熱可塑性樹脂パッケージにより弾性表
面波素子を密封することがおこなわれている。この樹脂
パッケージ弾性表面波装置では、樹脂成形により弾性表
面波素子の搭載されいるリードフレームに樹脂パッケー
ジを一体に成形したのち、特にDIP型の弾性表面波装
置などでは、その樹脂パッケージの側面から延出してい
るリードの先端部をプレス加工により樹脂パッケージの
側面に近い位置で折曲げる加工がおこなわれる。そのた
め、この折曲げにより発生する応力が機械的強度の低い
熱可塑性樹脂パッケージに加わり、樹脂パッケージに欠
けを発生させ、外観を損なうばかりでなく、樹脂パッケ
ージ内の気密性を損ない、大気中の水分などの侵入によ
り弾性表面波素子の特性を劣化するおそれがある。
(Problems to be Solved by the Invention) As described above, in order to reduce the cost and the mounting area of surface acoustic wave devices, surface acoustic wave elements are hermetically sealed with thermoplastic resin packages. In this resin-packaged surface acoustic wave device, after the resin package is integrally molded with the lead frame on which the surface acoustic wave element is mounted, especially in DIP type surface acoustic wave devices, the resin package is extended from the side of the resin package. The tip of the protruding lead is bent by press processing at a position close to the side surface of the resin package. Therefore, the stress generated by this bending is applied to the thermoplastic resin package, which has low mechanical strength, which not only causes chips in the resin package and impairs its appearance, but also impairs the airtightness within the resin package and allows moisture in the atmosphere to escape. There is a risk that the characteristics of the surface acoustic wave element may be deteriorated due to the intrusion of such substances.

この発明は、上記問題点を解決するためになされたもの
であり、樹脂パッケージ弾性表面波装置において、樹脂
パッケージの近くでリードを折曲げても、樹脂パッケー
ジに欠けが発生しない構造に構成することを目的とする
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and provides a resin-packaged surface acoustic wave device with a structure in which the resin package will not be chipped even if the leads are bent near the resin package. With the goal.

[発明の構成] (課題を解決するための手段) 基板に所定パターンの電極が形成された弾性表面波素子
、この弾性表面波素子を搭載するアイランド部および弾
性表面波素子の電極に接続されたリードの基端部側を樹
脂パッケージの内側底部に密着してなる弾性表面波装置
において、上記樹脂パッケージを気密に貫通してその外
側に位置するリードの先端部側に切欠き部または狭幅部
を設け、この切欠き部または狭幅部でリードを折曲げる
構造に形成した。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) A surface acoustic wave device having a predetermined pattern of electrodes formed on a substrate, an island portion on which the surface acoustic wave device is mounted, and a surface acoustic wave device connected to the electrodes of the surface acoustic wave device. In a surface acoustic wave device in which the proximal end of the lead is in close contact with the inner bottom of a resin package, a notch or a narrow part is provided on the distal end of the lead that airtightly penetrates the resin package and is located outside of the resin package. A structure was formed in which the leads were bent at this notch or narrow width.

(作 用) 上記のように、樹脂パッケージを貫通してその外側に位
置するリードの先端部側に切欠き部または狭幅部を設け
、この切欠き部または狭幅部でリードを折曲げると、リ
ードを折曲げるときの応力を機械的強度の小さい切欠き
部や狭幅部に集中させることができ、かつ従来のリード
にくらべて、小さな曲げ荷重で曲げることができ、樹脂
パッケージに加わる応力を小さくすることができる。
(Function) As mentioned above, if a notch or narrow width part is provided on the tip end side of the lead that penetrates the resin package and is located outside of the resin package, and the lead is bent at this notch or narrow width part. , the stress when bending the lead can be concentrated in the notch or narrow part with low mechanical strength, and compared to conventional leads, it can be bent with a smaller bending load, reducing the stress applied to the resin package. can be made smaller.

(実施例) 以下、図面を参照してこの発明を実施例に基づいて説明
する。
(Example) Hereinafter, the present invention will be described based on an example with reference to the drawings.

第1図にその一実施例である弾性表面波装置を示す。こ
の弾性表面波装置は、DIP型の弾性表面波装置であり
、液晶ポリマーやポリフェニレンサルファイドなどの熱
可塑性樹脂からなるパッケージ(20)の内側底部に弾
性表面波素子(図示せず)の搭載されたアイランド部(
21)および弾性表面波素子の各電極にボンディングワ
イヤにより接続されたリード(22)の基端部(23a
)側が密着し、そのリード(22)の先端部(23b)
側が樹脂パッケージ(20)の側壁を気密に貫通して外
部に延出している。
FIG. 1 shows a surface acoustic wave device that is one embodiment of the present invention. This surface acoustic wave device is a DIP type surface acoustic wave device, and a surface acoustic wave element (not shown) is mounted on the inner bottom of a package (20) made of a thermoplastic resin such as liquid crystal polymer or polyphenylene sulfide. Island part (
21) and the base end (23a) of the lead (22) connected to each electrode of the surface acoustic wave element by a bonding wire.
) sides are in close contact, and the tip (23b) of the lead (22)
The side of the resin package (20) hermetically passes through the side wall of the resin package (20) and extends to the outside.

また、パッケージ(20)の上部開口が樹脂製蓋(24
)により気密に覆われた構造に形成されている。
In addition, the upper opening of the package (20) is made of a resin lid (24).
) is formed into an airtight structure.

しかも、この弾性表面波装置では、樹脂パッケージ(2
0)の側壁を気密に貫通しているリード(22)の先端
部(23b)の樹脂パッケージ(20)外側面に近い位
置に、両側から円孤状の切欠き(25)が形成され、こ
の切欠き(25)の形成された部分で折曲げられている
。この切欠き(25)の深さSは、リード(22)が切
断されない程度の大きさにするとよく、たとえば先端部
(23b)の幅Wが1關であるリードに対しては、0.
4〜0.8mm程度に形成するとよい。
Moreover, in this surface acoustic wave device, the resin package (2
An arc-shaped notch (25) is formed from both sides at a position close to the outer surface of the resin package (20) at the tip (23b) of the lead (22) that airtightly penetrates the side wall of the lead (22). It is bent at the part where the notch (25) is formed. The depth S of this notch (25) is preferably set to such a size that the lead (22) is not cut.For example, for a lead whose tip end (23b) has a width W of 1 inch, the depth S is 0.
It is preferable to form it to a thickness of about 4 to 0.8 mm.

このようにな弾性表面波装置は、第2図および第3図に
示すように、あらかじめアイランド部(21)およびリ
ード(22)が一体のリードフレーム(27)を成形す
るとき、そのリード(22)の所定部分に切欠き(25
)を形成しておき、従来の樹脂パッケージ弾性表面波装
置の製造と同様に成形金型を用いて樹脂成形法により樹
脂パッケージ(20)を成形したのち、その樹脂パッケ
ージ(2D)側壁を気密に貫通しているリード(22)
の先端部(23b)側を、プレス加工により切欠き(2
5)形成部分で折曲げることにより製造される。
As shown in FIGS. 2 and 3, in this surface acoustic wave device, when the lead frame (27) in which the island portion (21) and the leads (22) are integrally formed is formed in advance, the leads (22) ) with a notch (25
), and after molding the resin package (20) by the resin molding method using a molding mold in the same way as in the manufacture of conventional resin packaged surface acoustic wave devices, the side walls of the resin package (2D) are made airtight. Penetrating lead (22)
The tip (23b) side of the notch (2
5) Manufactured by bending at the forming part.

ところで、上記のように弾性表面波装置を構成すると、
樹脂パ・ンケージ(20)成形後に、その側壁から延出
しているリード(22)の先端部(23b)側を樹脂パ
ッケージ(20)の外側面に近い位置で折曲げても、折
曲げにより発生する応力を機械的強度の低い切欠き(2
5)形成部分に集中させることができ、樹脂パッケージ
(20)に加わる応力を軽減できる。
By the way, when the surface acoustic wave device is configured as described above,
Even if the tip end (23b) of the lead (22) extending from the side wall of the resin package (20) is bent at a position close to the outer surface of the resin package (20) after molding, the problem may occur due to bending. A notch with low mechanical strength (2
5) The stress applied to the resin package (20) can be reduced by concentrating it on the forming part.

したがって、機械的強度の低い熱可塑性樹脂パッケージ
(20)に対してリード(22)折曲げによる欠けの発
生を防止することができ、外観を慣なうことなく、また
樹脂パッケージ(20)の気密性を損なうこともなく、
所要の特性を維持する信頼性の高い弾性表面波装置を歩
留りよく製造することができる。
Therefore, it is possible to prevent the thermoplastic resin package (20), which has low mechanical strength, from chipping due to bending of the leads (22). Without compromising sexuality,
A highly reliable surface acoustic wave device that maintains required characteristics can be manufactured with high yield.

なお、上記実施例では、リードの両側から円孤状の切欠
きを形成したが、この切欠きは、第4図(a)に示す三
角形状の切欠き(25)、その他任意の多角形状でよく
、また同(b)に示すように、折曲げ部分をその隣接部
分より幅の狭い狭幅部(28)を形成したものでもよい
In the above embodiment, arc-shaped notches were formed on both sides of the lead, but these notches may be triangular notches (25) shown in FIG. 4(a) or any other polygonal shape. Alternatively, as shown in FIG. 6(b), the bent portion may be formed with a narrow portion (28) narrower than the adjacent portion.

なおまた、上記実施例では、DIP型の弾性表面波装置
について述べたが、この発明は、折曲げピンを有するZ
IP(Sig Zag In1ine Pin)型など
の弾性表面波装置にも適用可能である。
Furthermore, in the above embodiment, a DIP type surface acoustic wave device was described, but the present invention is directed to a Z-type surface acoustic wave device having a bending pin.
It is also applicable to surface acoustic wave devices such as IP (Sig Zag Inline Pin) type.

C発明の効果] 弾性表面波素子を搭載するアイランド部および弾性表面
波素子の電極に接続されたリードの基端部側が内側底部
に密着する樹脂パッケージを気密に貫通してその外側に
位置するリードの先端部側に、切欠き部または狭幅部を
設け、リードをこの切欠き部または狭幅部で折曲げると
、小さな曲げ荷重で曲げることができ、樹脂パッケージ
に加わる応力を小さくすることができる。したがって、
樹脂パッケージ成形後、リードの先端部側を樹脂パッケ
ージの外面に近い位置で折曲げても、樹脂パッケージに
欠けやクラックを発生させることなく容易に折曲げるこ
とができ、外観品位および特性を損なわない所要の信頼
性の高い樹脂パッケージ弾性表面波装置とすることがで
きる。
C Effect of the invention] The base end side of the lead connected to the island part on which the surface acoustic wave element is mounted and the electrode of the surface acoustic wave element airtightly penetrates the resin package that is in close contact with the inner bottom part, and the lead is located outside of the resin package. By providing a notch or narrow width part on the tip side of the lead, and bending the lead at this notch or narrow width part, the lead can be bent with a small bending load, and the stress applied to the resin package can be reduced. can. therefore,
After the resin package is molded, even if the tip end of the lead is bent close to the outer surface of the resin package, it can be easily bent without causing chips or cracks in the resin package, and the appearance quality and characteristics are not impaired. A resin packaged surface acoustic wave device with the required high reliability can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図ないし第4図はこの発明の詳細な説明図で、第1
図(a)ないしくC)はそれぞれその一実施例である樹
脂パッケージ弾性表面波装置の構成を一部切欠して示す
平面図、正面図および側面図、第2図はその弾性表面波
装置の製造に用いられるリードフレームの構成を示す平
面図、第3図はそのリードフレームのリードに形成され
る切欠きを示す図、第4図(a)および(6)はそれぞ
れリードフレームのリードに形成される異なる形状の切
欠きおよび狭幅部を示す図、第5図は従来の金属パッケ
ージ弾性表面波装置の構成を一部切欠して示す斜視図、
第6図(a)ないしくC)はそれぞれDIP型の半導体
装置のピン配列を示す平面図、正面図および側面図、第
7図(a)ないしくc)はそれぞれ従来の樹脂パッケー
ジ弾性表面波装置の構成を一部切欠して示す平面図、正
面図および側面図である。 20・−・樹脂パッケージ 21・・・アイランド部2
2・・・リード     23a・・・リードの基端部
23b・・・リードの先端部 25・・・切欠き     27・・・リードフレーム
28・・・狭幅部
Figures 1 to 4 are detailed explanatory diagrams of this invention.
Figures (a) to C) are partially cutaway plan views, front views, and side views showing the structure of a resin-packaged surface acoustic wave device, which is an example of the same, and Figure 2 is a diagram showing the structure of the surface acoustic wave device. A plan view showing the structure of a lead frame used in manufacturing, FIG. 3 is a diagram showing notches formed in the leads of the lead frame, and FIGS. 4 (a) and (6) respectively show notches formed in the leads of the lead frame. FIG. 5 is a partially cutaway perspective view showing the configuration of a conventional metal package surface acoustic wave device;
6(a) to 6(c) are plan views, front views, and side views showing the pin arrangement of a DIP type semiconductor device, respectively, and FIG. FIG. 2 is a partially cutaway plan view, front view, and side view of the configuration of the device. 20... Resin package 21... Island part 2
2...Lead 23a...Lead base end 23b...Lead tip end 25...Notch 27...Lead frame 28...Narrow width part

Claims (1)

【特許請求の範囲】 基板に所定パターンの電極が形成された弾性表面波素子
と、 この弾性表面波素子を搭載するアイランド部と、上記弾
性表面波素子の電極に基端部が接続された板状のリード
と、 上記弾性表面波素子の搭載されたアイランド部および上
記リードの基端部側を内底部に密着し、かつ上記リード
の先端部側が気密に貫通する樹脂パッケージとを具備し
、 上記樹脂パッケージを気密に貫通してこの樹脂パッケー
ジの外側に位置する上記リードの先端部側に切欠き部ま
たは狭幅部を設け、この切欠き部または狭幅部で上記リ
ードが折曲げられていることを特徴とする弾性表面波装
置。
[Scope of Claims] A surface acoustic wave device having a predetermined pattern of electrodes formed on a substrate, an island portion on which this surface acoustic wave device is mounted, and a plate whose base end portion is connected to the electrode of the surface acoustic wave device. a resin package, the island portion on which the surface acoustic wave element is mounted, and a resin package in which the proximal end side of the lead is brought into close contact with the inner bottom portion, and the distal end side of the lead is hermetically penetrated; A notch or a narrow part is provided on the tip end side of the lead that airtightly penetrates the resin package and is located outside the resin package, and the lead is bent at the notch or narrow part. A surface acoustic wave device characterized by:
JP6184890A 1990-03-13 1990-03-13 Surface acoustic wave device Pending JPH03262314A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6184890A JPH03262314A (en) 1990-03-13 1990-03-13 Surface acoustic wave device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6184890A JPH03262314A (en) 1990-03-13 1990-03-13 Surface acoustic wave device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03262314A true JPH03262314A (en) 1991-11-22

Family

ID=13182923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6184890A Pending JPH03262314A (en) 1990-03-13 1990-03-13 Surface acoustic wave device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03262314A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007043562A1 (en) * 2005-10-14 2007-04-19 Sharp Kabushiki Kaisha Interconnector, solar battery string using such interconnector, method for manufacturing such solar battery string and solar battery module using such solar battery string
WO2007119365A1 (en) * 2006-04-14 2007-10-25 Sharp Kabushiki Kaisha Solar cell, solar cell string and solar cell module
JP2007287861A (en) * 2006-04-14 2007-11-01 Sharp Corp Solar cell, solar cell string, and solar cell module
JP2008021831A (en) * 2006-07-13 2008-01-31 Sharp Corp Solar battery, solar-battery string, and solar-battery module

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007043562A1 (en) * 2005-10-14 2007-04-19 Sharp Kabushiki Kaisha Interconnector, solar battery string using such interconnector, method for manufacturing such solar battery string and solar battery module using such solar battery string
WO2007119365A1 (en) * 2006-04-14 2007-10-25 Sharp Kabushiki Kaisha Solar cell, solar cell string and solar cell module
JP2007287861A (en) * 2006-04-14 2007-11-01 Sharp Corp Solar cell, solar cell string, and solar cell module
US8440907B2 (en) 2006-04-14 2013-05-14 Sharp Kabushiki Kaisha Solar cell, solar cell string and solar cell module
JP2008021831A (en) * 2006-07-13 2008-01-31 Sharp Corp Solar battery, solar-battery string, and solar-battery module

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4276533A (en) Pressure sensor
JPH03262314A (en) Surface acoustic wave device
US6977339B2 (en) Surface mounting package
JP2511136Y2 (en) Metal package for electronic parts
JPS6374312A (en) Manufacture of electronic parts
JPH036025Y2 (en)
JPH024513Y2 (en)
JPH04245460A (en) Package for electronic parts and its manufacture
JP2000164949A (en) Hall sensor
JP2503682B2 (en) Electronic parts
JP3285971B2 (en) Semiconductor pressure sensor
JPS6210940Y2 (en)
JPS6238604A (en) Piezoelectric oscillator
JPH077111A (en) Semiconductor device surface mounting package
JPH04179254A (en) Electronic component metal package
KR0145079B1 (en) Semiconductor device packages and integrated circuit packages with outwardly arced die cavities
JP3429437B2 (en) Package for solid-state imaging device and solid-state imaging device using the same
JPS6210942Y2 (en)
JPS623898Y2 (en)
JP4052238B2 (en) Package for surface mount electronic components
JPH03178151A (en) Resin package type semiconductor device and its manufacture
JPH03276749A (en) Glass-sealed semiconductor device
JP2726863B2 (en) Semiconductor device package
JPH03248614A (en) Surface acoustic wave device
JPH0625965Y2 (en) Glass-sealed package for semiconductor device storage