JPH03237813A - Pulse generating circuit - Google Patents
Pulse generating circuitInfo
- Publication number
- JPH03237813A JPH03237813A JP2034254A JP3425490A JPH03237813A JP H03237813 A JPH03237813 A JP H03237813A JP 2034254 A JP2034254 A JP 2034254A JP 3425490 A JP3425490 A JP 3425490A JP H03237813 A JPH03237813 A JP H03237813A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- gate
- voltage
- circuit
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 241000270281 Coluber constrictor Species 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- OQZCSNDVOWYALR-UHFFFAOYSA-N flurochloridone Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(N2C(C(Cl)C(CCl)C2)=O)=C1 OQZCSNDVOWYALR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
- H03K17/102—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
- H03K2217/0081—Power supply means, e.g. to the switch driver
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
Abstract
Description
この発明は、例えばパルスレーザ等に使用されるパルス
発生回路に関するものである。The present invention relates to a pulse generation circuit used, for example, in a pulsed laser.
第５図は例えばコツパー ベーパ レーサスカムオフ
エージ（ＣＯＰＰＥＲＶＡＰＯＲＬＡＳＥＲＳ ＣＯＭ
ＥＯＦ ＡＧｆｉ）レーザ フォーカス ７月１９８２
（ＬＡＳＥＲＦＯＣＵＳ、ＪＵＬＹ、１９８２ ）
ニ記載された従来の銅蒸気レーザ用のパネル発生回路を
示す図であり、図において、１は高圧電源、２は充電用
リアクトル、３は充電用ダイオード、４は充放電を行う
主コンデンサ、５は充電用抵抗、６はサイラトロンスイ
ッチ、７はガス放電によって内部に収容した金属（例え
ば銅）を加熱、気化させてレーザ出力を得る放電管（レ
ーザチューブ）である。
次に動作について説明する。高圧電源１から発生される
高圧電圧（数ＫＶ〜数十ＫＶ）は、リアクトル２、ダイ
オード３、充電用抵抗５を介して主コンデンサ４に充電
される。
この充電状態において、サイラトロンスイッチ６が導通
すると、主コンデンサ４に蓄えられていた電荷は、サイ
ラトロンスイッチ６を通り放電管７に印加され、放電管
７の中にガス放電を形威する。その際、放電管７のイン
ピーダンスは充電用抵抗５の抵抗値より大幅に小さくな
るため、サイラトロンスイッチ６に流れる電流は主とし
て放電管７に流れることで、放電管７は励起されてレー
ザ発振を生ずる。しかしながら、このようなパルス発生
回路は以上のように、より急峻なパルス電圧を放電管７
に印加して、より高いレーザ出力を得るために、大電力
用で数１０ｎｓｅｃでスイッチングオンが可能なサイラ
トロンスイッチ６が必要でり、一方、このようなサイラ
トロンスイッチ６は真空管であるため寿命が短く、頻繁
に交換する必要があった。また、サイラトロンスイッチ
６はレーザ効率に影響する電流の立ち上がりやスイッチ
ング時間にバラツキがある等、品質の安定性に問題があ
った。
一方、このようなサイラトロンスイッチの問題に対処す
るため、固体スイッチ素子を使った第６図に示すような
パルス発生回路を、本出願人は提案している。これにつ
いて説明すると、８はパルス発生用スイッチで、固体ス
イッチ素子としての複数個の電界効果トランジスタ（以
下、ＦＥＴという）９を並列接続したものを、さらに多
段にわたって直列接続したものからなる。そして、これ
によればトランス回路をゲート電源１０とするゲート回
路１１が出力するゲート信号を入力として、全体として
数ＫＶ〜数１０ＫＶおよび数１００Ａ〜数ＫＡの電圧、
を流のスイッチングが可能になり、レーザチューブであ
る放電管７を励起するに充分なパルスエネルギを発生す
ることができる。Figure 5 shows, for example, Koppa, Vapor, Racer Camoff.
Age (COPERVAPORLASERS COM
EOF AGfi) Laser Focus July 1982
(LASERFOCUS, JULY, 1982)
2 is a diagram showing a conventional panel generation circuit for a copper vapor laser described in D. In the diagram, 1 is a high-voltage power supply, 2 is a charging reactor, 3 is a charging diode, 4 is a main capacitor for charging and discharging, and 5 6 is a charging resistor, 6 is a thyratron switch, and 7 is a discharge tube (laser tube) that heats and vaporizes metal (for example, copper) housed inside by gas discharge to obtain a laser output. Next, the operation will be explained. A high voltage (several KV to several tens of KV) generated from a high voltage power supply 1 is charged to a main capacitor 4 via a reactor 2, a diode 3, and a charging resistor 5. In this charged state, when the thyratron switch 6 is turned on, the electric charge stored in the main capacitor 4 is applied to the discharge tube 7 through the thyratron switch 6, causing a gas discharge in the discharge tube 7. At this time, since the impedance of the discharge tube 7 becomes significantly smaller than the resistance value of the charging resistor 5, the current flowing to the thyratron switch 6 mainly flows to the discharge tube 7, and the discharge tube 7 is excited to generate laser oscillation. . However, as described above, such a pulse generation circuit generates a steeper pulse voltage at the discharge tube 7.
In order to obtain a higher laser output by applying a voltage to , had to be replaced frequently. Furthermore, the thyratron switch 6 has problems with quality stability, such as variations in current rise and switching time, which affect laser efficiency. On the other hand, in order to deal with such problems with the thyratron switch, the applicant has proposed a pulse generating circuit as shown in FIG. 6, which uses solid state switching elements. To explain this, reference numeral 8 denotes a pulse generation switch, which is made up of a plurality of field effect transistors (hereinafter referred to as FETs) 9 connected in parallel as solid state switching elements, which are further connected in series in multiple stages. According to this, when the gate signal output from the gate circuit 11 using the transformer circuit as the gate power supply 10 is input, the voltage as a whole is several KV to several tens of KV and several hundred A to several KA.
This makes it possible to switch the current and generate enough pulse energy to excite the discharge tube 7, which is a laser tube.
従来のパルス発生回路は以上のように槽底されているの
で、ゲート電源１０がトランスの使用によって大形化し
、しかも配線が混雑化するので、回路全体が大形化して
高価になるほか、組立てや保守２点検が面倒になり、ま
た、耐アース容量の増大を招くことによって、各ＦＥＴ
のスイッチタイミングのずれや直列分担電圧の不平衡が
生じるなどの課題があった。
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
ものであり、ゲート電源としてバッテリなどの直流電源
を用いることにより、簡単な槽底で耐アース容量の増大
を回避できるパルス発生回路を得ることを目的とする。Since the conventional pulse generating circuit is bottom-bottomed as described above, the gate power supply 10 becomes large due to the use of a transformer, and the wiring becomes congested, making the entire circuit large and expensive, and it is difficult to assemble. This makes maintenance and inspection troublesome, and increases the earth resistance capacity of each FET.
There were issues such as shifts in switch timing and unbalanced series voltage distribution. This invention was made to solve the above-mentioned problems, and by using a DC power source such as a battery as a gate power source, it is possible to obtain a pulse generation circuit that can avoid an increase in earth resistance capacity with a simple tank bottom. The purpose is to
この発明に係るパルス発生回路は、各ゲート回路に電源
電圧を供給するゲート電源を、直流電源と、この直流電
源の電圧をダイオードを介して人力してこれを保持する
コンデンサとから槽底したものである。In the pulse generation circuit according to the present invention, the gate power supply that supplies the power supply voltage to each gate circuit is constructed from a DC power supply and a capacitor that manually maintains the voltage of the DC power supply via a diode. It is.
この発明におけるゲート電源は、バッテリなどの直流電
源をコンデンサとともに用いるので、耐アース容量の増
大や不平衡を招来するトランスの使用を回避できるため
、槽底の簡素化とローコスト化を図ることができるとと
もに、各ゲート回路に対する電源電圧の分圧値を容易に
最適値に設定できるようにする。Since the gate power supply in this invention uses a DC power supply such as a battery together with a capacitor, it is possible to avoid an increase in earth resistance capacity and the use of a transformer that causes unbalance, thereby simplifying the bottom of the tank and reducing costs. At the same time, the divided voltage value of the power supply voltage for each gate circuit can be easily set to an optimum value.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、９Ｉ〜９．は直列接続されたｎ個のＦＥＴ
で、第６図に示したスイッチ手段８の１組の直列段のみ
を拡大して示しである。
１１＋〜１１．は各Ｆ Ｅ Ｔ ９ Ｉ〜９１１のゲー
ト入力端子に接続されたゲート回路、１２ばバッテリな
どの直流電源、１３１〜１３．はコンデンサ１４＋〜１
４．に直流電圧を供給するダイオードで、直流電源１２
と各ゲート回路１１．−１１゜の電源入力端子に接続さ
れている。また、コンデンサ１４．〜１４，１はＦ Ｅ
Ｔ ９ ＋〜９，１の各ゲート入力端子とソース端子
との間に接続されている。
なお、直流電源１２、ダイオード１３Ｉ〜１３１および
コンデンサ１４＋〜１４．はゲート電源１５を槽底して
いる。
次に動作について説明する。直流電源１２は直流の例え
ば１５Ｖの電圧を出力するものである。
各ＦＥＴ９．〜９ｆｉがオン状態にあると、直流電源１
２からアース電位に至る閉路が形成されるので、この電
源電圧によって、ダイオード１３１〜１３、を介してコ
ンデンサ１４＋〜１４１は１５Ｖに充電される。従って
、各ゲート回路１１＋〜１１７には、１５Ｖの電源電圧
が供給される。従って、ゲート回路１１１〜１１７は作
動力が可能な状態となっている。そして、いま外部の図
示しない発振回路から各ゲート回路１１、〜１１７に設
定タイミングのクロックを入力すると、このクロックタ
イ旦ングにてゲート回路１１．〜１１ｎが各ＦＥＴ９１
〜９，１にゲート信号を人力する。
このため、各Ｆ Ｅ Ｔ ９ Ｉ〜９．、は同時にオン
となり、前述のように主コンデンサ４の充電電圧を負荷
たる放電管７に一時に供給し、レーザ発振などを起させ
る。発振回路は速い周期で連続的にパルスを出力するの
で、充放電による変動はあるが各コンデンサ１４．〜１
４ｎの電圧値はほぼ安定している。そして、このような
直流電源をゲート電源として持つことにより、構成の小
形化、単純化および口・−コスト化を図ることができ、
しかもダイオードによる直流分圧によって分圧レベルの
設定が容易化、迅速化でき、しかも耐アース容量をトラ
ンスを用いた場合よりも顕著に低減できる。
第２図はこの発明の他に実施例を示す。これは各ダイオ
ード１３．〜１３．と各回路１１．〜１１７との間にＤ
Ｃ−ＤＣコンバータ１６１〜１６、を接続し、これらの
各ＤＣ−ＤＣコンバータ１６１〜１６ｎの出力側と各Ｆ
ＥＴ９１〜９゜のソース端子との間に平滑コンデンサ１
７．〜１７ゎを接続したものである。この実施例によれ
ば、各ダイオード１３．−１３．の順方向電圧降下のば
らつきを、ＤＣ−ＤＣコンバータ１６．〜１６７で調整
し、各コンデンサ１７Ｉ〜１７．で平滑した後、各ＦＥ
Ｔ９．〜９Ｒのゲートに人力するようにしたものである
。従って、各ゲート回路１１．−１１．に供給される電
源としての電圧をより高精度かつ任意に均等化すること
ができる。
第３図はこの発明のさらに他の実施例を示す。
これは各ダイオード１３．〜１３．の順方向電圧降下の
ばらつきを補償するために、さらに調整用ダイオード１
８を１つまたは複数つぎ足してカスケード接続したもの
であり、これにより、ゲート回路１１、〜１１．の電源
電圧レベルを設定値に均一化できる。
第４図はこの発明のまた他の実施例を示す。これは各ダ
イオード１３＋〜１３．ｌと各ゲート回路１１、〜１１
１１との間に抵抗１９＋〜１９．を接続し、これらの各
抵抗１９１−１９．の出力側と各Ｆ Ｅ Ｔ ９ Ｉ〜
９ｎのソース端子との間に平滑コンデンサ１７．〜１７
１１を接続したものである。
この実施例によれば、各ダイオード１３．〜１３７の順
方向電圧降下のばらつきを各抵抗１９Ｉ〜１９、により
調整して、規定電圧をゲート回路１１、〜１１．ｌに人
力することができるものである。そして、これらはいず
れも、トランスを用いないので、耐アース容量の低減に
寄与するものとなる。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1st
In the figure, 9I to 9. is n FETs connected in series
This is an enlarged view of only one set of series stages of the switch means 8 shown in FIG. 11+~11. 12, a DC power source such as a battery, 131-13. is capacitor 14+~1
4. A diode that supplies DC voltage to the DC power source 12.
and each gate circuit 11. -11° power input terminal. Also, capacitor 14. ~14,1 is F E
It is connected between each gate input terminal of T 9 + to 9,1 and the source terminal. Note that the DC power supply 12, the diodes 13I to 131, and the capacitors 14+ to 14. The gate power supply 15 is located at the bottom of the tank. Next, the operation will be explained. The DC power supply 12 outputs a DC voltage of, for example, 15V. Each FET9. ~ When 9fi is on, DC power supply 1
Since a closed circuit is formed from 2 to the ground potential, capacitors 14+ to 141 are charged to 15V via diodes 131 to 13 by this power supply voltage. Therefore, each gate circuit 11+ to 117 is supplied with a power supply voltage of 15V. Therefore, the gate circuits 111 to 117 are in a state where actuation force is possible. Now, when a clock with a set timing is inputted to each gate circuit 11, to 117 from an external oscillation circuit (not shown), the gate circuit 11. ~11n is each FET91
The gate signal will be manually input from ~9.1. For this reason, each FET 9 I~9. , are turned on at the same time, and as described above, the charging voltage of the main capacitor 4 is simultaneously supplied to the discharge tube 7 serving as the load, causing laser oscillation or the like. Since the oscillation circuit continuously outputs pulses at a fast cycle, each capacitor 14. ~1
The voltage value of 4n is almost stable. By having such a DC power source as a gate power source, it is possible to downsize and simplify the configuration and reduce costs.
Furthermore, the DC voltage division using diodes makes it easier and faster to set the voltage division level, and the earth resistance capacity can be significantly reduced compared to when a transformer is used. FIG. 2 shows an embodiment other than this invention. This is for each diode 13. ~13. and each circuit 11. D between ~117
C-DC converters 161 to 16 are connected, and the output side of each of these DC-DC converters 161 to 16n and each F
Connect a smoothing capacitor 1 between the source terminal of ET91~9°
7. ~17ゎ are connected. According to this embodiment, each diode 13. -13. The variation in the forward voltage drop of the DC-DC converter 16. ~167, each capacitor 17I~17. After smoothing with
T9. ~9R gate was manually operated. Therefore, each gate circuit 11. -11. It is possible to arbitrarily equalize the voltage supplied to the power supply with higher precision. FIG. 3 shows yet another embodiment of the invention. This is for each diode 13. ~13. In order to compensate for variations in the forward voltage drop of
8 are added and connected in cascade, whereby gate circuits 11, to 11.8 are added and connected in cascade. It is possible to equalize the power supply voltage level to the set value. FIG. 4 shows yet another embodiment of the invention. This corresponds to each diode 13+ to 13. l and each gate circuit 11, ~11
11 and resistors 19+ to 19. and connect each of these resistors 191-19. output side and each FET9I~
A smoothing capacitor 17.9n is connected between the source terminal of 17. ~17
11 are connected. According to this embodiment, each diode 13. The variation in the forward voltage drop of gate circuits 11, -137 is adjusted by each resistor 19I-19, and the specified voltage is adjusted to the gate circuit 11, -11. It is something that can be done manually. Since none of these uses a transformer, they contribute to reducing the earth-proof capacity.
以上のように、この発明によればゲート回路に電源電圧
を供給するゲート電源を、直流電源とこの直流電源の電
圧をダイオードを介して保持するコンデンサを用いて構
成したので、ゲート回路に対する電源電圧の値を容易か
つ最適値に設定できるとともに、従来のトランス使用に
伴う耐アース容量の増大を回避でき、槽底の小形、軽量
化およびローコスト化を図れるものが得られる効果があ
る。As described above, according to the present invention, the gate power supply that supplies the power supply voltage to the gate circuit is configured using a DC power supply and a capacitor that holds the voltage of the DC power supply via a diode, so that the power supply voltage for the gate circuit is The value of can be easily set to an optimum value, and the increase in earth resistance capacity associated with the use of a conventional transformer can be avoided, and the bottom of the tank can be made smaller, lighter, and lower in cost.
第１図はこの発明の一実施例によるパルス発生回路のゲ
ート回路に対する電源供給部分を示す回路図、第２図、
第３図および第４図はそれぞれ他の実施例によるパルス
発生回路のゲート回路に対する電源供給部分を示す回路
図、第５図は従来のパルス発生回路を示す回路図、第６
図は従来の固体スイッチ素子を持ったパルス発生回路を
示す回路図である。
１は高圧電源、４は主コンデンサ、７は負荷（放電管）
、９．〜９ｎは電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、１１
＋〜１１３はゲート回路、１２は直流電源、１３．〜１
３，１はダイオード、１４１〜１４．はコンデンサ、１
５はゲート電源。
なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
第
２
図FIG. 1 is a circuit diagram showing a power supply portion for a gate circuit of a pulse generating circuit according to an embodiment of the present invention; FIG.
3 and 4 are circuit diagrams showing a power supply portion for the gate circuit of a pulse generation circuit according to other embodiments, FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional pulse generation circuit, and FIG.
The figure is a circuit diagram showing a pulse generation circuit having a conventional solid-state switch element. 1 is the high voltage power supply, 4 is the main capacitor, 7 is the load (discharge tube)
,9. ~9n is a field effect transistor (FET), 11
+ to 113 are gate circuits, 12 is a DC power supply, 13. ~1
3,1 is a diode, 141-14. is a capacitor, 1
5 is the gate power supply. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts. Figure 2
Claims (1)
の主コンデンサの電圧を所定のタイミングで負荷に供給
する、直並列接続された複数の電界効果トランジスタか
らなるスイッチ手段と、このスイッチ手段における直列
段の各電界効果トランジスタにゲート信号を供給する各
一のゲート回路と、これらのゲート回路に電源電圧を供
給するゲート電源とを備えたパルス発生回路において、
上記ゲート電源を、直流電源と、この直流電源の電圧を
ダイオードを介して入力して保持するコンデンサとから
構成したことを特徴とするパルス発生回路A main capacitor that charges high-voltage voltage from a high-voltage power supply, a switch means consisting of a plurality of field effect transistors connected in series and parallel and that supplies the voltage of this main capacitor to a load at a predetermined timing, and a series stage in this switch means. In a pulse generation circuit comprising one gate circuit for supplying a gate signal to each field effect transistor, and a gate power supply for supplying a power supply voltage to these gate circuits,
A pulse generation circuit characterized in that the gate power supply is composed of a DC power supply and a capacitor that inputs and holds the voltage of the DC power supply via a diode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2034254A JPH03237813A (en) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | Pulse generating circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2034254A JPH03237813A (en) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | Pulse generating circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03237813A true JPH03237813A (en) | 1991-10-23 |
Family
ID=12409039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2034254A Pending JPH03237813A (en) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | Pulse generating circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03237813A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0716507A1 (en) * | 1994-12-07 | 1996-06-12 | Commissariat A L'energie Atomique | Control circuit for a high current switch having an isolated gate and impulse switch using such a circuit |
| JP2003009547A (en) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Nichicon Corp | Pulse power supply |
| JP2008301088A (en) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | Semiconductor switching device |
| WO2015011949A1 (en) | 2013-07-24 | 2015-01-29 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor switch circuit |
| EP3029820A1 (en) * | 2013-08-01 | 2016-06-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Gate-power-supply device and semiconductor circuit breaker using same |
| WO2020179004A1 (en) * | 2019-03-06 | 2020-09-10 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | Control device |
-
1990
- 1990-02-15 JP JP2034254A patent/JPH03237813A/en active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0716507A1 (en) * | 1994-12-07 | 1996-06-12 | Commissariat A L'energie Atomique | Control circuit for a high current switch having an isolated gate and impulse switch using such a circuit |
| FR2728121A1 (en) * | 1994-12-07 | 1996-06-14 | Commissariat Energie Atomique | CONTROL DEVICE FOR A HIGH-CURRENT INSULATED GRID SWITCH, AND PULSE SWITCH COMPRISING SUCH A DEVICE |
| JP2003009547A (en) * | 2001-06-26 | 2003-01-10 | Nichicon Corp | Pulse power supply |
| JP2008301088A (en) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | Semiconductor switching device |
| WO2015011949A1 (en) | 2013-07-24 | 2015-01-29 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor switch circuit |
| EP3026688A4 (en) * | 2013-07-24 | 2017-03-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor switch circuit |
| US9680464B2 (en) | 2013-07-24 | 2017-06-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor switch circuit |
| EP3029820A1 (en) * | 2013-08-01 | 2016-06-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Gate-power-supply device and semiconductor circuit breaker using same |
| EP3029820A4 (en) * | 2013-08-01 | 2017-04-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Gate-power-supply device and semiconductor circuit breaker using same |
| EP3484032A1 (en) * | 2013-08-01 | 2019-05-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Gate-power-supply device and semiconductor circuit breaker using same |
| WO2020179004A1 (en) * | 2019-03-06 | 2020-09-10 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | Control device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5036229A (en) | Low ripple bias voltage generator | |
| JPH10323057A (en) | Method and apparatus for removing reflection energy by stage mismatching in nonlinear magnetic compressing module | |
| JP2001268893A5 (en) | ||
| JPH0833323A (en) | Dc -dc boost converter for capacitive load driving | |
| JP3509953B2 (en) | Voltage multiplier | |
| JPH03237813A (en) | Pulse generating circuit | |
| JP6652906B2 (en) | Pulse power supply device and pulse generation method | |
| JP6853332B2 (en) | DC-DC converter for low voltage power supply | |
| JP5777950B2 (en) | Driving amplifier and information equipment | |
| EP2082474A1 (en) | Microwave transmission line dc/dc converter | |
| EP1258976B1 (en) | Switching- type, inductive DC-DC converter with improved efficiency | |
| JPH0316414A (en) | Pulse generating circuit | |
| CN218006119U (en) | Voltage conversion circuit | |
| JP2011135444A (en) | Driving driver, driving amplifier, and information apparatus | |
| JPH11205098A (en) | Pulse generator | |
| JP6709144B2 (en) | Pulse power supply | |
| JPS5812204Y2 (en) | Plasma display board drive circuit | |
| JPH0846495A (en) | Chopper comparator | |
| JPH10136638A (en) | Gate drive circuit | |
| JPH03226113A (en) | Pulse generating circuit | |
| SU771865A1 (en) | Pulse modulator | |
| JPH0746824A (en) | Suppression circuit for input distortion | |
| JPH08186769A (en) | Driving voltage pulse generation device for solid state image pickup device | |
| JPH0316417A (en) | Pulse generator | |
| SU658719A1 (en) | Square-wave voltage pulse generator |