JPH03238854A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JPH03238854A JPH03238854A JP3496690A JP3496690A JPH03238854A JP H03238854 A JPH03238854 A JP H03238854A JP 3496690 A JP3496690 A JP 3496690A JP 3496690 A JP3496690 A JP 3496690A JP H03238854 A JPH03238854 A JP H03238854A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- reinforcing member
- semiconductor device
- inner lead
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 46
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、インナーリードに電子部品を実装しアウター
リードを外部接続端子とするリードフレームを有する半
導体装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a semiconductor device having a lead frame in which electronic components are mounted on inner leads and outer leads serve as external connection terminals.
（従来の技術）
リードフレームは、半導体装置内の回路の一部を形成す
るものであり、そのアウターリードとなる部分に所定の
剛性が必要であることから、一般に、所定厚さの金属板
に打ち抜き加工をするかあるいはエツチング加工をする
ことによって、各インナーリード等が電気的に独立した
ものとして形成される。この場合、後加工によって切断
できる接続部によって各インナーリードを接続しておく
ことも行われている。(Prior Art) A lead frame forms part of a circuit in a semiconductor device, and the part that becomes the outer lead must have a certain degree of rigidity, so it is generally made of a metal plate of a certain thickness. By punching or etching, each inner lead etc. is formed as electrically independent. In this case, each inner lead is connected by a connecting portion that can be cut by post-processing.
ところで、近年の半導体装置における軽薄短小化の要望
に伴って、これを構成するリードフレームについてもそ
の要望が高まってきているため、特にインナーリードに
おいて所謂ファイン化がなされてきている。すなわち、
近年のリードフレ−ムにおいては、その各インナーリー
ドの単位長さ当りの数が増大し、かつそれ自体が薄くか
つ細くなってきているのであり、従ってこのインナーリ
ードはちょっとした力によっても折れ曲がり得るものと
なってきているのである。Incidentally, in recent years, with the demand for lighter, thinner, and shorter semiconductor devices, there has also been an increasing demand for the lead frames that constitute these devices, and so-called finer inner leads in particular have been made. That is,
In recent lead frames, the number of inner leads per unit length has increased, and the inner leads themselves have become thinner and thinner, so the inner leads can bend even with a small amount of force. It is becoming more and more.
そこで、各インナーリードの保護を行なう必要がでてく
るのであるが、その保護を前述した接続部によって行う
ことも考えられる。しかしながら、この接続部は後加工
によって切り落とし加工ができない部分、例えば各イン
ナーリードの内端部に形成することは事実上不可能であ
る。その接続部の切断がしにくいだけでなく、仮に加工
できたとしても、その加工時にインナーリードが折れ曲
がったりしてしまう可能性が高いからである。そこで近
年、切断という後加工の不要な材料、すなわち非導電性
であって完成後の半導体装置内に埋没してしまっても悪
影響の生じないポリイミド樹脂等によって補強部材を構
成し、この補強部材を各インナーリード上に貼着するこ
とが行なわれている。Therefore, it becomes necessary to protect each inner lead, and it is also conceivable that this protection be performed by the above-mentioned connection portion. However, it is virtually impossible to form this connection portion in a portion that cannot be cut off by post-processing, for example, at the inner end of each inner lead. This is because not only is it difficult to cut the connection portion, but even if it were possible to process it, there is a high possibility that the inner lead would be bent during the process. Therefore, in recent years, reinforcing members have been constructed using materials that do not require post-processing such as cutting, such as polyimide resins that are non-conductive and do not cause any adverse effects even if buried in a completed semiconductor device. This is done by pasting it onto each inner lead.
また、半導体装置においては、これに実装されている電
子部品の保護を行う等のためのコンデンサ、あるいは抵
抗素子等の各種部品を、電子部品とは別に形成して半導
体装置を搭載する基板上に組み込むことが行われる。こ
れらの各種部品は、半導体装置全体の軽薄短小化を考慮
しながら、半導体装置内の最適箇所を選択してこれを組
み込む事が最も望ましい。In addition, in semiconductor devices, various components such as capacitors or resistive elements to protect the electronic components mounted on the device are formed separately from the electronic components and placed on the substrate on which the semiconductor device is mounted. Incorporation is done. It is most desirable to select and incorporate these various parts into optimal locations within the semiconductor device, taking into account the reduction in weight, thickness, and shortness of the entire semiconductor device.
そこで、本発明者等は、コンデンサ等の部品を組み込む
ことのできるリードフレームを有した半導体装置を構成
するにはどうしたらよいかについて種々検討を重ねてき
た結果、本発明を完成したのである。Therefore, the inventors of the present invention have conducted various studies on how to construct a semiconductor device having a lead frame into which components such as capacitors can be incorporated, and as a result, they have completed the present invention.
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、以上の経緯に基づいてなされたもので、その
解決しようとする課題は、半導体装置において、これに
実装される電子部品の保護を行う等のためのコンデンサ
、あるいは抵抗素子等の各種部品の半導体装置内部への
組み込みである。(Problem to be Solved by the Invention) The present invention has been made based on the above-mentioned circumstances, and the problem to be solved is to protect electronic components mounted on the semiconductor device. This is the integration of various parts such as capacitors or resistive elements into semiconductor devices.
そして、本発明の目的とするところは、必要な部品をも
容易に組み込むことのできるリードフレームを有した半
導体装置を簡単な構成によって提供することにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor device having a simple structure and having a lead frame in which necessary parts can be easily incorporated.
（課題を解決するための手段及び作用）以上の課題を解
決するために、本発明の採った手段は、実施例において
使用する符号を付して説明すると、
「インナーリード（１１）とアウターリード（１２）と
を有して、電子部品を有した半導体装ｌを構成したとき
、インナーリード（１１）が電子部品と電気的に接続さ
れるとともに、このインナーリード（１１）に対応する
アウターリード（１２）が当該半導体装置の外部接続端
子となるようにするリードフレーム（１０）を使用した
半導体装置において、リードフレーム（ｌＯ）の各イン
ナーリード（１１）の内端部上に絶縁性を有する補強部
材〈２０〉を一体化し、この補強部材（２０）上にコン
デンサ等の部品（２２）を形成して、この部品（２２）
とインナーリード（１１）の一部とを電気的に接続した
ことを特徴とする半導体装置」
である。(Means and effects for solving the problems) In order to solve the above problems, the means taken by the present invention are explained using the reference numerals used in the embodiments. (12), when configuring a semiconductor device l having an electronic component, the inner lead (11) is electrically connected to the electronic component, and the outer lead corresponding to the inner lead (11) In a semiconductor device using a lead frame (10) in which (12) serves as an external connection terminal of the semiconductor device, an insulating layer is provided on the inner end of each inner lead (11) of the lead frame (lO). The reinforcing member <20> is integrated, a part (22) such as a capacitor is formed on this reinforcing member (20), and this part (22)
and a part of the inner lead (11) are electrically connected to each other.
すなわち、本発明に係る半導体装置は、これに使用され
るリードフレーム（１Ｇ）の各インナーリード（１１）
の内端に電子部品を接続し各アウターリード（１２）の
外端を除く全体をモールド樹脂によって封止することに
より構成されるものであるが、各インナーリード（１１
）の内端部に、インナーリード（１０）の曲がり等を防
ぐ意味で設けられた絶縁性補強部材（２０）上に設けた
コンデンサ等の部品（２２）をボンディングワイヤ（２
４ａ）を使用する事によりインナーリード内端部に位置
する電子部品とを電気的に接続する部分に直接接続し得
る（第３図または第４図に示した場合）ものである。That is, in the semiconductor device according to the present invention, each inner lead (11) of a lead frame (1G) used in the semiconductor device
It is constructed by connecting an electronic component to the inner end of each outer lead (12) and sealing the whole except the outer end of each outer lead (12) with mold resin.
), a component (22) such as a capacitor provided on an insulating reinforcing member (20) provided to prevent the inner lead (10) from bending etc. is connected to the bonding wire (2).
By using 4a), it is possible to directly connect the inner lead to the part that is electrically connected to the electronic component located at the inner end (in the case shown in FIG. 3 or 4).
また、各インナーリード（１１）を補強している補強部
材（２０）に、必要に応じて各インナーリード（１１）
の内の一部に対応する開口（２１）が形成する事が出来
、この開口（２１）を通して当該インナーリード（１１
）の一部分を補強部材（２０）から露出させ得る事が可
能である。従って、この補強部材（２０）上に設けた部
品（２２）を開口（２１）を介して直接半田付は等によ
ってインナーリード（１１）に接続し得る（第２図に示
した場合）、また補強部材（２０）上の部品（２２）を
ボンディングワイヤ（２４ｂ）を使用することによりイ
ンナーリード（１１）に接続し得る（第３図または第４
図に示した場合）ものとなっているのである。In addition, each inner lead (11) is attached to the reinforcing member (20) that reinforces each inner lead (11) as necessary.
An opening (21) corresponding to a part of the inner lead (11) can be formed through this opening (21).
) can be exposed from the reinforcing member (20). Therefore, the component (22) provided on this reinforcing member (20) can be connected to the inner lead (11) through the opening (21) by direct soldering, etc. (as shown in FIG. 2), or The component (22) on the reinforcing member (20) can be connected to the inner lead (11) by using a bonding wire (24b) (see Fig. 3 or 4).
(as shown in the figure).
また、本発明の半導体装置に使用されるこのリードフレ
ーム（１０）は、例えば次のようにして製造される事に
より、さらに良好なものとなる。すなわち、まずインナ
ーリード（１１）、アウターリード（１２）及び接続部
（１４）となるべきフレーム材（ｌ Ｏａ）の一方の面
をハーフエツチングした後に、インナーリード（１１）
となるべき部分の表面に開口（２１）を設けた補強部材
（２０）を設けておき、その後にフレーム材（１０ａ）
の他方の面をハーフエツチングしたパターンに応じたエ
ツチングを施すようにして、各インナーリード（１１）
及びアウターリード（１２）間にこれらを電気的に独立
させる隙間（１３）を形成するものである。Further, the lead frame (10) used in the semiconductor device of the present invention can be made even better by manufacturing it in the following manner, for example. That is, first, one side of the frame material (lOa) which is to become the inner lead (11), outer lead (12) and connection part (14) is half-etched, and then the inner lead (11)
A reinforcing member (20) with an opening (21) is provided on the surface of the part that should become the frame material (10a).
Each inner lead (11) is etched in accordance with the half-etched pattern on the other side of the inner lead (11).
A gap (13) is formed between the outer leads (12) and the outer leads (12) to make them electrically independent.
そのために、まず、フレーム材（ｌｏａ）の材質に応じ
たエッチャントにより、フレーム材（１０ａ）の一方の
面をハーフエツチングする。すなわち、インナーリード
（１１）及びアウターリード（１２）の隙間（１３）と
なるべき凹所を形成するのである。この凹所は、エツチ
ング時間等を調整することにより、文字通りフレーム材
（ｌｅａ）の厚さの半分程度までの深さを有するもので
ある。For this purpose, first, one side of the frame material (10a) is half-etched using an etchant appropriate for the material of the frame material (LOA). That is, a recess is formed to serve as a gap (13) between the inner lead (11) and the outer lead (12). By adjusting the etching time and the like, this recess has a depth that is literally about half the thickness of the frame material (lea).
次に、この凹所側のフレーム材（１０ａ）に、耐熱性及
び絶縁性を有する材料、例えばガラスエポキシ樹脂ある
いはポリイミド樹脂等の材料からなる棒状（および組み
合せにより枠状となる）の補強部材（２０）をプレス圧
着あるいは接着剤を介して一体化するのである。これに
より、補強部材（２０）は、フレーム材（１０ａ）の凹
所上に部分的に浮いた状態で、フレーム材（１０ａ）の
インナーリード（１１）となるべき部分に固着されるの
である。この補強部材（２０）の固定位置は各インナー
リード（１１）のできるだけ内端側がよいが、各インナ
ーリード（１１）のパッド部を隠さないようにする必要
はある。Next, a rod-shaped (and in combination becomes a frame-shaped) reinforcing member made of a heat-resistant and insulating material, such as glass epoxy resin or polyimide resin, is attached to the frame material (10a) on the side of the recess ( 20) are integrated by press bonding or adhesive. As a result, the reinforcing member (20) is fixed to the portion of the frame material (10a) that is to become the inner lead (11) while partially floating above the recess of the frame material (10a). The reinforcing member (20) is preferably fixed at the inner end of each inner lead (11) as much as possible, but it is necessary to avoid hiding the pad portion of each inner lead (11).
この補強部材（２０）のフレーム材（１０ａ）に対する
固着時において、各インナーリード（１１）及びアウタ
ーリード（１２）は完全には分離されてはおらずフレー
ム材（ｌｅａ）自体によって接続された状態にあるから
、補強部材（２０）の固着による力が加わったとしても
、各インナーリード（１１）及びアウターリード（１２
）が曲がり等の変形を来すことがないのは当然である。When the reinforcing member (20) is fixed to the frame material (10a), each inner lead (11) and outer lead (12) are not completely separated but are connected by the frame material (lea) itself. Therefore, even if force is applied due to the fixation of the reinforcing member (20), each inner lead (11) and outer lead (12)
) naturally does not cause deformation such as bending.
そして、この補強部材（２０）を固着したままの状態で
、今度はフレーム材（１０ａ）の反対側の面を前回形成
したパターンに対応したパターン、具体的にはハーフエ
ツチングによって形成した各凹所の反対側をエツチング
するのである。このエツチングを十分片なうことによっ
て、各インナーリード（１１）及びアウターリード（１
２）間を分離する隙間（１３）を形成するのである。こ
のようにして、各インナーリード（１１）間に隙間（１
３）が形成されて、それぞれが完全に分離したものとな
っても、これら各インナーリード（１１）はその内端部
分において補強部材（２０）により変形しないように一
体化されているから、設計された位置からズレるような
ことはない。つまり、各インナーリード（１１）は、折
れ曲がり等の変形を来さないように、補強部材（２０）
によってしっかりと保護されているのである。これによ
り、その後の加工や電子部品の実装作業時において、各
インナーリード（１１）が不用意に変形することはない
のである。Then, with this reinforcing member (20) still fixed, the opposite side of the frame material (10a) is etched into a pattern corresponding to the previously formed pattern, specifically each recess formed by half-etching. The opposite side is etched. By sufficiently removing this etching, each inner lead (11) and outer lead (1
2) A gap (13) is formed to separate the space. In this way, a gap (1
3) are formed and are completely separated from each other, each inner lead (11) is integrated at its inner end portion by the reinforcing member (20) so that it does not deform. There will be no deviation from the specified position. In other words, each inner lead (11) is fitted with a reinforcing member (20) to prevent deformation such as bending.
It is well protected by. This prevents each inner lead (11) from being inadvertently deformed during subsequent processing or electronic component mounting work.
なお、補強部材（２０）は、このリードフレーム（１０
）を使用して半導体装置を構成する場合に、そのままモ
ールド樹脂中に埋没させてしまうか、あるいは電子部品
封止樹脂の流れ止めに使用したりすることができるため
、その存在によって不都合を生じることはない事は言う
までも無い。Note that the reinforcing member (20) is attached to this lead frame (10).
) when constructing a semiconductor device, its presence can cause inconveniences because it can be buried in the mold resin as it is or used to stop the flow of electronic component sealing resin. Needless to say, there is no such thing.
（実施Ｎ）
次に、本発明を、図面に示した実施例に基づいて詳細に
説明する。(Embodiment N) Next, the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the drawings.
第１図には本発明に係る半導体装置に使用されるリード
フレーム（ｌＯ）の拡大平面図が示してあり、この第１
ｒｇＪに示したパターンは一個の半導体装置を形成する
ためのパターンを示している。つまり、本実施例におい
ては、多数の半導体装置のための多数のリードフレーム
（ｌＯ）を、大きな一枚のフレーム材（１０ａ）によっ
て形成するものであり、第１図はその内の一部分を示す
ものである。FIG. 1 shows an enlarged plan view of a lead frame (lO) used in a semiconductor device according to the present invention.
The pattern shown in rgJ is a pattern for forming one semiconductor device. That is, in this embodiment, a large number of lead frames (lO) for a large number of semiconductor devices are formed from one large frame material (10a), and FIG. 1 shows a part of the lead frames (10a). It is something.
フレーム材（１０ａ）としては、種々な材料のものが使
用できるが、これ自体がリードフレーム（１０）として
必要な物理的性質を有していることは勿論、エツチング
し易い材料のものを採用するのが好ましく、本実施例に
おいては厚さ０．２ｍｍの銅、あるいは銅系材料（銅合
金）、４２アロイ板またはアルミ板を採用している。こ
のようなフレーム材（１０ａ）に第１図に示したような
加工を行なうには、まず、フレーム材（１０ａ）の表面
にエツチングマスクとしてのドライフィルムを貼着し、
このドライフィルムを露光・現像することにより第１図
に示したようなパターンの開口を形成し、この開口を通
してフレーム材（１０ａ）の材料に応じたエッチャント
を使用してハーフエツチングを行なうのである。勿論、
ハーフエツチングしない側の面はエツチングマスクによ
って覆っておく。Various materials can be used as the frame material (10a), but the material itself must have the necessary physical properties as the lead frame (10) and be easily etched. It is preferable to use copper, a copper-based material (copper alloy), a 42 alloy plate, or an aluminum plate with a thickness of 0.2 mm in this embodiment. In order to process such a frame material (10a) as shown in FIG. 1, first, a dry film as an etching mask is attached to the surface of the frame material (10a),
This dry film is exposed and developed to form openings in the pattern shown in FIG. 1, and half etching is performed through these openings using an etchant appropriate for the material of the frame material (10a). Of course,
The side that will not be half-etched is covered with an etching mask.
このハーフエツチングにより、フレーム材（１０ａ）の
一方の面に凹所が形成されるのであるが、その深さがフ
レーム材（１０ａ）の厚さの半分程度となるようにエツ
チング時間を調整した。そして、エツチングマスクを剥
離して、各インナーリード（１１）の内端部となるべき
近傍に、第２図〜第４図に示したような位置に必要に応
じて開口（２１）を形成した補強部材（２０）を貼着ま
たは圧着するのである。This half etching forms a recess on one side of the frame material (10a), and the etching time was adjusted so that the depth of the recess was about half the thickness of the frame material (10a). Then, the etching mask was peeled off, and openings (21) were formed as necessary near the inner ends of each inner lead (11) at the positions shown in FIGS. 2 to 4. The reinforcing member (20) is pasted or crimped.
補強部材（２０）は、これが半導体装置内に埋没されて
しまう場合、各インナーリード（１１）の絶縁及びこれ
らの内端に位置するパッド部に電子部品をハンダディプ
ブによる接続を行なう等のことを考慮して、絶縁性かつ
耐熱性を有する材料によって形成することが必要であり
、本実施例においてはポリイミド樹脂または耐熱性ガラ
スエポキシ樹脂によって形成した。第１図に示した補強
部材（２０）は、四角の枠形状のものとした場合を示し
ているが、この補強部材（２０）は完成された各インナ
ーリード（１１）が互いに位置ズレしないように保護す
るものであるから、円環状であったり、あるいは他の異
形形状の枠体であってもよく、さらには単なる直線状の
ものであってもよいものである。When the reinforcing member (20) is buried in a semiconductor device, consideration should be given to insulating each inner lead (11) and connecting electronic components to pads located at the inner ends of these by solder dip. Therefore, it is necessary to use a material that is insulating and heat resistant, and in this example, polyimide resin or heat resistant glass epoxy resin is used. The reinforcing member (20) shown in Fig. 1 is shown in the form of a square frame, and this reinforcing member (20) is designed to prevent the completed inner leads (11) from shifting relative to each other. Since the frame body is intended to protect the body, the frame body may be annular, or may have another irregular shape, or may even be a simple straight line.
また、この補強部材（２０）のフレーム材（１０ａ）に
対する一体化は種々な方法によって行なうことができる
。その理由は、各インナーリード（１１）となるべき部
分は、その両側を凹所によって囲まれてはいるものの、
基本的にはフレーム材（１０ａ）の残部によって未だ接
続されたままの状態、すなわち、各インナーリード（１
１）となる部分が相互に位置ズレを生じない状！！４こ
保持されているのであるから、この補強部材（２０）の
一体化作業において注意をそれ程払う必要がないからで
ある。そのために、本実施例においては、ポリイミド樹
脂製の補強部材（２０）の場合は接着剤を使用して接着
し、ガラスエポキシ樹脂製の補強部材（２０）の場合は
加熱プレスによって圧着している。Moreover, the reinforcing member (20) can be integrated with the frame material (10a) by various methods. The reason is that although the part that should become each inner lead (11) is surrounded by recesses on both sides,
Basically, each inner lead (1
1) The parts should not be misaligned with each other! ! This is because, since the reinforcing members (20) are held together, there is no need to pay much attention to the work of integrating the reinforcing members (20). To this end, in this example, the reinforcing member (20) made of polyimide resin is bonded using an adhesive, and the reinforcing member (20) made of glass epoxy resin is bonded using a hot press. .
そして、この補強部材（２０）を一体化した側のフレー
ム材（１０ａ）全体をエツチングレジストにより保護す
るとともに、フレーム材（１０ａ）の他の面にドライフ
ィルムを貼付して、このドライフィルムを第１図に示し
たパターンに対応するパターンに露光・現像してエツチ
ングマスクとした。このエツチングマスクから露出して
いるフレーム材（１０ａ）をエツチングして、各インナ
ーリード（１１）及びアウターリード（１２）間に隙間
（１３）を形成するのである。これにより、各インナー
リード（１１）及びアウターリード（１２）は、その接
続部（１４）以外の部分で完全に切り離された状態とな
るのである。Then, the entire frame material (10a) on the side where the reinforcing member (20) is integrated is protected by etching resist, and a dry film is pasted on the other surface of the frame material (10a), and this dry film is applied to the second surface. A pattern corresponding to that shown in Figure 1 was exposed and developed to form an etching mask. The frame material (10a) exposed from this etching mask is etched to form gaps (13) between each inner lead (11) and outer lead (12). As a result, each inner lead (11) and outer lead (12) are completely separated from each other at a portion other than the connecting portion (14).
勿論、このエツチング完了後には、その両側のエツチン
グレジストは剥離される。Of course, after this etching is completed, the etching resist on both sides is peeled off.
さて、補強部材（２０）における開口（２１）であるが
、この開口（２１）の形成の仕方は、補強部材（２０）
上に設ける部品（２２）の態様等によって、次のような
種々なものに分けることができる。Now, regarding the opening (21) in the reinforcing member (20), the method of forming this opening (21) is
Depending on the aspect of the component (22) provided above, etc., it can be divided into the following various types.
大ＪＬ例」２
第１図及び第２図は、コンデンサあるいはチップ抵抗等
の部品（２２）を補強部材（２０）上に設けたとき、そ
の各端子部が補強部材（２０）の開口（２１）を介して
その下に位置するインナーリード（１１）に直接半田付
は等によって接続されるものである。Large JL Example 2 Figures 1 and 2 show that when a component (22) such as a capacitor or a chip resistor is provided on the reinforcing member (20), each terminal part of the component (22) is connected to the opening (21) of the reinforcing member (20). ) to the inner lead (11) located below by direct soldering or the like.
すなわち、このリードフレーム（１０）は、第２図にて
示したように、各インナーリード（１１）の内に、図示
しない電源に接続される電源端子（ｌｌａ）と、各イン
ナーリード（１１）の中央部に位置するグイパッド（１
５）と接続されるグランド端子（ｌｌｂ）とを有してい
るもので、これらの電源端子（ｌｌａ）及びグランド端
子（ｌｌｂ）の内端部にそれぞれ対応する二個の開口（
２１）を有した補強部材（２０）を有したものである。That is, as shown in FIG. 2, this lead frame (10) has a power terminal (lla) connected to a power source (not shown) in each inner lead (11), and a power terminal (lla) connected to a power source (not shown) in each inner lead (11). Guipad (1
5) and a ground terminal (llb) connected to the power supply terminal (lla) and the ground terminal (llb), and two openings (
21) and a reinforcing member (20).
そして、本実施例においては、これら二個の開口（２１
）内に露出する電源端子（ｌｌａ）とグランド端子（ｌ
ｌｂ）との表面に、部品（２２）の電気的接続を良好に
するための銀メツキを施しであるのである。In this embodiment, these two openings (21
) The power supply terminal (lla) and ground terminal (l
The surface of the component (22) is silver plated to improve the electrical connection between the component (22) and the component (22).
丈１１狙２
第３図は、補強部材（２０）上の部品（２２）と、電源
端子（ｌｌａ）及びグランド端子（ｌｌｂ）等のインナ
ーリード（１１）とをボンディングワイヤ（２４ａ）お
よび（２４ｂ）によって接続することにより、コンデン
サ等の機能を有する部品（２２）を必要なインナーリー
ド（１１）に電気的に接続したものである。Length 11 aim 2 Figure 3 shows bonding wires (24a) and (24b) connecting the component (22) on the reinforcing member (20) and the inner leads (11) such as the power terminal (lla) and the ground terminal (llb). ), the component (22) having a function such as a capacitor is electrically connected to the necessary inner lead (11).
すなわち、この第３図に示したリードフレーム（１０）
の補強部材（２０）においては、補強部材（２０）上に
設けた部品（２２）とインナーリード内端部（電源端子
（ｌｌａ）及びグランド端子（ｌｌｂ） ）に位置する
電子部品とを電気的に接続する部分とをボンディングワ
イヤ（２４ａ）によって接続したものである。That is, the lead frame (10) shown in FIG.
In the reinforcing member (20), the parts (22) provided on the reinforcing member (20) and the electronic parts located at the inner ends of the inner leads (power terminal (lla) and ground terminal (llb)) are electrically connected. The portion to be connected to is connected by a bonding wire (24a).
また、必要に応じて実施例１と同様な電源端子（ｌｌａ
）及びグランド端子（ｌｌｂ）に対応する補強部材（２
０）の部分に二個の開口（２１）を形成し、これら二個
の開口（２１）間に位置する補強部材（２０）上に直接
部品（２２）を設け、この部品（２２）と、電源端子（
ｌｌａ）及びグランド端子（ｌｌｂ）とを、各開口（２
１）を通してボンディングワイヤ（２４ｂ）によって接
続する事も出来る。In addition, if necessary, a power supply terminal (lla
) and the reinforcing member (2) corresponding to the ground terminal (llb)
Two openings (21) are formed in the part 0), a part (22) is provided directly on the reinforcing member (20) located between these two openings (21), and this part (22) and Power terminal (
lla) and the ground terminal (llb) through each opening (2
1) can also be connected by a bonding wire (24b).
笈凰班１
第４図には、実施例２と同様に、補強部材（２０）上の
部品（２２）と、電源端子（ｌｌａ）及びグランド端子
（ｌｌｂ）とをボンディングワイヤ（２４ａ）および（
２４ｂ）によって接続するようにしたリードフレーム（
ｌＯ）が示しである。Lantern Group 1 In FIG. 4, similarly to Example 2, the component (22) on the reinforcing member (20), the power supply terminal (lla) and the ground terminal (llb) are connected using bonding wires (24a) and (
24b) to connect the lead frame (
lO) is shown.
このリードフレーム（１０）においては、実施例２の場
合と異なって、部品（２２）が補強部材（２０）上に形
成した導電性を有する一対の導電体層（２３）に電気的
に接続し、これらの導電体層（２３）とグランド端子（
ｌｌｂ）及び電源端子（ｌｌａ）とをボンディングワイ
ヤ（２４）によって接続しているものである。このよう
に導電体層（２３）を補強部材（２０）上に形成したの
は、グランド端子（ｌｌｂ）と電源端子（ｌｌａ）との
距離が大きく離れているため、これらと部品（２２）と
をボンディングワイヤ（２４ａ）および（２４ｂ）によ
って直接接続することが困難だからである。In this lead frame (10), unlike the case of Example 2, the component (22) is electrically connected to a pair of conductive layers (23) having conductivity formed on the reinforcing member (20). , these conductor layers (23) and the ground terminal (
llb) and the power supply terminal (lla) are connected by a bonding wire (24). The reason why the conductor layer (23) was formed on the reinforcing member (20) in this way is because the distance between the ground terminal (llb) and the power supply terminal (lla) is large. This is because it is difficult to directly connect them using bonding wires (24a) and (24b).
そのため、部品（２２）を補強部材（２０）上に形成し
た導電体層（２３）に−旦接続しておき、これらの導電
体層（２３）と電源端子（ｌｌａ）及びグランド端子（
ｌ ｌｂ）をボンディングワイヤ（２４）によって接続
するようにしたものなのである。Therefore, the component (22) is first connected to the conductive layer (23) formed on the reinforcing member (20), and these conductive layers (23) are connected to the power terminal (lla) and the ground terminal (
lb) are connected by bonding wires (24).
（発明の効果）
以上詳述した通り、本発明においては、上記実施例にて
例示した如く、
「インナーリード（’１１）とアウターリード（１２）
とを有して、電子部品を有した半導体装置を構成したと
き、インナーリード（１１）が電子部品と電気的に接続
されるとともに、このインナーリード（１１）に対応す
るアウターリード（１２）が当該半導体装置の外部接続
端子となるようにするリードフレーム（ｌＯ）を使用し
た半導体装置において、リードフレーム（ｌＯ）の各イ
ンナーリード（１１）の内端部上に絶縁性を有する補強
部材（２０）を一体化し、この補強部材（２０）上にコ
ンデンサ等の部品（２２）を形成して、この部品（２２
）とインナーリード（１１）の一部とを電気的に接続し
たこと」にその特徴があり、これにより、ファイン化さ
れたリードフレームであっても、そのインナーリードを
常に安定した状態にすることができるとともに、半導体
装置に必要な部品を半導体装置の再終形状を変える事無
く容易に組み込むことのできる半導体装置を簡単な構成
によって提供することができるのである。(Effects of the Invention) As detailed above, in the present invention, as exemplified in the above embodiment, "inner lead ('11) and outer lead (12)"
When a semiconductor device having an electronic component is configured, the inner lead (11) is electrically connected to the electronic component, and the outer lead (12) corresponding to the inner lead (11) is connected to the electronic component. In a semiconductor device using a lead frame (lO) that serves as an external connection terminal of the semiconductor device, an insulating reinforcing member (20) is provided on the inner end of each inner lead (11) of the lead frame (lO). ), and a part (22) such as a capacitor is formed on this reinforcing member (20), and this part (22
) and a part of the inner lead (11) are electrically connected.This makes it possible to keep the inner lead in a stable state at all times even with a finer lead frame. In addition, it is possible to provide a semiconductor device with a simple configuration in which necessary parts can be easily incorporated into the semiconductor device without changing the final shape of the semiconductor device.
第１図は本発明に係る半導体装置を構成するリードフレ
ームの拡大平面図、第２図は第１図のｎ−ｎ線部の部分
拡大平面図、第３図及び第４図のそれぞれは他の実施例
を示す部分拡大平面図である。
符号の説明
１０・・・リードフレーム、１１・・・インナーリード
、１１ａ・・・電源端子、１１ｂ・・・グランド端子、
１２・・・アウターリード、２０・・・補強部材、２１
・・・開口、２２・・・部品。
以上
Ｊｉ２図
第４ｒｇFIG. 1 is an enlarged plan view of a lead frame constituting a semiconductor device according to the present invention, FIG. 2 is a partial enlarged plan view of the nn line section in FIG. 1, and FIGS. It is a partially enlarged plan view showing an example. Explanation of symbols 10...Lead frame, 11...Inner lead, 11a...Power terminal, 11b...Ground terminal,
12... Outer lead, 20... Reinforcement member, 21
...Aperture, 22...Parts. Above Ji2 figure 4rd rg
Claims (1)
を有した半導体装置を構成したとき、前記インナーリー
ドが前記電子部品と電気的に接続されるとともに、この
インナーリードに対応する前記アウターリードが当該半
導体装置の外部接続端子となるようにするリードフレー
ムを使用した半導体装置において、 前記リードフレームの前記各インナーリードの内端部上
に絶縁性を有する補強部材を一体化し、この補強部材上
にコンデンサ等の部品を形成して、この部品と前記イン
ナーリードの一部とを電気的に接続したことを特徴とす
る半導体装置。[Claims] When a semiconductor device having an electronic component is configured by having an inner lead and an outer lead, the inner lead is electrically connected to the electronic component and corresponds to the inner lead. In a semiconductor device using a lead frame in which the outer leads serve as external connection terminals of the semiconductor device, an insulating reinforcing member is integrated on the inner end of each of the inner leads of the lead frame, A semiconductor device characterized in that a component such as a capacitor is formed on the reinforcing member, and the component and a portion of the inner lead are electrically connected.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3496690A JPH03238854A (en) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3496690A JPH03238854A (en) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03238854A true JPH03238854A (en) | 1991-10-24 |
Family
ID=12428889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3496690A Pending JPH03238854A (en) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03238854A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010114401A (en) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Powertech Technology Inc | Interconnect structure of leadframe, and interconnect method of leadframe |
-
1990
- 1990-02-15 JP JP3496690A patent/JPH03238854A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010114401A (en) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Powertech Technology Inc | Interconnect structure of leadframe, and interconnect method of leadframe |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5652461A (en) | Semiconductor device with a convex heat sink | |
| US5953589A (en) | Ball grid array semiconductor package with solder balls fused on printed circuit board and method for fabricating the same | |
| JP4091050B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JPH05129473A (en) | Resin-sealed surface-mounting semiconductor device | |
| US9013030B2 (en) | Leadframe, semiconductor package including a leadframe and method for producing a leadframe | |
| JP2005057067A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| KR100461718B1 (en) | Chip scale package and the method of fabricating the same | |
| WO2003030259A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the device | |
| JP3029736B2 (en) | Manufacturing method of hybrid integrated circuit device | |
| US6717822B1 (en) | Lead-frame method and circuit module assembly including edge stiffener | |
| JPH03238854A (en) | Semiconductor device | |
| US6051784A (en) | Semiconductor package | |
| JP3251688B2 (en) | Lead frame for mounting semiconductor elements | |
| EP0723293A1 (en) | Semiconductor device with a heat sink and method of producing the heat sink | |
| US6396132B1 (en) | Semiconductor device with improved interconnections between the chip and the terminals, and process for its manufacture | |
| JPH1197820A (en) | Circuit board formed with electromagnetic-shielding conductor pattern | |
| JP2702455B2 (en) | Pin grid array type semiconductor device | |
| JPH05326814A (en) | Lead frame for mounting electronic circuit device | |
| JP2600898B2 (en) | Thin package device | |
| KR100873039B1 (en) | Stacking type semiconductor connector, semiconductor package therewith and manufacturing method thereof | |
| KR100253298B1 (en) | A semiconductor package with improved solder joint reliability and a device using the same | |
| KR100335759B1 (en) | BGA package and manufacturing method thereof | |
| JPH05291457A (en) | Lead frame for placing electronic circuit element | |
| JPH03142862A (en) | Lead frame | |
| JP3060157B2 (en) | Semiconductor device |