JPH03259496A - Output circuit - Google Patents

Output circuit

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JPH03259496A
JPH03259496A JP2058359A JP5835990A JPH03259496A JP H03259496 A JPH03259496 A JP H03259496A JP 2058359 A JP2058359 A JP 2058359A JP 5835990 A JP5835990 A JP 5835990A JP H03259496 A JPH03259496 A JP H03259496A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fet
output
constant current
constant
gate
Prior art date
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Pending
Application number
JP2058359A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Ubayama
隆 姥山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yamaha Corp
Original Assignee
Yamaha Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Yamaha Corp filed Critical Yamaha Corp
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Publication of JPH03259496A publication Critical patent/JPH03259496A/en
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Abstract

PURPOSE:To prevent a tentative large current from being supplied even at a transient period when each output transistor (TR) turns from OFF to ON by using a constant current bias means so as to make a bias of each output TR constant so as to make constant current operation. CONSTITUTION:A source of a FET (Field effect transistor) 7 is connected to a drain of a FET 8. The FET 8 is an NMOS (N-channel metal oxide semiconductor) FET and its source is grounded and its gate is connected to a source of a FET 9 and also connected to a drain and a gate of a FET 10 respectively. The FETs 8, 9, 10 constitute a constant current bias means and a constant current bias circuit comprising the FETs 9, 10 is used to set a current flowing through the FET 8 constant thereby acting the FET 7 like a constant current operation. Thus, no tentative large current is supplied even at a transient period when the output TRs 5,7 are turned off to on.

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、メモリなどに内蔵され、複数の出力トラン
ジスタにより構成される出力回路に係わり、特に各出力
トランジスタのオフからオンに変化する際に生じるノイ
ズの発生を抑えた出力回路に関する。
[Detailed Description of the Invention] "Industrial Application Field" This invention relates to an output circuit that is built into a memory or the like and is composed of a plurality of output transistors, and particularly relates to an output circuit that is built in a memory or the like and is composed of a plurality of output transistors. The present invention relates to an output circuit that suppresses noise generation.

「従来の技術」 第2図は、メモリ(例えば、RAM、ランダム・アクセ
ス・メモリ)などに内蔵される複数の出力トランジスタ
により構成される出力回路の一例を示す回路図である。
"Prior Art" FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of an output circuit comprised of a plurality of output transistors built into a memory (eg, RAM, random access memory) or the like.

この図において、lはノアゲートであり、その第1入力
端かインノく一夕2を介してナントゲート3の第1入力
端に接続されてL)る。また、その第2入力端がナント
ゲート3の第2の入力端に接続され、その出力端かイン
ノく一タ4を介してF E T (field eff
ect transistor)5のゲートに接続され
ている。ナントゲート3は、その出力端がインバータ6
を介してFET7のゲートに接続されている。上記F’
ET 5のドレインには電源電圧V0が印加され、また
、そのソースがFET7のドレインと共通接続されてい
る。そして、この共通接続部分から出力信号Poが取出
されるようになっている。F E T’ 7のソースは
接地されている。なお、上記FET5は、PMOS(P
チャンネル・メタルオキサイド・セミコンダクタ)型で
あり、FET 7はNMOS(Nチャンネル・メタルオ
キサイド・セミコンダクタ)型である。
In this figure, 1 is a NOR gate, and its first input terminal is connected to the first input terminal of a NAND gate 3 via an input terminal 2 (L). Further, its second input terminal is connected to the second input terminal of the Nant gate 3, and its output terminal is connected to the input terminal FE T (field eff
ect transistor) 5. The output terminal of the Nant gate 3 is connected to the inverter 6.
It is connected to the gate of FET7 via. Above F'
A power supply voltage V0 is applied to the drain of the ET 5, and its source is commonly connected to the drain of the FET 7. The output signal Po is then taken out from this common connection portion. The source of FET' 7 is grounded. Note that the above FET 5 is a PMOS (P
The FET 7 is of the NMOS (N-channel metal oxide semiconductor) type.

この上うな構成の出力回路において、ノアゲート1の第
1入力端と、インバータ2を介してナントゲート3の第
1入力端に“L”レヘルのOE(アウトプットイネーブ
ル)信号が印加された状態で、ノアゲートlおよびナン
トゲート3各々の第2入力端に印加されるI信号のレベ
ルが“L”から“H”に変化すると、出力信号Poのレ
ベルが“H”から“L”に変化する。
In the output circuit having the above configuration, an OE (output enable) signal of "L" level is applied to the first input terminal of the NOR gate 1 and the first input terminal of the NAND gate 3 via the inverter 2. , when the level of the I signal applied to the second input terminal of each of the NOR gate 1 and the NAND gate 3 changes from "L" to "H", the level of the output signal Po changes from "H" to "L".

「発明が解決しようとする課題」 ところで、上述した従来の出力回路にあっては、回路の
スピードを上げるためには、F’ET 7のチャネル幅
をある程度大きくしないと、出力信号端とグランドとの
間に生じる寄生容量を含めた負荷に対応させることがで
きない。しかしながら、チャネル幅をある程度大きくす
ると、過渡期において、FET7がオンになると同時に
、このFET7の能力に応じた大きな電流が流れること
になる。こ乙がグランドレベルを変動させ、ノイズとな
って他の回路の誤動作を引き起こしてしまうとい問題が
生じる。
"Problem to be Solved by the Invention" By the way, in the conventional output circuit described above, in order to increase the speed of the circuit, the channel width of F'ET 7 must be increased to a certain extent, otherwise the output signal end and the ground will be connected. It is not possible to deal with the load including the parasitic capacitance that occurs between the two. However, if the channel width is increased to a certain extent, a large current corresponding to the capacity of the FET 7 will flow at the same time that the FET 7 is turned on during the transition period. A problem arises when the ground level fluctuates, causing noise and causing other circuits to malfunction.

この発明は上述した事情に鑑みてなされたちので、FE
T7のオフからオンになる際の過渡期において一時的に
大電流が流れ無い出力回路を提供することを目的として
いる。
This invention was made in view of the above-mentioned circumstances, so FE
The purpose of this invention is to provide an output circuit in which a large current does not flow temporarily during the transition period when T7 is turned on from off.

「課題を解決するための手段」 この発明は、複数の出力トランジスタにより構成される
出力回路において、前記各出力トランジスタのバイアス
を一定として定電流動作させる定電流バイアス手段を具
備することを特徴とする。
"Means for Solving the Problem" The present invention is characterized in that, in an output circuit constituted by a plurality of output transistors, a constant current bias means is provided for operating at a constant current while keeping the bias of each of the output transistors constant. .

「作用 」 この発明の構成によれば、定電流バイアス手段により各
出力トランジスタのバイアスを一定にして定電流動作を
させるので、前記各出力トランジスタがオフからオンに
なる際の過渡期においても一時的に大電流が流れない。
"Operation" According to the configuration of the present invention, since the bias of each output transistor is kept constant by the constant current bias means and constant current operation is performed, even in the transition period when each output transistor is turned on from off, there is no temporary effect. A large current does not flow through the

したがって、大電流が流れることにより生じるグランド
レベルの変動がほとんど生じないので、ノイズがほとん
ど発生せず、他の回路への影響がほとんど無い。
Therefore, there is almost no variation in the ground level caused by the flow of a large current, so almost no noise is generated and there is almost no influence on other circuits.

「実施例」 以下、図面を参照してこの発明の実施例について説明す
る。
"Embodiments" Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図はこの発明の一実施例による出力回路の構成を示
す回路図である。なお、この図において前述した第2図
と共通する部分には同一の符号を付してその説明を省略
する。
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of an output circuit according to an embodiment of the present invention. In this figure, parts common to those in FIG. 2 described above are designated by the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted.

この図において、FET7のソースがFET 8のドレ
インに接続されている。FET 8はNMOS型のFE
Tてあり、そのソースが接地され、ゲートがFET9の
ソースに接続されるとともに、FET 10のドレイン
およびゲートにそれぞれ接続されている。FET 9は
PMOS型のFETであり、そのドレインには電源電圧
V。が印加され、ゲートが接地されている。一方、上述
したFET1OはNMOS型のFETであり、そのソー
スが接地されている。これらFET9,10は定電流バ
イアス回路を構成する。
In this figure, the source of FET 7 is connected to the drain of FET 8. FET 8 is NMOS type FE
Its source is grounded, its gate is connected to the source of FET 9, and connected to the drain and gate of FET 10, respectively. FET 9 is a PMOS type FET, and the power supply voltage V is applied to its drain. is applied and the gate is grounded. On the other hand, the FET 1O mentioned above is an NMOS type FET, and its source is grounded. These FETs 9 and 10 constitute a constant current bias circuit.

ここで、FETl0のチャネル幅をW、。、チャンネル
長をLl。、流れる電流を■1゜とし、FET8のチャ
ネル幅をW8、チャネル長をL8とすると、このFET
8を流れる電流I8は、 Ws     L+n ■・−1曽o’Le”・・ W8     L I。
Here, the channel width of FETl0 is W. , the channel length is Ll. , the flowing current is ■1°, the channel width of FET8 is W8, and the channel length is L8, then this FET
The current I8 flowing through 8 is Ws L+n ■・-1soo'Le”・・W8 L I.

=kl 、。、(k−wlo −LIl )となり、F
ET 10を流れる電流1+oに比例した値になる。し
たがって、上式に示す比例定数kを変えることにより、
電流I6を所望とする一定値に保つことができる。これ
により回路のスピードを上げるためにFET 7のチャ
ネル幅を広くしても、過渡期において同EFT7がオフ
からオンになった際に、同FET 7の能力に応じた電
流が流れることがない。したがってグランドレベルの変
動が起こりにくくなり、ノイズはほとんど発生しない。
=kl,. , (k-wlo-LIl), and F
The value is proportional to the current 1+o flowing through ET 10. Therefore, by changing the proportionality constant k shown in the above equation,
The current I6 can be maintained at a desired constant value. As a result, even if the channel width of the FET 7 is widened to increase the speed of the circuit, a current corresponding to the capacity of the FET 7 will not flow when the EFT 7 is turned on from off during the transition period. Therefore, fluctuations in the ground level are less likely to occur, and almost no noise is generated.

このように、FET9,10よりなる定電流ノくイアス
回路によってFET8を流れる電流■、を一定値に設定
することで、FET7を定電流動作させることができる
In this way, by setting the current (2) flowing through the FET 8 to a constant value by the constant current bias circuit composed of the FETs 9 and 10, the FET 7 can be operated at a constant current.

なお、上記実施例において、FET9としてPMOS型
を使用したが、NMOS型を使用しても良い。ただしこ
の場合、バイアスはグランドではなく電源にする。
In addition, in the above embodiment, a PMOS type was used as the FET 9, but an NMOS type may also be used. However, in this case, the bias should be the power supply instead of the ground.

「発明の効果」 以上説明したようにこの発明による出力回路によれば、
定電流バイアス手段により各出力トランジスタのバイア
スを一定にしてこれらを定電流動作させるので、各出力
トランジスタがオフからオンになる過渡期においても一
時的に大電流が流れることがない。したかって、過渡期
におけるグランドレベルの変動が起こりにくくなり、ノ
イズがほとんど発生しないので、このノイズによる他の
回路への影響がほとんど無い。
"Effects of the Invention" As explained above, according to the output circuit according to the present invention,
Since the constant current bias means keeps the bias of each output transistor constant and causes them to operate at a constant current, no large current temporarily flows even during the transition period when each output transistor changes from off to on. Therefore, fluctuations in the ground level during the transition period are less likely to occur, and almost no noise is generated, so that this noise has almost no influence on other circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例である出力回路の構成を示
す回路図、 第2図は従来の出力回路の構成を示す回路図である。 5.9・・・・・・PMOS型のFET。 7.8.9・・・・・・NMOS型のFET(8,9,
10は定電流バイアス手段を構成する)。 第2図
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of an output circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional output circuit. 5.9...PMOS type FET. 7.8.9...NMOS type FET (8,9,
10 constitutes constant current bias means). Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 複数の出力トランジスタにより構成される出力回路にお
いて、前記各出力トランジスタのバイアスを一定として
定電流動作させる定電流バイアス手段を具備することを
特徴とする出力回路。
1. An output circuit comprising a plurality of output transistors, characterized in that the output circuit comprises a constant current bias means for causing each of the output transistors to operate at a constant current with a constant bias.
JP2058359A 1990-03-09 1990-03-09 Output circuit Pending JPH03259496A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2058359A JPH03259496A (en) 1990-03-09 1990-03-09 Output circuit

Applications Claiming Priority (1)

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JP2058359A JPH03259496A (en) 1990-03-09 1990-03-09 Output circuit

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ID=13082126

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JP2058359A Pending JPH03259496A (en) 1990-03-09 1990-03-09 Output circuit

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JP (1) JPH03259496A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5990711A (en) * 1997-03-21 1999-11-23 Yamaha Corporation Constant current driving circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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