JPH03245521A - Development device - Google Patents

Development device

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JPH03245521A
JPH03245521A JP4321690A JP4321690A JPH03245521A JP H03245521 A JPH03245521 A JP H03245521A JP 4321690 A JP4321690 A JP 4321690A JP 4321690 A JP4321690 A JP 4321690A JP H03245521 A JPH03245521 A JP H03245521A
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JP
Japan
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developer
gas
unit
dissolved
adjustment
Prior art date
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Pending
Application number
JP4321690A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshio Onodera
俊雄 小野寺
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP4321690A priority Critical patent/JPH03245521A/en
Publication of JPH03245521A publication Critical patent/JPH03245521A/en
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To eliminate the dispersion in the solubility in wafer surface between wafers and between device units by a method wherein a melted down gas adjusting unit is arranged between a developer feeding unit and a development unit so as to adjust the melted down constituent such as the concentration, kind, mixing ratio etc., of a gas melted into a developer by the gas adjusting unit. CONSTITUTION:A melted down gas adjusting unit 1 is arranged in the line 4 feeding a developer from a developer feeding unit 2 to a development unit 3. At this time, the purpose of the unit 1 is to adjust such a non-metallic element itself as H2, Cl2, O2, N2 etc., to be an element gas, molecular gas of an inert gas group and such a non-metallic element compound as NH3, CO2 etc., as well as the status of a gas melted into the developer i.e. the concentration, kind, mixing ratio etc. Furthermore, the unit 1 may be arranged in any position between the unit 2 and 3 while if the unit 2 is separated from a development device main body, the unit 1 may be arranged outside the main body.

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は現像装置に関し、特に、半導体装置を製造する
際にノボラック系樹脂のポジ型レジストを現像する装置
に用いて好適なものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to a developing device, and is particularly suitable for use in a device for developing a positive resist of novolac resin when manufacturing semiconductor devices.

〈従来の技術〉 半導体装置を製造する場合には、従来よりフォトエツチ
ング技術か用いられている。このエツチング工程は、ウ
ェハーに均一に塗布された感光性の樹脂膜にマスクパタ
ーンを転写するリングラフィ工程と、フォトレジストパ
ターンを精度よくウェハーに転写するエツチング工程と
に分類される。リングラフィ工程は写真の複製工程と同
一てあり、フォトレジストの種類は写真の感光材を同様
にポジ型とネガ型とがある。第3図の概略構成図に示す
ように、これらのフォトレジストを現像する装置は現像
ユニット13と現像液供給タンク12とを備え、これら
の間か供給用ライン】4を介して接続されている。
<Prior Art> When manufacturing semiconductor devices, photo-etching technology has conventionally been used. This etching process is classified into a phosphorography process in which a mask pattern is transferred to a photosensitive resin film uniformly applied to a wafer, and an etching process in which a photoresist pattern is accurately transferred onto a wafer. The phosphorography process is the same as the photo duplication process, and the types of photoresists are positive and negative, similar to photosensitive materials. As shown in the schematic diagram of FIG. 3, the apparatus for developing these photoresists includes a developing unit 13 and a developer supply tank 12, which are connected via a supply line 4. .

一般に、上記現像液供給タンク12は密閉構造に構成さ
れ、第5図aに示すように、現像機本体11内に一体的
に設けられたり、或いは第5図すに示すように現像@I
Iと別体に形成された薬液供給ユニット16内に設けら
れたりしている。そして、加圧用ライン15を介してチ
ッ素ガスN2等の気体を送り込んて現像液供給タンク1
2内の圧力を高めることにより、上記現像液供給タンク
12に収納されている現像液を上記現像ユニット13に
供給する。
Generally, the developer supply tank 12 has a closed structure, and is either integrally provided within the developing machine main body 11 as shown in FIG. 5a, or as shown in FIG.
It is provided in a chemical liquid supply unit 16 formed separately from I. Then, gas such as nitrogen gas N2 is fed into the developer supply tank 1 through the pressurizing line 15.
By increasing the pressure in the developer supply tank 12, the developer stored in the developer supply tank 12 is supplied to the developer unit 13.

また、第5図Cに示すように、薬液供給ユニ・ント】6
を現像ユニット13よりも高い位置に設置し、高低差を
利用して現像液の供給を行なう場合もある。なお、この
ように高低差を利用して現像液を供給する場合には、内
圧調整部21か現像液供給タンク12に配設される。
In addition, as shown in Fig. 5C, the chemical solution supply unit]6
In some cases, the developing unit 13 is installed at a higher position than the developing unit 13, and the developer is supplied using the height difference. Note that when the developer is supplied by utilizing the height difference in this way, the internal pressure adjustment section 21 or the developer supply tank 12 is provided.

第6図は、供給用ライン14中に供給用ポンプ31を介
設した例を示す現像装置の概略構成図であり、このよう
にした場合も現像液供給タンク12は、第6図aに示す
ように現像機本体11内に一体的に設けられたり、或い
は、第6図すに示すように上記現像機本体11と別体の
薬液供給ユニット16内に設けられたりする。なお、一
般に供給用ポンプ31を使用する場合ても、例えば腐蝕
を防止するために現像液供給タンク12および現像液は
チッ素N2の雰囲気に保持される。
FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a developing device showing an example in which a supply pump 31 is interposed in the supply line 14. Even in this case, the developer supply tank 12 is as shown in FIG. 6a. It may be provided integrally within the developing machine main body 11 as shown in FIG. 6, or it may be provided within a chemical solution supply unit 16 separate from the developing machine main body 11 as shown in FIG. In general, even when the supply pump 31 is used, the developer supply tank 12 and the developer are maintained in an atmosphere of nitrogen N2, for example, to prevent corrosion.

〈発明が解決しようとする課題〉 上記現像液中には気体か溶解しており、その濃度や種類
、或いは2種類以上の気体か溶解している場合は混合割
合などによってレジストの溶解度や溶解速度か変化する
。したかって、レジストを極めて高精度に現像するため
には、所定の種類の気体が所定の濃度(混合割合)で溶
解している現像液を使用して現像する必要がある。しか
し、現像液中に溶解している気体の濃度等の成分は変わ
りやずく、現像ユニットに供給された時点では同一種類
の現像液を供給した場合ても供給方法の違いや供給装置
の違いなどによって溶解成分は大幅に変化してしまう。
<Problems to be Solved by the Invention> Some gases are dissolved in the above-mentioned developer, and the solubility and dissolution rate of the resist may vary depending on the concentration and type, or the mixing ratio if two or more types of gases are dissolved. or change. Therefore, in order to develop the resist with extremely high precision, it is necessary to use a developer in which a predetermined type of gas is dissolved at a predetermined concentration (mixing ratio). However, the components such as the concentration of gas dissolved in the developer remain the same, and even if the same type of developer is supplied to the developing unit, there may be differences in the supply method or supply device. The dissolved components change significantly.

このため、従来の現像装置の場合には、同一のウェハー
面内や各ウニへ−間、またはそれぞれの現像装置ごとに
パターン寸法の均一性や寸法コントロール性にばらつき
か生しやすく、解像特性や寸法特性、および表面処理特
性などの特性を向上させにくい問題があった。
For this reason, in the case of conventional developing equipment, variations in pattern size uniformity and dimensional controllability tend to occur within the same wafer surface, between individual wafers, or for each developing equipment, resulting in resolution characteristics. There was a problem in that it was difficult to improve properties such as dimensional characteristics, surface treatment characteristics, etc.

また、レジストの種類が変わった場合には、上記レジス
トに合った種類や混合比の気体が溶解している現像液を
使用するのがよいが、このようにするためには従来の現
像装この場合は供給元において現像液そのものを変えな
ければならなかった。このため、使用するレジストの種
類が多い場合はそれに応じたたくさんの現像液供給タン
クを用意しなければならなかったので、従来の現像装置
を用いて高精度な現像を行なう様にすると、現像液供給
タンクを置くために広いスペースを確保しなければなら
ないとともに現像液供給タンクの管理が面倒であった。
Also, if the type of resist has changed, it is better to use a developer in which the type and mixing ratio of gas suitable for the resist is dissolved. In this case, the developer itself had to be changed at the supplier. For this reason, if there are many types of resists used, it is necessary to prepare a corresponding number of developer supply tanks. A large space must be secured to place the supply tank, and managing the developer supply tank is troublesome.

本発明は上述の問題点に鑑み、現像ユニットに供給する
現像液を供給元において変えることなく高精度な現像を
行なうことかできるようにすることを1−1的とする。
In view of the above-mentioned problems, an object of the present invention is to enable highly accurate development without changing the developer supplied to the development unit at the supply source.

く課題を解決するための1段〉 未発IJ1の現像装置は、ウェハー上に塗布されている
フォトレジストの現像液が貯蔵されている現像液供給ユ
ニットと、上記現像液供給ユニットから供給される現像
液によりL記つェハー上のフォトレジストの所定部分を
除去する現像を行なう現像ユニットと、上記現像液供給
ユニットがら上記現像ユニットに現像液を供給するライ
ン中に介設され2上記現像液における気体の溶解状態を
調整する溶解気体調整ユニ・ントとを具備し、上記現像
液中に溶解している気体の濃度1種類、混合比等のよう
な溶解気体成分を上記溶解気体調整ユニットて調整する
The first step to solving the problem> The developing device for undeveloped IJ1 includes a developer supply unit in which a developer for the photoresist coated on the wafer is stored, and a developer supplied from the developer supply unit. A developing unit that performs development to remove a predetermined portion of the photoresist on the L wafer with a developing solution, and a developing solution supply unit interposed in a line that supplies the developing solution to the developing unit; A dissolved gas adjustment unit for adjusting the dissolved state of gas is provided, and the dissolved gas components such as the concentration of one type of gas dissolved in the developer and the mixing ratio are adjusted by the dissolved gas adjustment unit. do.

〈作用〉 現像液供給ユニットから現像ユニットに供給する現像液
中に溶解している気体の成分を、上記現像液供給ユニッ
トと上記現像ユニットとの間で調整する。したかって、
上記現像液供給ユニット側において現像液を変更するこ
となく現像要求特性に合った現像液を上記現像ユニット
に供給することかてきるようになり、一種類の現像液を
貯蔵するための現像液貯蔵タンクを設けるたけて高精度
な現像を行なうことかてきるようになる。
<Operation> The gas component dissolved in the developer supplied from the developer supply unit to the developing unit is adjusted between the developer supply unit and the developing unit. I wanted to,
It is now possible to supply a developer that matches the required development characteristics to the developer unit without changing the developer on the developer supply unit side, and the developer storage for storing one type of developer is now possible. By providing more tanks, it becomes possible to perform highly accurate development.

〈実施例〉 第1図は1本発明の一実旅例を示す現像装置の構成図で
ある。
<Embodiment> FIG. 1 is a block diagram of a developing device showing an example of the present invention.

第1図に示すように、実施例の現像装置は現像液供給ユ
ニット2から現像ユニット3に現像液を供給するライン
4中に、溶解気体調整ユニットlか介設されている。こ
の溶解気体調整ユニット1は、現像ユニット3に供給さ
れる現像液中に溶解している気体の状態、すなわち気体
の濃度や種類、或いは混合割合などを調整するために設
けられている。実施例ては、不活性ガス類の元素ガス、
分子ガスである非金属元素単体(II2.CI2.02
゜N2など)や、非金属元素化合物(NH3,Co2な
ど)等の有機化合物を調整対象としている。
As shown in FIG. 1, in the developing device of the embodiment, a dissolved gas adjustment unit 1 is interposed in a line 4 for supplying the developer from the developer supply unit 2 to the development unit 3. The dissolved gas adjustment unit 1 is provided to adjust the state of the gas dissolved in the developer supplied to the developing unit 3, ie, the concentration, type, or mixing ratio of the gas. Examples include elemental gases of inert gases,
Single nonmetallic element that is a molecular gas (II2.CI2.02
The targets for adjustment are organic compounds such as ゜N2, etc.) and non-metallic element compounds (NH3, Co2, etc.).

給解気体調整ユニットを設ける位りは、現像液供給ユニ
ット2と現像ユニット3との間であれば何処てもよく、
現像液供給ユニット2が現像機本体と別体に形成されて
いる場合には、溶解気体調整ユニット1も現像機本体の
外部に設けるようにしてもよい。溶解気体調整ユニット
lとしては調整する内容に応して種々のものが考慮され
る。
The supply/dissolution gas adjustment unit may be provided anywhere between the developer supply unit 2 and the development unit 3.
When the developer supply unit 2 is formed separately from the developing machine main body, the dissolved gas adjustment unit 1 may also be provided outside the developing machine main body. Various types of dissolved gas adjustment units 1 can be considered depending on the content to be adjusted.

次に、第2図の概略構成図に従って溶解気体調整ユニッ
ト1の構成について説明する。
Next, the configuration of the dissolved gas adjustment unit 1 will be explained according to the schematic configuration diagram shown in FIG.

第2図(a)は、加圧または減圧することにより現像液
中に溶解している気体の濃度1種類および程合:■、1
合などを調整するようにした例を示している。調整用容
器41は密月容器として形成されその周面は容器カバー
42によって保護されている。現像液は、液体導入管4
3を介して調整容器41内に導入されるとともに、液体
導出管44を介して調整容器41から導出される。これ
らの管43.44は、液体導入管43が現像液供給ユニ
ット2の貯蔵タンク(図示せず)に連なる供給用ライン
4に接続され、液体導出管44か現像ユニット3に連な
る供給用ライン4に接続される。現像液中に溶解させる
カスはガス導入管45を介して調整用容器41内に導入
され、また、ガス導出管を介して容器外に排出される。
Figure 2 (a) shows one type of concentration and degree of gas dissolved in the developer by pressurization or depressurization: ■, 1
This example shows how to adjust the The adjustment container 41 is formed as a compact container, and its peripheral surface is protected by a container cover 42. The developer is supplied through the liquid introduction pipe 4.
3 into the adjustment container 41, and is led out from the adjustment container 41 through the liquid outlet pipe 44. These pipes 43 and 44 are connected to a supply line 4 in which the liquid introduction pipe 43 is connected to a storage tank (not shown) of the developer supply unit 2, and a liquid discharge pipe 44 or a supply line 4 which is connected to the development unit 3. connected to. The residue to be dissolved in the developer is introduced into the adjustment container 41 via the gas introduction pipe 45, and is discharged outside the container via the gas outlet pipe.

また、これらの管43〜46には逆止弁47かそれぞれ
介設され、液体またはガスか逆流しないようになってい
る。この第2図(a)の装置は、調整用容器41内の圧
力を加圧もしくは減圧することにより現像液中の溶解気
体の調整を行なう。すなわち、所定の気体雰囲気下にお
いて、ガス導入管45およびガス導出管46を介して調
整用容器41内に導入または導出されるガス量を加減す
ることにより、調整用容器41内の圧力状態を加圧状態
にしたり、または減圧状態に調整したりする。
Furthermore, each of these pipes 43 to 46 is provided with a check valve 47 to prevent liquid or gas from flowing backward. The apparatus shown in FIG. 2(a) adjusts the dissolved gas in the developer by increasing or decreasing the pressure within the adjustment container 41. That is, in a predetermined gas atmosphere, the pressure state inside the regulating container 41 is increased or decreased by adjusting the amount of gas introduced into or led out into the regulating container 41 via the gas introduction pipe 45 and the gas outlet pipe 46. Adjust to pressure state or reduce pressure state.

これにより、現像液中に気体を溶解させたり、或いは溶
解している気体を除去したりすることか可能となり、溶
解気体の濃度や種類または混合割合を調整することが可
能となる。なお、以下このような調整を溶解気体の成分
調整と称する。
This makes it possible to dissolve the gas in the developer or remove the dissolved gas, making it possible to adjust the concentration, type, or mixing ratio of the dissolved gas. Note that such adjustment will hereinafter be referred to as component adjustment of dissolved gas.

このような溶解気体の成分調整は、一般には現像液中に
気体を飽和もしくは過飽和状態に溶解させてf−iなう
。したかって、圧力計や温度計等の計器類は必ずしも設
けなくともよいか、これらを設けて調整用容器41内の
温度や圧力、および調整時間雰を管理することにより、
飽和状態に至る前の任、α、の製電や混合割合に調整す
ることも可能である。可飽和状態以外の状態に調整する
場合には望ましくは成分411定器を設けて所定の状態
に正しく調整されているか否かを監視するのかよい。し
かし、油体中に溶解している気体のe度や成分などを測
定する装置は構成か大かかりてあり、かつ高価である。
Such composition adjustment of the dissolved gas is generally carried out by dissolving the gas in the developing solution to a saturated or supersaturated state. Therefore, it is not necessarily necessary to provide instruments such as pressure gauges and thermometers, or by providing these to manage the temperature and pressure inside the adjustment container 41 and the adjustment time atmosphere,
It is also possible to adjust the power production and mixing ratio of α before reaching the saturation state. When adjusting to a state other than the saturable state, it is desirable to provide a component 411 regulator to monitor whether or not the component 411 is properly adjusted to a predetermined state. However, a device for measuring the e-degree and components of gas dissolved in an oil body requires a large structure and is expensive.

また、圧力および調整時間などを、例えばコンピュータ
で厳重に管理することにより信頼性の高い調整を行なう
ことか可能である。したかって、このような測定装置は
必ずしも溶解気体調整ユニット1に一体的に設けなくて
もよく、現像ユニット3に供給される現像液を適当にサ
ンブリンク分析すればよい。
Further, by strictly controlling the pressure, adjustment time, etc., using a computer, for example, it is possible to perform highly reliable adjustment. Therefore, such a measuring device does not necessarily need to be provided integrally with the dissolved gas adjustment unit 1, and the developer supplied to the developing unit 3 may be suitably subjected to a sunblink analysis.

圧力状態を調整するために減圧すると現像液の温度か僅
かに低下するので、気体か現像液中に溶解しにくくなる
ことかある。このようなときに加熱したり、或いは現像
液か所定の温度状態となるように冷却したりするための
温度制御装置を設けた例を第2図(b)に示す。この例
では、調整用容器41と容器カバー42との間に温度制
御装置の熱交換器48を配設し、調整用容器41内の現
像液を加熱したり冷却したりすることができるようにし
ている。このように構成すると、現像液の温度を自由に
制御することかできるようになり、溶解気体の成分調整
か容易となる。なお、熱交換器48は現像液を加熱した
り冷却したりすることかてきるものであればどのような
ものでもよく、また、防液性および#腐蝕性などを十分
に満足させることかできれば、調整用容器41内に設け
てもよい。この場合、加熱効率および冷却効率が向上す
る。
When the pressure is reduced to adjust the pressure state, the temperature of the developer drops slightly, which may make it difficult for gas to dissolve in the developer. FIG. 2(b) shows an example in which a temperature control device is provided to heat the developer in such a case or to cool the developer to a predetermined temperature state. In this example, a heat exchanger 48 of a temperature control device is disposed between the adjustment container 41 and the container cover 42, so that the developer in the adjustment container 41 can be heated or cooled. ing. With this configuration, the temperature of the developer can be freely controlled, and the composition of the dissolved gas can be easily adjusted. The heat exchanger 48 may be of any type as long as it can heat or cool the developer, and may be of any type as long as it satisfies liquid resistance and corrosion resistance. , may be provided in the adjustment container 41. In this case, heating efficiency and cooling efficiency are improved.

第2図(C)は、調整用容器41の底部に高周波あるい
は超音波を発生させるための発生器49を取り付けて成
分調整を行なうようにしだものて、この場合も必要に応
して圧力制御および気体交換しながら調整する(以下の
例も全て同様である)。
In FIG. 2(C), a generator 49 for generating high frequency or ultrasonic waves is attached to the bottom of the adjustment container 41 to adjust the components. and adjust while exchanging gas (the following examples are all similar).

第2図(d)は、例えば半透膜などのように気体の分別
可能なフィルタ50や、気体吸着材51を配設して溶解
気体の成分調整を行なうようにした例を示している。な
お、気体吸着材51の代りに、または−緒に、気体交換
や気体濃度調整に対する触奴効果をもつ材料や、気体の
発生または溶解を助長する材料等を配設するようにして
もよい。
FIG. 2(d) shows an example in which a filter 50 such as a semi-permeable membrane capable of separating gases and a gas adsorbent 51 are provided to adjust the components of dissolved gas. Note that instead of or in addition to the gas adsorbent 51, a material having a tactile effect on gas exchange and gas concentration adjustment, a material that promotes gas generation or dissolution, etc. may be provided.

第2図(e)は、調整用容器41の底部に多孔性マット
52を配置し、ガス導入管45を通して供給される気体
を多孔性マット52を介して現像液40中に放出するよ
うにしている。このようにすると非常にたくさんの気泡
53を発生させることがてきるので、気体と現像液40
との接触面積を格段と増大させることかてき、現像液中
に気体を溶解させやすくなる。
In FIG. 2(e), a porous mat 52 is arranged at the bottom of the adjustment container 41, and the gas supplied through the gas introduction pipe 45 is released into the developer 40 through the porous mat 52. There is. In this way, a large number of bubbles 53 can be generated, so that the gas and the developer 40 can be generated.
This greatly increases the contact area with the developer, making it easier to dissolve the gas in the developer.

第2図(f)は、上述した(a)〜(e)の機能の幾つ
かを一緒に具備させたものて、現像液の加熱およびん却
は調整用容器41内で行なうようにしていて、この例で
は加熱および冷却が可能な攪拌羽根54を配設している
FIG. 2(f) shows a device that has some of the functions of (a) to (e) described above, in which the heating and sterilization of the developer is performed in the adjustment container 41. In this example, a stirring blade 54 capable of heating and cooling is provided.

なお、第3図の概略構成図(a)、(b)に示すように
、気体吸着材51は、必要な場合にはその表面積が大き
くなるような形状に形成すればよい。
Note that, as shown in the schematic configuration diagrams (a) and (b) of FIG. 3, the gas adsorbent 51 may be formed into a shape that increases its surface area, if necessary.

また、第4図の概略構成図に示すように、溶解気体調整
用ユニットIa、lbを2個連設してもよい。このよう
にした場合、例えば1段目の溶解気体調整ユニット1a
て現像液中の気体を除く。そして、1段目の調整ユニッ
ト1aの液体導出管44.逆止弁47および2段目の調
整ユニットtbの液体導入管43を介して2段目の溶解
気体調整ユニットlbに現像液を移送し、ここて所望の
気体を溶解させて溶解気体の成分調整を行なうようにす
ることがてきる。具体的な調整方法は、第2図について
説明した方法と同様な方法を用いることかてきる。
Further, as shown in the schematic configuration diagram of FIG. 4, two dissolved gas adjustment units Ia and lb may be arranged in series. In this case, for example, the first stage dissolved gas adjustment unit 1a
to remove gas in the developer. The liquid outlet pipe 44 of the first stage adjustment unit 1a. The developer is transferred to the second-stage dissolved gas adjustment unit lb through the check valve 47 and the liquid introduction pipe 43 of the second-stage adjustment unit tb, where a desired gas is dissolved to adjust the composition of the dissolved gas. You can try to do this. A specific adjustment method may be the same as the method explained with reference to FIG.

(発明の効果〉゛ 本発明は上述したように、現像液供給ユニットと現像ユ
ニットとの間に溶解気体調整ユニットを設け、上記現像
液供給ユニットから上記現像ユニットに供給する現像液
中に溶解している気体の濃度や種類および混合割合など
の溶解成分を上記溶解気体iA整整一ニット調整するよ
うにしたのて、現像するレジストに合う所定の気体が最
適な状態て溶解している現像液を、上記現像液供給ユニ
ット側において供給現像液を変更することなく1−記現
像ユニットに供給することがてきる。したかって、上記
現像液供給ユニット側からは一種類の現像液を供給する
たけてレジストの溶解度や溶解速度を良好に制御てきる
ようにすることかでき、同一のウェハー面内、ウェハー
間、装置間および装置ユニット間において、レジストお
よび溶液の溶解度や溶解速度がばらつくのを抑えた現像
を行なうことがてきる。このため、レジスト寸法の均一
性やコントロール性の良い現像を行なうことかてき、レ
ジスト現像における寸法特性、解像特性および表面処理
特性などを、溶解している気体の状態か異なる複数種類
の現像液を用意しておくことなく格段と向上させること
かできる。
(Effects of the Invention) As described above, the present invention provides a dissolved gas adjustment unit between a developer supply unit and a developing unit, and dissolves gas in the developer supplied from the developer supply unit to the development unit. After adjusting the dissolved components such as the concentration, type, and mixing ratio of the gases mentioned above, a developer is prepared in which the specified gas is dissolved in an optimal state that matches the resist to be developed. , the developer can be supplied to the developing unit 1- without changing the supplied developer on the developer supply unit side.Therefore, only one type of developer can be supplied from the developer supply unit side. The solubility and dissolution rate of the resist can be well controlled, and variations in the solubility and dissolution rate of the resist and solution can be suppressed within the same wafer, between wafers, between equipment, and between equipment units. Therefore, it is possible to perform development with good uniformity and controllability of resist dimensions, and to improve the dimensional characteristics, resolution characteristics, and surface treatment characteristics during resist development by controlling the amount of dissolved gas. Significant improvements can be made without having to prepare multiple types of developing solutions with different conditions.

【図面の簡単な説明】 第1図は、本発明の一実施例を示す現像装置の構成図、 第2図は、溶解気体調整ユニットの構成を説明するため
の概略構成図 第3図は、現像液中に溶解している気体を吸着するため
の気体吸着材の変形例を示す調整ユニットの概略構成図
。 第4図は、溶解気体の成分調整を2段階て行なうように
した例を示す調整ユニットの概略構成図、 第5図および第6図は、従来例を示し、それぞれ現像装
置の概略a成図である。 1・・・溶解気体調整ユニット。 2・・・現像液供給ユニット。 3・・・現像ユニット、 4・・・供給用ライン。 41・・・調整用容器、43・・・液体導入管。 44・・・液体導出管、45・・・ガス導入管。 46・・・ガス導出管、47・・・逆止弁。 48・・・熱交換器、49・・・波発生器。 50−・・フィルタや
[BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS] FIG. 1 is a configuration diagram of a developing device showing an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic configuration diagram for explaining the configuration of a dissolved gas adjustment unit. FIG. 3 is a schematic configuration diagram of an adjustment unit showing a modification of a gas adsorbent for adsorbing gas dissolved in a developer. FIG. 4 is a schematic configuration diagram of an adjustment unit showing an example in which the component adjustment of dissolved gas is carried out in two stages. FIGS. It is. 1...Dissolved gas adjustment unit. 2...Developer supply unit. 3...Developing unit, 4...Supply line. 41...Adjustment container, 43...Liquid introduction pipe. 44...Liquid outlet pipe, 45...Gas introduction pipe. 46... Gas outlet pipe, 47... Check valve. 48... Heat exchanger, 49... Wave generator. 50-...filter

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ウェハー上に塗布されているフォトレジストの現
像液が貯蔵されている現像液供給ユニットと、 上記現像液供給ユニットから供給される現像液により上
記ウェハー上のフォトレジストの所定部分を除去する現
像を行なう現像ユニットと、上記現像液供給ユニットか
ら上記現像ユニットに現像液を供給するライン中に介設
され、上記現像液における気体の溶解状態を調整する溶
解気体調整ユニットとを具備することを特徴とする現像
装置。
(1) A developer supply unit that stores a developer for the photoresist coated on the wafer, and a predetermined portion of the photoresist on the wafer is removed by the developer supplied from the developer supply unit. The method includes a developing unit that performs development, and a dissolved gas adjustment unit that is interposed in a line that supplies a developer from the developer supply unit to the developer unit and that adjusts the dissolved state of gas in the developer. Characteristic developing device.
(2)上記溶解気体調整ユニットが上記現像液中に溶解
している気体の濃度を調整するものであることを特徴と
する請求項1に記載の現像装置。
(2) The developing device according to claim 1, wherein the dissolved gas adjustment unit adjusts the concentration of gas dissolved in the developer.
(3)上記溶解気体調整ユニットが上記現像液中に溶解
している気体の種類を調整するものであることを特徴と
する請求項2に記載の現像装置。
(3) The developing device according to claim 2, wherein the dissolved gas adjustment unit adjusts the type of gas dissolved in the developer.
(4)上記溶解気体調整ユニットが上記現像液中に複数
種類溶解している気体の混合割合を調整するものである
ことを特徴とする請求項1に記載の現像装置。
(4) The developing device according to claim 1, wherein the dissolved gas adjustment unit adjusts a mixing ratio of a plurality of types of gases dissolved in the developer.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013071036A (en) * 2011-09-27 2013-04-22 Sekisui Chem Co Ltd Solution concentration adjusting method, solution concentration adjusting device, dye-sensitized solar cell, and optical device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013071036A (en) * 2011-09-27 2013-04-22 Sekisui Chem Co Ltd Solution concentration adjusting method, solution concentration adjusting device, dye-sensitized solar cell, and optical device

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