JPH03260633A - ファイバ型マルチバンド光アンプ - Google Patents
ファイバ型マルチバンド光アンプInfo
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- JPH03260633A JPH03260633A JP2058206A JP5820690A JPH03260633A JP H03260633 A JPH03260633 A JP H03260633A JP 2058206 A JP2058206 A JP 2058206A JP 5820690 A JP5820690 A JP 5820690A JP H03260633 A JPH03260633 A JP H03260633A
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- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、光通信に使用する1、3μmと1.55μm
の両波長帯の光信号を直接に増幅することができるだけ
でなく、両波長帯より長波長な光信号も直接に増幅する
ことのできるファイバ型マルチバンド光アンプに関する
。
の両波長帯の光信号を直接に増幅することができるだけ
でなく、両波長帯より長波長な光信号も直接に増幅する
ことのできるファイバ型マルチバンド光アンプに関する
。
〈従来の技術〉
現在、エルビウム(元素記号6r)などの希土類元素を
添加した光ファイバを使用し、光信号を直接増幅する光
アンプが種々検討されている。
添加した光ファイバを使用し、光信号を直接増幅する光
アンプが種々検討されている。
この中で主なものは、エルビウムの添加されたファイバ
を1.48μm或いは0.89μmの高パワーのレーザ
(ポンプ光)で励起し、光エネルギーの交換により1.
5〜1.55μmの光信号を直接に増幅するものである
。
を1.48μm或いは0.89μmの高パワーのレーザ
(ポンプ光)で励起し、光エネルギーの交換により1.
5〜1.55μmの光信号を直接に増幅するものである
。
このような光アンプは光信号を直接に増幅できるので、
光信号を一旦電気信号に変換してから増幅する従来の中
継器に比較して、アンプ部の構成が極めて簡単になると
いう大きな利点を有する。
光信号を一旦電気信号に変換してから増幅する従来の中
継器に比較して、アンプ部の構成が極めて簡単になると
いう大きな利点を有する。
〈発明が解決しようとする課題〉
ここで、エルビウトの添加されたファイバが1.55μ
m帯の信号光を増幅できるのは、エルビウムのエネルギ
ーレベルの中で、通信に使用される1、55μm帯の波
長に適合するレベルがあるためであり、逆にエルビウム
の添加されたファイバは1.55μm帯以外の波長を増
幅するのには適しなかった。このように、元素は固有の
エネルギーレベルを有するから、元素とポンプ光の波長
の組合せにより、増幅できる波長に制約がある。
m帯の信号光を増幅できるのは、エルビウムのエネルギ
ーレベルの中で、通信に使用される1、55μm帯の波
長に適合するレベルがあるためであり、逆にエルビウム
の添加されたファイバは1.55μm帯以外の波長を増
幅するのには適しなかった。このように、元素は固有の
エネルギーレベルを有するから、元素とポンプ光の波長
の組合せにより、増幅できる波長に制約がある。
一方、現在実用化されている通信波長としては1,55
μm帯以外に、1.3μm帯がある。後者の波長帯にお
いて増幅作用を得るために、従来から石英系ファイバに
ネオジム(元素記号Nd)を添加したものが検討されて
いるが、増幅波長が1.4μm前後であり、これも適し
ていない。更に、ネオジムを添加したファイバにリン(
元素記号P)を加えて添加することより、1.3μm帯
のアンプを実現することも検討されているが、成功して
いない。また、ジルコニウム(元素記号Zr)バリウム
(元素記号Ba)−アルミニウム(元素記号AI)を主
体とするフッ化物ファイバにネオジムを添加し、0.7
8μmのポンプ光を使用すると、増幅可能であるとの結
果が報告されている。
μm帯以外に、1.3μm帯がある。後者の波長帯にお
いて増幅作用を得るために、従来から石英系ファイバに
ネオジム(元素記号Nd)を添加したものが検討されて
いるが、増幅波長が1.4μm前後であり、これも適し
ていない。更に、ネオジムを添加したファイバにリン(
元素記号P)を加えて添加することより、1.3μm帯
のアンプを実現することも検討されているが、成功して
いない。また、ジルコニウム(元素記号Zr)バリウム
(元素記号Ba)−アルミニウム(元素記号AI)を主
体とするフッ化物ファイバにネオジムを添加し、0.7
8μmのポンプ光を使用すると、増幅可能であるとの結
果が報告されている。
しかし、増幅可能な波長のピークが1.33μm帯にあ
り、1.3μmでは殆どゲインがない。この為、主に用
いられている1、3〜1.31μmでは効率が極めて悪
く、現実的ではなかった。
り、1.3μmでは殆どゲインがない。この為、主に用
いられている1、3〜1.31μmでは効率が極めて悪
く、現実的ではなかった。
また、信号光とのクロストークを防止するため、信号光
よりも長波長側、例えば1.65μm帯の波長を光源を
用いた光パルス試験器(以下、0TDRと言う)により
光ファイバの異常検出を行うことが検討されている。し
かし、上記の光アンプを使用する場合には、0TDRで
使用する光信号も増幅する必要があるが、1,65μm
帯の光を増幅する光アンプは報告されてぃなかった。
よりも長波長側、例えば1.65μm帯の波長を光源を
用いた光パルス試験器(以下、0TDRと言う)により
光ファイバの異常検出を行うことが検討されている。し
かし、上記の光アンプを使用する場合には、0TDRで
使用する光信号も増幅する必要があるが、1,65μm
帯の光を増幅する光アンプは報告されてぃなかった。
このように、従来では、信号光の増幅については、ファ
イバ自体の材料、添加元素、ポンプ波長等の組合せが種
々に検討されているが、1゜3μm帯で実用的な光アン
プは実現されておらず、更に、1.55μm帯及び1.
3μm帯の両波長を増幅可能なもの、1.65μm帯の
光をアンプ可能なものも実現されていなかった。
イバ自体の材料、添加元素、ポンプ波長等の組合せが種
々に検討されているが、1゜3μm帯で実用的な光アン
プは実現されておらず、更に、1.55μm帯及び1.
3μm帯の両波長を増幅可能なもの、1.65μm帯の
光をアンプ可能なものも実現されていなかった。
本発明は、上記従来技術に鑑みて成されたものであり、
3波長帯の光を増幅可能なファイバ型マルチバンド光ア
ンプを提供することを目的とする。
3波長帯の光を増幅可能なファイバ型マルチバンド光ア
ンプを提供することを目的とする。
〈課題を解決するための手段〉
斯かる目的を達成する本発明の構成はエルビウム、ネオ
ジム及びツリウムの3元素を添加したフッ化物ファイバ
にポンプ光を入射させて該ファイバを励起状態とすると
共に前記ファイバ中に信号光を伝搬させることにより該
信号光を増幅させることを特徴とする。
ジム及びツリウムの3元素を添加したフッ化物ファイバ
にポンプ光を入射させて該ファイバを励起状態とすると
共に前記ファイバ中に信号光を伝搬させることにより該
信号光を増幅させることを特徴とする。
〈作用〉
フッ化物ガラスを構成する多種類の成分及び添加された
エルビウム、ツリウム(元素記号Tm)がネオジムのエ
ネルギー準位の変化を起こさせる為に、1.3μm帯で
の光信号が増幅される。
エルビウム、ツリウム(元素記号Tm)がネオジムのエ
ネルギー準位の変化を起こさせる為に、1.3μm帯で
の光信号が増幅される。
また、添加されたエルビウム、ツリウムのエネルギー準
位により1.55及び1.65μm帯での信号光が増幅
されることになる。
位により1.55及び1.65μm帯での信号光が増幅
されることになる。
〈実施例〉
以下、・本発明について図面に示す実施例を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
第1図に本発明の一実施例を示す。同図に示すように、
フッ化物ファイバlの一端にはカブラ3が設けられると
共にこのカブラ3はコネクタ4とポンプ用光源2が接続
している。また、フッ化物ファイバlの他端にはコネク
タ4が設けられている。
フッ化物ファイバlの一端にはカブラ3が設けられると
共にこのカブラ3はコネクタ4とポンプ用光源2が接続
している。また、フッ化物ファイバlの他端にはコネク
タ4が設けられている。
従って、コネクタ4からの信号光とポンプ光源2からの
ポンプ光はカブラ3で合波されてフッ化物ファイバIの
一端に入射し、フッ化物ファイバIはポンプ光により励
起された状態となる。この為、フッ化物ファイバ中を伝
搬する信号光が増幅され、増幅光となってフッ化物ファ
イバIの他端のコネクタ4から出射する事になる。
ポンプ光はカブラ3で合波されてフッ化物ファイバIの
一端に入射し、フッ化物ファイバIはポンプ光により励
起された状態となる。この為、フッ化物ファイバ中を伝
搬する信号光が増幅され、増幅光となってフッ化物ファ
イバIの他端のコネクタ4から出射する事になる。
ここで、上記フッ化物ファイバ1としては、■、3μm
、1.55.czm及び1.65 μmの3波長帯で光
増幅作用を得るため、ネオジム、エルビウム、ツリウム
をそれぞれ500ppm添加したものを使用した。また
、コア内の光パワー密度を高めるために、単一モード構
造とした。その諸元を下表に示す。
、1.55.czm及び1.65 μmの3波長帯で光
増幅作用を得るため、ネオジム、エルビウム、ツリウム
をそれぞれ500ppm添加したものを使用した。また
、コア内の光パワー密度を高めるために、単一モード構
造とした。その諸元を下表に示す。
表−1
第2図に示すように、このフッ化物ファイバlにポンプ
レーザ光源5から、アルゴンレーザ(波長514.5n
m)のポンプ光を入射してこのファイバを励起させ、発
生する蛍光を光スペクトルアナライザ6で測定した。ポ
ンプ光のパワーは200mW、ファイバ長は20cmと
した。
レーザ光源5から、アルゴンレーザ(波長514.5n
m)のポンプ光を入射してこのファイバを励起させ、発
生する蛍光を光スペクトルアナライザ6で測定した。ポ
ンプ光のパワーは200mW、ファイバ長は20cmと
した。
その測定結果を第3図に示す。同図に示すように波長1
.06μm、 1.31μm、 1.53μm付近をピ
ークとする蛍光が明確に観察される。この蛍光の波長範
囲の信号光を合波させると、信号光にパワーが移るため
に、増幅作用が得られる。1゜06μmと123!μm
の波長帯域はネオジムの遷移に対応し、1.53μmの
波長帯はエルビウムの遷移に対応する。注目すべきは、
1.3μm帯の蛍光が1.26μmから1.42μmま
で広がっていること、及び蛍光の値が1.5μm帯の蛍
光よりも大きいことである。ネオジムのみを添加した従
来のファイバでは1.4μm帯から極僅かの蛍光が発生
しているだけであり、1.3μm帯での増幅は困難であ
ったが、本発明とこのように差が生じるのは、ファイバ
材料及びエルビウム、ツリウムの添加によりネオジムの
エネルギー準位が変化するためであると考えられる。
.06μm、 1.31μm、 1.53μm付近をピ
ークとする蛍光が明確に観察される。この蛍光の波長範
囲の信号光を合波させると、信号光にパワーが移るため
に、増幅作用が得られる。1゜06μmと123!μm
の波長帯域はネオジムの遷移に対応し、1.53μmの
波長帯はエルビウムの遷移に対応する。注目すべきは、
1.3μm帯の蛍光が1.26μmから1.42μmま
で広がっていること、及び蛍光の値が1.5μm帯の蛍
光よりも大きいことである。ネオジムのみを添加した従
来のファイバでは1.4μm帯から極僅かの蛍光が発生
しているだけであり、1.3μm帯での増幅は困難であ
ったが、本発明とこのように差が生じるのは、ファイバ
材料及びエルビウム、ツリウムの添加によりネオジムの
エネルギー準位が変化するためであると考えられる。
次に、同じファイバを波長0.78μm帯のチタンサフ
ァイヤレーザで励起し、発生する蛍光を観測したところ
、1.65μmの蛍光が観察され、波長1.4〜1.8
μm帯で第3図と同様な結果が得られた。
ァイヤレーザで励起し、発生する蛍光を観測したところ
、1.65μmの蛍光が観察され、波長1.4〜1.8
μm帯で第3図と同様な結果が得られた。
本実施例では、ファイバとして、ジルコニウム、バリウ
ム、ランタン(元素記号La)、アルミニウム、ナトリ
ウム(元素記号Na)からなるフッ化物系のものを使用
したが、ジルコニウム、バリウム、ランタン、アルミニ
ウムからなるフッ化物ファイバ及びこれらにガリウム(
元素記号Ga)、ガドリウム(元素記号Gd)、リチウ
ム(元素記号Li)、カルシウム(元素記号Ca)等を
添加した材料でも同様な効果を期待できる。
ム、ランタン(元素記号La)、アルミニウム、ナトリ
ウム(元素記号Na)からなるフッ化物系のものを使用
したが、ジルコニウム、バリウム、ランタン、アルミニ
ウムからなるフッ化物ファイバ及びこれらにガリウム(
元素記号Ga)、ガドリウム(元素記号Gd)、リチウ
ム(元素記号Li)、カルシウム(元素記号Ca)等を
添加した材料でも同様な効果を期待できる。
本発明では、信号光1.3及び1.55μmの両波長帯
に関するエネルギー準位を同時に励起することのできる
ポンプ光の波長を選ぶ必要がある。
に関するエネルギー準位を同時に励起することのできる
ポンプ光の波長を選ぶ必要がある。
ネオジムが吸収する波長として515nm、 580n
m、 750nm、 800nm帯があり、エルビウム
が吸収する波長として515nm、 780nm、 9
80nm、 1480nm帯があるので、共通するポン
プ光の波長としては515nm帯は好適である。また、
ツリウムの吸収する波長としては780μm帯があるの
で、三つの波長帯を同時に一つのポンプ光で励起する場
合には780μm帯の光源が適している。
m、 750nm、 800nm帯があり、エルビウム
が吸収する波長として515nm、 780nm、 9
80nm、 1480nm帯があるので、共通するポン
プ光の波長としては515nm帯は好適である。また、
ツリウムの吸収する波長としては780μm帯があるの
で、三つの波長帯を同時に一つのポンプ光で励起する場
合には780μm帯の光源が適している。
〈発明の効果〉
以上、実施例に基づいて具体的に説明したように、本発
明のマルチバンド光アンプは、光通信に使用される1、
3μm帯及び1.55μm帯の両波長の光信号を直接に
増幅することができるだけでなく、これらの波長よりも
長波長な光信号も増幅することも可能である。この為、
0TDRに使用される波長の光も容易に増幅することが
でき、光ファイバの異常検出にも応用可能である。
明のマルチバンド光アンプは、光通信に使用される1、
3μm帯及び1.55μm帯の両波長の光信号を直接に
増幅することができるだけでなく、これらの波長よりも
長波長な光信号も増幅することも可能である。この為、
0TDRに使用される波長の光も容易に増幅することが
でき、光ファイバの異常検出にも応用可能である。
第1図は本発明の一実施例に係るマルチバンド光アンプ
の構成図、第2図はフッ化物ファイバの蛍光測定系を示
す説明図、第3図はフッ化物ファイバの蛍光測定結果を
示すグラフである。 図面中、 ■はフッ化物ファイバ 2はポンプ光源、 3はカプラ、 4はコネクタ、 5はポンプレーザ光源、 6は光スペクトルアナライザである。
の構成図、第2図はフッ化物ファイバの蛍光測定系を示
す説明図、第3図はフッ化物ファイバの蛍光測定結果を
示すグラフである。 図面中、 ■はフッ化物ファイバ 2はポンプ光源、 3はカプラ、 4はコネクタ、 5はポンプレーザ光源、 6は光スペクトルアナライザである。
Claims (1)
- エルビウム、ネオジム及びツリウムの3元素を添加した
フッ化物ファイバにポンプ光を入射させて該ファイバを
励起状態とすると共に前記ファイバ中に信号光を伝搬さ
せることにより該信号光を増幅させることを特徴とする
ファイバ型マルチバンド光アンプ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2058206A JPH03260633A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | ファイバ型マルチバンド光アンプ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2058206A JPH03260633A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | ファイバ型マルチバンド光アンプ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03260633A true JPH03260633A (ja) | 1991-11-20 |
Family
ID=13077567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2058206A Pending JPH03260633A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | ファイバ型マルチバンド光アンプ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03260633A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05275792A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ファイバレーザおよびファイバ増幅器 |
JPH0653575A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-02-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光増幅器 |
EP0614255A1 (en) * | 1993-03-04 | 1994-09-07 | AT&T Corp. | Surface emitting semiconductor laser with integrated focusing means |
EP0614256A1 (en) * | 1993-03-01 | 1994-09-07 | AT&T Corp. | Tunable surface emitting semiconductor laser |
WO2001001529A1 (en) * | 1999-06-23 | 2001-01-04 | University Of Leeds | A wide band optical amplifier |
-
1990
- 1990-03-12 JP JP2058206A patent/JPH03260633A/ja active Pending
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JP2688303B2 (ja) * | 1992-03-24 | 1997-12-10 | 日本電信電話株式会社 | ファイバレーザおよびファイバ増幅器 |
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GB2367684A (en) * | 1999-06-23 | 2002-04-10 | Univ Leeds | A wide band optical amplifier |
GB2367684B (en) * | 1999-06-23 | 2003-10-22 | Univ Leeds | A wide band optical amplifier |
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