JPH03240547A - 液体噴射ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
液体噴射ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH03240547A JPH03240547A JP3875290A JP3875290A JPH03240547A JP H03240547 A JPH03240547 A JP H03240547A JP 3875290 A JP3875290 A JP 3875290A JP 3875290 A JP3875290 A JP 3875290A JP H03240547 A JPH03240547 A JP H03240547A
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Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はインクジェットプリンタ等に用いられる液体噴
射ヘッド及びその製造方法に関する。
射ヘッド及びその製造方法に関する。
[従来の技術]
従来のインクジェットプリンタにおける液体噴射ヘッド
は、小林正人他(画像電子学会誌12巻4号pp、27
7〜284.1183)等に示されるごとく、基板と該
基板に対向して設ける可動板により形成されていた。ま
た特公昭60−8953に示されるごとく、自由端を有
する枠の曲げ振動を利用した液体噴射ヘッドも存在する
。
は、小林正人他(画像電子学会誌12巻4号pp、27
7〜284.1183)等に示されるごとく、基板と該
基板に対向して設ける可動板により形成されていた。ま
た特公昭60−8953に示されるごとく、自由端を有
する枠の曲げ振動を利用した液体噴射ヘッドも存在する
。
示される、自由端を有する棹の曲げ振動を利用した液体
噴射ヘッドも、櫛状に製作した枠を取り付ける構造であ
るため、枠の製作やノズルとの位置合わせ等の問題があ
り、このためノズルの高密度化やマルチノズル化が困難
であった。また、いずれの液体噴射ヘッドにおいても組
立が煩雑であるため、該液体噴射ヘッドは高価なものと
なっていた。
噴射ヘッドも、櫛状に製作した枠を取り付ける構造であ
るため、枠の製作やノズルとの位置合わせ等の問題があ
り、このためノズルの高密度化やマルチノズル化が困難
であった。また、いずれの液体噴射ヘッドにおいても組
立が煩雑であるため、該液体噴射ヘッドは高価なものと
なっていた。
本発明は以」10脚題を解決するもので、その目的とす
るところは、ノズルの高密度化やマルチノズル化が容易
であり、更に安価に形成できる液体噴射ヘッドを実現す
ることにある。
るところは、ノズルの高密度化やマルチノズル化が容易
であり、更に安価に形成できる液体噴射ヘッドを実現す
ることにある。
[発明が解決しようとする課題]
従来の、基板と可動板によりなる液体噴射ヘッドにおい
ては、該可動板に圧電素子を貼り付けていたため、該圧
電素子を微細化するのが困難であり、このため液体噴射
を行うノズルの高密度化や、ノズルをライン状に長尺に
形成するマルチノズル化が困難であった。また特公昭6
C1−8953に[課題を解決するための手段] 以上述べた課題を解決するため、本発明の液体噴射ヘッ
ドは、 (1)p型単結晶珪素層を貫通するノズル、該ノズルと
接続し、その側壁が単結晶珪素である圧力室、該圧力室
」二に張った梁、該梁上に形成した圧′Ki素子を具備
して成ること 3 (2)前記圧力室上に張る梁が、p型単結晶珪素により
形成されること を特徴とする。
ては、該可動板に圧電素子を貼り付けていたため、該圧
電素子を微細化するのが困難であり、このため液体噴射
を行うノズルの高密度化や、ノズルをライン状に長尺に
形成するマルチノズル化が困難であった。また特公昭6
C1−8953に[課題を解決するための手段] 以上述べた課題を解決するため、本発明の液体噴射ヘッ
ドは、 (1)p型単結晶珪素層を貫通するノズル、該ノズルと
接続し、その側壁が単結晶珪素である圧力室、該圧力室
」二に張った梁、該梁上に形成した圧′Ki素子を具備
して成ること 3 (2)前記圧力室上に張る梁が、p型単結晶珪素により
形成されること を特徴とする。
また、本発明の液体噴射ヘッドの製造方法は、(3)単
結晶珪素基板上の一表面にp型の導電型を有する珪素層
をエピタキシャル成長させる工程、少なくとも前記p型
の導電型を有する珪素層にノズルを形成する工程、前記
p型の導電型を有する珪素層と反対側の単結晶珪素基板
表面をエツチングし圧力室を形成する工程、前記圧力室
上に梁を張る工程、及び前記梁上に圧電素子を形成する
工程を有すること (4)前記ノズルを形成する工程後に、p型の導電型を
有する珪素層と反対側の単結晶珪素基板表面にp型の導
電型を有する珪素層をエピタキシャル成長させる工程、
該p型珪索層及び単結晶珪素基板をエツチングし圧力室
及び該圧力室上の梁を形成する工程を有すること (5)単結晶珪素基板の二表面にp型の導電型を有する
珪素層をエピタキシャル成長させる工程、 − 一方のp型の導電型を有する珪素層にノズルを形成する
工程、他方のp型珪索層及び単結晶珪素基板をエツチン
グし圧力室及び該圧力室上の梁を形成する工程、及び前
記梁」二に圧電素子を形成する工程を有すること を特徴とする。
結晶珪素基板上の一表面にp型の導電型を有する珪素層
をエピタキシャル成長させる工程、少なくとも前記p型
の導電型を有する珪素層にノズルを形成する工程、前記
p型の導電型を有する珪素層と反対側の単結晶珪素基板
表面をエツチングし圧力室を形成する工程、前記圧力室
上に梁を張る工程、及び前記梁上に圧電素子を形成する
工程を有すること (4)前記ノズルを形成する工程後に、p型の導電型を
有する珪素層と反対側の単結晶珪素基板表面にp型の導
電型を有する珪素層をエピタキシャル成長させる工程、
該p型珪索層及び単結晶珪素基板をエツチングし圧力室
及び該圧力室上の梁を形成する工程を有すること (5)単結晶珪素基板の二表面にp型の導電型を有する
珪素層をエピタキシャル成長させる工程、 − 一方のp型の導電型を有する珪素層にノズルを形成する
工程、他方のp型珪索層及び単結晶珪素基板をエツチン
グし圧力室及び該圧力室上の梁を形成する工程、及び前
記梁」二に圧電素子を形成する工程を有すること を特徴とする。
[実施例]
第1図(a)乃至(d)に、本発明の実施例における片
持ち梁を用いた液体噴射ヘッドの製造工程順の断面図、
同図(e)にその平面図を示す。
持ち梁を用いた液体噴射ヘッドの製造工程順の断面図、
同図(e)にその平面図を示す。
以下、この液体噴射ヘッド及びその製造方法を製造工程
に従って説明する。同図(a)はノズル形成工程終了時
の断面図であり、101は単結晶珪素基板、102は単
結晶珪素基板101上にエピタキシャル成長させたp型
単結晶珪素層、103はノズルである。単結晶珪素基板
101上にp型単結晶珪素層102を5〜50μm程度
エピタキシャル成長させ、更にこれを貫通するノズル1
03をRIEE(Reactive Ion Be
am Etching)法で形成すると、かくのごと
き断面図となる。同図(b)は圧力室形成工程終了時の
断面図であり、104は単結晶珪素基板101をエツチ
ングして形成される圧力室である。p型理素層102表
面をフォトレジストで全面覆い、その反対側の表面から
エツチングを行う。
に従って説明する。同図(a)はノズル形成工程終了時
の断面図であり、101は単結晶珪素基板、102は単
結晶珪素基板101上にエピタキシャル成長させたp型
単結晶珪素層、103はノズルである。単結晶珪素基板
101上にp型単結晶珪素層102を5〜50μm程度
エピタキシャル成長させ、更にこれを貫通するノズル1
03をRIEE(Reactive Ion Be
am Etching)法で形成すると、かくのごと
き断面図となる。同図(b)は圧力室形成工程終了時の
断面図であり、104は単結晶珪素基板101をエツチ
ングして形成される圧力室である。p型理素層102表
面をフォトレジストで全面覆い、その反対側の表面から
エツチングを行う。
このエツチングは湿式法で、エチレンジアミン、ピロカ
テコール、水の混合液を用いれば良い。このエツチング
液を用いると、p型理素層102のエツチングレートは
単結晶珪素基板101のそれに比べ格段に小さいため、
p型理素層102やノズル103はほとんどエツチング
されずに残り、かくのごとき断面図となる。同図(C)
は片持ち梁形成工程終了時の断面図であり、105は圧
力室104上に張った片持ち梁である。この片持ち梁1
05は、薄板ガラス、金属板、5rTi03等の材料を
熱圧着等の方法で貼り付け、形成してかくのごとき構造
となる。同図(d)は圧電素子形成工程終了時の断面図
であり、106は下電極、107は圧電膜、108は上
電極である。106乃至108により、圧電素子が形成
される。電極106及′oe108にはPt、Ni、A
1等の金属材料、圧電膜107にはPZTS PbTi
O3、ZnO等の圧電材料を用いれば良い。片持ち梁1
05にSrTiO3を用いる場合は、下電極106 G
、: P t、圧電膜107にペロブスカイト構造を持
っPZTやP b T i O3をそれぞれスパッタ法
で形成すれば、エピタキシャル成長する事が可能であり
、構造強度や圧電性の優れた圧電膜107を形成する事
ができる。
テコール、水の混合液を用いれば良い。このエツチング
液を用いると、p型理素層102のエツチングレートは
単結晶珪素基板101のそれに比べ格段に小さいため、
p型理素層102やノズル103はほとんどエツチング
されずに残り、かくのごとき断面図となる。同図(C)
は片持ち梁形成工程終了時の断面図であり、105は圧
力室104上に張った片持ち梁である。この片持ち梁1
05は、薄板ガラス、金属板、5rTi03等の材料を
熱圧着等の方法で貼り付け、形成してかくのごとき構造
となる。同図(d)は圧電素子形成工程終了時の断面図
であり、106は下電極、107は圧電膜、108は上
電極である。106乃至108により、圧電素子が形成
される。電極106及′oe108にはPt、Ni、A
1等の金属材料、圧電膜107にはPZTS PbTi
O3、ZnO等の圧電材料を用いれば良い。片持ち梁1
05にSrTiO3を用いる場合は、下電極106 G
、: P t、圧電膜107にペロブスカイト構造を持
っPZTやP b T i O3をそれぞれスパッタ法
で形成すれば、エピタキシャル成長する事が可能であり
、構造強度や圧電性の優れた圧電膜107を形成する事
ができる。
以上のごとく形成した液体噴射ヘッドの動作の一例を示
すと、以下のごとくなる。圧電素子を取り巻く空間及び
圧力室104及びノズル103には液体が満たされてい
るものとする。圧電素子の上下電極108.106間に
電圧を印加すると、圧電素子及び片持ち梁105が歪む
。すると圧力室104中の液体に圧力が印加され、液体
はノズル103より外側へ噴射される。次に圧電素子の
上下電極108.106間の電圧印加をやめると、圧電
素子の歪は元に戻り、圧力室104中の液体− は減圧され、圧電素子を取り巻く空間から液体が補充さ
れる。
すと、以下のごとくなる。圧電素子を取り巻く空間及び
圧力室104及びノズル103には液体が満たされてい
るものとする。圧電素子の上下電極108.106間に
電圧を印加すると、圧電素子及び片持ち梁105が歪む
。すると圧力室104中の液体に圧力が印加され、液体
はノズル103より外側へ噴射される。次に圧電素子の
上下電極108.106間の電圧印加をやめると、圧電
素子の歪は元に戻り、圧力室104中の液体− は減圧され、圧電素子を取り巻く空間から液体が補充さ
れる。
この液体噴射ヘッドの平面図の一例を同図(e)に示す
。ノズル103及び圧力室104をフォトリソグラフィ
ー技術を用いて連続形成し、また片持ち梁形成後の工程
も同様に連続形成できるため、101乃至108で構成
される要素は、精度良くかつ微細に形成できる。このた
め、液体噴射を行うノズルの高密度化や、ノズルをライ
ン状に長尺に形成するマルチノズル化が容易となった。
。ノズル103及び圧力室104をフォトリソグラフィ
ー技術を用いて連続形成し、また片持ち梁形成後の工程
も同様に連続形成できるため、101乃至108で構成
される要素は、精度良くかつ微細に形成できる。このた
め、液体噴射を行うノズルの高密度化や、ノズルをライ
ン状に長尺に形成するマルチノズル化が容易となった。
第2図(a)乃至(C)に、本発明の実施例における、
圧力室上に張る片持ち梁がp型単結晶珪素により形成さ
れる液体噴射ヘッドの製造工程順の断面図を示す。第1
図と同一の記号は第1図と同一のものを表す。以下、製
造工程の一例に従って本液体噴射ヘッド及びその製造方
法を説明する。
圧力室上に張る片持ち梁がp型単結晶珪素により形成さ
れる液体噴射ヘッドの製造工程順の断面図を示す。第1
図と同一の記号は第1図と同一のものを表す。以下、製
造工程の一例に従って本液体噴射ヘッド及びその製造方
法を説明する。
同図(a)は、ノズルと反対側の単結晶珪素基板表面に
p型単結晶珪素層形成工程終了時の断面図である。前述
の方法により第1図(a)に示すごとくノズル103を
形成した後、反対側の単結晶一 珪素板表面にp型の導電型を有する珪素層201をエピ
タキシャル成長させ、第2図(a)のごとき断面図とな
る。同図(b)は圧力室及び圧力室上の片持ち梁を形成
する工程終了時の断面図である。この加工方法の一例を
示すと、まずノズル103側の表面をフォトレジスト等
で覆っておき、奥山雅則ら(材料別冊第38巻第425
号pp。
p型単結晶珪素層形成工程終了時の断面図である。前述
の方法により第1図(a)に示すごとくノズル103を
形成した後、反対側の単結晶一 珪素板表面にp型の導電型を有する珪素層201をエピ
タキシャル成長させ、第2図(a)のごとき断面図とな
る。同図(b)は圧力室及び圧力室上の片持ち梁を形成
する工程終了時の断面図である。この加工方法の一例を
示すと、まずノズル103側の表面をフォトレジスト等
で覆っておき、奥山雅則ら(材料別冊第38巻第425
号pp。
89〜99)に示されるごとく、前記のエチレンジアミ
ン、ピロカテコール、水の混合液により選択エツチング
し、圧力室104及び片持ち梁を形成すれば良い。同図
(c)は圧電素子形成工程終了時の断面図である。これ
はp型単結晶珪素層201で形成される片持ち梁を圧電
素子の下電極に用いている例である。このうえに圧電膜
107、上電極108を形成すればかくのごとき断面図
となる。もちろん、片持ち梁補強用や相互拡散防止用等
の目的で、p型珪素層201と圧電膜107間に金属膜
をはさむ構造にしても良い。
ン、ピロカテコール、水の混合液により選択エツチング
し、圧力室104及び片持ち梁を形成すれば良い。同図
(c)は圧電素子形成工程終了時の断面図である。これ
はp型単結晶珪素層201で形成される片持ち梁を圧電
素子の下電極に用いている例である。このうえに圧電膜
107、上電極108を形成すればかくのごとき断面図
となる。もちろん、片持ち梁補強用や相互拡散防止用等
の目的で、p型珪素層201と圧電膜107間に金属膜
をはさむ構造にしても良い。
この液体噴射ヘッドは、その全製造工程を完全に薄膜形
成技術とフォトリソグラフィー技術を用いて連続形成で
きるため、第1図に示す実施例に比べ、更に精度良くか
つ微細に形成できる。このため、液体噴射を行うノズル
の高密度化や、ノズルをライン状に長尺に形成するマル
チノズル化が容易となり、1.0dat/mmの解像度
で5cmの長さを持つライン液体噴射ヘッドが形成でき
た。
成技術とフォトリソグラフィー技術を用いて連続形成で
きるため、第1図に示す実施例に比べ、更に精度良くか
つ微細に形成できる。このため、液体噴射を行うノズル
の高密度化や、ノズルをライン状に長尺に形成するマル
チノズル化が容易となり、1.0dat/mmの解像度
で5cmの長さを持つライン液体噴射ヘッドが形成でき
た。
また、本発明の構成をとることにより100d。
t / m m程度までの高解像度化も可能である。更
に、この液体噴射ヘッドは、前述のごとくその全製造工
程を完全に薄膜形成技術とフォトリソグラフィー技術を
用いて連続形成できるため、その組立に要する工程が大
いに軽減され、このため安価なものとなる。
に、この液体噴射ヘッドは、前述のごとくその全製造工
程を完全に薄膜形成技術とフォトリソグラフィー技術を
用いて連続形成できるため、その組立に要する工程が大
いに軽減され、このため安価なものとなる。
また、この実施例の液体噴射ヘッドの製造方法において
は、最初に単結晶珪素基板の二表面(両面)にp型の導
電型を有する珪素層102及び201をエピタキシャル
成長させておく事も可能である。その後、ノズルを形成
し第2図(a)に示すごとき断面図とし、以下の工程は
前述のごとく同図(b)、(C)に示すごとく進めれば
良い。
は、最初に単結晶珪素基板の二表面(両面)にp型の導
電型を有する珪素層102及び201をエピタキシャル
成長させておく事も可能である。その後、ノズルを形成
し第2図(a)に示すごとき断面図とし、以下の工程は
前述のごとく同図(b)、(C)に示すごとく進めれば
良い。
かくのごとき製造方法とする事により、p型理素層20
1をエピタキシャル成長させる時における珪素分子のノ
ズル103への回り込みを防ぐ事ができる。
1をエピタキシャル成長させる時における珪素分子のノ
ズル103への回り込みを防ぐ事ができる。
第3図に、本発明の実施例における、圧力室上に両端支
持梁を張った液体噴射ヘッドの断面図を示す。同図にお
いて、第1図、第2図と同一の記号はそれぞれ第1図、
第2図と同一のものを表す。
持梁を張った液体噴射ヘッドの断面図を示す。同図にお
いて、第1図、第2図と同一の記号はそれぞれ第1図、
第2図と同一のものを表す。
本実施例のごとき構造の液体噴射ヘッドは、前述の製造
方法いずれを用いても容易に形成できる。
方法いずれを用いても容易に形成できる。
両端支持梁の構造は自由端を有する片持ち梁に比べて強
固であり、またその固有振動数も大きいため圧力室10
4中の液体に印加される圧力が大きい。よって本実施例
の液体噴射ヘッドは構造的に強固であり、またその液体
噴射特性も良い。圧力室−Lに張る梁は以上の実施例に
限定される事なく、例えば周辺を固定した梁等を用いて
液体噴射ヘッドを形成しても良い。
固であり、またその固有振動数も大きいため圧力室10
4中の液体に印加される圧力が大きい。よって本実施例
の液体噴射ヘッドは構造的に強固であり、またその液体
噴射特性も良い。圧力室−Lに張る梁は以上の実施例に
限定される事なく、例えば周辺を固定した梁等を用いて
液体噴射ヘッドを形成しても良い。
以上述べてきた液体噴射ヘッドは、平面方向のパターン
精度のみならず、垂直方向の寸法精度も1 良い。特に、液体噴射特性を大きく支配する圧力室10
4の深さ、p型理素層201や圧電膜107の厚み等を
、薄膜形成技術やフォトリソグラフィー技術により容易
に制御できる。このため、本発明の液体噴射ヘッドは液
体噴射特性が良く、マルチノズル化してもその均一性が
良い。
精度のみならず、垂直方向の寸法精度も1 良い。特に、液体噴射特性を大きく支配する圧力室10
4の深さ、p型理素層201や圧電膜107の厚み等を
、薄膜形成技術やフォトリソグラフィー技術により容易
に制御できる。このため、本発明の液体噴射ヘッドは液
体噴射特性が良く、マルチノズル化してもその均一性が
良い。
なお、本発明の液体噴射ヘッド及びその製造方法は以上
述べた実施例のみならず、本発明の主旨を逸脱しない範
囲において広く適用が可能である。
述べた実施例のみならず、本発明の主旨を逸脱しない範
囲において広く適用が可能である。
また、この液体噴射ヘッドは、インクジェットプリンタ
のみならず、他の印字、印刷装置(例えばコピー機等)
や、塗装装置、捺染装置等に広く適用される。
のみならず、他の印字、印刷装置(例えばコピー機等)
や、塗装装置、捺染装置等に広く適用される。
[発明の効果]
以上述べたごとく本発明を用いる事により、薄膜形成技
術及びフォトリソグラフィー技術を用いてノズル、圧力
室、梁、圧電素子が連続形成できるため、平面的なパタ
ーンの微細化や、液体噴射特性を支配する厚み方向の寸
法制御が可能となり、2 ノズルの高密度化やマルチノズル化が容易で、液体噴射
特性の良い液体噴射ヘッドが実現される。
術及びフォトリソグラフィー技術を用いてノズル、圧力
室、梁、圧電素子が連続形成できるため、平面的なパタ
ーンの微細化や、液体噴射特性を支配する厚み方向の寸
法制御が可能となり、2 ノズルの高密度化やマルチノズル化が容易で、液体噴射
特性の良い液体噴射ヘッドが実現される。
また同時に、煩雑な組立工程が不要となるため、安価な
液体噴射ヘッドが実現される。
液体噴射ヘッドが実現される。
第1図(a)乃至(d)は、本発明の実施例における片
持ち梁を用いた液体噴射ヘッドの製造工程順の断面図、
同図(e)はその平面図。 第2図(a)乃至(C)は、本発明の実施例における、
圧力室上に張る片持ち梁がp型単結晶珪素により形成さ
れる液体噴射ヘッドの製造工程順の断面図。 第3図は、本発明の実施例における、圧力室上に両端支
持梁を張った液体噴射ヘッドの断面図。 101・・・単結晶珪素基板 102・・・p型理素層 103・・・ノズル 104・・・圧力室 105・・・片持ち梁 106・−・下電極 107・・・圧電膜 108・・・上電極
持ち梁を用いた液体噴射ヘッドの製造工程順の断面図、
同図(e)はその平面図。 第2図(a)乃至(C)は、本発明の実施例における、
圧力室上に張る片持ち梁がp型単結晶珪素により形成さ
れる液体噴射ヘッドの製造工程順の断面図。 第3図は、本発明の実施例における、圧力室上に両端支
持梁を張った液体噴射ヘッドの断面図。 101・・・単結晶珪素基板 102・・・p型理素層 103・・・ノズル 104・・・圧力室 105・・・片持ち梁 106・−・下電極 107・・・圧電膜 108・・・上電極
Claims (5)
- (1)p型単結晶珪素層を貫通するノズル、該ノズルと
接続し、その側壁が単結晶珪素である圧力室、該圧力室
上に張った梁、該梁上に形成した圧電素子を具備して成
ることを特徴とする、液体噴射ヘッド。 - (2)前記圧力室上に張る梁が、p型単結晶珪素により
形成されることを特徴とする、請求項1記載の液体噴射
ヘッド。 - (3)単結晶珪素基板上の一表面にp型の導電型を有す
る珪素層をエピタキシャル成長させる工程、少なくとも
前記p型の導電型を有する珪素層にノズルを形成する工
程、前記p型の導電型を有する珪素層と反対側の単結晶
珪素基板表面をエッチングし圧力室を形成する工程、前
記圧力室上に梁を張る工程、及び前記梁上に圧電素子を
形成する工程を有することを特徴とする、液体噴射ヘッ
ドの製造方法。 - (4)前記ノズルを形成する工程後に、p型の導電型を
有する珪素層と反対側の単結晶珪素基板表面にp型の導
電型を有する珪素層をエピタキシャル成長させる工程、
該p型珪素層及び単結晶珪素基板をエッチングし圧力室
及び該圧力室上の梁を形成する工程を有することを特徴
とする、請求項3記載の液体噴射ヘッドの製造方法。 - (5)単結晶珪素基板の二表面にp型の導電型を有する
珪素層をエピタキシャル成長させる工程、一方のp型の
導電型を有する珪素層にノズルを形成する工程、他方の
p型珪素層及び単結晶珪素基板をエッチングし圧力室及
び該圧力室上の梁を形成する工程、及び前記梁上に圧電
素子を形成する工程を有することを特徴とする、液体噴
射ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3875290A JPH03240547A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 液体噴射ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3875290A JPH03240547A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 液体噴射ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03240547A true JPH03240547A (ja) | 1991-10-25 |
Family
ID=12534032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3875290A Pending JPH03240547A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 液体噴射ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03240547A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6214244B1 (en) * | 1997-07-15 | 2001-04-10 | Silverbrook Research Pty Ltd. | Method of manufacture of a reverse spring lever ink jet printer |
US6231773B1 (en) * | 1997-07-15 | 2001-05-15 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of manufacture of a tapered magnetic pole electromagnetic ink jet printer |
US6241904B1 (en) * | 1997-07-15 | 2001-06-05 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of manufacture of a two plate reverse firing electromagnetic ink jet printer |
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US6248249B1 (en) * | 1997-07-15 | 2001-06-19 | Silverbrook Research Pty Ltd. | Method of manufacture of a Lorenz diaphragm electromagnetic ink jet printer |
US6251298B1 (en) * | 1997-07-15 | 2001-06-26 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of manufacture of a planar swing grill electromagnetic ink jet printer |
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US6451216B1 (en) * | 1997-07-15 | 2002-09-17 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of manufacture of a thermal actuated ink jet printer |
US6565762B1 (en) * | 1997-07-15 | 2003-05-20 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of manufacture of a shutter based ink jet printer |
-
1990
- 1990-02-20 JP JP3875290A patent/JPH03240547A/ja active Pending
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