JPH0325568U - - Google Patents

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JPH0325568U
JPH0325568U JP8449889U JP8449889U JPH0325568U JP H0325568 U JPH0325568 U JP H0325568U JP 8449889 U JP8449889 U JP 8449889U JP 8449889 U JP8449889 U JP 8449889U JP H0325568 U JPH0325568 U JP H0325568U
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Japan
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rotating disk
silicon
granular silicon
discharge port
storage hopper
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JP8449889U
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  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例を示す縦断面図、第2
図、第3図はそれぞれ従来のロータリーバルブの
一例を示す縦断面図である。 11……仕切弁、12……箱体、15……ホツ
パー、16……粒状シリコン、17……回転円板
、18……回転円板の駆動装置、19……掻取板
、20……遮断装置、21……第1の案内管、2
2……第2の案内管。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 粒状シリコンをるつぼ中に供給しながらシ
    リコン単結晶を育成するシリコン単結晶の引上げ
    装置において、 減圧不活性ガス雰囲気に置換可能な箱体内に、
    下部に排出口を有する粒状シリコンの貯蔵ホツパ
    ーと、該貯蔵ホツパーの排出口の下に水平に設け
    られた回転円板と、前記貯蔵ホツパーの排出口よ
    り前記回転円板上に排出された粒状シリコンを掻
    落す掻取板とを設けてなり、該掻取板と前記回転
    円板及び貯蔵ホツパーの排出口との間隙を前記粒
    状シリコンの最大粒径以上に設定したことを特徴
    とする粒状シリコンの供給装置。 (2) 回転円板の形状を載頭円錐状に形成すると
    共に、昇降自在に配設され前記回転円板外周の円
    錐状側面との間でシリコン粒子の供給を遮断する
    遮断装置を設けたことを特徴とする請求項(1)記
    載の粒状シリコンの供給装置。
JP8449889U 1989-07-20 1989-07-20 Pending JPH0325568U (ja)

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JP8449889U JPH0325568U (ja) 1989-07-20 1989-07-20

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JPH0325568U true JPH0325568U (ja) 1991-03-15

Family

ID=31633024

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JP8449889U Pending JPH0325568U (ja) 1989-07-20 1989-07-20

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JP (1) JPH0325568U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005035802A (ja) * 2003-07-15 2005-02-10 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp 原料供給方法及び装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005035802A (ja) * 2003-07-15 2005-02-10 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp 原料供給方法及び装置

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