JPH0324264A - Sputtering device - Google Patents
Sputtering deviceInfo
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- JPH0324264A JPH0324264A JP15913089A JP15913089A JPH0324264A JP H0324264 A JPH0324264 A JP H0324264A JP 15913089 A JP15913089 A JP 15913089A JP 15913089 A JP15913089 A JP 15913089A JP H0324264 A JPH0324264 A JP H0324264A
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- main reaction
- reaction chamber
- pallet
- load lock
- chamber
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 3
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はスパッタリング装置に関し、特にロードロック
方式を用いたスパッタリング装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a sputtering apparatus, and particularly to a sputtering apparatus using a load lock method.
〔従来の技術]
従来、ロードロック方式のスパッタリング装置は第3図
に示すように、スバツタ処理を行う主反応室1と、主反
応室1の前段に設けたロードロック室2とを備えており
、試料が載置されたパレツトをロードロック室2内にセ
ットした後にメカニカルポンプ8でロードロック室2を
低真空状態に真空引きし、前記パレットを主反応室l内
に送り込み、主反応室lの超高真空状態を解除すること
なく、クリーンで、かつ、短時間にスパッタリングを行
うことができる構造となっていた。[Prior Art] Conventionally, as shown in FIG. 3, a load-lock type sputtering apparatus includes a main reaction chamber 1 for performing sputtering processing, and a load-lock chamber 2 provided upstream of the main reaction chamber 1. After setting the pallet containing the sample in the load lock chamber 2, the load lock chamber 2 is evacuated to a low vacuum state using the mechanical pump 8, and the pallet is sent into the main reaction chamber l. The structure allows sputtering to be performed cleanly and in a short time without breaking the ultra-high vacuum state.
[発明が解決しようとする課題]
上述した従来のロードロック方式のスパッタリング装置
においては主反応室内を常に超高真空状態に維持しなけ
ればならず、作業者が主反応室内を目視することが不可
能な構造であり、主反応室内のターゲットの状態を監視
することができず、ターゲットの消耗度合や割れを発見
することが困雌であり、その結果、装置の破損やスパッ
タ膜の汚染が起こるという欠点がある。[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional load-lock type sputtering apparatus described above, the main reaction chamber must always be maintained in an ultra-high vacuum state, making it impossible for operators to visually observe the inside of the main reaction chamber. However, it is not possible to monitor the condition of the target in the main reaction chamber, making it difficult to discover the degree of wear and tear on the target, resulting in damage to the equipment and contamination of the sputtered film. There is a drawback.
本発明の目的は前記課題を解決したスパッタリング装置
を提供することにある。An object of the present invention is to provide a sputtering apparatus that solves the above problems.
[・発明の従来技術に対する相違点1
上述した従来のスパッタリング装置に対し、本発明はモ
ニター用カメラで主反応室内を監視するという相違点を
有する。[Difference 1 between the invention and the prior art The present invention differs from the above-described conventional sputtering apparatus in that the interior of the main reaction chamber is monitored using a monitor camera.
〔課題を解決するための手段]
前記目的を達成するため、本発明に係るスパッタリング
装置は、スパッタ処理を行う主反応室と、前記主反応室
の前段に設けたロードロック室とを装備したロードロッ
ク方式のスパッタリング装置において、ロードロック室
を通して主反応室に送り込むパレットに、主反応室内を
監視するモニター用カメラを備えたものである。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, a sputtering apparatus according to the present invention includes a load lock chamber equipped with a main reaction chamber in which sputtering is performed and a load lock chamber provided upstream of the main reaction chamber. In a lock-type sputtering apparatus, a pallet that is fed into the main reaction chamber through a load lock chamber is equipped with a monitor camera to monitor the inside of the main reaction chamber.
(実施例) 以下、本発明の実施例を図により説明する。(Example) Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(実施例1)
第1図(a)は本発明の実施例Iに係るパレットを示す
摺造図、第2図はロードロック方式のスパッタリング装
置を示す外観図である。(Example 1) FIG. 1(a) is a drawing showing a pallet according to Example I of the present invention, and FIG. 2 is an external view showing a load-lock type sputtering apparatus.
第2図に示すように、ロードロック方式のスパッタリン
グ装置はスパッタ処理を行う主反応室lと、主反応室1
の前段に設けたロードロック室2とを有し、パレットを
ロードロック室2にセットし、ロードロック室2を荒引
きして低真空状態にしてからパレットを、主反応室l内
の超高真空状態を解除することなく、該主反応室l内に
移し替えて処理を行う構造になっている。As shown in Fig. 2, the load-lock type sputtering apparatus has two main reaction chambers 1 and 1, in which sputtering is performed.
A pallet is set in the load-lock chamber 2, and the load-lock chamber 2 is roughly drawn to a low vacuum state, and then the pallet is placed in an ultra-high vacuum in the main reaction chamber 1. It has a structure in which it is transferred into the main reaction chamber 1 and processed without releasing the vacuum state.
第l図(a)において、本発明は主反応室l内に送り込
まれるサンプル取付用パレット3を利用して、該サンプ
ル取付用パレット3のサンプル取付部4の一つに、サン
プルと同一寸法及び同一形状の遠隔操作可能なモニター
用カメラ5を搭載したものである。In FIG. 1(a), the present invention utilizes a sample mounting pallet 3 sent into the main reaction chamber l, and attaches it to one of the sample mounting parts 4 of the sample mounting pallet 3 with the same size and size as the sample. It is equipped with a remotely controllable monitoring camera 5 having the same shape.
スパッタリング装置における主反応室1内のターゲット
の状態をモニターする場合、サンプル取付用パレット3
のサンプル取付部4にサンプルと同一形状、同一寸法の
モニター用カメラ5を取付け、これをロードロック室2
にセットし、ロードロック室2内の荒引きを行って低真
空状態にしてから、パレット3を主反応室lに移し、主
反応室l内のターゲットの状態をモニター用カメラ5で
遠隔操作して写真撮影する。これにより、主反応室1内
のターゲットの状態を超高真空状態を解除することなく
、モニターすることができる。When monitoring the condition of the target in the main reaction chamber 1 in the sputtering device, the sample mounting pallet 3
A monitor camera 5 having the same shape and dimensions as the sample is attached to the sample attachment part 4 of the
After roughing the load lock chamber 2 to create a low vacuum state, the pallet 3 is transferred to the main reaction chamber 1, and the condition of the target in the main reaction chamber 1 is remotely controlled using the monitoring camera 5. Take a photo. Thereby, the state of the target in the main reaction chamber 1 can be monitored without breaking the ultra-high vacuum state.
(実施例2)
第1図(b)は本発明の実施例2に係るモニター用パレ
ットを示す構造図である。(Embodiment 2) FIG. 1(b) is a structural diagram showing a monitor pallet according to Embodiment 2 of the present invention.
前実施例ではサンプル取付用パレットを利用してカメラ
5を搭載したが、本実施例はカメラ搭載のための専用の
モニター用パレット7を装備し、パレット7上にクロス
させたモニター用カメラ移動ガイド6を付設し、ガイド
6に沿ってモニター用カメラ5を位置移動させるように
したものである。In the previous embodiment, the camera 5 was mounted using a sample mounting pallet, but this embodiment is equipped with a dedicated monitor pallet 7 for mounting the camera, and a monitor camera movement guide crossed on the pallet 7. 6 is attached, and the monitor camera 5 is moved along the guide 6.
スパッタリング装置内のターゲットの状態をモニターす
る場合、モニター用パレット7をロードロツク室2にセ
ットして荒引きを行って低真空状態にしてからモニター
用パレット7を主反応室lに移し、リモートコントロー
ルでモニター用カメラ5をモニター用カメラ移動ガイド
6に沿って移動させながら主反応室1内のターゲットの
状態を写真撮影する。When monitoring the condition of the target in the sputtering equipment, set the monitor pallet 7 in the load lock chamber 2, perform rough evacuation to create a low vacuum state, then move the monitor pallet 7 to the main reaction chamber l, and use the remote control to A monitor camera 5 is moved along a monitor camera movement guide 6 to photograph the state of the target inside the main reaction chamber 1.
本実施例によれば、モニター用カメラ5がパレット7上
を位置移動するため、ターゲット状態をより正確に監視
することができるという利点がある。According to this embodiment, since the monitoring camera 5 moves on the pallet 7, there is an advantage that the target state can be monitored more accurately.
以上に説明したように本発明は主反応室内をモニターす
るカメラをパレットに取付けることにより、主反応室内
の超高真空状態を解除することなく、ターゲットの状態
をチェックすることができるという効果があり、この結
果、ターゲットの消耗度及び割れがモニターでき、効率
的にターゲットを使用することができる効果を有する。As explained above, the present invention has the effect that by attaching a camera that monitors the inside of the main reaction chamber to the pallet, it is possible to check the condition of the target without breaking the ultra-high vacuum state inside the main reaction chamber. As a result, the degree of wear and tear of the target can be monitored and the target can be used efficiently.
第1図(a)は本発明の実施例lに使用するサンプル取
付用パレットを示す構造図、第1図(b)は本発明の実
施例2に使用するモニター用パレットを示す構造図、第
2図は本発明のロードロック方式のスパッタリング装置
を示す外観図、第3図は従来のロードロック方式のスパ
ッタリング装置を示すブロック図である。
l・・・主反応室 2・・・ロードロック室3
・・・サンプル取付用パレット
4
・・サンプル取付部
5・・・モニター用カメラ
6・・・モニター用カメラ移動ガイ
7・・・モニター用パレット
ドFIG. 1(a) is a structural diagram showing a sample mounting pallet used in Example 1 of the present invention, FIG. 1(b) is a structural diagram showing a monitor pallet used in Example 2 of the present invention, and FIG. FIG. 2 is an external view showing a load-lock type sputtering apparatus of the present invention, and FIG. 3 is a block diagram showing a conventional load-lock type sputtering apparatus. l...Main reaction chamber 2...Load lock chamber 3
...Sample mounting pallet 4...Sample mounting part 5...Monitor camera 6...Monitor camera moving guide 7...Monitor pallet
Claims (1)
の前段に設けたロードロック室とを装備したロードロッ
ク方式のスパッタリング装置において、ロードロック室
を通して主反応室に送り込むパレットに、主反応室内を
監視するモニター用カメラを備えたことを特徴とするス
パッタリング装置。(1) In a load-lock sputtering device equipped with a main reaction chamber for sputtering and a load-lock chamber provided upstream of the main reaction chamber, the main reaction A sputtering device characterized by being equipped with a monitor camera to monitor the room.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15913089A JPH0324264A (en) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | Sputtering device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15913089A JPH0324264A (en) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | Sputtering device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0324264A true JPH0324264A (en) | 1991-02-01 |
Family
ID=15686902
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15913089A Pending JPH0324264A (en) | 1989-06-21 | 1989-06-21 | Sputtering device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0324264A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5356335A (en) * | 1991-07-05 | 1994-10-18 | Taikisha, Ltd. | Pressure gradient control system |
-
1989
- 1989-06-21 JP JP15913089A patent/JPH0324264A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5356335A (en) * | 1991-07-05 | 1994-10-18 | Taikisha, Ltd. | Pressure gradient control system |
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