JPH03237527A - Data storage device - Google Patents

Data storage device

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JPH03237527A
JPH03237527A JP3412590A JP3412590A JPH03237527A JP H03237527 A JPH03237527 A JP H03237527A JP 3412590 A JP3412590 A JP 3412590A JP 3412590 A JP3412590 A JP 3412590A JP H03237527 A JPH03237527 A JP H03237527A
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JP
Japan
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memory
control
signal
control circuit
circuit
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Application number
JP3412590A
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Japanese (ja)
Inventor
Koichi Ishihara
浩一 石原
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPH03237527A publication Critical patent/JPH03237527A/en
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Abstract

PURPOSE:To facilitate the control according to new control information by holding a function by which the contents of a preservation memory, which is not used at the time of executing the control operation, can be written and read by a host controller. CONSTITUTION:At the time of normal operation, a power control circuit 4 receives the application instruction from a host controller and the power source of the controller is turn on, then a power on completion signal 21 is made to 'H'. A memory control circuit 3 confirms the 'high' of the signal 21 to write all of contents of an electrically programmable non-volatile memory circuit 1 in a memory circuit 2 and sets a control start signal 29 to 'H'. A sequence control circuit 5 performs the control based on contents of the memory circuit 2. When new control information is sent from a host device to the power control circuit 4, the memory control circuit 3 writes it in the memory 1. When a control information read instruction is sent from the host device to the power control circuit 4, the memory control circuit 3 reads out control information from the memory circuit 1 and sends it to the host device through the power control circuit 4.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はデータ記憶装置に関し、特にメモリ回路に格納
しているシーケンス制御情報に従って各種のシーケンス
動作の制御を行うシーケンス制御回路部を有するデータ
記憶装置に関する。
Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to a data storage device, and more particularly to a data storage device having a sequence control circuit unit that controls various sequence operations according to sequence control information stored in a memory circuit. Regarding equipment.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のデータ記憶装置は、各種の複雑なシーケンス動作
の制御を行うために、ロジック回路素子を多数使用した
非常に複雑なハードウェ回路で構成されているが、近年
、制御情報をメモリ回路に格納しておき、その制御情報
によって各種の制御を行うようにしたマイクロプログラ
ム方式のシーケンス制御回路が使用されるようになって
きている。このようなマイクロプログラム方式のシーケ
ンス制御回路を採用しているデータ記憶装置では、制御
方法に変更が生じた場合、ハードウェア方式のシーケン
ス制御回路の場合のように、制御回路そのものの変更を
行う必要はないが、メモリ回路の内容を変更するため、
メモリ回路を交換する必要がある。しかし、近年におけ
るコンピュータシステムでの処理や記憶しているデータ
の量は膨大なものであり、1台の中央処理装置に接続さ
れるデータ記憶装置の数も相当な数に達する場合がある
。このような場合に、すべてのブタ記憶装置のシーケン
ス制御用のメモリ回路を交換することは非常に困難であ
り、また多額の費用を必要とするという欠点がある。
Conventional data storage devices are composed of extremely complex hardware circuits that use a large number of logic circuit elements to control various complex sequential operations, but in recent years, control information has been stored in memory circuits. Microprogram type sequence control circuits that perform various controls based on the control information have come to be used. In data storage devices that employ such microprogram-based sequence control circuits, if the control method changes, it is necessary to change the control circuit itself, as in the case of hardware-based sequence control circuits. Not, but because it changes the contents of the memory circuit,
Memory circuit needs to be replaced. However, in recent years, the amount of data processed and stored in computer systems is enormous, and the number of data storage devices connected to one central processing unit may reach a considerable number. In such a case, it is very difficult to replace the memory circuit for sequence control of all the pig storage devices, and there is a drawback that it requires a large amount of cost.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

本発明が解決しようとする課題、換言すれば本発明の目
的は、前述のような従来のデータ記憶装置の欠点を解消
して、メモリ回路を取外さずに、使用先において装置が
稼働中に容易に電気的書換可能形不揮発性メモリ回路の
内容を書換えることができるようにすることにより、迅
速にメモリ回路の内容の書換えを行うことができるデー
タ記憶装置を提供することにある。
The problem to be solved by the present invention, in other words, the object of the present invention is to overcome the drawbacks of the conventional data storage device as described above, and to enable the data storage device to be stored while the device is in operation at the site of use without removing the memory circuit. An object of the present invention is to provide a data storage device that can quickly rewrite the contents of a memory circuit by easily rewriting the contents of an electrically rewritable nonvolatile memory circuit.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明のデータ記憶装置は、各種のシーケンス動作の制
御を行うシーケンス制御回路部と、電源の切断時に前記
シーケンス制御回路部の制御情報を保持する電気的書換
可能形不揮発性メモリ回路と、前記シーケンス制御回路
部が各種の制御動作を実行するときに制御情報を読出す
メモリ回路と、電源制御回路部から送出される電源投入
完了信号によってあらかじめ前記電気的書換可能形不揮
発性メモリ回路に格納している制御情報を前記メモリ回
路に転送し、転送終了後に前記メモリ回路のアドレス信
号およびデータ信号および読出制御信号をそれぞれ前記
シーケンス制御回路部のメモリアドレス信号およびメモ
リデータ信号およびメモリ読出制御信号に接続し、前記
シーケンス制御回路部へ制御開始を指示し、かつ前記シ
ーケンス制御回路部との間に直列データによって各種の
命令およびデータの授受を行うためのインタフェース信
号を有し、前記インターフェース信号によって前記電気
的書換可能形不揮発性メモリ回路の任意のアドレスの内
容の書換えおよび読出しを行うメモリ制御回路部と、上
位制御装置との間に直列データによって各種の命令およ
びデータの授受を行うためのインターフェース信号を有
し、前記インターフェース信号を介して前記上位制御装
置から送出される電源投入命令によって電源の投入を行
い、電源投入完了時に前記メモリ制御回踏部に電源投入
完了信号を送出し、電源切断命令によって電源の切断を
行い、状態読出命令によって電源投入状態および電源の
異常および冷却用ファンの状態の送出を行い、前記電源
の異常および冷却用ファンの異常を検出したとき前記上
位制御装置にその異常を報告し、前記上位制御装置から
シーケンス制御情報書換命令およびその命令に続いて送
出されるメモリアドレスおよび新しいシーケンス制御情
報によって前記メモリ制御回路部に対して前記電気的書
換可能形不揮発性メモリ回路の前記メモリアドレスのシ
ーケンス制御情報書換命令および新しい前記シーケンス
制御情報の送出を行い、前記上位制御装置からシーケン
ス制御情報読出し命令およびその命令に続いて送出され
るメモリアドレスによって前記メモリ制御回路部に対し
て前記電気的書換可能形不揮発性メモリ回路の前記メモ
リアドレスのシーケンス制御情報読出し命令を送出し、
前記メモリ制御回路部がら送出される前記メモリアドレ
スに格納されているシーケンス制御情報を前記上位制御
装置に送出する電源制御回路部とを備えている。
The data storage device of the present invention includes a sequence control circuit unit that controls various sequence operations, an electrically rewritable nonvolatile memory circuit that retains control information of the sequence control circuit unit when power is turned off, and a sequence control circuit unit that controls various sequence operations. A memory circuit for reading out control information when the control circuit unit executes various control operations, and a memory circuit for storing control information in advance in the electrically rewritable nonvolatile memory circuit according to a power-on completion signal sent from the power supply control circuit unit. transfer control information to the memory circuit, and after the transfer is completed, connect the address signal, data signal, and read control signal of the memory circuit to the memory address signal, memory data signal, and memory read control signal of the sequence control circuit section, respectively. , has an interface signal for instructing the sequence control circuit unit to start control, and for exchanging various commands and data with the sequence control circuit unit using serial data; It has interface signals for exchanging various commands and data using serial data between the memory control circuit unit that rewrites and reads the contents of arbitrary addresses in the rewritable nonvolatile memory circuit and the host control device. The power is turned on in response to a power-on command sent from the host controller via the interface signal, and upon completion of power-on, a power-on completion signal is sent to the memory control circuit, and the power is turned off in response to a power-off command. and transmits the power-on status, abnormality in the power supply, and status of the cooling fan in response to a status read command, and when an abnormality in the power supply and abnormality in the cooling fan is detected, reports the abnormality to the higher-level control device. The memory of the electrically rewritable non-volatile memory circuit is sent to the memory control circuit section by a sequence control information rewrite command from the higher-level control device and a memory address and new sequence control information sent following the command. An address sequence control information rewrite command and new sequence control information are sent, and the sequence control information read command from the upper control device and a memory address sent following that command are used to send the memory control circuit unit to the memory control circuit section. sending a sequence control information read command for the memory address of the rewritable nonvolatile memory circuit;
and a power supply control circuit unit that sends sequence control information stored in the memory address sent from the memory control circuit unit to the upper control device.

〔実施例〕〔Example〕

次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention.

第1図において、電気的書換可能形不揮発性メモリ回路
(保存用メモリ)■は、保存用メモリアドレス信号11
および保存用メモリデータ信号12および保存用メモリ
制御信号13を介してメモリ制御回路3に接続され、一
方、メモリ回路(実行用メモリ)2は、実行用メモリア
ドレス信号14および実行用メモリデータ信号15およ
び実行用メモリ制御信号16を介してメモリ制御回路3
に接続されている。
In FIG. 1, the electrically rewritable nonvolatile memory circuit (storage memory) ■ represents the storage memory address signal 11.
The memory circuit (execution memory) 2 is connected to the memory control circuit 3 via the storage memory data signal 12 and the storage memory control signal 13, while the memory circuit (execution memory) 2 is connected to the execution memory address signal 14 and the execution memory data signal 15. and the memory control circuit 3 via the execution memory control signal 16.
It is connected to the.

電源制御回路4は、直列データ入力信号17および直列
データ入力制御信号18および直列ブタ出力信号19お
よび直列データ出力制御信号20を介して上位制御装置
(図示省略〉に接続され、電源投入完了信号21および
制御データ入力信号22および制御データ入力制御信号
23および制御データ出力信号24および制御データ出
力制御信号25によってメモリ制御回路3に接続されて
いる。
The power supply control circuit 4 is connected to a host control device (not shown) via a serial data input signal 17, a serial data input control signal 18, a serial pig output signal 19, and a serial data output control signal 20, and receives a power-on completion signal 21. and is connected to the memory control circuit 3 by a control data input signal 22, a control data input control signal 23, a control data output signal 24, and a control data output control signal 25.

シーケンス制御回路部5は、制御指示信号30および制
御状態信号31によって下位被制御部(図示省略〉に接
続され、メモリアドレス信号26およびメモリデータ信
号27およびメモリ制御信号28および制御開始指示信
号29を介してメモリ制御回路3に接続されている。
The sequence control circuit unit 5 is connected to a lower-order controlled unit (not shown) by a control instruction signal 30 and a control state signal 31, and receives a memory address signal 26, a memory data signal 27, a memory control signal 28, and a control start instruction signal 29. It is connected to the memory control circuit 3 via the memory control circuit 3.

第2図は第1図の実施例のメモリ制御回路の詳細を示す
ブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing details of the memory control circuit of the embodiment of FIG. 1.

第2図において、制御データ入出力制御回路301は、
制御データ入出力信号22および制御データ入力制御信
号23および制御データ出力信号24および制御データ
出力制御信号25を介して電源制御回路4に接続されて
いる。また制御信号310を介して命令判断実行制御回
路302に接続されている。
In FIG. 2, the control data input/output control circuit 301 is
It is connected to the power supply control circuit 4 via a control data input/output signal 22 , a control data input control signal 23 , a control data output signal 24 , and a control data output control signal 25 . It is also connected to the command judgment execution control circuit 302 via a control signal 310.

命令判断実行制御回路302は、電源投入完了信号21
によって電源制御回路4と、また制御開始指示信号29
によってシーケンス制御回路部5と、また保存用メモリ
アドレス信号11および保存用メモリデータ信号12お
よび保存用メモリ制御信号13によって保存用メモリ1
と接続されている。また、保存用メモリアドレス信号1
1および保存用メモリデータ信号12および実行用メモ
リ制御信号311によってそれぞれメモリアドレス信号
切換回路303およびメモリデータ信号切換回路304
およびメモリ制御信号切換回路305と接続されており
、信号切換信号312によってメモリアドレス信号切換
回路303およびメモリデータ信号切換回路304およ
びメモリ制御信号切換回路305に接続されている。
The command judgment execution control circuit 302 receives the power-on completion signal 21
The power supply control circuit 4 and the control start instruction signal 29
The sequence control circuit section 5 is connected to the storage memory 1 by the storage memory address signal 11, the storage memory data signal 12, and the storage memory control signal 13.
is connected to. In addition, storage memory address signal 1
1, storage memory data signal 12, and execution memory control signal 311, memory address signal switching circuit 303 and memory data signal switching circuit 304, respectively.
and a memory control signal switching circuit 305, and are connected to a memory address signal switching circuit 303, a memory data signal switching circuit 304, and a memory control signal switching circuit 305 by a signal switching signal 312.

メモリアドレス信号切換回路303は実行用メモリアド
レス信号14により、またメモリデータ信号切換回路3
04は実行用メモリデータ信号15により、またメモリ
制御信号切換回路305は実行用メモリ制御信号16に
よってそれぞれ実行用メモリ2と接続されており、メモ
リアドレス信号26およびメモリデータ信号27および
メモリ制御信号28によってシーケンス制御回路部5と
接続されている。
The memory address signal switching circuit 303 uses the execution memory address signal 14 and the memory data signal switching circuit 3
04 is connected to the execution memory 2 by the execution memory data signal 15, and the memory control signal switching circuit 305 is connected to the execution memory 2 by the execution memory control signal 16. It is connected to the sequence control circuit section 5 by.

次に、第1図および第2図を参照して本実施例の動作に
ついて説明する。
Next, the operation of this embodiment will be explained with reference to FIGS. 1 and 2.

通常動作のときは、電源制御回路4は、直列データ入力
信号17および直列データ入力制御信号18によって上
位制御装置からの電源投入命令を受信して装置の電源を
投入した後、電源投入完了信号21をハイレベル(“H
”〉にする。メモリ制御回路3は、電源投入完了信号2
1が“H”となったことによって電源投入が完了したこ
とを判断して信号切換信号312を“H”にする。信号
切換信号312がH”になると、メモリアドレス信号切
換回路303は保存用メモリアドレス信号11と実行用
メモリアドレス信号14とを接続し、メモリデータ信号
切換回路304は保存用メモリデータ信号12と実行用
メモリデータ信号15とを接続し、メモリ制御信号切換
回路305は実行用メモリ制御信号311と実行用メモ
リ制御信号16とを接続する。続いて命令判断実行制御
口lit!302は、保存用メモリアドレス信号11に
アドレス“O″番地設定し、保存用メモリ制御信号13
によって保存用メモリ1の内容を保存用メモリデータ信
号12を介して読出す。このとき、実行用メモリアドレ
ス信号14にも保存用メモリアドレス信号11からメモ
リアドレス信号切換回路303を介してアドレス“0′
°番地が設定されている。続いて先に読出したデータを
保存用メモリデータ信号12からメモリデータ信号切換
回路304を介して実行用メモリデータ信号15に出力
し、実行用メモリ制御信号311からメモリ制御信号切
換回路305と実行用メモリ制御信号16を介して実行
用メモリ2に書込を行う。以後、アドレスを“1”番地
ずつ増加させて同じ動作を繰返し、メモリアドレスの最
後の番地まで実行する。
During normal operation, the power supply control circuit 4 receives a power-on command from the host control device using the serial data input signal 17 and the serial data input control signal 18 to power on the device, and then sends a power-on completion signal 21 to a high level (“H
”>.The memory control circuit 3 outputs the power-on completion signal 2.
1 becomes "H", it is determined that power-on is completed, and the signal switching signal 312 is set to "H". When the signal switching signal 312 becomes H'', the memory address signal switching circuit 303 connects the storage memory address signal 11 and the execution memory address signal 14, and the memory data signal switching circuit 304 connects the storage memory data signal 12 and the execution memory address signal 14. The memory control signal switching circuit 305 connects the memory data signal 15 for execution, and the memory control signal switching circuit 305 connects the memory control signal 311 for execution and the memory control signal 16 for execution.Next, the instruction judgment execution control port lit! Address “O” is set in the address signal 11, and the storage memory control signal 13
The contents of the storage memory 1 are read out via the storage memory data signal 12. At this time, the execution memory address signal 14 also receives the address “0” from the storage memory address signal 11 via the memory address signal switching circuit 303.
°A street address has been set. Next, the previously read data is outputted from the storage memory data signal 12 to the execution memory data signal 15 via the memory data signal switching circuit 304, and from the execution memory control signal 311 to the memory control signal switching circuit 305 and the execution memory data signal 15. Writing is performed in the execution memory 2 via the memory control signal 16. Thereafter, the same operation is repeated by incrementing the address by "1" until it reaches the last memory address.

この動作によって保存用メモリ1の内容がすべて実行用
メモリ2に書込まれた後、信号切換信号312をローレ
ベル(“L”)とすると、メモリアドレス信号切換回路
303はメモリアドレス信号26と実行用メモリアドレ
ス信号14とを接続し、メモリデータ信号切換回路30
4はメモリデータ信号27と実行用メモリデータ信号1
5とを接続し、メモリ制御信号切換回路305はメモリ
制御信号28と実行用メモリ制御信号16とを接続する
。続いて制御開始指示信号29を、H”にする。シーケ
ンス制御回路部5は、制御開始指示信号2つが“H”に
なると、メモリアドレス信号26およびメモリ制御信号
28によって実行用メモリ2からシーケンス制御情報を
メモリデータ信号27を介して読込み、実行用メモリ2
から読込んだシーケンス制御情報と下位被制御部から読
込んだ制御状態信号31の内容によって次の制御手段を
決定し、制御指示信号30を介して下位被制御部に対し
て制御の指示を行う。
After all the contents of the storage memory 1 are written to the execution memory 2 by this operation, when the signal switching signal 312 is set to low level (“L”), the memory address signal switching circuit 303 switches between the memory address signal 26 and the execution memory 2. and the memory address signal 14 for the memory data signal switching circuit 30.
4 is a memory data signal 27 and an execution memory data signal 1
The memory control signal switching circuit 305 connects the memory control signal 28 and the execution memory control signal 16. Next, the control start instruction signal 29 is set to "H". When the two control start instruction signals become "H", the sequence control circuit section 5 starts the sequence control from the execution memory 2 using the memory address signal 26 and the memory control signal 28. The information is read through the memory data signal 27 and executed in the execution memory 2.
The next control means is determined based on the sequence control information read from the controller and the content of the control status signal 31 read from the lower-order controlled section, and control instructions are given to the lower-order controlled section via the control instruction signal 30. .

次に、上位制御装置から保存用メモリ1の内容の書換え
を行う場合の動作について説明する。
Next, the operation when rewriting the contents of the storage memory 1 from the higher-level control device will be described.

前述のように、−旦保存用メモリ1の内容が実行用メモ
リ2へ転送された後は、保存用メモリアドレス信号11
および保存用メモリデータ信号12および実行用メモリ
制御信号311は、それぞれ実行用メモリアドレス信号
14および実行用メモリデータ信号15および実行用メ
モリ制御信号16とは切放されてしまう。このため、保
存用メモリ1は実質的には未使用状態となる。すなわち
、この状態のときに保存用メモリ1の内容を書換えても
装置の動作には支障をきたさない。そこでこの時に保存
用メモリ1の内容の書換えを行う。
As mentioned above, after the contents of the storage memory 1 are transferred to the execution memory 2, the storage memory address signal 11 is
The storage memory data signal 12 and the execution memory control signal 311 are disconnected from the execution memory address signal 14, the execution memory data signal 15, and the execution memory control signal 16, respectively. Therefore, the storage memory 1 is essentially in an unused state. That is, even if the contents of the storage memory 1 are rewritten in this state, the operation of the device will not be affected. Therefore, at this time, the contents of the storage memory 1 are rewritten.

上位制御装置から直列データ入力制御信号18によって
制御され直列データ入力信号17を介して電源制御回路
4にシーケンス制御情報書換命令および書換えアドレス
および新しいシーケンス制御情報を送出すると、電源制
御回路4は制御データ入力制御信号23によって制御さ
れ、制御データ入力信号22を介してシーケンス制御情
報書換命令および書換えアドレスおよび新しいシーケン
ス制御情報をメモリ制御回路3の制御データ入出力制御
回路301に送出する。制御データ人出力制御回路30
1は、受信した情報を制御信号310によって命令判断
実行制御回路302に逐次送出する。命令判断実行制御
回路302は、制御信号310によって入力した情報を
メモリIF換え命令と判断し、続いて入力する情報を書
換えアドレスと判断して保存用メモリアドレス信号11
に出力し、さらに続いて入力する情報を新しいシーケン
ス制御情報と判断して保存用メモリデータ信号12に出
力し、保存用メモリ制御信号13によって保存用メモリ
1に書込みを行う。以上の動作によって保存用メモリ1
の内容が書換えられる。
When the host control device sends a sequence control information rewriting command, a rewriting address, and new sequence control information to the power supply control circuit 4 via the serial data input signal 17 under the control of the serial data input control signal 18, the power supply control circuit 4 receives the control data. It is controlled by an input control signal 23 and sends a sequence control information rewrite command, a rewrite address, and new sequence control information to the control data input/output control circuit 301 of the memory control circuit 3 via the control data input signal 22 . Control data human output control circuit 30
1 sequentially sends the received information to the command judgment execution control circuit 302 using a control signal 310. The command determination execution control circuit 302 determines that the information input by the control signal 310 is a memory IF change command, determines that the subsequently input information is a rewrite address, and outputs the storage memory address signal 11.
The information that is subsequently input is determined to be new sequence control information, and is output as the storage memory data signal 12, and written to the storage memory 1 using the storage memory control signal 13. By the above operation, storage memory 1
The contents of will be rewritten.

次に、上位制御装置が保存用メモリ1の内容を読出す場
合の動作について説明する。
Next, the operation when the higher-level control device reads the contents of the storage memory 1 will be explained.

まず、上位制御装置から直列データ入力制御信号18に
よって制御されて直列データ入力信号17を介して電源
制御回路4にシーケンス制御情報読出し命令および読出
しアドレスを送出すると、電源制御回路4は、制御デー
タ入力制御信号23によって制御されて制御データ入力
信号22を介してシーケンス制御情報書換命令および読
出しアドレスをメモリ制御回路3の制御データ入出力制
御回路301に送出する6制御デ一タ入出力制御回路3
01は、受信した情報を制御信号310によって命令判
断実行制御回路302に逐次送出する。命令判断実行制
御回路302は、制御信号310によって入力した情報
をメモリ読出し命令と判断し、続いて入力する情報を読
出しアドレスと判断して保存用メモリアドレス信号11
に出力し、保存用メモリ制御信号13によって読出しを
行う。次に、読出したデータを制御データ出力制御信号
によって制御されながら制御データ出力信号24に出力
する。制御データ出力信号24によって出力されたデー
タは、直列データ出力制御信号20によって制御されて
直列データ出力信号19を介して上位制御装置に出力さ
れる。
First, when a sequence control information read command and a read address are sent to the power supply control circuit 4 via the serial data input signal 17 under the control of the serial data input control signal 18 from the host control device, the power supply control circuit 4 inputs the control data. 6 control data input/output control circuit 3 that is controlled by the control signal 23 and sends the sequence control information rewriting command and read address to the control data input/output control circuit 301 of the memory control circuit 3 via the control data input signal 22;
01 sequentially sends the received information to the command judgment execution control circuit 302 using a control signal 310. The command determination execution control circuit 302 determines that the information input by the control signal 310 is a memory read command, determines that the subsequently input information is a read address, and outputs the storage memory address signal 11.
The data is read out using the storage memory control signal 13. Next, the read data is output to the control data output signal 24 while being controlled by the control data output control signal. The data outputted by the control data output signal 24 is controlled by the serial data output control signal 20 and outputted to the host control device via the serial data output signal 19.

以上の動作によって保存用メモリ1の内容が読出される
Through the above operations, the contents of the storage memory 1 are read out.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明のデータ記憶装置は、シー
ケンス制御回路部にマイクロプログラム方式を採用し、
シーケンス制御情報をメモリに格納し、さらに、上位制
御装置から電源の投入切断を行うために上位制御装置と
の間に直列データの授受を行うためのインターフェース
を有する電源制御回路を備える従来のデータ記憶装置に
対して、シーケンス制御情報を格納するメモリとして保
存用メモリと実行用メモリとの二つのメモリを備え、か
つ制御動作を実行するときに未使用となる保存用メモリ
の内容を上位制御装置から書込みおよび読出しが行える
ような機能を追加することにより、制御情報を変更する
ときに制御情報が格納しであるメモリを取外して交換し
なければならないという従来のデータ記憶装置の欠点を
解消して、メモリを交換することなしに制御情報の書換
えを容易にできるという効果がある。また、メモリの交
換が必要ないため、費用も節減できるという効果もある
。さらに、制御動作の実行時に未使用である保存用メモ
リを書換えるため、何時でも制御情報の書換えを行うこ
とができ、適当などきに電源を再投入することによって
実行用メモリの内容も書換えられて新しい制御情報によ
って制御を行うことができるという効果もある。
As explained above, the data storage device of the present invention employs a microprogram method in the sequence control circuit section,
A conventional data storage device that stores sequence control information in a memory and further includes a power supply control circuit that has an interface for transmitting and receiving serial data to and from a host control device in order to turn on and off power from the host control device. The device is equipped with two memories, a storage memory and an execution memory, for storing sequence control information, and the contents of the storage memory that are not used when executing control operations can be transferred from the higher-level control device. By adding write and read functions, the disadvantage of conventional data storage devices is that the memory in which the control information is stored must be removed and replaced when changing the control information. This has the effect that control information can be easily rewritten without replacing the memory. Furthermore, since there is no need to replace the memory, there is also the effect of cost savings. Furthermore, since the unused storage memory is rewritten when a control operation is executed, the control information can be rewritten at any time, and the contents of the execution memory can be rewritten by turning the power back on at any time. Another advantage is that control can be performed using new control information.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第2図は
第1図の実施例のメモリ制御回路部の詳細を示すブロッ
ク図である。 1・・・・・・電気的書換可能形不揮発性メモリ回路(
保存用メモリ)、2・・・・・・メモリ回路(実行用メ
モリ〉、3・・・・・・メモリ制御回路、4・・・・・
・電源制御回路、5・・・・・・シーケンス制御回路部
、301・・・・・・制御データ入出力制御回路、30
2・・・・・・命令判断実行制御回路、303・・・・
・・メモリアドレス信号切換回路、304・・・・・・
メモリデータ信号切換回路、305・・・・・・メモリ
制御信号切換回路。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram showing details of the memory control circuit section of the embodiment of FIG. 1...Electrically rewritable nonvolatile memory circuit (
memory for storage), 2... memory circuit (memory for execution), 3... memory control circuit, 4...
- Power supply control circuit, 5... Sequence control circuit section, 301... Control data input/output control circuit, 30
2... Command judgment execution control circuit, 303...
...Memory address signal switching circuit, 304...
Memory data signal switching circuit, 305...Memory control signal switching circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 各種のシーケンス動作の制御を行うシーケンス制御回路
部と、 電源の切断時に前記シーケンス制御回路部の制御情報を
保持する電気的書換可能形不揮発性メモリ回路と、 前記シーケンス制御回路部が各種の制御動作を実行する
ときに制御情報を読出すメモリ回路と、電源制御回路部
から送出される電源投入完了信号によってあらかじめ前
記電気的書換可能形不揮発性メモリ回路に格納している
制御情報を前記メモリ回路に転送し、転送終了後に前記
メモリ回路のアドレス信号およびデータ信号および読出
制御信号をそれぞれ前記シーケンス制御回路部のメモリ
アドレス信号およびメモリデータ信号およびメモリ読出
制御信号に接続し、前記シーケンス制御回路部へ制御開
始を指示し、かつ前記シーケンス制御回路部との間に直
列データによって各種の命令およびデータの授受を行う
ためのインターフェース信号を有し、前記インターフェ
ース信号によって前記電気的書換可能形不揮発性メモリ
回路の任意のアドレスの内容の書換えおよび読出しを行
うメモリ制御回路部と、 上位制御装置との間に直列データによって各種の命令お
よびデータの授受を行うためのインターフェース信号を
有し、前記インターフェース信号を介して前記上位制御
装置から送出される電源投入命令によって電源の投入を
行い、電源投入完了時に前記メモリ制御回路部に電源投
入完了信号を送出し、電源切断命令によって電源の切断
を行い、状態読出命令によって電源投入状態および電源
の異常および冷却用ファンの状態の送出を行い、前記電
源の異常および冷却用ファンの異常を検出したとき前記
上位制御装置にその異常を報告し、前記上位制御装置か
らシーケンス制御情報書換命令およびその命令に続いて
送出されるメモリアドレスおよび新しいシーケンス制御
情報によって前記メモリ制御回路部に対して前記電気的
書換可能形不揮発性メモリ回路の前記メモリアドレスの
シーケンス制御情報書換命令および新しい前記シーケン
ス制御情報の送出を行い、前記上位制御装置からシーケ
ンス制御情報読出し命令およびその命令に続いて送出さ
れるメモリアドレスによって前記メモリ制御回路部に対
して前記電気的書換可能形不揮発性メモリ回路の前記メ
モリアドレスのシーケンス制御情報読出し命令を送出し
、前記メモリ制御回路部から送出される前記メモリアド
レスに格納されているシーケンス制御情報を前記上位制
御装置に送出する電源制御回路部と を備えることを特徴とするデータ記憶装置。
[Scope of Claims] A sequence control circuit unit that controls various sequence operations; an electrically rewritable nonvolatile memory circuit that retains control information of the sequence control circuit unit when power is turned off; and the sequence control circuit. A memory circuit that reads control information when the unit executes various control operations, and control that is stored in advance in the electrically rewritable nonvolatile memory circuit based on a power-on completion signal sent from the power supply control circuit unit. Transfer information to the memory circuit, and after the transfer is completed, connect the address signal, data signal, and read control signal of the memory circuit to the memory address signal, memory data signal, and memory read control signal of the sequence control circuit section, respectively, and It has an interface signal for instructing the sequence control circuit unit to start control and for exchanging various commands and data with the sequence control circuit unit by serial data, and the electrical rewriting is possible by the interface signal. It has an interface signal for exchanging various commands and data using serial data between a memory control circuit unit that rewrites and reads the contents of arbitrary addresses in a non-volatile memory circuit, and a host control device. Power is turned on in response to a power-on command sent from the higher-level control device via the interface signal, a power-on completion signal is sent to the memory control circuit unit upon completion of power-on, and the power is turned off in response to a power-off command. and transmits the power-on state, abnormality in the power supply, and status of the cooling fan by a status read command, and when an abnormality in the power supply and abnormality in the cooling fan is detected, reports the abnormality to the upper control device; The sequence of the memory addresses of the electrically rewritable non-volatile memory circuit is sent to the memory control circuit section by a sequence control information rewriting command from a higher-level control device, a memory address sent following the command, and new sequence control information. A control information rewrite command and new sequence control information are sent, and the memory control circuit section is electrically rewritten by a sequence control information read command and a memory address sent from the higher-level control device following the command. a power supply control circuit that sends out a sequence control information read command of the memory address of the non-volatile memory circuit, and sends the sequence control information stored in the memory address sent from the memory control circuit unit to the higher-level control device; A data storage device comprising:
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