JPH0324273A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH0324273A JPH0324273A JP15768589A JP15768589A JPH0324273A JP H0324273 A JPH0324273 A JP H0324273A JP 15768589 A JP15768589 A JP 15768589A JP 15768589 A JP15768589 A JP 15768589A JP H0324273 A JPH0324273 A JP H0324273A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、気相成長装置に係り、特に気相或長装置より
排出される未反応ガスを経済的がっ安全に希釈する排気
系の構造に関する。
排出される未反応ガスを経済的がっ安全に希釈する排気
系の構造に関する。
第３図は従来の気相成長装置の一例を示すブロック図で
ある。この神の気相或長装置では、ＳｉＨ４ （シラン
）．ＮＨ３（アンモニア）等の反応ガスをガス供給源２
より処理室１に導入し、加熱源３によって加熱した基板
１１に前記反応ガスを供給することで、基板上での熱分
解反応による化学気相成長が行なわれ、酸化膜、窒化膜
等を形或していた。上述の気相或長装置では、気相成長
に消費される反応ガスの量は極めて低く、処理室内に供
給した大部分がそのまま未反応ガスとして排気配管５を
介して工場排気配管■８に運搬され、排気ガス処理装置
への導かれていた。反応ガスとして特にＳｉＩ｛４ （
シラン），ＰＨ３（ホスフィン），ＢｚＨ６ （ジボラ
ン）等の可燃性毒性の性質を有するものを用いる場合、
前記排気配管５に不活性ガス導入配管７を設け、Ｎ２
（窒素）等の不活性ガスを導入することで未反応ガス
を希釈し、仮に排気配管外部に漏洩した場合にも、発火
又は人体に影響を与えぬ濃度まで希釈するという方法を
用いていた。
ある。この神の気相或長装置では、ＳｉＨ４ （シラン
）．ＮＨ３（アンモニア）等の反応ガスをガス供給源２
より処理室１に導入し、加熱源３によって加熱した基板
１１に前記反応ガスを供給することで、基板上での熱分
解反応による化学気相成長が行なわれ、酸化膜、窒化膜
等を形或していた。上述の気相或長装置では、気相成長
に消費される反応ガスの量は極めて低く、処理室内に供
給した大部分がそのまま未反応ガスとして排気配管５を
介して工場排気配管■８に運搬され、排気ガス処理装置
への導かれていた。反応ガスとして特にＳｉＩ｛４ （
シラン），ＰＨ３（ホスフィン），ＢｚＨ６ （ジボラ
ン）等の可燃性毒性の性質を有するものを用いる場合、
前記排気配管５に不活性ガス導入配管７を設け、Ｎ２
（窒素）等の不活性ガスを導入することで未反応ガス
を希釈し、仮に排気配管外部に漏洩した場合にも、発火
又は人体に影響を与えぬ濃度まで希釈するという方法を
用いていた。
しかしながら、上述の気相或長装置において、気相成長
に用いる反応ガスの種類や反応ガスの使用総流量は各気
相成長装置により異なり又気相成長に関与せず、未反応
ガスとして排気配管に流出してくる量も様々であった。
に用いる反応ガスの種類や反応ガスの使用総流量は各気
相成長装置により異なり又気相成長に関与せず、未反応
ガスとして排気配管に流出してくる量も様々であった。
上述の理由により排気配管に導入する希釈用不活性ガス
の導入量は前記ガス供給源２の持つ最大供給能力を用い
て反応ガスを処理室１に流し、仮に１００％そのまま排
気配管５に流出した場合にでも安全濃度に希釈出来る量
として、導入しているのが一般的である。
の導入量は前記ガス供給源２の持つ最大供給能力を用い
て反応ガスを処理室１に流し、仮に１００％そのまま排
気配管５に流出した場合にでも安全濃度に希釈出来る量
として、導入しているのが一般的である。
しかも、処理室に反応ガスを供給しない場合にでも排気
配管には常時不活性ガスを導入しており、この様な希釈
法は、過剰な不活性ガス使用となる為、経済的に不合理
の一面を有している。また希釈用不活性ガスの流量設定
ミスによる排気配管内の発火等が装置トラブルしていて
は工場全体に災害をもたらすという欠点をも有している
。本発明の目的は、かかる問題を解消する気相成長装置
を提供することにある。
配管には常時不活性ガスを導入しており、この様な希釈
法は、過剰な不活性ガス使用となる為、経済的に不合理
の一面を有している。また希釈用不活性ガスの流量設定
ミスによる排気配管内の発火等が装置トラブルしていて
は工場全体に災害をもたらすという欠点をも有している
。本発明の目的は、かかる問題を解消する気相成長装置
を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、処理室の排気配管に不活性ガス導入配管を併
設した気相成長装置において、前記排気配管のガス吸引
孔に接続された少なくとも１つのガス濃度測定器と、前
記不活性ガス導入配管に設けられた流量制御器と前記ガ
ス濃度測定器の測定値に応じて前記流量制御器への制御
信号を可変ずる手段とを有している。
設した気相成長装置において、前記排気配管のガス吸引
孔に接続された少なくとも１つのガス濃度測定器と、前
記不活性ガス導入配管に設けられた流量制御器と前記ガ
ス濃度測定器の測定値に応じて前記流量制御器への制御
信号を可変ずる手段とを有している。
次に、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の気相成長装置を示すブロッ
ク図である。この気相成長装置は、処理室１、ガス供給
源２、加熱源３、真空ボンプ４、排気配管５、ガス濃度
測定器６、不活性ガス導入配管７、流量制御器８を主た
る横或要件としている． 次に、この気相成長装置を使用して、ＳｉＨ４（シラン
），ＮＨｓ（アンモニア）によるＳｉＸＮ，（窒化膜）
を形成し、この際、排気配管５に流出してくる未反応Ｓ
ｉＨ４を不活性ガス（Ｎ２〉で希釈する場合について説
明する。まず、真空ボンブ４にて処理室１内を所定の減
圧下とする。次に、ガス供給源３からガス供給配管９を
介して、Ｓｉｔ｛４，ＮＨ３ガスを処理室１に供給する
。次に、基板台１０に載置した基板１１は、加熱源３に
より加熱される。このとき、基板上で反応ガスの熱分解
反応が起こり、窒化膜が形或される。この際、気相成長
に寄与しない未反応Ｓ ｉ Ｈ４は、排気配管５に流出
してくるが、前記排気配管５に設けられたガス吸引孔１
２よりサンプリング配管ｌ３を用いてガス濃度測定器６
にその一部を吸引する。次に、比較演算器ｌ４に排気配
管内でのＳｉＨ４の許容濃度をあらかじめ入力しておき
、ガス濃度測定器６の測定値と比較を行なう。次に、こ
の比較結果から許容濃度にし得る為に必要なＮ２ （窒
素）導入量を演算しその値を電圧値に変換して不活性ガ
ス導入配管７に設けた流量制御器８に入力する。
ク図である。この気相成長装置は、処理室１、ガス供給
源２、加熱源３、真空ボンプ４、排気配管５、ガス濃度
測定器６、不活性ガス導入配管７、流量制御器８を主た
る横或要件としている． 次に、この気相成長装置を使用して、ＳｉＨ４（シラン
），ＮＨｓ（アンモニア）によるＳｉＸＮ，（窒化膜）
を形成し、この際、排気配管５に流出してくる未反応Ｓ
ｉＨ４を不活性ガス（Ｎ２〉で希釈する場合について説
明する。まず、真空ボンブ４にて処理室１内を所定の減
圧下とする。次に、ガス供給源３からガス供給配管９を
介して、Ｓｉｔ｛４，ＮＨ３ガスを処理室１に供給する
。次に、基板台１０に載置した基板１１は、加熱源３に
より加熱される。このとき、基板上で反応ガスの熱分解
反応が起こり、窒化膜が形或される。この際、気相成長
に寄与しない未反応Ｓ ｉ Ｈ４は、排気配管５に流出
してくるが、前記排気配管５に設けられたガス吸引孔１
２よりサンプリング配管ｌ３を用いてガス濃度測定器６
にその一部を吸引する。次に、比較演算器ｌ４に排気配
管内でのＳｉＨ４の許容濃度をあらかじめ入力しておき
、ガス濃度測定器６の測定値と比較を行なう。次に、こ
の比較結果から許容濃度にし得る為に必要なＮ２ （窒
素）導入量を演算しその値を電圧値に変換して不活性ガ
ス導入配管７に設けた流量制御器８に入力する。
ここで、この動作を具体的な数値、例えば、ＳｉＨ４を
ＩＳＬＭ供給し、その８０％にあたる０．８ＳＬＭが排
気配管５に流出する場合について説明する。一般にＳｉ
Ｈ４は３％以上で発火性を有すると言われているので、
安全を見て許容濃度を１％、また初期の不活性ガス（Ｎ
２）導入量を５０ＳＬＭとすれば、排気配管５内での１
．５７％となり、これを１％にする為に比較演＝１％を
解きｘ＝７２．８ＳＬＭに相当する電圧が流量制御器８
に伝達されるものである。
ＩＳＬＭ供給し、その８０％にあたる０．８ＳＬＭが排
気配管５に流出する場合について説明する。一般にＳｉ
Ｈ４は３％以上で発火性を有すると言われているので、
安全を見て許容濃度を１％、また初期の不活性ガス（Ｎ
２）導入量を５０ＳＬＭとすれば、排気配管５内での１
．５７％となり、これを１％にする為に比較演＝１％を
解きｘ＝７２．８ＳＬＭに相当する電圧が流量制御器８
に伝達されるものである。
第２図は本発明の気相成長装置の他の実施例を示すブロ
ック図である。本実施例では、反応ガス供給配管９に緊
急遮断弁１５を設け、排気配管内の未反応ガス濃度が、
前述の実施例の方法にても、一定時間内に許容濃度以下
に下がらぬ場合、タイマー１６からの出力信号１７で、
緊急遮断弁１５を閉じるものとする。この実施例では、
例えば、何らかの理由で希釈用不活性ガスの供給に支障
がある場合にでも、反応ガスの供給を自動で停止するこ
とが出来るので、前述の実施例に比し、さらに安全性の
向上が望めるという利点がある。
ック図である。本実施例では、反応ガス供給配管９に緊
急遮断弁１５を設け、排気配管内の未反応ガス濃度が、
前述の実施例の方法にても、一定時間内に許容濃度以下
に下がらぬ場合、タイマー１６からの出力信号１７で、
緊急遮断弁１５を閉じるものとする。この実施例では、
例えば、何らかの理由で希釈用不活性ガスの供給に支障
がある場合にでも、反応ガスの供給を自動で停止するこ
とが出来るので、前述の実施例に比し、さらに安全性の
向上が望めるという利点がある。
以上説明したように本発明の気相戊長装置は、少なくと
も１つのガス濃度測定器を排気配管に設けた少なくとも
１つのガス吸引孔に接続するとともに、不活性ガス導入
配管に流量制御器を具備させ、前記ガス濃度測定器の測
定値に応じ、前記流量制御器への制御信号を自動的に可
変する手段を設けることによって、処理室内に供給する
反応ガス流量が変化した場合にも排気配管内の未反応ガ
スを安全に希釈し得る必要最小限の不活性ガス量を自動
的に算出し導入が出来、不活性ガスの節約を行なうこと
が出来るという効果を有する。また従来に比らべ、不活
性ガスの導入流量変更に伴なう作業工数の削減及び設定
ミスによる不十分な希釈から起こる災害の防止が出来、
より安全な気相或長装置を提供することが出来る。
も１つのガス濃度測定器を排気配管に設けた少なくとも
１つのガス吸引孔に接続するとともに、不活性ガス導入
配管に流量制御器を具備させ、前記ガス濃度測定器の測
定値に応じ、前記流量制御器への制御信号を自動的に可
変する手段を設けることによって、処理室内に供給する
反応ガス流量が変化した場合にも排気配管内の未反応ガ
スを安全に希釈し得る必要最小限の不活性ガス量を自動
的に算出し導入が出来、不活性ガスの節約を行なうこと
が出来るという効果を有する。また従来に比らべ、不活
性ガスの導入流量変更に伴なう作業工数の削減及び設定
ミスによる不十分な希釈から起こる災害の防止が出来、
より安全な気相或長装置を提供することが出来る。
第１図は本発明の一実施例の気相或長装置を示すブロッ
ク図、第２図は本発明の他の実施例の気相成長装置を示
すブロック図、第３図は従来の気相成長装置の一例を示
すブロック図である。 ■・・・処理室、２・・・ガス供給源、３・・・加熱源
、４・・・真空ポンプ、５・・・排気配管、６・・・ガ
ス濃度測定器、７・・・不活性ガス導入配管、８・・・
流量制御器、９・・・ガス供給配管、１０・・・基板台
、１１・・・基板、１２・・・ガス吸引孔、１３・・・
サンプリング配管、１４・・・比較演算器、１５・・・
緊急遮断弁、１６・・・タイマー １７・・・出力信号
、１８・・・工場排気配管。
ク図、第２図は本発明の他の実施例の気相成長装置を示
すブロック図、第３図は従来の気相成長装置の一例を示
すブロック図である。 ■・・・処理室、２・・・ガス供給源、３・・・加熱源
、４・・・真空ポンプ、５・・・排気配管、６・・・ガ
ス濃度測定器、７・・・不活性ガス導入配管、８・・・
流量制御器、９・・・ガス供給配管、１０・・・基板台
、１１・・・基板、１２・・・ガス吸引孔、１３・・・
サンプリング配管、１４・・・比較演算器、１５・・・
緊急遮断弁、１６・・・タイマー １７・・・出力信号
、１８・・・工場排気配管。
Claims (1)
- 処理室の排気配管に不活性ガス導入配管を併設した気
相成長装置において、前記排気配管のガス吸引孔に接続
された少なくとも１つのガス濃度測定器と、前記不活性
ガス導入配管に設けられた流量制御器と前記ガス濃度測
定器の測定値に応じて前記流量制御器への制御信号を可
変する手段とを有することを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15768589A JPH0641632B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15768589A JPH0641632B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0324273A true JPH0324273A (ja) | 1991-02-01 |
| JPH0641632B2 JPH0641632B2 (ja) | 1994-06-01 |
Family
ID=15655151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15768589A Expired - Lifetime JPH0641632B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0641632B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04293778A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-19 | Rohm Co Ltd | Ｃｖｄ装置のための排気装置 |
| JP2008081810A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Ulvac Japan Ltd | 排気装置及び排気方法 |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP15768589A patent/JPH0641632B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04293778A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-19 | Rohm Co Ltd | Ｃｖｄ装置のための排気装置 |
| JP2008081810A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Ulvac Japan Ltd | 排気装置及び排気方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0641632B2 (ja) | 1994-06-01 |
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