JPH0325415A - 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置Info
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- JPH0325415A JPH0325415A JP16182389A JP16182389A JPH0325415A JP H0325415 A JPH0325415 A JP H0325415A JP 16182389 A JP16182389 A JP 16182389A JP 16182389 A JP16182389 A JP 16182389A JP H0325415 A JPH0325415 A JP H0325415A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置に関し、
表示領域に注入された液晶が汚染されるのを防止するこ
とを目的とし、 一対の絶縁性基板を対向配置し、その一端側に液晶の注
入口を、他端側に液晶溜を設け、前記注入口より液晶を
注入して内部を充填する工程を含むことを特徴とし、ま
た、前記一対の絶縁性基板が相対向する領域の端部に、
基板間隔が他の領域の基板間隔より大きい液晶溜を具備
する構戒とする。
とを目的とし、 一対の絶縁性基板を対向配置し、その一端側に液晶の注
入口を、他端側に液晶溜を設け、前記注入口より液晶を
注入して内部を充填する工程を含むことを特徴とし、ま
た、前記一対の絶縁性基板が相対向する領域の端部に、
基板間隔が他の領域の基板間隔より大きい液晶溜を具備
する構戒とする。
（産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置に
関する。
関する。
従来の液晶表示装置の製造方法は、表面に画素電極６や
バスライン（図示セず）などを形威し、そのＥに配向膜
４を形威した一方のガラス基板２“と、表面に透明導電
膜からなる対向電極９とそのヒに配向膜４を形成した他
方のガラス基板２とを、上記画素電極６や対向電極９を
形威した面を内側にして対向配置し、その間隙に液晶１
０を充填し、周囲を封止する。５はシール剤である。
バスライン（図示セず）などを形威し、そのＥに配向膜
４を形威した一方のガラス基板２“と、表面に透明導電
膜からなる対向電極９とそのヒに配向膜４を形成した他
方のガラス基板２とを、上記画素電極６や対向電極９を
形威した面を内側にして対向配置し、その間隙に液晶１
０を充填し、周囲を封止する。５はシール剤である。
その後必要に応して偏光フィルムの貼り付け等が行われ
る。
る。
従来の液晶表示装置の製造方法においては、パネル化工
程中に配向膜４表面に油脂等が付着し、これが溶け出し
てパネル中の液晶を汚染し、その結果表示品質が損なわ
れるという問題が生じる。
程中に配向膜４表面に油脂等が付着し、これが溶け出し
てパネル中の液晶を汚染し、その結果表示品質が損なわ
れるという問題が生じる。
特に、各画素の電圧を薄膜トランジスタ等の能動素子に
より制御する能動素子型液晶ディスプレイにおいては、
汚染による液晶抵抗の低下が、表示特性に大きな影響を
与えていた。
より制御する能動素子型液晶ディスプレイにおいては、
汚染による液晶抵抗の低下が、表示特性に大きな影響を
与えていた。
これは液晶抵抗が低下すると各画素に書き込んだ電圧が
、液晶１０を通してリークする現象が顕著になるためで
あり、液晶抵抗を低下させることのない液晶パネルの構
造ないしは製造方法の出現を強く望まれていた。
、液晶１０を通してリークする現象が顕著になるためで
あり、液晶抵抗を低下させることのない液晶パネルの構
造ないしは製造方法の出現を強く望まれていた。
そこで本発明は、表示領域に注入された液晶が汚染され
るのを防止することを目的とする。
るのを防止することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
第１図は本発明の原理説明図である。
対向配置した一対の絶縁性基板２．２′の一端側に設け
た液晶の注入口３の反対側に、液晶溜１を設けておく。
た液晶の注入口３の反対側に、液晶溜１を設けておく。
図示の例は、一方の絶縁性基板２の一端に予め凹部を設
けておくことにより、表示領域における両基板間の間隔
よりも大きな間隔の領域を形威し、これを液晶溜１とし
たものである．この一対の絶縁性基板２，２“の間に、
上記注入口から液晶注入を行って、内部に液晶を充填す
る。
けておくことにより、表示領域における両基板間の間隔
よりも大きな間隔の領域を形威し、これを液晶溜１とし
たものである．この一対の絶縁性基板２，２“の間に、
上記注入口から液晶注入を行って、内部に液晶を充填す
る。
このあと、上記注入口３を封止する。
なお、七記液晶溜ｌの部分はそのまま残してもよいが、
中に充填された液晶と共に切除すれば、より好ましい。
中に充填された液晶と共に切除すれば、より好ましい。
（作 用〕
注入口３から注入された液晶は徐々にパネル内に進み、
最後に上記液晶溜１に至る。
最後に上記液晶溜１に至る。
液晶は注入口３から液晶溜１に移動する間に、配向膜４
中に含まれる汚染、あるいは配向膜４表面に付着した汚
染物質を熔解して行く。従って、配向膜４の汚染物質は
液晶に溶解し、液晶の流れと共にパネルの奥に送られて
いき、液晶溜ｌに集まる。そのため、配向膜４の汚染は
次第に除去されるので、表示領域を充填する液晶が注入
される頃には、残存する汚染物質は極めて少ない。従っ
て、本発明によれば汚染物の少ない清浄な液晶で表示領
域を満たすことができ、液晶の汚染による表示品質の低
下を防ぐことができる。
中に含まれる汚染、あるいは配向膜４表面に付着した汚
染物質を熔解して行く。従って、配向膜４の汚染物質は
液晶に溶解し、液晶の流れと共にパネルの奥に送られて
いき、液晶溜ｌに集まる。そのため、配向膜４の汚染は
次第に除去されるので、表示領域を充填する液晶が注入
される頃には、残存する汚染物質は極めて少ない。従っ
て、本発明によれば汚染物の少ない清浄な液晶で表示領
域を満たすことができ、液晶の汚染による表示品質の低
下を防ぐことができる。
なお、−ヒ記液晶溜１は除去ずる方が好ましいが、除去
せずにそのまま残しても、液晶は粘性が高いので、内部
でそれほど移動することはなく、また液品溜１の容積は
非常に大きいため、液晶中の汚染の密度は大幅に低下す
るので、実用上問題は生じない。
せずにそのまま残しても、液晶は粘性が高いので、内部
でそれほど移動することはなく、また液品溜１の容積は
非常に大きいため、液晶中の汚染の密度は大幅に低下す
るので、実用上問題は生じない。
以下本発明をアクティブマトリクス型液晶表示装置に適
用したー実施例を、第２図（ａ）， （ｂ）および第３
図により説明する。
用したー実施例を、第２図（ａ）， （ｂ）および第３
図により説明する。
第２図（ａ）， （ｂ）に示すように、Ｉ Ｔ○膜のよ
うな透明導電膜からなる画素電極６，ゲートパスライン
やドレインバスライン等のバスライン７、更にはアモル
ファスシリコン薄膜トランジスタのような能動素子（図
示せず）をガラス基板２゛表面に多数配設し、このガラ
ス基板２”を対向側のガラス基板２と貼り合わせて空パ
ネルを形戒する。上記対向側のガラス基板２表面には、
対向電極９とその上に配向膜４が形威されている。
うな透明導電膜からなる画素電極６，ゲートパスライン
やドレインバスライン等のバスライン７、更にはアモル
ファスシリコン薄膜トランジスタのような能動素子（図
示せず）をガラス基板２゛表面に多数配設し、このガラ
ス基板２”を対向側のガラス基板２と貼り合わせて空パ
ネルを形戒する。上記対向側のガラス基板２表面には、
対向電極９とその上に配向膜４が形威されている。
上記画素数は例えば９６０ Ｘ ２４０個である。
七記ガラス基板２，２”の最上層には、配向膜４が形成
されている。
されている。
また対向側のガラス基板２の一端側には、図示の如く深
さ０．５ｍｍの凹部８を形成しておき、これを液晶溜１
とする。
さ０．５ｍｍの凹部８を形成しておき、これを液晶溜１
とする。
この空パネル内部を真空排気した後、液晶を満たした容
器に注入口３を浸し、パネル内外の圧力差により液晶を
パネル内に注入する。
器に注入口３を浸し、パネル内外の圧力差により液晶を
パネル内に注入する。
その後、一点鎖線の部分でガラス基板２．２“を切断し
、切断面には紫外線硬化型接着剤を塗布し、硬化させる
。
、切断面には紫外線硬化型接着剤を塗布し、硬化させる
。
以．ヒでパネル形戊工程を終了するが、得られた液晶パ
ネルの構造は、前述の第４図に示す従来構造と特に変わ
るところはない。
ネルの構造は、前述の第４図に示す従来構造と特に変わ
るところはない。
本実施例により得られた液晶表示装置の電気光学特性を
、従来の製造方法により作製した液晶表示装置の特性と
ともに、第３図に示す。
、従来の製造方法により作製した液晶表示装置の特性と
ともに、第３図に示す。
同図に見られる如く、本実施例により作製した液晶表示
装置では、従来の製造方法で作製したものよりも、低電
圧で電気光学的変化が起こっている。これは液晶中の汚
染物の減少に伴い液晶層の抵抗値が増加した結果、液晶
層を通じての電圧リークが減少し、書き込み電圧がより
効果的に液晶層に印加されるためと解される。
装置では、従来の製造方法で作製したものよりも、低電
圧で電気光学的変化が起こっている。これは液晶中の汚
染物の減少に伴い液晶層の抵抗値が増加した結果、液晶
層を通じての電圧リークが減少し、書き込み電圧がより
効果的に液晶層に印加されるためと解される。
なお、Ｌ記一実施例では、液晶溜１を除去する例を説明
したが、前述したように、液晶溜１は必ずしも除く必要
はない。
したが、前述したように、液晶溜１は必ずしも除く必要
はない。
以−ヒ説明した如く本発明によれば、液晶表示装置の液
晶層に含まれる汚染物を減少させることができ、液晶の
汚染による表示品質の低下を防ぐことができる。
晶層に含まれる汚染物を減少させることができ、液晶の
汚染による表示品質の低下を防ぐことができる。
第１図は本発明の原理説明図、
第２図（ａ）， （ｂ）は本発明一実施例説明図、第３
図は本発明の効果説明図、 第４図は従来の製造方法の問題点説明図である。 図において、１は液晶溜、２，２”は絶縁性基板（ガラ
ス基板）、３は注入口、４は配向膜、５はシール剤、６
は画素電極、７はバスライン、８は凹部、９は対向電極
、１０は液晶を示す。 第１図 第２図 Ｉ５送ｋ電止（ｖ） 従来の裂造ズ沫の問題求、説明図 第４図
図は本発明の効果説明図、 第４図は従来の製造方法の問題点説明図である。 図において、１は液晶溜、２，２”は絶縁性基板（ガラ
ス基板）、３は注入口、４は配向膜、５はシール剤、６
は画素電極、７はバスライン、８は凹部、９は対向電極
、１０は液晶を示す。 第１図 第２図 Ｉ５送ｋ電止（ｖ） 従来の裂造ズ沫の問題求、説明図 第４図
Claims (2)
- （１）一対の絶縁性基板（２、２’）を対向配置し、そ
の一端側に液晶の注入口（３）を、他端側に液晶溜（１
）を設け、前記注入口より液晶を注入して内部を充填す
る工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法
。 - （２）一対の絶縁性基板を対向配置し、相互間に液晶を
充填した液晶表示装置の構成において、前記一対の絶縁
性基板が相対向する領域の端部に、基板間隔が他の領域
の基板間隔より大きい液晶溜を具備することを特徴とす
る液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16182389A JPH0325415A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16182389A JPH0325415A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0325415A true JPH0325415A (ja) | 1991-02-04 |
Family
ID=15742590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16182389A Pending JPH0325415A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0325415A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8456604B2 (en) | 2005-11-16 | 2013-06-04 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and projector |
-
1989
- 1989-06-22 JP JP16182389A patent/JPH0325415A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8456604B2 (en) | 2005-11-16 | 2013-06-04 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device and projector |
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